JPS60187932A - 金属と気体元素との化合物膜の製造方法 - Google Patents

金属と気体元素との化合物膜の製造方法

Info

Publication number
JPS60187932A
JPS60187932A JP4252484A JP4252484A JPS60187932A JP S60187932 A JPS60187932 A JP S60187932A JP 4252484 A JP4252484 A JP 4252484A JP 4252484 A JP4252484 A JP 4252484A JP S60187932 A JPS60187932 A JP S60187932A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
layer
metal
gaseous
gaseous element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4252484A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirobumi Ouchi
博文 大内
Mitsumasa Umezaki
梅崎 光政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4252484A priority Critical patent/JPS60187932A/ja
Publication of JPS60187932A publication Critical patent/JPS60187932A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は1例えば磁気記録媒体として使用される酸化
膜、窒化膜等の金属と気体元素との化合物膜の製造方法
に関するものである。
〔従来技術〕
従来、金属と気体元素との化合物膜は以下に示す従来例
のように製造されている。
従来例1 (鉄の酸化膜、γ−Fe205薄膜の製造方
法) 薄膜磁気ディスク用記録媒体として使用されるγ−Fe
203薄膜の製造方法として第1図の断面図に工程順に
示すものがあった。図において、(1)は基材、(2)
は基材(1)上に成膜したa−Fe205膜、(3)は
中間生成物のFe3O4膜、(4)はγ−Fe2O3膜
である。
まず、基材(1)上に、スパッタ法等によってα−Fe
2C15膜(2)を形成する。次いでα−Fe203膜
(2)を水素還元処理してFe3O4膜に変える。さら
に。
このFe3O4膜(3)を大気中で酸化処理して、γ−
Fe203膜+4+ニ変エル。
第2図の上図は、上記従来例により得られたPe304
膜(3)のX線回折パターンを示すもので。
表面付近にFe層が形成されるため、Feの大きなピー
クが見られる。
従来の製造方法では、α−Fe2O3膜(2)の水素還
元処理において1表面はど還元反応が進みやすく。
Fe3O4膜(3)の表面付近にFe層が形成されたり
α−Pe205残存量が膜厚に比例して増加するなどし
、Fe3O4膜(3)、ひいてはr Pe203膜(4
)の膜厚方向に組成の不均一性が生じ、飽和磁化が小さ
くなるという欠点があった。
従来例2 (鉄の窒化膜、 Fe4N膜の製造方法)磁
気記録媒体として使用されるFe 4N膜は、まず、第
3図の断面図に示すように、基材(++上にスパッタ法
等によってFe2N膜(2つを形成し1次いでFe2N
腺(2つを真空中で熱処理することによって得る。
第4図の上図は、このようにして得られたFe4N膜の
X線回折図で、Feの大きなピークが見られる。これは
表面付近にFe層が形成されるためで。
Fe4N膜は膜厚方向に組成の不均一性を生じている。
〔発明の概要J この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、基材に金属と気体元素との第1化
合物層を形成する工程、第1′化合物層上に上記気体元
素の含有量の異なる上記金属と気体元素との第2化合物
層を形成する工程、並びに第1及び第2化合物層を熱処
理して上記気体元素と反応させる工程とを施すことによ
り、容易に組成の均一な金属と気体元素との化合物膜を
提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の実施例について説明する。
実施例1 (鉄の酸化膜、γ−Fe2O3膜の製造方法
) 金属として鉄を、気体元素として酸素を適用した鉄と酸
素との化合物膜の例としてγ−Fe2O3膜の中間生成
物のFe3O4膜について、 この発明を適用して、γ
−Fe2O3膜を製造した。その方法を第5図の断面図
に工程順に示す。図において。
(2a)は鉄と酸素との第1化合物層で、この場合は第
1のα−Fe203層、(2b)は鉄と酸素との第2化
合物層で、この場合は第1のα−Fe203層(2a)
より酸素含有率の多い第2のα−Fe205層である。
まず、基材(1)上に99.9%Feをターゲツト材と
してAr+02雰囲気(8xl 0 Torr、 02
ガス分圧(1,2X10 Torr))中、放電電力8
00Wの条件でスパッタ法により1800^の膜厚の第
1のα−Fe205層(2a)を形成した。さらに、そ
の上に02ガス分圧だけ2.4 X 10 Torrと
し、他は上記と同条件でスパッタして200Xの膜厚の
第2のα−Fe203層(2b)を形成した。この第1
及び第2のα−Fe205層(2a)(2b)を水素雰
囲気中で還元し、Fe3O4膜(3)を得た。還元条件
は。
300℃、2時間である。さらに、このFe3O4膜(
3)を大気中で酸化してγ−Fe2O3膜(4)を得だ
酸化条件は300℃、2時間である。
第2図の下図は、この実施例により得たFe3O4膜(
3)のX線回折パターンを示すもので、はぼFe3O4
単相と考えられ、膜厚方向に組成の均一なFe3O4膜
(3)が得られた。α−Fe203層を二層構造にし−
C9表面層の第2のa−Fe203層(2b)の酸素濃
度をより高くしたことによシ、還元反応。
水素及び酸素の拡散が具合良く進行したものと考えられ
る。又、均一なPe504膜(3)が得られることによ
り、γ−Fe2O3膜(4)も組成の均一な、飽和磁化
の大きなものが得られた。
実施例2 (鉄の窒化膜、’ Fe4N膜の製造方法)
金属として鉄を、気体元素として窒素を適用した鉄と窒
素との化合物膜の例として、Fe4N膜の製造方法につ
いて説明する。まず、第6図の断面図に示すように、基
材(1)上に99.9%Feをターゲツト材としてアル
ゴンと混ぜた窒素雰囲気(N28X10 Torr)中
、放電電力400W、電極間距離100mmの条件でス
パッタ法により1800λの膜厚の鉄と窒素との第1化
合物層である第1のFe2N層(2aつを形成した。さ
らに第1のFe2N層の上に、アルゴンと混ぜた窒素の
割合を増やした状態で、他は上記と同条件で200Xの
膜厚の鉄と窒素との第2化合物層である過剰のN2を含
むN2含有率の多い第2のFe2N層(2b’)を形成
した。
次に、この第1及び第2のFe2N層(2a’)(2b
’)を真空中、400℃で1時間熱処理してFe4N膜
を得た。第4図の下図は、この実施例によって得られた
Fe4N膜のX線回折図で、はぼFe4N単相と考えら
れ、膜厚方向に組成の均一なFe4N膜が得られた。F
e2N膜を二層構造として表面層の第2のFe2N層(
2b′)に過剰の窒素を含ませたことにより、窒素の拡
散が具合良く進行したものと考えられる。
なお、上記実施例では、金属と気体元素との化合物層9
例えばα−Fe205膜、及びFe2N膜を二層構造に
したものについて説明したが、さらに多層構造でもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例においては、鉄の酸化膜及び窒化膜に
ついて述べたが、他の金属の酸化膜及び窒化膜に適用し
ても同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、基材に金属と気体元
素との第1化合物層を形成する工程、第1化合物層上に
上記気体元素の含有量の異なる上記金属と気体元素との
第2化合物層を形成する工程、並びに第1及び第2化合
物層を熱処理して上記気体元素と反応させる工程とを施
すことにより。
容易に組成の均一な金属と気体元素との化合物膜が得ら
れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例のγ−Fe2O3膜の製造方法を工程順
に示す断面図、第2図の上図は従来法により製造しだF
e3O4膜の、下図はこの発明を適用して製造したFe
3O4膜のX線回折パターンを示す特性図、第3図は従
来例に係わる基材に形成されたPe2N膜を示す断面図
、第4図の上図は従来法により製造したFe4N膜の、
下図はこの発明を適用して製造したFe4N膜のX線回
折を示す特性図、第5図はこの発明を適用したγ−Fe
2O3膜の製造方法を工程順に示す断面図、第6図はこ
の発明の一実施例に係わる基材上に形成したPe2Nの
二層膜を示す断面図である。 図において、(1)は基材、(2a)及び(2a’)は
金属と気体元素との第1化合物層で、この場合は(2a
)は第1のα−Ye203層、(2aつは第1のFe2
N層。 (2b)及び(2b′)は金属と気体元素との第2化合
物層で、この場合は(2b)は第2のα−Fe203層
。 (2b’)は第2のFe2N層、(3)は金属と気体元
素との化合物膜で、この場合はFe3O4膜である。 なお9図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人大岩増雄 第 1 図 第4図 @竹へ20(&) 回折内Zθ(友)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基材に金属と気体元素との第1化合物層を形成する工程
    、第1化合物層上に上記気体元素の含有量の異なる上記
    金属と気体元素との第2化合物層を形成する工程、並び
    に第1及び第2化合物層を熱処理して上記気体元素と反
    応させる工程とを施す金属と気体元素との化合物膜の製
    造方法。
JP4252484A 1984-03-06 1984-03-06 金属と気体元素との化合物膜の製造方法 Pending JPS60187932A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4252484A JPS60187932A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 金属と気体元素との化合物膜の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4252484A JPS60187932A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 金属と気体元素との化合物膜の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60187932A true JPS60187932A (ja) 1985-09-25

Family

ID=12638467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4252484A Pending JPS60187932A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 金属と気体元素との化合物膜の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60187932A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59203238A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP2789806B2 (ja) 軟磁性窒化合金膜の作製方法
JPS60187932A (ja) 金属と気体元素との化合物膜の製造方法
JPS6218970B2 (ja)
JPH0821502B2 (ja) 薄膜永久磁石
JPS6022735A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP2808796B2 (ja) 軟磁性薄膜
JPH02263416A (ja) 軟磁性合金膜の製造方法
JPS62104009A (ja) 絶縁被膜付き磁性合金薄帯の製造方法
JP3230212B2 (ja) 磁気記録媒体
JPS6313256B2 (ja)
JP2819653B2 (ja) 磁気ヘッド
JPH0191482A (ja) 磁気抵抗効果膜
JPS61258331A (ja) 磁気記録媒体
JPH079864B2 (ja) Co系アモルフアス磁性膜の製造方法
JP2720363B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPS5940504A (ja) 鉄心
JPH056834A (ja) 積層磁性体膜の形成方法
JPS6029940A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH0489620A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPS5952810A (ja) 酸化鉄磁性薄膜の製造方法
JP2000003812A (ja) 柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド
JPH0430171B2 (ja)
JPH0817129B2 (ja) 磁性合金膜とその製造方法
JPH01125910A (ja) 窒素を含む磁性合金膜