JP2000003812A - 柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド - Google Patents
柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2000003812A JP2000003812A JP16786298A JP16786298A JP2000003812A JP 2000003812 A JP2000003812 A JP 2000003812A JP 16786298 A JP16786298 A JP 16786298A JP 16786298 A JP16786298 A JP 16786298A JP 2000003812 A JP2000003812 A JP 2000003812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- columnar structure
- structure metal
- magnetic
- columnar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
- H01F10/147—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel with lattice under strain, e.g. expanded by interstitial nitrogen
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明が所望する単一層からなる窒化鉄材料
（鉄１６窒素２）をベースとする窒化金属磁性薄膜を得
ることを目的とする。 【解決手段】 体心立方体よりなる主に鉄金属より構成
される柱状構造金属薄膜に２５０℃以下の温度で窒素を
拡散する。
（鉄１６窒素２）をベースとする窒化金属磁性薄膜を得
ることを目的とする。 【解決手段】 体心立方体よりなる主に鉄金属より構成
される柱状構造金属薄膜に２５０℃以下の温度で窒素を
拡散する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高磁束密度を有す
る窒化鉄を主たる成分として含有する柱状構造窒化金属
磁性薄膜に関し、高磁束密度を必要とする磁性材料ある
いは磁気ヘッド等の磁気デバイスに広く適用できる。
る窒化鉄を主たる成分として含有する柱状構造窒化金属
磁性薄膜に関し、高磁束密度を必要とする磁性材料ある
いは磁気ヘッド等の磁気デバイスに広く適用できる。
【０００２】
【従来の技術】本発明が所望する窒化鉄（鉄１６窒素
２）材料は、純鉄よりも飽和磁束密度が高く、有望な材
料として永らく研究されてきた。分子線エピタキシー法
を用いて窒素ビ−ムを当てつつ超薄膜を形成するなどの
手法が開発されているが、当該窒化鉄は局部的に観測さ
れるのみであり、いずれも所望の単一層を得られていな
い。一部にはその存在さえ怪しむ向きもある。
２）材料は、純鉄よりも飽和磁束密度が高く、有望な材
料として永らく研究されてきた。分子線エピタキシー法
を用いて窒素ビ−ムを当てつつ超薄膜を形成するなどの
手法が開発されているが、当該窒化鉄は局部的に観測さ
れるのみであり、いずれも所望の単一層を得られていな
い。一部にはその存在さえ怪しむ向きもある。
【０００３】一方、粉体粉末冶金協会平成１０年度春季
大会２−６５Ａで永富らは、極微小鉄粉体で単一層が得
られること、及び、鉄圧延箔で得られる可能性を示し
た。
大会２−６５Ａで永富らは、極微小鉄粉体で単一層が得
られること、及び、鉄圧延箔で得られる可能性を示し
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在、
純粋の単一層での薄膜や厚膜を得ることが大きな課題と
して残されている。本発明は、所望されない他の窒化鉄
を含有しない単一層から成る窒化鉄材料をベ−スとする
窒化金属磁性薄膜や、磁気デバイスを形成するに十分な
厚膜を得ることを目的とする。さらに、得られた窒化金
属磁性薄膜を用いて高性能の磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
純粋の単一層での薄膜や厚膜を得ることが大きな課題と
して残されている。本発明は、所望されない他の窒化鉄
を含有しない単一層から成る窒化鉄材料をベ−スとする
窒化金属磁性薄膜や、磁気デバイスを形成するに十分な
厚膜を得ることを目的とする。さらに、得られた窒化金
属磁性薄膜を用いて高性能の磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、体心立方体よりなる主に鉄金属より構成さ
れる柱状構造金属薄膜に２５０℃以下の温度で窒素を拡
散して得られる柱状構造窒化金属磁性薄膜を提案するも
のである。
に本発明は、体心立方体よりなる主に鉄金属より構成さ
れる柱状構造金属薄膜に２５０℃以下の温度で窒素を拡
散して得られる柱状構造窒化金属磁性薄膜を提案するも
のである。
【０００６】柱状構造金属薄膜を形成する場合は基板温
度を９００℃以下で行うのが効率的である。また、柱状
構造金属薄膜に窒素を拡散する場合は昇温時から行うの
が好ましい。さらに、柱状構造金属薄膜に窒素を拡散す
る場合は減圧下で行うのが好ましい。
度を９００℃以下で行うのが効率的である。また、柱状
構造金属薄膜に窒素を拡散する場合は昇温時から行うの
が好ましい。さらに、柱状構造金属薄膜に窒素を拡散す
る場合は減圧下で行うのが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において、体心立方体より
なる主に鉄金属より構成される柱状構造金属薄膜は、純
鉄、あるいは鉄を主体とする金属を用いて、スパッタ−
法、蒸着法や、溶射法により形成することができる。用
いることができる基板としては特に限定されないが、ス
テンレス基板あるいは磁気コア等の磁性体等があげられ
る。柱状構造金属薄膜を形成する際、基板温度を９００
℃以下に保てば体心立方体の薄膜を容易に形成すること
ができる。もし、面心立方体などの他の構造であれば、
転移温度近傍の９００℃以下の温度で焼鈍する必要があ
る。
なる主に鉄金属より構成される柱状構造金属薄膜は、純
鉄、あるいは鉄を主体とする金属を用いて、スパッタ−
法、蒸着法や、溶射法により形成することができる。用
いることができる基板としては特に限定されないが、ス
テンレス基板あるいは磁気コア等の磁性体等があげられ
る。柱状構造金属薄膜を形成する際、基板温度を９００
℃以下に保てば体心立方体の薄膜を容易に形成すること
ができる。もし、面心立方体などの他の構造であれば、
転移温度近傍の９００℃以下の温度で焼鈍する必要があ
る。
【０００８】このようにして得られた柱状構造金属薄膜
に窒素を拡散する方法は、例えば、金属薄膜をプラズマ
化した窒素雰囲気中やアンモニア雰囲気中に暴露してお
けばよい。雰囲気の温度は２５０℃以下であり、暴露す
る時間は数時間以上であるが、特に低温で長時間処理す
るのがよい。特に、昇温時から窒素元素を供給すると、
高効率、高速に所望の柱状構造窒化金属磁性薄膜が得ら
れる。さらに、減圧にすることでより安定して所望の柱
状構造窒化金属磁性薄膜が得られる。
に窒素を拡散する方法は、例えば、金属薄膜をプラズマ
化した窒素雰囲気中やアンモニア雰囲気中に暴露してお
けばよい。雰囲気の温度は２５０℃以下であり、暴露す
る時間は数時間以上であるが、特に低温で長時間処理す
るのがよい。特に、昇温時から窒素元素を供給すると、
高効率、高速に所望の柱状構造窒化金属磁性薄膜が得ら
れる。さらに、減圧にすることでより安定して所望の柱
状構造窒化金属磁性薄膜が得られる。
【０００９】柱状構造窒化金属薄膜を多数積層したりス
パイラル状に巻き込んだりすれば、厚膜や柱状の材料が
形成され、各種の広範な磁性材料として磁気デバイスを
形成することができる。さらに、本発明に依れば、磁性
体の上に直接間接に、体心立方体よりなる柱状構造金属
薄膜を形成すると、様々な磁気デバイス、たとえば、磁
気ギャップ部に当該柱状構造窒化金属磁性薄膜を形成し
てなる磁気ヘッドなどへの応用も展開されるなど非常に
広い応用が展開される。
パイラル状に巻き込んだりすれば、厚膜や柱状の材料が
形成され、各種の広範な磁性材料として磁気デバイスを
形成することができる。さらに、本発明に依れば、磁性
体の上に直接間接に、体心立方体よりなる柱状構造金属
薄膜を形成すると、様々な磁気デバイス、たとえば、磁
気ギャップ部に当該柱状構造窒化金属磁性薄膜を形成し
てなる磁気ヘッドなどへの応用も展開されるなど非常に
広い応用が展開される。
【００１０】
【実施例】次に、実施例、比較例、および参考例によっ
て、この発明をさらに詳細に説明する。
て、この発明をさらに詳細に説明する。
【００１１】（実施例１）タ−ゲットに純鉄を用いてス
パッタ−法により、鉄薄膜材料をステンレス基板上に形
成した。スパッタ−ガスとして水素３％アルゴンガスを
用い、基板温度は６５０℃とした。膜厚は、スパッタ−
時間を変えることにより、４５，８０，１２０，１５
０，３００μｍとした。得られた薄膜は、透過電子顕微
鏡観察により柱状構造をしていることが認められ、さら
にＸ−線解析により体心立方体よりなることも認められ
た。
パッタ−法により、鉄薄膜材料をステンレス基板上に形
成した。スパッタ−ガスとして水素３％アルゴンガスを
用い、基板温度は６５０℃とした。膜厚は、スパッタ−
時間を変えることにより、４５，８０，１２０，１５
０，３００μｍとした。得られた薄膜は、透過電子顕微
鏡観察により柱状構造をしていることが認められ、さら
にＸ−線解析により体心立方体よりなることも認められ
た。
【００１２】この柱状構造金属薄膜を、１００、１２
０、１５０、２００、２５０、３００℃の温度で、プラ
ズマ化した窒素雰囲気中及びアンモニア雰囲気に暴露
し、５時間から７日の窒化処理を行った。Ｘ−線解析に
よれば、２５０，３００℃処理では、いずれのサンプル
も所望の窒化鉄は殆ど含まれなかった。
０、１５０、２００、２５０、３００℃の温度で、プラ
ズマ化した窒素雰囲気中及びアンモニア雰囲気に暴露
し、５時間から７日の窒化処理を行った。Ｘ−線解析に
よれば、２５０，３００℃処理では、いずれのサンプル
も所望の窒化鉄は殆ど含まれなかった。
【００１３】一方、２００℃以下では殆ど所望の窒化鉄
になっていた。飽和磁束密度の値で２．３５Ｔ（厚み測
定誤差を考慮した値に設定）以上を示す以下のサンプル
と一致していた。これらのサンプルは、１００℃処理で
は４５から８０μｍのサンプルの５日から７日処理、１
２０℃処理では４５から１２０μｍサンプルの１日から
７日処理、１５０℃処理では４５から１５０μｍサンプ
ルの１０時間から２日、２００℃では８０から１５０μ
ｍサンプルの５時間以下であった。
になっていた。飽和磁束密度の値で２．３５Ｔ（厚み測
定誤差を考慮した値に設定）以上を示す以下のサンプル
と一致していた。これらのサンプルは、１００℃処理で
は４５から８０μｍのサンプルの５日から７日処理、１
２０℃処理では４５から１２０μｍサンプルの１日から
７日処理、１５０℃処理では４５から１５０μｍサンプ
ルの１０時間から２日、２００℃では８０から１５０μ
ｍサンプルの５時間以下であった。
【００１４】以上から、低温長時間の窒化処理が好まし
いことが示された。 （実施例２）上記実施例１で得られた、ステンレス基板
上の鉄薄膜材料を不活性雰囲気中で２０分間、９００℃
と１０００℃で処理し、ついで同様の窒化処理を実施し
たところ、９００℃処理のサンプルでは全て実施例１と
同様の結果を得たが、１０００℃処理では全て不良であ
った。
いことが示された。 （実施例２）上記実施例１で得られた、ステンレス基板
上の鉄薄膜材料を不活性雰囲気中で２０分間、９００℃
と１０００℃で処理し、ついで同様の窒化処理を実施し
たところ、９００℃処理のサンプルでは全て実施例１と
同様の結果を得たが、１０００℃処理では全て不良であ
った。
【００１５】これから、少なくとも９００℃以下が有効
であることがわかる。面心立方体との転移温度近傍温度
９００℃以下の温度での焼鈍が有効であることが実験的
に示された。
であることがわかる。面心立方体との転移温度近傍温度
９００℃以下の温度での焼鈍が有効であることが実験的
に示された。
【００１６】（実施例３）実施例１において、特に１５
０℃窒化処理サンプルについて、その条件を以下のよう
に変化させて処理を行った。即ち、室温から所定の１５
０℃へ昇温する時間を５時間として、昇温時から窒化処
理を施した。その結果、所望の窒化鉄となっている期間
は５時間から３日と拡大した。低温窒化が特に好ましい
ことが示された。
０℃窒化処理サンプルについて、その条件を以下のよう
に変化させて処理を行った。即ち、室温から所定の１５
０℃へ昇温する時間を５時間として、昇温時から窒化処
理を施した。その結果、所望の窒化鉄となっている期間
は５時間から３日と拡大した。低温窒化が特に好ましい
ことが示された。
【００１７】（実施例４）実施例３において、全窒化処
理を減圧下で実施した。圧力は、０．０１気圧とした。
その結果、所望の窒化鉄になっている期間は、５時間か
ら５日とさらに拡大した。減圧低温窒化が更に好ましい
ことが示された。
理を減圧下で実施した。圧力は、０．０１気圧とした。
その結果、所望の窒化鉄になっている期間は、５時間か
ら５日とさらに拡大した。減圧低温窒化が更に好ましい
ことが示された。
【００１８】さらに、実施例１において、２５０℃窒化
処理サンプルについて、その条件を以下のように変化さ
せて処理を行った。即ち、室温から所定の２５０℃へ昇
温する時間を５時間として、昇温時から窒化処理を施し
た。その結果、所望の窒化鉄になっている期間は、１時
間から３時間にあることが判明した。一方、３００℃窒
化処理サンプルでは、所望の窒化鉄は得られなかった。
従って、窒化処理温度の上限は、２５０℃と３００℃の
間にあると推定される。
処理サンプルについて、その条件を以下のように変化さ
せて処理を行った。即ち、室温から所定の２５０℃へ昇
温する時間を５時間として、昇温時から窒化処理を施し
た。その結果、所望の窒化鉄になっている期間は、１時
間から３時間にあることが判明した。一方、３００℃窒
化処理サンプルでは、所望の窒化鉄は得られなかった。
従って、窒化処理温度の上限は、２５０℃と３００℃の
間にあると推定される。
【００１９】以上の操作により、単一層の所望の柱状構
造窒化金属磁性薄膜が高効率、高速に安定して得られる
ことが明確に示された。
造窒化金属磁性薄膜が高効率、高速に安定して得られる
ことが明確に示された。
【００２０】（実施例５）実施例１において、純鉄に変
えて、コバルトを３％含有するタ−ゲットを使用して同
様の実験を実施した。その結果、全く同様の結果を得
た。なお、これらの実験結果から、原理的には主体的に
鉄から構成された柱状合金薄膜であり、体心立方形に納
まっていればどのような合金でも良いことが推定され
る。
えて、コバルトを３％含有するタ−ゲットを使用して同
様の実験を実施した。その結果、全く同様の結果を得
た。なお、これらの実験結果から、原理的には主体的に
鉄から構成された柱状合金薄膜であり、体心立方形に納
まっていればどのような合金でも良いことが推定され
る。
【００２１】（比較例１）圧延して厚さ１００μｍの鉄
箔を準備した。１０００℃で１時間焼鈍した。粒径は、
およそ８０μｍであった。この箔に対して、実施例１と
同様の処理を行った結果、どのような条件でも、僅かの
所望窒化鉄が認められるのみであった。
箔を準備した。１０００℃で１時間焼鈍した。粒径は、
およそ８０μｍであった。この箔に対して、実施例１と
同様の処理を行った結果、どのような条件でも、僅かの
所望窒化鉄が認められるのみであった。
【００２２】（比較例２）圧延して厚さ６０μｍの鉄箔
を準備した。１０００℃で１時間焼鈍した。粒径は、お
よそ５０μｍであった。この箔に対して、実施例１と同
様の処理を行った結果、どのような条件でも、比較例１
よりも良好ではあったが、僅かの所望窒化鉄が認められ
るのみであった。
を準備した。１０００℃で１時間焼鈍した。粒径は、お
よそ５０μｍであった。この箔に対して、実施例１と同
様の処理を行った結果、どのような条件でも、比較例１
よりも良好ではあったが、僅かの所望窒化鉄が認められ
るのみであった。
【００２３】（比較例３）３０μｍの鉄粉を購入し、薄
く広げて水素気流中３００℃３０分還元処理を実施した
後に、５００℃で３０分焼鈍した。粒径は、不変である
が、焼結して多孔体を形成した。この粉体に対して、実
施例１と同様と同様に１１５℃１０日間の熱処理を実施
したところ、引用例と同様に、良好な所望窒化鉄が認め
られた。しかし、上記実施例とは全く異なり、多孔質で
あり、強く押すと破壊するので一般材料には適さない。
く広げて水素気流中３００℃３０分還元処理を実施した
後に、５００℃で３０分焼鈍した。粒径は、不変である
が、焼結して多孔体を形成した。この粉体に対して、実
施例１と同様と同様に１１５℃１０日間の熱処理を実施
したところ、引用例と同様に、良好な所望窒化鉄が認め
られた。しかし、上記実施例とは全く異なり、多孔質で
あり、強く押すと破壊するので一般材料には適さない。
【００２４】（比較例４）比較例の鉄薄膜を、１０００
℃で１時間焼鈍した。結晶形は面心立方に変化してお
り、粒径はおよそ３０から９０μｍとなって当初の柱状
構造は認められなかった。この薄膜に対して、実施例１
と同様の窒素拡散課程を行った結果、どのような条件で
も、僅かの所望窒化鉄が認められるのみであった。
℃で１時間焼鈍した。結晶形は面心立方に変化してお
り、粒径はおよそ３０から９０μｍとなって当初の柱状
構造は認められなかった。この薄膜に対して、実施例１
と同様の窒素拡散課程を行った結果、どのような条件で
も、僅かの所望窒化鉄が認められるのみであった。
【００２５】（参考例）本柱状構造窒化金属磁性薄膜を
用いて、図１に示すようなＭＩＧヘッドを作製すること
ができる。このヘッドを作製するには、まず、一対の凸
状磁性体コア１の突出端側に、実施例４と同じ条件で柱
状構造窒化金属磁性薄膜２を形成する。次に、ギャップ
材（ＳＩＯ2とＣｒ、図示せず）を介して突出端をつき
合わせ、磁気ギャップ３を形成し、両磁性体コアのサイ
ドに設けられたガラス質ブロック４によって相互に結合
する。なお、一方の磁性体コアには、コイル貫通用の巻
線溝５を設けてある。
用いて、図１に示すようなＭＩＧヘッドを作製すること
ができる。このヘッドを作製するには、まず、一対の凸
状磁性体コア１の突出端側に、実施例４と同じ条件で柱
状構造窒化金属磁性薄膜２を形成する。次に、ギャップ
材（ＳＩＯ2とＣｒ、図示せず）を介して突出端をつき
合わせ、磁気ギャップ３を形成し、両磁性体コアのサイ
ドに設けられたガラス質ブロック４によって相互に結合
する。なお、一方の磁性体コアには、コイル貫通用の巻
線溝５を設けてある。
【００２６】このヘッドに用いた金属磁性薄膜は、２．
３５Ｔ以上の飽和磁束密度を有するため、１００ＫＡ／
ｍ以上の高保磁力を有するメタルテープに使用しても磁
気飽和を起こすことはなく、高密度磁気記録再生を実現
することができる。
３５Ｔ以上の飽和磁束密度を有するため、１００ＫＡ／
ｍ以上の高保磁力を有するメタルテープに使用しても磁
気飽和を起こすことはなく、高密度磁気記録再生を実現
することができる。
【００２７】
【発明の効果】従来技術で記述されたように、所望され
ない他の窒化鉄を含有しない単一層から成る当該窒化鉄
材料をベ−スとする窒化金属磁性薄膜や、磁気テバイス
を形成するに十分な厚膜を得ることができる。また、本
発明の操作により、単一層の所望の柱状構造窒化金属磁
性薄膜が高効率、高速に安定して得られる。
ない他の窒化鉄を含有しない単一層から成る当該窒化鉄
材料をベ−スとする窒化金属磁性薄膜や、磁気テバイス
を形成するに十分な厚膜を得ることができる。また、本
発明の操作により、単一層の所望の柱状構造窒化金属磁
性薄膜が高効率、高速に安定して得られる。
【図１】本柱状構造窒化金属磁性薄膜を用いたＭＩＧヘ
ッドの斜視図
ッドの斜視図
１ 凸状磁性体コア ２ 柱状構造窒化金属磁性薄膜 ３ 磁気ギャップ ４ ガラス質ブロック ５ 巻線溝
Claims (12)
- 【請求項１】 体心立方体よりなる主に鉄金属より構成
される柱状構造金属薄膜に２５０℃以下の温度で窒素を
拡散して得られる柱状構造窒化金属磁性薄膜。 - 【請求項２】 柱状構造金属薄膜はスパッタ−法で形成
された請求項１記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜。 - 【請求項３】 柱状構造金属薄膜は蒸着法で形成された
請求項１記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜。 - 【請求項４】 柱状構造金属薄膜は溶射法で形成された
請求項１記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜。 - 【請求項５】 少なくとも主に鉄金属より構成される柱
状構造金属薄膜を体心立方体状に形成する工程と、２５
０℃以下の温度で前記体心立方体状の柱状構造金属薄膜
に窒素を拡散する工程からなる柱状構造窒化金属磁性薄
膜の製造方法。 - 【請求項６】 柱状構造金属薄膜を形成する工程はスパ
ッタ−法を用いる請求項５記載の柱状構造窒化金属磁性
薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 柱状構造金属薄膜を形成する工程は蒸着
法を用いる請求項５記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜の
製造方法。 - 【請求項８】 柱状構造金属薄膜を形成する工程は溶射
法を用いる請求項５記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜の
製造方法。 - 【請求項９】 柱状構造金属薄膜を形成する工程は基板
温度を９００℃以下で行う請求項５〜９のいずれか一項
記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項１０】 柱状構造金属薄膜に窒素を拡散する工
程は昇温時から行う請求項５〜９のいずれか一項記載の
柱状構造窒化金属磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項１１】 柱状構造金属薄膜に窒素を拡散する工
程は昇温時から減圧下で行う請求項５〜１０のいずれか
一項記載の柱状構造窒化金属磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項１２】 少なくとも請求項１記載の柱状構造窒
化金属磁性薄膜を有する突出端面同士が磁気ギャップを
介して向き合うように対向配置された一対の凸状磁性体
コアからなる磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786298A JP2000003812A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786298A JP2000003812A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003812A true JP2000003812A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15857472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16786298A Pending JP2000003812A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000003812A (ja) |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP16786298A patent/JP2000003812A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5935347A (en) | FE-base soft magnetic alloy and laminated magnetic core by using the same | |
| EP0737960B1 (en) | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head | |
| JP3108637B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JP2000003812A (ja) | 柱状構造窒化金属磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド | |
| KR101308105B1 (ko) | 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법 | |
| JP3167808B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH03265105A (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| KR100333496B1 (ko) | 고보자력 자성박막 열처리 방법 | |
| JP2720363B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0329304A (ja) | 軟磁性薄膜ならびにその製造方法 | |
| JP2001015339A (ja) | 軟磁性積層膜および薄膜磁気ヘッド | |
| JPH11288812A (ja) | 高保磁力Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系薄膜磁石及びその製造方法 | |
| JPH04102308A (ja) | Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ系合金磁性膜の製造方法 | |
| JP3238216B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH0613236A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2668470B2 (ja) | 軟磁性膜の製造方法 | |
| JPS62226413A (ja) | 磁性体膜およびその製造法 | |
| JPH10255225A (ja) | 磁気ヘッド用磁性薄膜とその製造方法 | |
| JPS60140542A (ja) | 磁気記録媒体の製法 | |
| JPH03162736A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60138735A (ja) | 磁気記録媒体の熱処理方法 | |
| JPH1012437A (ja) | 磁気ヘッド用基板付き合金磁性膜、その製造方法および磁気ヘッド | |
| JPH06168821A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS63255813A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS62293507A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 |