JPS60183783A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPS60183783A JPS60183783A JP59040014A JP4001484A JPS60183783A JP S60183783 A JPS60183783 A JP S60183783A JP 59040014 A JP59040014 A JP 59040014A JP 4001484 A JP4001484 A JP 4001484A JP S60183783 A JPS60183783 A JP S60183783A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- layer
- intermediate layer
- substrate
- diffraction grating
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（発明の分野）
本発明は半導体基板上への回折イイ１子の製造方法に関
する。 （従来技術） 近年、元デバイスの分野４１ ′「Ｅｉ’、子デバイス
同］−１ｚζこ集ｔｒｊ化の方向ζこ進もうとしている
。元ファイバ〕Ｉ！■信用の光源である半導２俸レーザ
も、受光；岱や亥、（１，’ｄ器との一捧化や、波長制
御伝能等を付加することが提案されている。ところで、
半導体レーザには大別して２ ａ＋ｉ ｙｉｉのタイプ
がある。一方は＃２．ｉ″ｆ体レーザウェハをへき開し
た２つの端１／１１により共振益を形成したファブリベ
ロー型半導俸し−サである。 他方は素子内部ｌこ回折格子を内蔵し、この回４）ｒ格
子のブラック反射を利用した分布反射型または分布帰還
型半４４捧レーザである、前者（１半導１４・ウェハを
へき開し′ｆ、Ｌ： ＜では７′、Ｃら４ｆいため集１
１′１化にとっては不向きである。後者はへき開を必要
とせす、半導体基板をこ形成した光導波路と面接結合で
きるため集偵化にとってイＴ刊である。 後者の分４ｉ反射型、分布帰還型の半魯俸レーザを半導
体基板に埋め込んで集１１１化を計ろうとする場合、半
導体基板のレー→）一部のみに回折格子を形成ずれはよ
い訳であるが、従来の回折格子形成方法は二）′を束干
渉Ｈ′ｔのＹ＝法を月１いて牛嗜捧基板の全面に回折格
子を形成するものであり、基板の一部にのみ回」ノミ格
子を形成することは田り：ｊｌＵであった。１Ｊ／ｊｌ
え（１、干渉ｉ、・１９光の際、基板のｊ＞ｉＪ ｔｒ
＋Ｊｃこ縞蔽物を置き、露）し用つしヒームの一部を遮
ろうとすれは、２本の光ビームのうち一方は照射されて
も、他方は疎蔽物の影にｒ、（る８１〜分がてき、この
部分が周期状ではなく全停（・こ露光されてしまい、基
板工、ツチングの際、周期状では１．ｆ ＜、一様にエ
ツチングされてしまう間ｈ°了１があった。 （発明の目的） 本発明の目的は上ｉｌｌの曲７＋′４１点をＨ（決し、
半２Ｊ′・１イ（基板に８１−公的に回折４ｊ’ｌ子を
形成する回４〕１格子・１ぐ造方法を提供することＣ・
こある。 （発明の４１へ′成） 本発明の製造方法は、半導体基板上に中間層を部分的に
形成する工程さ、前−ｊピ半導俸基板の露出面及び中間
層表面を覆うようζこフォトレンス［層を形）戎する工
程と、ｉｌ記フォトレジスト層を２）を東干渉露光法に
よりｈＩ’；を先後現像して周期状のバク−に整形する
エイ“１１と、前記フォトレジスト層をマスクとしてＭ
間中間層が世っていない前記半心捧詠 基板部分のＩをエツチングする工程と、ＩｉＪ記中間中
間層フォトレジスト ている構成の回折格子の製造方法と、半導４４：ｉｉ＋
板上に中間層を部分的に形成する工〃ｌ）と、前記半導
体基板の露出した面及び中１１１］層表面をＬ！′よう
ようにフォトレジスト層を形成する工程と、ｉ’＋ｉ−
１！−じフォトレジスト層を２光束干渉ト、イ光法によ
り１ｌＪｉｉ元・現像して周期状のパターンに整形する
工程と、前ｈ［シフオドレジスト層をマスクとして前記
中間層及び半ｉ９ ｉ４；基板をエツチングする工４．
′ｘと、前記中間層及びフォトレジスト層を除去するエ
イ・！−とをイエする構成の製造方法である。 〔第１の実施例〕 以下に本発明の詳細を図面を用いて説明する。 第１図は本発明の第１の実施例である回折格子の製造方
法を工程１１１４に説明する半心悸基板断面図である。 （ａ）図でｉ；ｊＩｎＰ半鍍悸ノと板１１」二に部分的
に中間層であるＳ １０２綽１２を形成した彼、全面を
世うように、例えばＡＺ１３５０フォトレジス）・１３
ｉ塗イ１４する。（ｂ）図ではフォトレジスト１；３の
全面を例えば二光束干渉露光法等を用いて周Ｊす１状パ
ターンに４光・覗１像する。（Ｃ）図ではフォトレジス
ト１：３をマスクとして１−ＩＢｒ ＋ Ｈ２Ｏ２＋Ｈ
２（Ｊ 端のｆｆ−、チング
する。 （従来技術） 近年、元デバイスの分野４１ ′「Ｅｉ’、子デバイス
同］−１ｚζこ集ｔｒｊ化の方向ζこ進もうとしている
。元ファイバ〕Ｉ！■信用の光源である半導２俸レーザ
も、受光；岱や亥、（１，’ｄ器との一捧化や、波長制
御伝能等を付加することが提案されている。ところで、
半導体レーザには大別して２ ａ＋ｉ ｙｉｉのタイプ
がある。一方は＃２．ｉ″ｆ体レーザウェハをへき開し
た２つの端１／１１により共振益を形成したファブリベ
ロー型半導俸し−サである。 他方は素子内部ｌこ回折格子を内蔵し、この回４）ｒ格
子のブラック反射を利用した分布反射型または分布帰還
型半４４捧レーザである、前者（１半導１４・ウェハを
へき開し′ｆ、Ｌ： ＜では７′、Ｃら４ｆいため集１
１′１化にとっては不向きである。後者はへき開を必要
とせす、半導体基板をこ形成した光導波路と面接結合で
きるため集偵化にとってイＴ刊である。 後者の分４ｉ反射型、分布帰還型の半魯俸レーザを半導
体基板に埋め込んで集１１１化を計ろうとする場合、半
導体基板のレー→）一部のみに回折格子を形成ずれはよ
い訳であるが、従来の回折格子形成方法は二）′を束干
渉Ｈ′ｔのＹ＝法を月１いて牛嗜捧基板の全面に回折格
子を形成するものであり、基板の一部にのみ回」ノミ格
子を形成することは田り：ｊｌＵであった。１Ｊ／ｊｌ
え（１、干渉ｉ、・１９光の際、基板のｊ＞ｉＪ ｔｒ
＋Ｊｃこ縞蔽物を置き、露）し用つしヒームの一部を遮
ろうとすれは、２本の光ビームのうち一方は照射されて
も、他方は疎蔽物の影にｒ、（る８１〜分がてき、この
部分が周期状ではなく全停（・こ露光されてしまい、基
板工、ツチングの際、周期状では１．ｆ ＜、一様にエ
ツチングされてしまう間ｈ°了１があった。 （発明の目的） 本発明の目的は上ｉｌｌの曲７＋′４１点をＨ（決し、
半２Ｊ′・１イ（基板に８１−公的に回折４ｊ’ｌ子を
形成する回４〕１格子・１ぐ造方法を提供することＣ・
こある。 （発明の４１へ′成） 本発明の製造方法は、半導体基板上に中間層を部分的に
形成する工程さ、前−ｊピ半導俸基板の露出面及び中間
層表面を覆うようζこフォトレンス［層を形）戎する工
程と、ｉｌ記フォトレジスト層を２）を東干渉露光法に
よりｈＩ’；を先後現像して周期状のバク−に整形する
エイ“１１と、前記フォトレジスト層をマスクとしてＭ
間中間層が世っていない前記半心捧詠 基板部分のＩをエツチングする工程と、ＩｉＪ記中間中
間層フォトレジスト ている構成の回折格子の製造方法と、半導４４：ｉｉ＋
板上に中間層を部分的に形成する工〃ｌ）と、前記半導
体基板の露出した面及び中１１１］層表面をＬ！′よう
ようにフォトレジスト層を形成する工程と、ｉ’＋ｉ−
１！−じフォトレジスト層を２光束干渉ト、イ光法によ
り１ｌＪｉｉ元・現像して周期状のパターンに整形する
工程と、前ｈ［シフオドレジスト層をマスクとして前記
中間層及び半ｉ９ ｉ４；基板をエツチングする工４．
′ｘと、前記中間層及びフォトレジスト層を除去するエ
イ・！−とをイエする構成の製造方法である。 〔第１の実施例〕 以下に本発明の詳細を図面を用いて説明する。 第１図は本発明の第１の実施例である回折格子の製造方
法を工程１１１４に説明する半心悸基板断面図である。 （ａ）図でｉ；ｊＩｎＰ半鍍悸ノと板１１」二に部分的
に中間層であるＳ １０２綽１２を形成した彼、全面を
世うように、例えばＡＺ１３５０フォトレジス）・１３
ｉ塗イ１４する。（ｂ）図ではフォトレジスト１；３の
全面を例えば二光束干渉露光法等を用いて周Ｊす１状パ
ターンに４光・覗１像する。（Ｃ）図ではフォトレジス
ト１：３をマスクとして１−ＩＢｒ ＋ Ｈ２Ｏ２＋Ｈ
２（Ｊ 端のｆｆ−、チング
【伐を用いて１ｎＰ基板１
１を周期状にエツチングし、回折格子１４を形成する。 この際Ｓ ｉ ０２ 股１．２はエツチングされないた
め回折格子１４は５１０２ ＪＩ’Ａ−１２が抗ってい
ない部分にのみ形成される。図（ｄ）ではフォトレジス
ト】；３及び８ｉＵ、Ｊｌに１２を除去するこ♂により
、部分的に回折格子１４が形成されたｌ ｒ＋ Ｐ半導
体基板１１が得られる。 尚、本実施例では中間層■２として５ｉ０２１１Ｑを形
成したが、中間層Ｊ２は光に感光しない物質からηＣれ
ばよく、例えば既に１白光しすくすったフォトレジスト
や、金属膜、窒化ＩＦ″目、！？・でもよい。史に、本
実施例では半導体基板上としてＩｎＰ基板を用いたが、
半導体基板としてこれをこ限定されず、例えは、（Ｊａ
Ａｓ、Ａｌ０ａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ信でもよい。 〔第２の実施例〕 第２図は本発明の第２の実が４例である回折４４子の製
造方法を工程１１田こ説明する半漕・坏基イ反のｉｉ；
Ｉｒ面図である。図（ａ）ではＩｎＰ基板１１上に１
ｎ ＧａＡ ｓ Ｌ’半導揮Ｊ８２１を形成した多層半
導体基板上に、中間層としてＩｎＰ半導８＋層２２を形
成した後、ＡＺ１３５０フォトレジスト肌１３を全面に
伝信する。図（ｂ）では、フォトレジスト１３の全面を
二元束干渉’ｙ、’：；ｙＣ法を用いて周期状パターン
に露光・現像する。図（Ｃ）ではフォトレジスト１３を
マスクとしてＩｎＧａＡｓＰＪＭ２１及び中間ノ曽の１
ｎＰ 層２２を例えは）−ＩＢ ｒ 十ｉ−ｉ、 ｏ、
十Ｂ２０′：？のエツチング面を用いて周４υ１状に
エツチングし、１１−！ｌ （Ｊｒ Ｂ子Ｉ４を形成す
る。この１祭、Ｈ，Ｂ ｒ ＋Ｈ２Ｏ２十１−］２Ｕか
らなるエツチング液はＩｎ（＋ａＡｓＰ層２１及びＩｎ
Ｐ中間層２２を共にエツチングするため、回折格子１４
は全面に形成される。図（ｄ）では、フォトレジスト１
３を除去した後、例えばＨ（じＡ＋Ｈ２０（３： １）
のエツチング面を用いてｌｎＰ中間層２２を除去する。 この１祭、Ｈ（１十Ｈ，Ｕのエツチングａｋは、Ｉｎ（
ＪａＡｓＰ層２１を浸さず、ｂ＋Ｐ中間層２２のみをエ
ツチング除去するため、部分的に回折格子Ｊ４が形成さ
れ１こ１ｎＯａＡｓＬ’ＪＱ’＋２１が得られる。 〔その他の実施例〕 尚、本実Ｍｊｉ １＋１ではＩｎＧａＡｓ１’層２１ζ
こ回折格子１４を形成する方法をボしたが、回折４１１
子１４を形成する半導体基板表面の層２１としてはＩｎ
Ｐ層でもよく、その揚台中間層２２としてｌ ｎ Ｇａ
Ａ ｓ Ｐ層を形成ずればよい。また、本実施例では半
導体基板表面の憎２１及び中間層２２（！：ｔ、て１ｎ
（）ａＡｓＰハｄ 、ＩｎＰ層を例に取り上げたが、そ
れらは他の半導坏力ＳらγＪってもよく、例えはＧ ａ
Ａ ｓ及びＡ／？（）ａＡｓからなってもよい。小に
、本実施例では回折格子１４を形成するエツチング液と
して、半；Ｊ：（坏基４１）表面層２１及び中間層２２
を共にエツチングするものを月１いたが、半導体基板表
面層２１のみかエツチングされるエツチング液でもよく
、例えは本実施例のｊ７Ｍ’ｒ合、Ｕ２ Ｓ０４ 十Ｈ
ｚ’０２＋ Ｈｚ Ｏ晴を月」いれは１．ｎＰ中間層２
２は侵されず、ｌ ｎ Ｏａ Ａ、 ｓ Ｐ ２１のみ
が工７チングされる。 本発明の実施例において、エツチング（象として１１Ｂ
ｒ ＋１−１□す、＋１（２０を用いたか、エツチング
液はこれに限定されず、例えば５１３Ｗ（飽和臭素水）
＋１−ＩＢｒ 十Ｈ２０、１−１１ｊ ｒ ＋１−Ｉ
ＮＵ３＋Ｈ２０。 １１１３ｒ、−＋−４（ＮＵ３ ＋０Ｈ３ＣＯＯＨ，Ｓ
ＢＷ＋ｆ４３Ｌ’０゜十Ｉ（２（Ｊ、 ＨＯＡ ＋ｌ−
１２０２＋Ｃｌ−１３００（Ｊｌ−１等でもよい。また
、本発明の実施例ではレジスト層１３としてＡＺ１３５
０ を用いたが、フォトレジストはこれζこ限定されず
、ＡＺ １３５０ Ｊ 、 ＡＺ １４５０寺でもよい
。史に、本発明の実施例ではレジスト斤７１３を周期状
のパターンに形成する方法として二元束士渉ｊ露光法を
用いたが、電子ビーム露光法を用いてもよい。 〔発明の効果〕 本発明による［ＩＪｌ折格子の製造方法を用いてｌｎＰ
半棉１１・基鈑上に部分的に回折格子を形成し、この部
分に分布帰還型十洒坏し−サを製作し、レーザ発振をａ
ることができた。 本発明の特徴をまとめると、従来、回折４’ｊ＋子を全
１ｆ［ｉ ｌこ形成できても、部分的に形Ｊ祝すること
が困轄Ｅであった二元東干渉ム・、°わ゛（、法を用い
て、半香悸基扱上に＞；Ｉｓ部分的中間層を形成するこ
とにより、全面露）ｔζこよりても部分的ｐ１す」折格
子を良好にイ（）ることができる点である。
１を周期状にエツチングし、回折格子１４を形成する。 この際Ｓ ｉ ０２ 股１．２はエツチングされないた
め回折格子１４は５１０２ ＪＩ’Ａ−１２が抗ってい
ない部分にのみ形成される。図（ｄ）ではフォトレジス
ト】；３及び８ｉＵ、Ｊｌに１２を除去するこ♂により
、部分的に回折格子１４が形成されたｌ ｒ＋ Ｐ半導
体基板１１が得られる。 尚、本実施例では中間層■２として５ｉ０２１１Ｑを形
成したが、中間層Ｊ２は光に感光しない物質からηＣれ
ばよく、例えば既に１白光しすくすったフォトレジスト
や、金属膜、窒化ＩＦ″目、！？・でもよい。史に、本
実施例では半導体基板上としてＩｎＰ基板を用いたが、
半導体基板としてこれをこ限定されず、例えは、（Ｊａ
Ａｓ、Ａｌ０ａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ信でもよい。 〔第２の実施例〕 第２図は本発明の第２の実が４例である回折４４子の製
造方法を工程１１田こ説明する半漕・坏基イ反のｉｉ；
Ｉｒ面図である。図（ａ）ではＩｎＰ基板１１上に１
ｎ ＧａＡ ｓ Ｌ’半導揮Ｊ８２１を形成した多層半
導体基板上に、中間層としてＩｎＰ半導８＋層２２を形
成した後、ＡＺ１３５０フォトレジスト肌１３を全面に
伝信する。図（ｂ）では、フォトレジスト１３の全面を
二元束干渉’ｙ、’：；ｙＣ法を用いて周期状パターン
に露光・現像する。図（Ｃ）ではフォトレジスト１３を
マスクとしてＩｎＧａＡｓＰＪＭ２１及び中間ノ曽の１
ｎＰ 層２２を例えは）−ＩＢ ｒ 十ｉ−ｉ、 ｏ、
十Ｂ２０′：？のエツチング面を用いて周４υ１状に
エツチングし、１１−！ｌ （Ｊｒ Ｂ子Ｉ４を形成す
る。この１祭、Ｈ，Ｂ ｒ ＋Ｈ２Ｏ２十１−］２Ｕか
らなるエツチング液はＩｎ（＋ａＡｓＰ層２１及びＩｎ
Ｐ中間層２２を共にエツチングするため、回折格子１４
は全面に形成される。図（ｄ）では、フォトレジスト１
３を除去した後、例えばＨ（じＡ＋Ｈ２０（３： １）
のエツチング面を用いてｌｎＰ中間層２２を除去する。 この１祭、Ｈ（１十Ｈ，Ｕのエツチングａｋは、Ｉｎ（
ＪａＡｓＰ層２１を浸さず、ｂ＋Ｐ中間層２２のみをエ
ツチング除去するため、部分的に回折格子Ｊ４が形成さ
れ１こ１ｎＯａＡｓＬ’ＪＱ’＋２１が得られる。 〔その他の実施例〕 尚、本実Ｍｊｉ １＋１ではＩｎＧａＡｓ１’層２１ζ
こ回折格子１４を形成する方法をボしたが、回折４１１
子１４を形成する半導体基板表面の層２１としてはＩｎ
Ｐ層でもよく、その揚台中間層２２としてｌ ｎ Ｇａ
Ａ ｓ Ｐ層を形成ずればよい。また、本実施例では半
導体基板表面の憎２１及び中間層２２（！：ｔ、て１ｎ
（）ａＡｓＰハｄ 、ＩｎＰ層を例に取り上げたが、そ
れらは他の半導坏力ＳらγＪってもよく、例えはＧ ａ
Ａ ｓ及びＡ／？（）ａＡｓからなってもよい。小に
、本実施例では回折格子１４を形成するエツチング液と
して、半；Ｊ：（坏基４１）表面層２１及び中間層２２
を共にエツチングするものを月１いたが、半導体基板表
面層２１のみかエツチングされるエツチング液でもよく
、例えは本実施例のｊ７Ｍ’ｒ合、Ｕ２ Ｓ０４ 十Ｈ
ｚ’０２＋ Ｈｚ Ｏ晴を月」いれは１．ｎＰ中間層２
２は侵されず、ｌ ｎ Ｏａ Ａ、 ｓ Ｐ ２１のみ
が工７チングされる。 本発明の実施例において、エツチング（象として１１Ｂ
ｒ ＋１−１□す、＋１（２０を用いたか、エツチング
液はこれに限定されず、例えば５１３Ｗ（飽和臭素水）
＋１−ＩＢｒ 十Ｈ２０、１−１１ｊ ｒ ＋１−Ｉ
ＮＵ３＋Ｈ２０。 １１１３ｒ、−＋−４（ＮＵ３ ＋０Ｈ３ＣＯＯＨ，Ｓ
ＢＷ＋ｆ４３Ｌ’０゜十Ｉ（２（Ｊ、 ＨＯＡ ＋ｌ−
１２０２＋Ｃｌ−１３００（Ｊｌ−１等でもよい。また
、本発明の実施例ではレジスト層１３としてＡＺ１３５
０ を用いたが、フォトレジストはこれζこ限定されず
、ＡＺ １３５０ Ｊ 、 ＡＺ １４５０寺でもよい
。史に、本発明の実施例ではレジスト斤７１３を周期状
のパターンに形成する方法として二元束士渉ｊ露光法を
用いたが、電子ビーム露光法を用いてもよい。 〔発明の効果〕 本発明による［ＩＪｌ折格子の製造方法を用いてｌｎＰ
半棉１１・基鈑上に部分的に回折格子を形成し、この部
分に分布帰還型十洒坏し−サを製作し、レーザ発振をａ
ることができた。 本発明の特徴をまとめると、従来、回折４’ｊ＋子を全
１ｆ［ｉ ｌこ形成できても、部分的に形Ｊ祝すること
が困轄Ｅであった二元東干渉ム・、°わ゛（、法を用い
て、半香悸基扱上に＞；Ｉｓ部分的中間層を形成するこ
とにより、全面露）ｔζこよりても部分的ｐ１す」折格
子を良好にイ（）ることができる点である。
第１図は不発明の第１の実施例である回折４・６子の製
造方法を工、１“Ｉｉｊ胆Ｃ？ｃ説明する半導坏基扱の
１ト１「面図であり、第２図は不発ゆ」の第２の実施例
である回や［格子の製造方法を玉石： ＋１ｉｔ ｔこ
説明する半棉捧基板のｌＩＪ酉ｆｕ図である。符号及び
名称は、１１がｌｎＰ半導１杢鯖仮、１２が中間１色で
ある５ｉＵ２１良、１３かフォトレジスト層、１・１が
回折格子、２１は半σト俸基板イ（面層であるｌ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層、２２が中間層であるＩｎＰ層で
ある。 （α） （ｂ） （Ｃン （ｄ） 矛２図 （α） （１）） （Ｃ） （ｄ）
造方法を工、１“Ｉｉｊ胆Ｃ？ｃ説明する半導坏基扱の
１ト１「面図であり、第２図は不発ゆ」の第２の実施例
である回や［格子の製造方法を玉石： ＋１ｉｔ ｔこ
説明する半棉捧基板のｌＩＪ酉ｆｕ図である。符号及び
名称は、１１がｌｎＰ半導１杢鯖仮、１２が中間１色で
ある５ｉＵ２１良、１３かフォトレジスト層、１・１が
回折格子、２１は半σト俸基板イ（面層であるｌ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層、２２が中間層であるＩｎＰ層で
ある。 （α） （ｂ） （Ｃン （ｄ） 矛２図 （α） （１）） （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半Ｌｒｉ＝ｗ基板上に中間層を部分的に形成する工
４＋、４と、前記半導体基板の露出面及び中間層表面を
覆うようにフォトレジスト層を形成する工程と、Ａ’Ｊ
ＮＬフォトレジスト層を２光束干渉露光法により露光
後現像して周期状のバターに整形する工程と、前記フォ
！・レジスト層をマスクとして前記中間層ツメ が但ってい１．［い前記半導：１↑・基板部分％〆をエ
ツチングする工程と、前記中間層及びフォｉ・レジスト
層を除去する工４’Ａとを１６ｔｊえているこ♂を特徴
さする回折格子の製造方法。 ２）半褥俸基板」二に中間層を部分的に形成するエイ・
“１１と、ｆｌ”Ｊ ｆｌｌｌ、：半４１１／Ｉ−基板
の回出した血及び中間層表面を覆うようにフォトレジス
ト層を形成する工程と、ｒｉｉｌ Ｓ己フォトレジスト
層を２光束干＃露元法ζこより露光・ｖｚ、像して周期
状のバクーンに整形する工ＡＩＣと、前れ己フォトレジ
スト片７をマスクとして［）１■記中間層及び半導１１
（基板をエツチングする工Ａ・“１゛と、前記中間層及
びフォトレジスト層を１（ｉ′：去するＪ、 ４・°１
１とをイイすることを特徴とする回折格子の２１；２造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040014A JPS60183783A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040014A JPS60183783A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183783A true JPS60183783A (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12569049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040014A Pending JPS60183783A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0356190A2 (en) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | AT&T Corp. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| JP2009194290A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの作製方法及び半導体レーザ |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP59040014A patent/JPS60183783A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0356190A2 (en) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | AT&T Corp. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
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