JPS60183745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60183745A JPS60183745A JP59038558A JP3855884A JPS60183745A JP S60183745 A JPS60183745 A JP S60183745A JP 59038558 A JP59038558 A JP 59038558A JP 3855884 A JP3855884 A JP 3855884A JP S60183745 A JPS60183745 A JP S60183745A
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- edge
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特に脆性材料からなるパ
ッケージのキャップに関するものである。
ッケージのキャップに関するものである。
半導体装置のパッケージとしては、第1図に;1(すよ
うに、接続ビン1を有するパッケージのセラミック基板
2の上に半導体チップ3を塔↓、(シ、その」二にパッ
ケージのセラミックキャップ4をかぶせて、これと前記
パッケージのセラミック基板2とを低融点金属、低融点
ガラス等の接着材5で接着した構造が考えられる。
うに、接続ビン1を有するパッケージのセラミック基板
2の上に半導体チップ3を塔↓、(シ、その」二にパッ
ケージのセラミックキャップ4をかぶせて、これと前記
パッケージのセラミック基板2とを低融点金属、低融点
ガラス等の接着材5で接着した構造が考えられる。
本発明者の検討によれば、セラミックキャップ4の形状
が角部を有する形状、すなわち、縁部が直角の角部とな
るような形状であるため、次の問題を有する。
が角部を有する形状、すなわち、縁部が直角の角部とな
るような形状であるため、次の問題を有する。
この接着の際に前記パッケージのセラミックキャップ4
.接着材5等の;!J?:膨張係数が相違するためにパ
ッケージのセラミックキャップ4の縁部からクラック6
を発生する。また、パッケージのセラミックキャップの
各部の温度分布が相違することによる歪みによってその
縁部に応力が4.IS申してそこにクラック6を発生す
る。また、メーカから納入されるまでの間でパッケージ
のセラミックキャップ4の縁部がカケたり、破損したり
して欠損部7を生ずることがある。
.接着材5等の;!J?:膨張係数が相違するためにパ
ッケージのセラミックキャップ4の縁部からクラック6
を発生する。また、パッケージのセラミックキャップの
各部の温度分布が相違することによる歪みによってその
縁部に応力が4.IS申してそこにクラック6を発生す
る。また、メーカから納入されるまでの間でパッケージ
のセラミックキャップ4の縁部がカケたり、破損したり
して欠損部7を生ずることがある。
〔発明の[1的〕
本発明の目的は、縁部からのクラックや縁部の破損が発
生しにくい形状の1m性材料からなる半導体装置のパッ
ケージのキャップを提供することにある。
生しにくい形状の1m性材料からなる半導体装置のパッ
ケージのキャップを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他のLl的と新規な4・1゛
徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにな
るであろう。
徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにな
るであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を筒Iい、に説明すれば、下記のとおりである。
を筒Iい、に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、脆性材料からなる半導体装置のパッケージの
キャップのれ(部の一部又は全部の垂直な角部を除去す
ることにより、該キャップの縁部に熱膨張率及び温度分
布の相違による応力の集中が起らないようにして、縁部
からのりうツクや縁部の破損を防止するようにしたもの
である。
キャップのれ(部の一部又は全部の垂直な角部を除去す
ることにより、該キャップの縁部に熱膨張率及び温度分
布の相違による応力の集中が起らないようにして、縁部
からのりうツクや縁部の破損を防止するようにしたもの
である。
〔実施例1〕
第2図は、本発明の半導体装置のパッケージのキャップ
(以下、甲、にキャップという)の実施例1の平面図、
第3図は、第2図のΔ−Δ線てLiJJつた断面図であ
る。
(以下、甲、にキャップという)の実施例1の平面図、
第3図は、第2図のΔ−Δ線てLiJJつた断面図であ
る。
本実施例1のキャップは、第2図及び第;5図に示すよ
うに、脆性材料、例えば、セラミック等からなるキャッ
プ4の上縁部の角部を除去して、ある曲線の曲面を(=
J’ 1)で各面を連続的な面にしたものである。キャ
ップ4の厚さが5 m++程度と小さいので、加工性や
破損の防止などの点から観て、前記曲率半径は約1n以
上で厚さの1/3〜1/2か望ましい。このようにキャ
ップ4の縁部に曲面を付けることによって、セラミック
、接着材等の熱膨張率の相違による縁部への応力の集中
を松柏させることができる。また、キャップ各部の温度
分布の相違による歪みによって発生する応力も前記の作
用と同様にして松柏さぜることかてきろ。さらに、紐(
部を曲面にしであることから誤って物体等に衝突しても
簡単にカケたり、破損したりすることはない。
うに、脆性材料、例えば、セラミック等からなるキャッ
プ4の上縁部の角部を除去して、ある曲線の曲面を(=
J’ 1)で各面を連続的な面にしたものである。キャ
ップ4の厚さが5 m++程度と小さいので、加工性や
破損の防止などの点から観て、前記曲率半径は約1n以
上で厚さの1/3〜1/2か望ましい。このようにキャ
ップ4の縁部に曲面を付けることによって、セラミック
、接着材等の熱膨張率の相違による縁部への応力の集中
を松柏させることができる。また、キャップ各部の温度
分布の相違による歪みによって発生する応力も前記の作
用と同様にして松柏さぜることかてきろ。さらに、紐(
部を曲面にしであることから誤って物体等に衝突しても
簡単にカケたり、破損したりすることはない。
〔実施例2〕
第4図は、本発明のキャップの実施例2の平面図、第5
図は、第4図の13− B線で切った断面図である。
図は、第4図の13− B線で切った断面図である。
本実施例2のキャップ4は、第418]及び第5図に示
すように、セラミック等の脆性材料からなるキャップ4
の下縁部に曲面を設けて連続的な曲面にしたものである
。
すように、セラミック等の脆性材料からなるキャップ4
の下縁部に曲面を設けて連続的な曲面にしたものである
。
〔実施例3〕
第6図は、本発明のキャップ4の実施例3の平面図、第
7図は、第6図のC−C線で切った断面図である。
7図は、第6図のC−C線で切った断面図である。
本実施例3のキャップ4は、セラミック等の脆性材料か
らなるキャップ4の縁部全体に曲面を設けて縁部全体を
連続的な曲面で構成したものである。
らなるキャップ4の縁部全体に曲面を設けて縁部全体を
連続的な曲面で構成したものである。
以−1二説明したように、脆性材料からなるキャップの
縁部の一部又は全部に曲面を設けることにより、縁部か
らクラックや縁部の破損を防止することができる。
縁部の一部又は全部に曲面を設けることにより、縁部か
らクラックや縁部の破損を防止することができる。
なお、本発明者によってなさ引シた発明を実施例にもと
ずき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
r+■能であることはいうまでもない。
ずき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
r+■能であることはいうまでもない。
第1図は、従来のキャップの問題点を説明する第2図乃
至第7図は、それぞれ本発明のキャップの実施例の構成
を示す図である。 図中、1・・・接続ピン、2・・・パッケージのセラミ
ック基板、3・・・半導体チップ、4・・・バック゛−
ジのセラミックキャップ、5・・・接着材、6・・・ク
ランクである。 代理人 弁理士 高橋明夫
至第7図は、それぞれ本発明のキャップの実施例の構成
を示す図である。 図中、1・・・接続ピン、2・・・パッケージのセラミ
ック基板、3・・・半導体チップ、4・・・バック゛−
ジのセラミックキャップ、5・・・接着材、6・・・ク
ランクである。 代理人 弁理士 高橋明夫
Claims (1)
- ■、脆性材料からなる半導体装置のパッケージのキャッ
プの縁部の一部又は全部の角部を除去したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59038558A JPS60183745A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59038558A JPS60183745A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60183745A true JPS60183745A (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12528619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59038558A Pending JPS60183745A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60183745A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02257657A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5122860A (en) * | 1987-08-26 | 1992-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit device and manufacturing method thereof |
USRE36097E (en) * | 1991-11-14 | 1999-02-16 | Lg Semicon, Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP59038558A patent/JPS60183745A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5122860A (en) * | 1987-08-26 | 1992-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit device and manufacturing method thereof |
JPH02257657A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
USRE36097E (en) * | 1991-11-14 | 1999-02-16 | Lg Semicon, Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
USRE37413E1 (en) | 1991-11-14 | 2001-10-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
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