JPS60182782A - 発光ダイオ−ドヘツド - Google Patents
発光ダイオ−ドヘツドInfo
- Publication number
- JPS60182782A JPS60182782A JP59038953A JP3895384A JPS60182782A JP S60182782 A JPS60182782 A JP S60182782A JP 59038953 A JP59038953 A JP 59038953A JP 3895384 A JP3895384 A JP 3895384A JP S60182782 A JPS60182782 A JP S60182782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylinder
- substrate
- sealed
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 241000219739 Lens Species 0.000 description 3
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 description 1
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 1
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000013040 bath agent Substances 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上のオＵ用分野
本発明はプリンタ等において恣光面に対向支持さ九る、
待にイレーズ用に好１ｅ１な発光ダイオードヘッドに関
する。
待にイレーズ用に好１ｅ１な発光ダイオードヘッドに関
する。
口）従来技術
従来複写愼やファクシミリの光源あるいは移動感光面に
対向配置させるイレーズヘッド等圧おいて発光ダイオー
ドアレイを用ｉる研死がなさｎている。これは芳１図に
示すように，発光ダイオード例（至）一・金糸板□□□
）上ｉＣ姫列記直し平板又はシリンドリカルレンズ等か
らなるカミパーはりで封止するもので、例えば特開Ｉ＠
５８〜２２２５７８号公報に示さ九ている。ところがこ
のような封止ニ極めて煩雑な作業で，単に接着剤等で接
着すると発光ダイオードの発熱や、基板が長尺なのでね
じれや反りによる応力ある（／１は熟膨侵等にエフ、封
止か破らｎ湿気が侵入しｆＣＤ．あるいはカバーにレン
ズ等を用いると光ｍかず几たフレ１酎久性か恋い。
対向配置させるイレーズヘッド等圧おいて発光ダイオー
ドアレイを用ｉる研死がなさｎている。これは芳１図に
示すように，発光ダイオード例（至）一・金糸板□□□
）上ｉＣ姫列記直し平板又はシリンドリカルレンズ等か
らなるカミパーはりで封止するもので、例えば特開Ｉ＠
５８〜２２２５７８号公報に示さ九ている。ところがこ
のような封止ニ極めて煩雑な作業で，単に接着剤等で接
着すると発光ダイオードの発熱や、基板が長尺なのでね
じれや反りによる応力ある（／１は熟膨侵等にエフ、封
止か破らｎ湿気が侵入しｆＣＤ．あるいはカバーにレン
ズ等を用いると光ｍかず几たフレ１酎久性か恋い。
／→ 発明の目的
本発明は面単にレンズ幼果を有する封止体で封止できる
発光ダイオード表示器に閃丁る。
発光ダイオード表示器に閃丁る。
二》 発明の幼果
ｉ：発明は透明な円筒に、円筒内径と略等しい巾の基板
を用い九発光ダイオードアレイを挿入して封止丁るもの
で．Ｊ）、′Ｆ木発明ｆ：実施例に基づいて詳ｄな説明
する。
を用い九発光ダイオードアレイを挿入して封止丁るもの
で．Ｊ）、′Ｆ木発明ｆ：実施例に基づいて詳ｄな説明
する。
ホ） 実 厖 例
４ｊｐ！ｊ２凶（ａ】（りは木殆明夾廁例の鈍光ダイオ
ードヘラドの所面図である。凶において１１１は透明な
円筒で１ＩＩ（ｉ輸（１）’（１３は弓かしながら友）
杉させることで封じらｎ、端子部分にｆＬ＋２１が設け
である。（３）は円筒＋１１の内径と等しいかわずかに
短かい巾をもった長尺の古（板で、円ｆ、＋１１１１内
に４４１人め１定さ九てい、６゜＋４１＋４］・・・は
精根（３］の表向の中央部に円筒（１１の長手方向に余
った方向に一列に金列さｆｌ−１載ｉｆｆ向着さ几た発
光ダイオードである。＋５１１５１に基板（３）の表向
に戦闘さ几保藤枠１Ｂ＋＋６１で憶わ几た発光ダイオー
ド＋４１１．１１・・・のドライバで、（７）は基板（
３）にぺけらｒした几（２）から円部外部に車用し／こ
ｐ１■子である。
ードヘラドの所面図である。凶において１１１は透明な
円筒で１ＩＩ（ｉ輸（１）’（１３は弓かしながら友）
杉させることで封じらｎ、端子部分にｆＬ＋２１が設け
である。（３）は円筒＋１１の内径と等しいかわずかに
短かい巾をもった長尺の古（板で、円ｆ、＋１１１１内
に４４１人め１定さ九てい、６゜＋４１＋４］・・・は
精根（３］の表向の中央部に円筒（１１の長手方向に余
った方向に一列に金列さｆｌ−１載ｉｆｆ向着さ几た発
光ダイオードである。＋５１１５１に基板（３）の表向
に戦闘さ几保藤枠１Ｂ＋＋６１で憶わ几た発光ダイオー
ド＋４１１．１１・・・のドライバで、（７）は基板（
３）にぺけらｒした几（２）から円部外部に車用し／こ
ｐ１■子である。
上述の例において！Ｊ造方法を含め、裏り具体的に説明
Ｔる。まず所望の専心パターンを有したセラミックスは
ガラスエポキシω脂からなる基板（３）にドライバ＋５
１１５１と発光ダイオード＋４１１４１・・・全載蒔記
線し保岐＃ｌＧ１１６１と端子（７）全固着する。ドラ
イバτ５１（５＋は例えば出力電流がｌＱｍＡ 程度の
シフトレジスタ寺からなり端子（７）は密閉枠（７）付
のもの等か好ましい。元元ダイオード＋４１１４１・・
・は例えば感光面が５ｅＴｅ＄るいｔｊ、５ｅＴｅＳｂ
などであ几ば５５５〜５８ＱｍｍＯ緑〜黄色のＧａＰ発
光ダイオードがよい。
Ｔる。まず所望の専心パターンを有したセラミックスは
ガラスエポキシω脂からなる基板（３）にドライバ＋５
１１５１と発光ダイオード＋４１１４１・・・全載蒔記
線し保岐＃ｌＧ１１６１と端子（７）全固着する。ドラ
イバτ５１（５＋は例えば出力電流がｌＱｍＡ 程度の
シフトレジスタ寺からなり端子（７）は密閉枠（７）付
のもの等か好ましい。元元ダイオード＋４１１４１・・
・は例えば感光面が５ｅＴｅ＄るいｔｊ、５ｅＴｅＳｂ
などであ几ば５５５〜５８ＱｍｍＯ緑〜黄色のＧａＰ発
光ダイオードがよい。
一方内径１．５乃至２Ｑｍｍ″′Ｃあって基板（３］の
巾の１００乃至１１０％の石英ガラスの円ａ（厚みは０
．２乃至２１１１１＋１の間が作業しやすい。）の一端
を加熱加工して封止し、上述した基板（３］を端子（７
］かない側から挿入する。そして必要とめ几ば耐熟シリ
コンゴム等のバット（８）を基板１３】端部にめてがい
、炎を便わないでｊ曳吻を封止する。こｎは例えば高周
波゛−気炉あるいは熱風全円筒＋１１の所望の位置に部
分的にあて、軟化後円筒ｉｌｌ ’ｉ折曲げ、２ＩＯ熱
されたコテ先を折回げ部にあてがって浴着後ＶＪｉする
。
巾の１００乃至１１０％の石英ガラスの円ａ（厚みは０
．２乃至２１１１１＋１の間が作業しやすい。）の一端
を加熱加工して封止し、上述した基板（３］を端子（７
］かない側から挿入する。そして必要とめ几ば耐熟シリ
コンゴム等のバット（８）を基板１３】端部にめてがい
、炎を便わないでｊ曳吻を封止する。こｎは例えば高周
波゛−気炉あるいは熱風全円筒＋１１の所望の位置に部
分的にあて、軟化後円筒ｉｌｌ ’ｉ折曲げ、２ＩＯ熱
されたコテ先を折回げ部にあてがって浴着後ＶＪｉする
。
尚作業に元立って端子＋７１蕗出用の７シｆ２１を設け
ておく。′ｉた基板（３１は円筒Ｉｌ＋の略中央部に位
置しているので、端子（７）車用に裏ってほとんど励か
なくなる。続いて端子（７１外周に≠子母外周正端子（
７）の密閉枠（７）（例えばプラスチック）を浴か丁手
段（浴剤噴射口又は加熱コテ）全記直し１円筒（１）内
部を加ボにするか父はル２ｊから排気し、続りで雰囲気
を蓋禦で満ｆｃ丁か窒素全注入してすＬ＋２１から窒素
ガス全円筒内に４人し、端子（７）の密閉枠（７１の外
周を浴かして密閉する。円筒の内部は１０−０・５〜１
０−’Ｔｏｒｒ程度の低気圧が好ましく、 、Ｊ：り好
ましくは上述のように窒素が尋人さ几ていることである
が、こｎらは内部蒸気が結露しない事を目的としている
ものであって真空′度の１直そのものは大きな意味をも
ｆｃない。
ておく。′ｉた基板（３１は円筒Ｉｌ＋の略中央部に位
置しているので、端子（７）車用に裏ってほとんど励か
なくなる。続いて端子（７１外周に≠子母外周正端子（
７）の密閉枠（７）（例えばプラスチック）を浴か丁手
段（浴剤噴射口又は加熱コテ）全記直し１円筒（１）内
部を加ボにするか父はル２ｊから排気し、続りで雰囲気
を蓋禦で満ｆｃ丁か窒素全注入してすＬ＋２１から窒素
ガス全円筒内に４人し、端子（７）の密閉枠（７１の外
周を浴かして密閉する。円筒の内部は１０−０・５〜１
０−’Ｔｏｒｒ程度の低気圧が好ましく、 、Ｊ：り好
ましくは上述のように窒素が尋人さ几ていることである
が、こｎらは内部蒸気が結露しない事を目的としている
ものであって真空′度の１直そのものは大きな意味をも
ｆｃない。
第６図は本発明の１四の実施例を示す兄光ダイオードヘ
ッドの折面図で、特に円筒（１１）の回正方法の他の例
を示している。図において一方の＊ｓ （ｌｌａ）はガ
ラス半田（１９）（１９）をあらかじめ先端を平たくし
ばった円筒の内聞に設け、基板０国を挿入後レーデ加熱
又は超音波撮動で封止している。ま几他方の喘（１１１
：＋）には基板ｔｍｔｒ：の略中央部に辺ｔｉ、ａ：ｔ
を設け、浴かし円筒ｆｌｌ＋の先梼都全遼コＬ０３１に
４だき、裁板ＯＪをガラスで巷きつけるようにして封止
する。いず几にしても端子は基板ａ四の長尺方向の端部
に導電パターン等で設は几ばよいが、どちらか一方はあ
らかじめ封止できるので、一方は第２凶に示した基板に
関わらない回正方法とすることで、基板の伸縮ねじ八等
と封止と′！ｉ−関係無く出来る。尚発光ダイオード［
＋４１ （１４＋ ・ＩＪ４１Ｑ４１−・・は基板［１
３）ノ中央線から等間隔耐几た並行する２列に父互に螢
列記館すｎば工い。
ッドの折面図で、特に円筒（１１）の回正方法の他の例
を示している。図において一方の＊ｓ （ｌｌａ）はガ
ラス半田（１９）（１９）をあらかじめ先端を平たくし
ばった円筒の内聞に設け、基板０国を挿入後レーデ加熱
又は超音波撮動で封止している。ま几他方の喘（１１１
：＋）には基板ｔｍｔｒ：の略中央部に辺ｔｉ、ａ：ｔ
を設け、浴かし円筒ｆｌｌ＋の先梼都全遼コＬ０３１に
４だき、裁板ＯＪをガラスで巷きつけるようにして封止
する。いず几にしても端子は基板ａ四の長尺方向の端部
に導電パターン等で設は几ばよいが、どちらか一方はあ
らかじめ封止できるので、一方は第２凶に示した基板に
関わらない回正方法とすることで、基板の伸縮ねじ八等
と封止と′！ｉ−関係無く出来る。尚発光ダイオード［
＋４１ （１４＋ ・ＩＪ４１Ｑ４１−・・は基板［１
３）ノ中央線から等間隔耐几た並行する２列に父互に螢
列記館すｎば工い。
以上のいず九の的にしても工程の最後には円筒の一部全
ｄかすか＋ｊ＋ｊめる等にエフ密閉するので封止か先金
に行ないやすい。そして円筒の略中央部に基板が位置し
、基板の略中央部に発光ダイオードの列か位ｉＲするの
で、発光ダイオードの列又は発光ダイオードの列の中心
は円筒の中心と略一致し少なくとも斜めに交わることが
ない。さらに円筒内部を低気圧にしたり蓋素一度を筒め
ることで蟻紬蕗による光散乱は生じない。
ｄかすか＋ｊ＋ｊめる等にエフ密閉するので封止か先金
に行ないやすい。そして円筒の略中央部に基板が位置し
、基板の略中央部に発光ダイオードの列か位ｉＲするの
で、発光ダイオードの列又は発光ダイオードの列の中心
は円筒の中心と略一致し少なくとも斜めに交わることが
ない。さらに円筒内部を低気圧にしたり蓋素一度を筒め
ることで蟻紬蕗による光散乱は生じない。
へ）発明の幼果
以上の如く本発明は％透明な円筒と１円筒の内径と略等
しい巾七有し少なくともその主要部か円筒内部に収納さ
ｆ′した基板と、基板の略中央部に円筒の長手方向に副
って歪列さｉ″ＬＬ固着之俵赦の発光ダイオードとｖｉ
ｌ−具備した発光ダイオードヘッドであるから製造しゃ
すぐ円１蹟軸と発光ダイオード列との位置ずれがない。
しい巾七有し少なくともその主要部か円筒内部に収納さ
ｆ′した基板と、基板の略中央部に円筒の長手方向に副
って歪列さｉ″ＬＬ固着之俵赦の発光ダイオードとｖｉ
ｌ−具備した発光ダイオードヘッドであるから製造しゃ
すぐ円１蹟軸と発光ダイオード列との位置ずれがない。
さらに円節内部に室累ガス封入することで結露の心配も
ない。
ない。
第１図は従来のヘッドの断面図、第２図（ａ）（ｂ）は
本発明実施例の発光ダイオードヘッドのｗＴ面図、第６
図は本発明の他の実施例の発光ダイオードヘッドの折口
凶である。 １１１ｆｌｌ＋ ・・・円１窩、ｕｆ＋１’＋ （ｌｌ
ａ）（ｌｌｂ）＝ （円筒の）端部、１３）ｔＪ３−・
・基板、＋４］ ＋４Ｊ−（１４）０４１−ＱＪαセ・
・・発光ダイオード、＋５１ｆ５１−・・ドクイパ、
ｉ６０＆ｌ−・・保ｉａ枠、＋７） ・・・鳴子。 出順人 三洋電俄株式会社外１名 代理人弁理士佐野靜夫 第３図
本発明実施例の発光ダイオードヘッドのｗＴ面図、第６
図は本発明の他の実施例の発光ダイオードヘッドの折口
凶である。 １１１ｆｌｌ＋ ・・・円１窩、ｕｆ＋１’＋ （ｌｌ
ａ）（ｌｌｂ）＝ （円筒の）端部、１３）ｔＪ３−・
・基板、＋４］ ＋４Ｊ−（１４）０４１−ＱＪαセ・
・・発光ダイオード、＋５１ｆ５１−・・ドクイパ、
ｉ６０＆ｌ−・・保ｉａ枠、＋７） ・・・鳴子。 出順人 三洋電俄株式会社外１名 代理人弁理士佐野靜夫 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｔ） 、ｉ！ｉ１１円筒と１円筒の内径と略等しい巾を
有し少なくともその主要部が円筒内部に収納さ几た基板
と、基板の略中犬部九円筒の長手方向に添って螢列さｎ
固着さ九た複数の発光ダイオードとを具備し７を事を特
徴とする発光ダイオードヘッド。 ２）前記円筒の内部には窒素ガスが封入さ几ている事を
特徴とする特許 載の発光ダイオードヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038953A JPS60182782A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 発光ダイオ−ドヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038953A JPS60182782A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 発光ダイオ−ドヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182782A true JPS60182782A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12539560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59038953A Pending JPS60182782A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 発光ダイオ−ドヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182782A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006043987A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 露光ヘッド |
| DE102007015473A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Bauelement |
| US7782351B2 (en) | 2004-08-03 | 2010-08-24 | Seiko Epson Corporation | Exposure head |
| DE102005041751B4 (de) * | 2004-09-30 | 2012-05-16 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Vorrichtung zur Bilderzeugung auf einem Aufzeichnungsmaterial |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59038953A patent/JPS60182782A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006043987A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 露光ヘッド |
| US7782351B2 (en) | 2004-08-03 | 2010-08-24 | Seiko Epson Corporation | Exposure head |
| DE102005041751B4 (de) * | 2004-09-30 | 2012-05-16 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Vorrichtung zur Bilderzeugung auf einem Aufzeichnungsmaterial |
| DE102007015473A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Bauelement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7682853B2 (en) | Transparent member, optical device using transparent member and method of manufacturing optical device | |
| JP3393247B2 (ja) | 光学装置およびその製造方法 | |
| KR20060132298A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| WO1999063594A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs | |
| JPS60208847A (ja) | 表面実装型ｉｃに内在する水分の排出方法 | |
| JP2005109282A5 (ja) | ||
| CN206672913U (zh) | 半导体封装 | |
| JPS60182782A (ja) | 発光ダイオ−ドヘツド | |
| US6372551B1 (en) | Method of manufacturing an image-sensor integrated circuit package without resin flash on lead frame and with increased wire bondability | |
| JP4905751B2 (ja) | 歯科用光照射器 | |
| JP3528042B2 (ja) | 光加熱装置 | |
| JPH07297324A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN107195597A (zh) | 光学式指纹感测封装结构及其制造方法 | |
| JPS6048036B2 (ja) | 半導体発光表示装置 | |
| JP2899999B2 (ja) | 発光表示プレート及びその製造方法 | |
| JP2002118290A (ja) | 光源装置及びその製造方法 | |
| JPS62202574A (ja) | Ｌｅｄランプ及びその製法 | |
| CN206742222U (zh) | 光学式指纹感测封装结构 | |
| KR900007758B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| TWI517453B (zh) | 光發射器 | |
| JP3794498B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP3181262B2 (ja) | 平面実装型ｌｅｄ素子およびその製造方法 | |
| JPS58194382A (ja) | 発光装置用電極構体 | |
| JP4016704B2 (ja) | チップ吸着用ノズル及びチップの実装方法 | |
| JPS61194751A (ja) | 半導体装置 |