JPS60177819A - 放電加工における仕上加工方法 - Google Patents
放電加工における仕上加工方法Info
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- JPS60177819A JPS60177819A JP3221884A JP3221884A JPS60177819A JP S60177819 A JPS60177819 A JP S60177819A JP 3221884 A JP3221884 A JP 3221884A JP 3221884 A JP3221884 A JP 3221884A JP S60177819 A JPS60177819 A JP S60177819A
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- JP
- Japan
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- discharge
- machining
- high frequency
- pulse
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H7/00—Processes or apparatus applicable to both electrical discharge machining and electrochemical machining
- B23H7/38—Influencing metal working by using specially adapted means not directly involved in the removal of metal, e.g. ultrasonic waves, magnetic fields or laser irradiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放電加工において、より平滑な鏡面仕上面を
より速い速度で形成することを可能とする仕上加工方法
に関する。
より速い速度で形成することを可能とする仕上加工方法
に関する。
被加工体と加工電極とをケロシン等の所定の加工液中で
微小間隔を隔てて対向させ、前記被加工体と前記加工電
極との間に間歇的に電圧パルスを印加することにより加
工を行なう放電加工においては、ｌパルス当たりの加工
量が大であれば加工速度は速くなる反面、加工面が粗く
なるという欠点があり、■パルス当たりの加工量が小と
すれば加工速度は遅くとなるが、加工面が平滑化される
。仕上加工において、仕上加工面を極力平滑化して加工
速度を上げるには、原理的にはｌパルス当たりの加工量
を小としてパルス間隔を短かくすれば良い訳であるが、
パルス間隔を短かくする（即ち周波数を上げる）にして
も限界がある。即ち、放電回路には、導電ケーブルや被
加工体と加工電極の対向部の静電容量、および導電ケー
ブルのインダクタンスが存在するので、仮に充放電用の
コンデンサを設けていない場合であっても、被加工体と
加＝［電極間の電圧の立上がりに時間を要すると共に、
放電電流の立上りにも制限があり、このために、従来の
電子スイッチをオンオフ制御して加工用の電圧パ′ルス
列を形成供給する方式の放電加工においては、一般的に
は放電パルスの発生周期を１〜２μｓ以下にはできなか
ったるのである。このため、仕上加工においては、コン
デンサ充放電方式を用いるものげ多かったが、加工速度
や電極消耗等の点で満足すべき結果が得られていなかっ
た。また、放電パルスの発生周期を短かくすると、いわ
ゆるアーク放電を生じやすくなるという問題があった。
微小間隔を隔てて対向させ、前記被加工体と前記加工電
極との間に間歇的に電圧パルスを印加することにより加
工を行なう放電加工においては、ｌパルス当たりの加工
量が大であれば加工速度は速くなる反面、加工面が粗く
なるという欠点があり、■パルス当たりの加工量が小と
すれば加工速度は遅くとなるが、加工面が平滑化される
。仕上加工において、仕上加工面を極力平滑化して加工
速度を上げるには、原理的にはｌパルス当たりの加工量
を小としてパルス間隔を短かくすれば良い訳であるが、
パルス間隔を短かくする（即ち周波数を上げる）にして
も限界がある。即ち、放電回路には、導電ケーブルや被
加工体と加工電極の対向部の静電容量、および導電ケー
ブルのインダクタンスが存在するので、仮に充放電用の
コンデンサを設けていない場合であっても、被加工体と
加＝［電極間の電圧の立上がりに時間を要すると共に、
放電電流の立上りにも制限があり、このために、従来の
電子スイッチをオンオフ制御して加工用の電圧パ′ルス
列を形成供給する方式の放電加工においては、一般的に
は放電パルスの発生周期を１〜２μｓ以下にはできなか
ったるのである。このため、仕上加工においては、コン
デンサ充放電方式を用いるものげ多かったが、加工速度
や電極消耗等の点で満足すべき結果が得られていなかっ
た。また、放電パルスの発生周期を短かくすると、いわ
ゆるアーク放電を生じやすくなるという問題があった。
本発明は、上述の点に鑑に、１放電パルス当たりの加工
量を小として鏡面仕上面を得ると共に、仕上加工が高速
に行なえる放電加工における仕上加工方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
量を小として鏡面仕上面を得ると共に、仕上加工が高速
に行なえる放電加工における仕上加工方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
この目的を達成するため、本発明においては、可能な限
り静電容量およびインダクタンスの少ない放電回路を形
成し、前記被加工体と前記加工電極との間に少なくとも
１ＭＨｚ以上好ましくは３〜５ＭＨｚの周波数の高周波
交流またはパルスを印加しながら、前記被加工体と前記
加工電極との対向間隙に高周波交流またはパルスの周期
よりも数倍以上長い周期で周期的に磁気を作用させるこ
とにより、放電点を強制的に変えながら加工を行なうこ
とを特徴とする。
り静電容量およびインダクタンスの少ない放電回路を形
成し、前記被加工体と前記加工電極との間に少なくとも
１ＭＨｚ以上好ましくは３〜５ＭＨｚの周波数の高周波
交流またはパルスを印加しながら、前記被加工体と前記
加工電極との対向間隙に高周波交流またはパルスの周期
よりも数倍以上長い周期で周期的に磁気を作用させるこ
とにより、放電点を強制的に変えながら加工を行なうこ
とを特徴とする。
以下本発明の一実施例ｔ−第１図および第２図により説
明する。第１図に示すように、本実施例においては、高
周波発振器ｌを設けて少なくともＩＭ）Ｉｚ以上好まし
くは３〜５ＭＨｚの周波数（１用Ｓ以下の周期）の交流
電圧が得られるようにし、トランス２により、０−ピー
ク電圧が８０Ｖ〜１５００Ｖ程度になるように昇圧し、
限、流抵抗３および必要に応じて設けられる整流器４を
有する放電回路５．６を介して加工電極７と被加工体８
の対向間隙に印加する。また、放電回路５，６を構成す
る導電ケーブルの選択や配置、加工電極や加工液組成の
選択等により、放電回路５，６の浮遊容量Ｃやインダク
タンスが可及的に少なくなるようにする。
明する。第１図に示すように、本実施例においては、高
周波発振器ｌを設けて少なくともＩＭ）Ｉｚ以上好まし
くは３〜５ＭＨｚの周波数（１用Ｓ以下の周期）の交流
電圧が得られるようにし、トランス２により、０−ピー
ク電圧が８０Ｖ〜１５００Ｖ程度になるように昇圧し、
限、流抵抗３および必要に応じて設けられる整流器４を
有する放電回路５．６を介して加工電極７と被加工体８
の対向間隙に印加する。また、放電回路５，６を構成す
る導電ケーブルの選択や配置、加工電極や加工液組成の
選択等により、放電回路５，６の浮遊容量Ｃやインダク
タンスが可及的に少なくなるようにする。
このように、放電回路５，６の浮遊容量Ｃやインダクタ
ンスが可及的に少なくなるようにすることにより、第３
図のＶに示すように、放電回路に印加される高周波交流
または半波もしくは余波整流による高周波パルス電圧ｖ
ｏに対し、一般の放電回路における加工電極７と被加工
体８の間の電圧の変化はＶｌで示すように遅れるのに比
較し、ｖ２で示すように立上がりが急峻となり、このた
めに高周波であっても加工電極７と被加工体８の間で放
電電流Ｉを流し加工を進行させることができる。
ンスが可及的に少なくなるようにすることにより、第３
図のＶに示すように、放電回路に印加される高周波交流
または半波もしくは余波整流による高周波パルス電圧ｖ
ｏに対し、一般の放電回路における加工電極７と被加工
体８の間の電圧の変化はＶｌで示すように遅れるのに比
較し、ｖ２で示すように立上がりが急峻となり、このた
めに高周波であっても加工電極７と被加工体８の間で放
電電流Ｉを流し加工を進行させることができる。
一方、加工電極７に磁気発生用コイル９を装着し、該コ
イル９に対し、直流電源ｉｏと、限流抵抗１１と、スイ
ッチ素子１２からなる励磁回路を形成し、一方、前記発
振器１の出力を分周、整流およびレベル調節する制御回
路１３より前記スイッチ素子１２に制御信号を加えて該
スイッチ素−４１９＊ナソ＋７＋１６赤ηノ く士７１
ｏイ↓−えるパルスの周期は、第２図のＢに示すように
、加工電極７と被加工体８に加える高周波の半波整流パ
ルスＡの周期の数倍以上とし、スイッチ素子１２がオン
となっている間は前記コイル９に通電されてこれにより
発生する磁束１４が第４図に示すように加工電極７と被
加工体８との間を通るようにする。
イル９に対し、直流電源ｉｏと、限流抵抗１１と、スイ
ッチ素子１２からなる励磁回路を形成し、一方、前記発
振器１の出力を分周、整流およびレベル調節する制御回
路１３より前記スイッチ素子１２に制御信号を加えて該
スイッチ素−４１９＊ナソ＋７＋１６赤ηノ く士７１
ｏイ↓−えるパルスの周期は、第２図のＢに示すように
、加工電極７と被加工体８に加える高周波の半波整流パ
ルスＡの周期の数倍以上とし、スイッチ素子１２がオン
となっている間は前記コイル９に通電されてこれにより
発生する磁束１４が第４図に示すように加工電極７と被
加工体８との間を通るようにする。
このように磁気を加工電極７と被加工体８の間型圧パル
スによる放電柱１５はこの磁気によるフレミングの左手
の法則等により偏倚し、高周波パルスの印加による高周
波の放電といえども、その放電部位は１個所のみに集中
することなく、放電柱１５が少なくとも磁気印加の特に
立ち上りや消滅時毎に移動し、放電が加工面全体に分散
する。
スによる放電柱１５はこの磁気によるフレミングの左手
の法則等により偏倚し、高周波パルスの印加による高周
波の放電といえども、その放電部位は１個所のみに集中
することなく、放電柱１５が少なくとも磁気印加の特に
立ち上りや消滅時毎に移動し、放電が加工面全体に分散
する。
従って、従来、前述のように高周波交流または高周波パ
ルスによる放電加工では、休止時間が少ないかほとんど
無いため、高周波アーク放電に移行していたものが、ア
ーク放電に移行することなく加工することができ、１パ
ルス当た番１の加工量が少なく、かつ高周波放電で各放
電間の休止時間が短かいかほとんど無い状態で加工が行
なえるから、仕上加工面として鏡面を得ることが可能と
なり、加工速度も向上する。
ルスによる放電加工では、休止時間が少ないかほとんど
無いため、高周波アーク放電に移行していたものが、ア
ーク放電に移行することなく加工することができ、１パ
ルス当た番１の加工量が少なく、かつ高周波放電で各放
電間の休止時間が短かいかほとんど無い状態で加工が行
なえるから、仕上加工面として鏡面を得ることが可能と
なり、加工速度も向上する。
第５図は本発明の他の実施例であり、本実施例は、加工
電極７につながる回路５と被加工体８につながる回路６
とを所定の周期で短絡することができるようにスイッチ
素子１６を設け、前記発振器１の出力を分周、整流およ
びレベル調節する制御回路１７より前記スイッチ素子１
６に制御信号を加えて該スイッチ素子１６をオンオフす
る。該スイ・ンチ素子１６に加えるパルスの周期は、Ｓ
６図においでのでＯｎとτ譜で示す時間の合計Ｔ１であ
り、この周期Ｔ１も、加工電極７と被加工体８に加える
パルスの周期の数倍以上とする。例えば高周波放電の周
期に応じて、０．１〜５００ｐＬＳ加工して０．１ｐＳ
〜ｌ Ｏｍ Ｓ中断するようにする。
電極７につながる回路５と被加工体８につながる回路６
とを所定の周期で短絡することができるようにスイッチ
素子１６を設け、前記発振器１の出力を分周、整流およ
びレベル調節する制御回路１７より前記スイッチ素子１
６に制御信号を加えて該スイッチ素子１６をオンオフす
る。該スイ・ンチ素子１６に加えるパルスの周期は、Ｓ
６図においでのでＯｎとτ譜で示す時間の合計Ｔ１であ
り、この周期Ｔ１も、加工電極７と被加工体８に加える
パルスの周期の数倍以上とする。例えば高周波放電の周
期に応じて、０．１〜５００ｐＬＳ加工して０．１ｐＳ
〜ｌ Ｏｍ Ｓ中断するようにする。
本実施例では、該周期Ｔ１が前記コイル９に通電する周
期Ｔ２の局となるように設定している。
期Ｔ２の局となるように設定している。
このように、周期的に高周波放電を中断すれば、中断中
にアークが発生した部分が冷却されかつイオンが消滅す
るので、前記磁気による集中放電防止作用と相まって、
持続的高周波アーク放電を確実に防止して高周波交流ま
たはその整流パルスによる高周波放電加工をすることが
できるようになる。
にアークが発生した部分が冷却されかつイオンが消滅す
るので、前記磁気による集中放電防止作用と相まって、
持続的高周波アーク放電を確実に防止して高周波交流ま
たはその整流パルスによる高周波放電加工をすることが
できるようになる。
次に本発明の詳細な説明する。加工電極７に銅電極を用
い、加工液として従来から通常用いられている白灯油を
用い、被加工体８が３５５Ｃ材である場合において、電
圧のピーク値が３００ｖで３０ＭＨｚの高周波を用い、
短絡電流的１．５Ａで、前記コイル９にて最大８００ガ
ウスの磁束密度の磁気をデユーティファクター５０％で
１０ルＳの周期で発生させた場合、平均加工電流的０゜
６Ａで、加工速度３ｍｇ／ｍ＋ｎでＯ−２０−２Ｐの仕
上面粗さで加工することができた。
い、加工液として従来から通常用いられている白灯油を
用い、被加工体８が３５５Ｃ材である場合において、電
圧のピーク値が３００ｖで３０ＭＨｚの高周波を用い、
短絡電流的１．５Ａで、前記コイル９にて最大８００ガ
ウスの磁束密度の磁気をデユーティファクター５０％で
１０ルＳの周期で発生させた場合、平均加工電流的０゜
６Ａで、加工速度３ｍｇ／ｍ＋ｎでＯ−２０−２Ｐの仕
上面粗さで加工することができた。
また、磁気による作用を確認するため、前記条件の内、
高周波を周波数５０’ＭＨｚで電圧３００ｖのものを用
い、短絡電流を０．５Ａ、高周波電圧オン時間τｏｎを
０．１〜０．８．Ｓ、高周波電圧オフ時間τ岨を０．５
ルＳとし、磁気無しで加工した場合には、加工電流の最
大は約０．２Ａとなるが、加工状態が不安定で、加工速
度は０．２ｍｇ／ ｍＩｎ、仕上面粗さは０．２ｊＬｍ
Ｒｗとなり、また、同条件において短絡電流を１．ＯＡ
とした場合、加工電流の最大は約０．５Ａ程度となるも
のの、加工状態は不安定で、加工速度は０．２ｍｇ／鵬
、仕上面粗さは１．０ｇｍＲｇであった。一方、１１０
０ガウスの磁気をデユーティファクター３０％でｔｏ、
ｔｓの周期で断続的に加え、他の条件を同じにして加工
を行なった場合、上記短絡電流０．５Ａの時、平均加工
電流が約０ 、２Ａとなり、加工速度は３ｍｇ／ｍａｎ
、仕上面粗さは０゜２５ｐｍＲｍとなった。また、上記
短絡電流ＩＡの時、平均加工電流が約０．５Ａげ加工で
き、加工速度は８ ｍｇ／ ｎｎｎ、仕上面粗さは０．
９弘ｍＲｍとなった。総括的には、磁気を作用させるこ
とにより、加工速度を１０〜２５倍程度向上させること
ができた。
高周波を周波数５０’ＭＨｚで電圧３００ｖのものを用
い、短絡電流を０．５Ａ、高周波電圧オン時間τｏｎを
０．１〜０．８．Ｓ、高周波電圧オフ時間τ岨を０．５
ルＳとし、磁気無しで加工した場合には、加工電流の最
大は約０．２Ａとなるが、加工状態が不安定で、加工速
度は０．２ｍｇ／ ｍＩｎ、仕上面粗さは０．２ｊＬｍ
Ｒｗとなり、また、同条件において短絡電流を１．ＯＡ
とした場合、加工電流の最大は約０．５Ａ程度となるも
のの、加工状態は不安定で、加工速度は０．２ｍｇ／鵬
、仕上面粗さは１．０ｇｍＲｇであった。一方、１１０
０ガウスの磁気をデユーティファクター３０％でｔｏ、
ｔｓの周期で断続的に加え、他の条件を同じにして加工
を行なった場合、上記短絡電流０．５Ａの時、平均加工
電流が約０ 、２Ａとなり、加工速度は３ｍｇ／ｍａｎ
、仕上面粗さは０゜２５ｐｍＲｍとなった。また、上記
短絡電流ＩＡの時、平均加工電流が約０．５Ａげ加工で
き、加工速度は８ ｍｇ／ ｎｎｎ、仕上面粗さは０．
９弘ｍＲｍとなった。総括的には、磁気を作用させるこ
とにより、加工速度を１０〜２５倍程度向上させること
ができた。
ｃｍのものを用い、加工電極、被加工体を前記と同じに
し、電圧のピーク値が６００ｖで１０ＭＨｚの高周波を
半波整流して用い、加工電流を０．ＩＡとし、電圧オン
時間τｏｎを４ｐＬＳ、電圧オフ時間τ岨を１０ｇ５と
し、前記コイル９にて最大５３０ガウスの磁束密度の磁
気をデユーティファクター２０％でｔｏｇｓの周期で発
生させた場合、平均加工電流が０．ＩＡ、１ ｍｇ／
ｍ：ｎの加工速度で０．２ｇｍＲｇの仕上面粗さで加工
することができた。
し、電圧のピーク値が６００ｖで１０ＭＨｚの高周波を
半波整流して用い、加工電流を０．ＩＡとし、電圧オン
時間τｏｎを４ｐＬＳ、電圧オフ時間τ岨を１０ｇ５と
し、前記コイル９にて最大５３０ガウスの磁束密度の磁
気をデユーティファクター２０％でｔｏｇｓの周期で発
生させた場合、平均加工電流が０．ＩＡ、１ ｍｇ／
ｍ：ｎの加工速度で０．２ｇｍＲｇの仕上面粗さで加工
することができた。
なお、本発明を実施する場合、磁気を加工電極７と被加
工体との間の間隙に作用させる方法としては種々あり、
例えば第７図に示すように、前記間隙に向くように磁性
材でなるロッド１７等を１本以上配設し、該各ロッド１
７にそれぞれ励磁用コイル１８を巻装する構成や、複数
個のコイルを順序を決めて励磁する構成等を採用するこ
とができる。また、放電電圧や電流を検出することによ
って持続的アーク放電を検出し、高周波放電を中断する
ように１．でもよい７また 未亮岨の加工方法は、例え
ば特開昭５８−７７．４０８号公報、同５８−１０２，
８２７号公報等に記載の、電極と被加工体とを相対的に
対向方向とほぼ直角方向に移動させつつ加工を行なう態
様の加工方法に適用して有用な方法である。
工体との間の間隙に作用させる方法としては種々あり、
例えば第７図に示すように、前記間隙に向くように磁性
材でなるロッド１７等を１本以上配設し、該各ロッド１
７にそれぞれ励磁用コイル１８を巻装する構成や、複数
個のコイルを順序を決めて励磁する構成等を採用するこ
とができる。また、放電電圧や電流を検出することによ
って持続的アーク放電を検出し、高周波放電を中断する
ように１．でもよい７また 未亮岨の加工方法は、例え
ば特開昭５８−７７．４０８号公報、同５８−１０２，
８２７号公報等に記載の、電極と被加工体とを相対的に
対向方向とほぼ直角方向に移動させつつ加工を行なう態
様の加工方法に適用して有用な方法である。
以上述べたように、本発明によれば、可能な限り静電容
量およびインダクタンスの少ない放電回路を形成したの
で、前記被加工体と前記加工電極との間に少なくともＩ
ＭＨｚ以上好ましくは３〜５ＭＨｚ以上の周波数の高周
波パルスを印加た場合においても、放電柱が形成されて
放電を進行させることができ、また、前記被加工体と前
記加工電極との対向間隙に高周波パルスの周期よりも数
倍以上長い周期で周期的に磁気を作用させることにより
、放電点を強制的に変えながら加工を行なうようにした
ので、持続的アークの発生を防止し、仕上面として鏡面
を高速の加工速度で得ることができる。
量およびインダクタンスの少ない放電回路を形成したの
で、前記被加工体と前記加工電極との間に少なくともＩ
ＭＨｚ以上好ましくは３〜５ＭＨｚ以上の周波数の高周
波パルスを印加た場合においても、放電柱が形成されて
放電を進行させることができ、また、前記被加工体と前
記加工電極との対向間隙に高周波パルスの周期よりも数
倍以上長い周期で周期的に磁気を作用させることにより
、放電点を強制的に変えながら加工を行なうようにした
ので、持続的アークの発生を防止し、仕上面として鏡面
を高速の加工速度で得ることができる。
第１図は本発明の方法を実施する放電加工装置の一例を
示す回路図、第２図は第１図の動作を説明する波形図、
第３図は本発明の放電電圧と放電電流の関係図、第４図
は本発明における磁気作用の説明図、第５図は本発明の
方法を実施する放電加工装置の他の例を示す回路図、第
６図は第５図の動作を説明する波形図、第７図は本発明
において磁気を加える方法の他の例を示す説明図である
。 １・・・発振器、７・・・加工電極、８′・・・被加工
体、１２・・・スイッチ素子、１３．１７・・・制御回
路特許出願人 株式会社井上ジャパックス研究所代理人
弁理士 若田勝− 第１図 第２図 第５図 第６図
示す回路図、第２図は第１図の動作を説明する波形図、
第３図は本発明の放電電圧と放電電流の関係図、第４図
は本発明における磁気作用の説明図、第５図は本発明の
方法を実施する放電加工装置の他の例を示す回路図、第
６図は第５図の動作を説明する波形図、第７図は本発明
において磁気を加える方法の他の例を示す説明図である
。 １・・・発振器、７・・・加工電極、８′・・・被加工
体、１２・・・スイッチ素子、１３．１７・・・制御回
路特許出願人 株式会社井上ジャパックス研究所代理人
弁理士 若田勝− 第１図 第２図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）被加工体と加工電極とを所定の加工液中で微小間
隔を隔てて対向させ、可能な限り静電容量およびインダ
クタンスの少ない放電回路を形成し、前記被加工体と前
記加工電極との間にＩＭＨｚ以上の周波数の高周波の交
流またはパルスを印加しながら、前記被加工体と前記加
工電極との対向間隙に前記高周波の交流またはパルスの
周期より′も数倍以上長い周期で周期的に磁気を作用さ
せることにより、放電点を強制的に変えながら加工を行
なうことを特徴とする放電加工における仕上加工方法。 - （２）前記高周波の交流またはパルスを該高周波の周期
よりも数倍以上長い周期で周期的に断続させながら加工
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
放電加工における仕上加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221884A JPS60177819A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 放電加工における仕上加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221884A JPS60177819A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 放電加工における仕上加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177819A true JPS60177819A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12352789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221884A Pending JPS60177819A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 放電加工における仕上加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177819A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4861450A (en) * | 1987-07-07 | 1989-08-29 | Shizuoka Seiki Co., Ltd. | Power supply system for electrolytic processing apparatus |
| US4863579A (en) * | 1986-12-27 | 1989-09-05 | Shizuoka Seiki Co., Ltd. | Power supply system for electrolytic processing apparatus |
| US4880516A (en) * | 1987-06-23 | 1989-11-14 | Shizuoka Seiki Co., Ltd. | Electro-chemical machine |
| US4937415A (en) * | 1988-01-27 | 1990-06-26 | Hycor Biomedical, Inc. | Examination slide grid system |
| US5434380A (en) * | 1990-07-16 | 1995-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface layer forming apparatus using electric discharge machining |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP3221884A patent/JPS60177819A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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