JPS60177720A - スイツチングマトリクス駆動回路 - Google Patents
スイツチングマトリクス駆動回路Info
- Publication number
- JPS60177720A JPS60177720A JP59032468A JP3246884A JPS60177720A JP S60177720 A JPS60177720 A JP S60177720A JP 59032468 A JP59032468 A JP 59032468A JP 3246884 A JP3246884 A JP 3246884A JP S60177720 A JPS60177720 A JP S60177720A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- transistor
- transistors
- switching
- circuit
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スイッチングマトリクスの駆動回路に関し、
特に、npnトランジスタを用いた差動型電流切換スイ
ッチングマトリクスのだめの駆動回路に関する。この型
のスイッチングマトリクスは、例えば、高速デジタル・
アナログ変換器(以下DACと略記)の要部として、有
用である。
特に、npnトランジスタを用いた差動型電流切換スイ
ッチングマトリクスのだめの駆動回路に関する。この型
のスイッチングマトリクスは、例えば、高速デジタル・
アナログ変換器(以下DACと略記)の要部として、有
用である。
集積回路に適した高速DACとして、セグメント型DA
Cが周知である。その−例として、l5SCC79,T
I−IPM 14. 2. ”A口Jnberen、t
ly MonofoniC12b DAC” (第17
8〜179,292〜293頁)には、下位9ビツトに
対して゛はしご型を用い、上位3ビツトに対してセグメ
ント型を用いたDACが記載されており、その上位3ビ
ツトに対する回路は、参照記号を変更した以外は、第1
図のとおりである。
Cが周知である。その−例として、l5SCC79,T
I−IPM 14. 2. ”A口Jnberen、t
ly MonofoniC12b DAC” (第17
8〜179,292〜293頁)には、下位9ビツトに
対して゛はしご型を用い、上位3ビツトに対してセグメ
ント型を用いたDACが記載されており、その上位3ビ
ツトに対する回路は、参照記号を変更した以外は、第1
図のとおりである。
第1図の回路は、大別すれば、スイッチングマトリクス
1と駆動回路2からなる。スイッチングマl−’Jクス
1は、本質的には、定電流源Io〜I7の内から、入力
2進符号D1〜D3が表わす個数のものを、■oから順
に出力端子I OUT に接続する1、一種のデコーダ
である。各定電流源に接続された4個のn p n )
ランジスタ(例えば、10に接続されたSIo + 8
20 + 830 + So )は、差動型電流切換ス
イッチング回路を構成し、周知のIL CJ、 (別名
CM L又はCS L )の変形と見ることができるも
のであって、それらの内でベース電位の最も高いものだ
けが導通するように接続されている。
1と駆動回路2からなる。スイッチングマl−’Jクス
1は、本質的には、定電流源Io〜I7の内から、入力
2進符号D1〜D3が表わす個数のものを、■oから順
に出力端子I OUT に接続する1、一種のデコーダ
である。各定電流源に接続された4個のn p n )
ランジスタ(例えば、10に接続されたSIo + 8
20 + 830 + So )は、差動型電流切換ス
イッチング回路を構成し、周知のIL CJ、 (別名
CM L又はCS L )の変形と見ることができるも
のであって、それらの内でベース電位の最も高いものだ
けが導通するように接続されている。
他方1.駆動回路2は、2進入力1)+〜I)3にそれ
ぞれ接続された、pnp)ランジスタによる3組のE
CLからなる。ただ、それらの出力電位については、低
レベルは、コレクタ電源電位V b ニはぼ等しいから
、同一であるけれども、高レベルは、コレクタ負荷抵抗
の選定により、上位桁はど高くなるように設定されてい
る。すなわち、DolとDotでは高レベル出力をVb
+ 2 V、 DO2とDO2では同じ<Vb+1.
5V、DoaとDoaでは同じ<Vb+IVとし、そし
て、Vr II をVb十0.5vに設定しである。
ぞれ接続された、pnp)ランジスタによる3組のE
CLからなる。ただ、それらの出力電位については、低
レベルは、コレクタ電源電位V b ニはぼ等しいから
、同一であるけれども、高レベルは、コレクタ負荷抵抗
の選定により、上位桁はど高くなるように設定されてい
る。すなわち、DolとDotでは高レベル出力をVb
+ 2 V、 DO2とDO2では同じ<Vb+1.
5V、DoaとDoaでは同じ<Vb+IVとし、そし
て、Vr II をVb十0.5vに設定しである。
今、入力2進杓号が’ o o o ”であるとすれば
、Dot + Doz + Do31″l:Vb 、
Dot l”l:Vb +2 V、D(12はV b
4−1.5 V、、DoaはVh+lVfある。したが
って、■oに接続された4個のトランジスタにおいては
Vrel を受けるSoが導通して、■oが一8C端子
に接続される。■1についてはDoaを受ける83Nが
導通し、12及び■3についてはDO2を受ける822
及び823が導通し、I4〜■7についてはDotを受
けるSI4〜S17が導通し、かくてL〜■7はすべて
I 0IJT 端子に接続される。なお、SC端子に供
給された電流は、下位9ビツトに対する回路部分に供給
される。
、Dot + Doz + Do31″l:Vb 、
Dot l”l:Vb +2 V、D(12はV b
4−1.5 V、、DoaはVh+lVfある。したが
って、■oに接続された4個のトランジスタにおいては
Vrel を受けるSoが導通して、■oが一8C端子
に接続される。■1についてはDoaを受ける83Nが
導通し、12及び■3についてはDO2を受ける822
及び823が導通し、I4〜■7についてはDotを受
けるSI4〜S17が導通し、かくてL〜■7はすべて
I 0IJT 端子に接続される。なお、SC端子に供
給された電流は、下位9ビツトに対する回路部分に供給
される。
次に、入力2進符号が“’ 001 ”になれば、Do
aがVb+1vでDoaがVbとなるほかは前記の場合
と同じである。したがって、■oはDoaを受けるS3
oを通ってl0UT端子に接続され、IIはVref
を受けるSl を通ってSC端子に接続され、■2〜■
7は前記の場合と同様にl0LI? 端子に接続される
。以F同様にして、一般に、人、II 2進符号が表わ
す10進数をpとすれば、■o〜l11−]がl0II
T 、I pがSC,1,。I〜I7が1OUTの各端
子に接続される。l0UT 端子における電流の総和は
、入力2進直のアナログ変換値に他ならない。
aがVb+1vでDoaがVbとなるほかは前記の場合
と同じである。したがって、■oはDoaを受けるS3
oを通ってl0UT端子に接続され、IIはVref
を受けるSl を通ってSC端子に接続され、■2〜■
7は前記の場合と同様にl0LI? 端子に接続される
。以F同様にして、一般に、人、II 2進符号が表わ
す10進数をpとすれば、■o〜l11−]がl0II
T 、I pがSC,1,。I〜I7が1OUTの各端
子に接続される。l0UT 端子における電流の総和は
、入力2進直のアナログ変換値に他ならない。
このようなセグメント型D A Cの特徴の一つは、切
換えノイズ(グリッチ)が小さいことである。
換えノイズ(グリッチ)が小さいことである。
すなわち、最上位ビットの切換点(例えば’011”と
’ 100 ”の間の変化点)においても、l0LIT
端子に接続される電流源の増01.は1個のみである
。このため、この型の回路は、コンピュータ出力のディ
スプレー用など、高速のI) A Cに適している。
’ 100 ”の間の変化点)においても、l0LIT
端子に接続される電流源の増01.は1個のみである
。このため、この型の回路は、コンピュータ出力のディ
スプレー用など、高速のI) A Cに適している。
しかしながら、第1図の回路は1.i駆動回路2の素子
としてpI]pトランジスタを用いている点に問題があ
る。p II l) トランジスタは、npn)ランジ
スクよりもスイッチング速度が本来的に遅い。
としてpI]pトランジスタを用いている点に問題があ
る。p II l) トランジスタは、npn)ランジ
スクよりもスイッチング速度が本来的に遅い。
のみならず、集積回路では、n p n l−ランジス
タ群と共存するpII pトランジスタは、横型(ラテ
ラル)に形成されるのが普通であるところ、この型のト
ランジスタは、その構造上、遮断周波数が低くならざる
をえない。そのため、第1図の回路は、速度が制限され
、数百M I−J Z程度のデジタルデータ入力速度に
対処するのは極めて困難である。
タ群と共存するpII pトランジスタは、横型(ラテ
ラル)に形成されるのが普通であるところ、この型のト
ランジスタは、その構造上、遮断周波数が低くならざる
をえない。そのため、第1図の回路は、速度が制限され
、数百M I−J Z程度のデジタルデータ入力速度に
対処するのは極めて困難である。
とはいえ、第1図の回路における駆動回路2の構成回路
として、従来のnpnトランジスタE CLをそのまま
使用することはできない。なぜなら、普通の11 p
n トランジスタE CLの高レベル出力は、オフ状態
にあるトランジスタのコレクタ電位であるから、それは
実質」ニコレクタ電源電位に等しく、シたかつ−C1共
通のコレクタ電源から給電するl沢り、抜数のスイッチ
ンク回路の高レベル出力は同一電位となり、それては、
スイッチングマトリクス1に前記のような動作を行なわ
せることができないだめである。
として、従来のnpnトランジスタE CLをそのまま
使用することはできない。なぜなら、普通の11 p
n トランジスタE CLの高レベル出力は、オフ状態
にあるトランジスタのコレクタ電位であるから、それは
実質」ニコレクタ電源電位に等しく、シたかつ−C1共
通のコレクタ電源から給電するl沢り、抜数のスイッチ
ンク回路の高レベル出力は同一電位となり、それては、
スイッチングマトリクス1に前記のような動作を行なわ
せることができないだめである。
本発明の目的は、前記の型のスイッチングマトリクスの
だめの、より高速な駆動回路を提供することにある。
だめの、より高速な駆動回路を提供することにある。
本発明の要点は、前記駆動回路の構成回路として、f]
pnトランジスタによる差動型電流切換スイッチング回
路を使用するとともに、各トランジスタのオフ時におけ
るコレクタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整
する回路手段を少なくとも一部のスイッチング回路に付
加し、この回路手段の調整によって、各スイッチング回
路の高レベル出力を互に異なる値に設定するところにあ
る。
pnトランジスタによる差動型電流切換スイッチング回
路を使用するとともに、各トランジスタのオフ時におけ
るコレクタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整
する回路手段を少なくとも一部のスイッチング回路に付
加し、この回路手段の調整によって、各スイッチング回
路の高レベル出力を互に異なる値に設定するところにあ
る。
第2図は、本発明の第1の実施例を示す。同図月−
は3ビツト入力に村する駆動回路の例であり、ブロック
1は第1図のスイッチングマトリクス1と全く同じもの
である。
1は第1図のスイッチングマトリクス1と全く同じもの
である。
各回路A−Cは、基本的にはnpnトランジスタによる
通常のECLと同じであって、各トランジスタは非飽和
領域で動作し、両ベース入力の相対的高低間係に応じて
定電流Toが一方又は他方のトランジスタに切換えられ
る。この実施例の特徴は、トランジスタのオフ時におけ
るコレクタ電位をコレクタ電源電位とけ異なる値に規整
するために、Rh r R21+ RI31がそれぞれ
付加された点にある。
通常のECLと同じであって、各トランジスタは非飽和
領域で動作し、両ベース入力の相対的高低間係に応じて
定電流Toが一方又は他方のトランジスタに切換えられ
る。この実施例の特徴は、トランジスタのオフ時におけ
るコレクタ電位をコレクタ電源電位とけ異なる値に規整
するために、Rh r R21+ RI31がそれぞれ
付加された点にある。
各回路A−Cの出力Dot及びDot 、 DO2及び
Doz + Dos及びDO3の高(II III )
レベルと低(” 0 ” )レベルの値を、それぞれ
V旧とVL、 。
Doz + Dos及びDO3の高(II III )
レベルと低(” 0 ” )レベルの値を、それぞれ
V旧とVL、 。
V)+2とVl2 、 V)+3とVL3 とすると、
第1図ノスイッチングマ) l)クス1を駆動するため
には、次の条件が満たされねばならない。
第1図ノスイッチングマ) l)クス1を駆動するため
には、次の条件が満たされねばならない。
VLI 、 Vl2 、 Vl3 <Vr−t −−−
(1)Vln > Vt12 > Vl3 > V、−
1−−−(2)ところで、VL、〜VL3は、各トラン
ジスタが飽和しない範囲で設定され、通常、 Vt4−Vl2 = Vl3 = VL −−−(3)
したがって、Io を負として、 VL/l0=I%11+几12 ” R21+R22”
R3s+几32・・・・・・・・・(4) ま献VHI =、R++−1,g、、、、 Vl(2”
Rz+ Io + Vl32R+3+ I。
(1)Vln > Vt12 > Vl3 > V、−
1−−−(2)ところで、VL、〜VL3は、各トラン
ジスタが飽和しない範囲で設定され、通常、 Vt4−Vl2 = Vl3 = VL −−−(3)
したがって、Io を負として、 VL/l0=I%11+几12 ” R21+R22”
R3s+几32・・・・・・・・・(4) ま献VHI =、R++−1,g、、、、 Vl(2”
Rz+ Io + Vl32R+3+ I。
であるから、Ioが負であることに留意して、(2)よ
シ、 几sl< R121< R31・・団・・・・(5)す
なわち、諸抵抗値を(4)及び(5)が満足されるよう
に選定する。例えば、■o−1mAとして、Roll=
300Ω、R1□=800Ω、R+21= 500Ω、
几、□=600Ω、R3+=700Ω、R3z”400
Ωとすることができる。
シ、 几sl< R121< R31・・団・・・・(5)す
なわち、諸抵抗値を(4)及び(5)が満足されるよう
に選定する。例えば、■o−1mAとして、Roll=
300Ω、R1□=800Ω、R+21= 500Ω、
几、□=600Ω、R3+=700Ω、R3z”400
Ωとすることができる。
第3図は第2の実施例の1ビット分の回路を示す。この
実施例の特徴は、トランジスタのオフ時におけるコレク
タ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整するため
に、R+、4を付加した点にある。トランジスタQ+3
又はQ10のコレクタから負荷側を見た抵抗値Roは、 ■も。=I(、+3(几13+1も+4 ) / (2
R13+几14)したがって、低レベル出力すなわちオ
ン状態にある側のトランジスタのコレクタ電位VLと、
高レベル出力すなわちオフ状態にある側のトランジスタ
のコレクタ電位V nは、それぞれ、Vl、= I o
I(、o = IOIL+3 (R,+3+1(、+
4)/ (2R+ 3+R,14)・・・・・・・・・
(6) Vn=V+、R+ 3/ (R,13千I(II 4
) = I o R+ 3’/(2R+a +R,+
< )・・・・・・・・・(7) したがって、複数個の同様な回路に対して、■。
実施例の特徴は、トランジスタのオフ時におけるコレク
タ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整するため
に、R+、4を付加した点にある。トランジスタQ+3
又はQ10のコレクタから負荷側を見た抵抗値Roは、 ■も。=I(、+3(几13+1も+4 ) / (2
R13+几14)したがって、低レベル出力すなわちオ
ン状態にある側のトランジスタのコレクタ電位VLと、
高レベル出力すなわちオフ状態にある側のトランジスタ
のコレクタ電位V nは、それぞれ、Vl、= I o
I(、o = IOIL+3 (R,+3+1(、+
4)/ (2R+ 3+R,14)・・・・・・・・・
(6) Vn=V+、R+ 3/ (R,13千I(II 4
) = I o R+ 3’/(2R+a +R,+
< )・・・・・・・・・(7) したがって、複数個の同様な回路に対して、■。
を一定として、R13とR14を適当に選ぶことにより
、vLをほぼ同一にしなからV)lを互に異なる値に設
定することが可能である。
、vLをほぼ同一にしなからV)lを互に異なる値に設
定することが可能である。
第4図は第3の実施例の1ビット分の回路を示す。この
実施例の特徴は、トランジスタのオフ時におけるコレク
タ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整するだめ
に、定電流源11 を伺加した点にある。この回路にお
ける低レベル出力VLと高レベル出力VHは、それぞれ
、 VL=几zs (I o + I l) −−−(8)
V H= Rls I l−−−(9)したがって、複
数個の同様な回路に対して、「■。
実施例の特徴は、トランジスタのオフ時におけるコレク
タ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整するだめ
に、定電流源11 を伺加した点にある。この回路にお
ける低レベル出力VLと高レベル出力VHは、それぞれ
、 VL=几zs (I o + I l) −−−(8)
V H= Rls I l−−−(9)したがって、複
数個の同様な回路に対して、「■。
+11」の値を一定に保ちつつ■1(及びIO)の値を
変えることにより、vしは同一のまtVHだけを互に異
ならせることができる。定電流源IIの代シに適当な値
の抵抗を用いてもほぼ同様の結果が得られる。
変えることにより、vしは同一のまtVHだけを互に異
ならせることができる。定電流源IIの代シに適当な値
の抵抗を用いてもほぼ同様の結果が得られる。
なお、各回路におけるDI大入力、通常のECLと同様
に適当な定電位が与えられてもよい。また、スイッチン
グマトリクス1についても、セグメント型1)ACに限
らず、デコーダあるいは符号変換器等として構成された
ものであってよい。例えば、トランジスタ5o−87の
各コレクタを各別の出力端子に接続すれば、デコーダが
得られるし、また、IoUT 端子に集められている出
力を各定電流源ごとに分けてそ・れぞれの端子を設けれ
ば、tt I n出力を生じる端子の個数によって表わ
される符号(温度計符号)に変換する回路が得られる。
に適当な定電位が与えられてもよい。また、スイッチン
グマトリクス1についても、セグメント型1)ACに限
らず、デコーダあるいは符号変換器等として構成された
ものであってよい。例えば、トランジスタ5o−87の
各コレクタを各別の出力端子に接続すれば、デコーダが
得られるし、また、IoUT 端子に集められている出
力を各定電流源ごとに分けてそ・れぞれの端子を設けれ
ば、tt I n出力を生じる端子の個数によって表わ
される符号(温度計符号)に変換する回路が得られる。
更に、前記各実施例では、トランジスタのオフ時におけ
るコレクタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整
する手段を、駆動回路中のすべてのスイッチング回路に
設けたが、必ずしもそうする必要はなく、最高の出力電
位(VHI )を発生すべきスイッチング回路において
はこれを省略してもより。例えば、第1の実施例におい
て、RIN=0とし、几、□と几、1を(4)及び(5
)の条件を満足するように選定することができる。
るコレクタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整
する手段を、駆動回路中のすべてのスイッチング回路に
設けたが、必ずしもそうする必要はなく、最高の出力電
位(VHI )を発生すべきスイッチング回路において
はこれを省略してもより。例えば、第1の実施例におい
て、RIN=0とし、几、□と几、1を(4)及び(5
)の条件を満足するように選定することができる。
本発明の駆動回路は、npn)ランジスタを非飽和領域
で使用し、入力レベルもCNL (ECL)と同じでよ
いから、非常な高速動作が可能であり、したがって、そ
れとnpn)ランジスタを用いた差動型電流切換スイッ
チングマトリクスとの組合せ、更にはその応用であるセ
グメント型DA(。
で使用し、入力レベルもCNL (ECL)と同じでよ
いから、非常な高速動作が可能であり、したがって、そ
れとnpn)ランジスタを用いた差動型電流切換スイッ
チングマトリクスとの組合せ、更にはその応用であるセ
グメント型DA(。
デコーダ等の動作速度が、著しく改善される。
第1図は従来のセグメント型DACの回路図、第2図な
いし第4図はそれぞれ本発明の第1なりし第3の実施例
の回路図である。 Q + j・・・npnトランジスタ、I)+、I)+
・・デジタル入力、Dot + Dot・・・出力、I
o・・・定電流源、Rh + R21+ R31、R1
4及び■1 ・・・トランジスタのオフ時におけるコレ
クタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整するだ
めの抵抗及び定電流源。 代理人 弁理士 野萩 守 (ほか1名) 躬 2 久 第 3 国 第 4 国
いし第4図はそれぞれ本発明の第1なりし第3の実施例
の回路図である。 Q + j・・・npnトランジスタ、I)+、I)+
・・デジタル入力、Dot + Dot・・・出力、I
o・・・定電流源、Rh + R21+ R31、R1
4及び■1 ・・・トランジスタのオフ時におけるコレ
クタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整するだ
めの抵抗及び定電流源。 代理人 弁理士 野萩 守 (ほか1名) 躬 2 久 第 3 国 第 4 国
Claims (1)
- 1、入力ビツト数に等しい個数の差動型電流切換スイッ
チング回路を備え、これらスイッチング回路のそれぞれ
は、各エミッタが直接相互接続された2個のnpnトラ
ンジスタと、その相互接続点に接続された定電流源と、
両トランジスタのベースの少なくとも一方に接続された
ビット入力端子と、両トランジスタの各コレクタに接続
された出力端子と、各コレクタに接続された負荷回路と
を治し、特徴として、前記諸スイッチング回路の少なく
とも一部のものは、各1−ランジスタのオフ時における
コレクタ電位をコレクタ電源電位とは異なる値に規整す
る回路手段を備え、この回路手段により前記諸スイッチ
ング回路の出力電位が低レベルでは同程度で高レベルで
は互に異なる値に設定された、11pnトランジスタを
用いた差動型電流切換スイソチングマ) l)クスのだ
めの駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59032468A JPS60177720A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | スイツチングマトリクス駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59032468A JPS60177720A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | スイツチングマトリクス駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60177720A true JPS60177720A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12359801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59032468A Pending JPS60177720A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | スイツチングマトリクス駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60177720A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5935281A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式読取り装置 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59032468A patent/JPS60177720A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5935281A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式読取り装置 |
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