JPS60173862A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPS60173862A JPS60173862A JP59029714A JP2971484A JPS60173862A JP S60173862 A JPS60173862 A JP S60173862A JP 59029714 A JP59029714 A JP 59029714A JP 2971484 A JP2971484 A JP 2971484A JP S60173862 A JPS60173862 A JP S60173862A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は集積回路装置に関し、特に基板上に複数個の半
導体ベレヅトヲ搭載して樹脂で封止した混成集積回路装
置に関するものである。
導体ベレヅトヲ搭載して樹脂で封止した混成集積回路装
置に関するものである。
従来、この種の装置は、纂1図(5)、(B)に示すよ
うに% P)T定の導体記載が施された基&l上に複数
の半導体ベンツ)2−1乃至2−4を搭載し、ホンティ
ングワイヤ3で結線した後、被数個のベレット2−1乃
至2−4tその中に包含するようなただ一つの開口を有
する半枠4を貼りつけ、その枠4内に封止樹脂5ヶ注入
する構造でめった。
うに% P)T定の導体記載が施された基&l上に複数
の半導体ベンツ)2−1乃至2−4を搭載し、ホンティ
ングワイヤ3で結線した後、被数個のベレット2−1乃
至2−4tその中に包含するようなただ一つの開口を有
する半枠4を貼りつけ、その枠4内に封止樹脂5ヶ注入
する構造でめった。
このように、半枠4の開口幅がかなり太きいものであっ
た。
た。
一般に、封止樹脂5の材料はエポキシ系が用いられてお
り、エポキシ系は熱硬化による収縮が太きい。−万、基
板lの材料としてはセラミックが使用されているが、セ
ラミ、ツクはエポキシと比較して熱膨張係数が非常に小
さい。このため、従来の構造の混成集積回路装置におい
ては、内部応力が高くなり、基板1が反ったり熱衝撃に
よるクラックが生じたりするなどの欠点がある。その欠
点は枠4の開口幅が太さい程著しい。
り、エポキシ系は熱硬化による収縮が太きい。−万、基
板lの材料としてはセラミックが使用されているが、セ
ラミ、ツクはエポキシと比較して熱膨張係数が非常に小
さい。このため、従来の構造の混成集積回路装置におい
ては、内部応力が高くなり、基板1が反ったり熱衝撃に
よるクラックが生じたりするなどの欠点がある。その欠
点は枠4の開口幅が太さい程著しい。
本発明の目的、基板反りやクラック発生ケ防止した集積
回路装置を提供することにろる。
回路装置を提供することにろる。
本発明は、枠に中仕切tつけたことを%徽とする。この
中仕切により枠の単−区の開口幅が小さくなり、この結
果、封止樹脂の熱硬化時の収縮や封止樹脂と基板との熱
膨張係数差による装置の内部応力を低減することができ
る。よって、本発明によれば基板の反りが小さく、耐熱
衝撃性の高い装置が得られるというオ0点がある。
中仕切により枠の単−区の開口幅が小さくなり、この結
果、封止樹脂の熱硬化時の収縮や封止樹脂と基板との熱
膨張係数差による装置の内部応力を低減することができ
る。よって、本発明によれば基板の反りが小さく、耐熱
衝撃性の高い装置が得られるというオ0点がある。
次に、図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第2図(A) 、 (B)は本発明の一実施例であって
、lは基板、2−1乃至2−4は半導体ペレット、3は
ボンディングワイヤ、4は多遮枠、5は封止樹脂、6−
1.6−2は枠4の中仕切である。このように、枠4が
中仕切6−1.6−2で区切られており、したがって、
単−区の囲口幅が小さくなっている。したがって、封止
樹脂5の加熱状綿や封止樹脂5と基板lとの熱膨張係数
差による内部応力を太幅に低減できる。この結果、従来
問題となっていた基板lの反りやクラック発生が防止さ
れる。
、lは基板、2−1乃至2−4は半導体ペレット、3は
ボンディングワイヤ、4は多遮枠、5は封止樹脂、6−
1.6−2は枠4の中仕切である。このように、枠4が
中仕切6−1.6−2で区切られており、したがって、
単−区の囲口幅が小さくなっている。したがって、封止
樹脂5の加熱状綿や封止樹脂5と基板lとの熱膨張係数
差による内部応力を太幅に低減できる。この結果、従来
問題となっていた基板lの反りやクラック発生が防止さ
れる。
なお、本発明は上記実施例に限られないことは熱論でろ
る。
る。
第1図匹)は従来の混成集積回路装置の断■図、第1図
(B)ばその平面透視図である。第2図(A)は本発明
の一失施例奮示す〜丁面図であり、第2図(BJはその
平面透視図でりる゛。
(B)ばその平面透視図である。第2図(A)は本発明
の一失施例奮示す〜丁面図であり、第2図(BJはその
平面透視図でりる゛。
■・・・・・・基板、2−1乃至2−4・・・・・・半
導体ペレット、3・・・・・・ボンティングワイヤ、4
・・囮・枠、5・・・・・・封止樹脂、6−1.6−2
・・・・・・粋の中仕切。
導体ペレット、3・・・・・・ボンティングワイヤ、4
・・囮・枠、5・・・・・・封止樹脂、6−1.6−2
・・・・・・粋の中仕切。
Claims (1)
- 基板上に搭載された半導体ペレッ)k封止する樹脂の広
がりを止めるだめの枠に中仕切さを設けたことを特徴と
する集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59029714A JPS60173862A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59029714A JPS60173862A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60173862A true JPS60173862A (ja) | 1985-09-07 |
Family
ID=12283773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59029714A Pending JPS60173862A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60173862A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0720232A4 (en) * | 1993-09-14 | 1996-11-13 | Toshiba Kk | MANY CHIP MODULE |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP59029714A patent/JPS60173862A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0720232A4 (en) * | 1993-09-14 | 1996-11-13 | Toshiba Kk | MANY CHIP MODULE |
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