JPS60173850A - 半導体装置の試験装置 - Google Patents
半導体装置の試験装置Info
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- JPS60173850A JPS60173850A JP2846584A JP2846584A JPS60173850A JP S60173850 A JPS60173850 A JP S60173850A JP 2846584 A JP2846584 A JP 2846584A JP 2846584 A JP2846584 A JP 2846584A JP S60173850 A JPS60173850 A JP S60173850A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半コ４謎体装餘の電気［Ｊ’ｊ将性ン検介する
半導体装置の試験装置に関するものである。
半導体装置の試験装置に関するものである。
半導体ウェハーの製造工程を終了したウェハーＶ？１．
は半導体素子（ペレット）が基盤の目状に焼面「的に形
成される。通常このようなウエノ１−には第１図および
第１図の平面図の第２図に示すようにして′１げ気的特
性の検査が施される。すなわち、ウェハーｉｏはステー
ジ１１上に載置され、ペレット表面の図示しない電極上
に、プローブカード１３に固定されたグローブ針１２の
先端が当てらオＬる。このプローブ針１２はプローブカ
ード１３上の配線により引き出されコネクターｉａ？７
介してテスタ１５に接続されている。また、ウェハーＩ
Ｏ裏面の電１極（辿゛１ｑコレクタ雷５極）はステージ
１１上面の槁電部拐（図示しない）？介して１民り出さ
れテスタ１５に接続されている。このようにして、半尋
体素子がトランジスタであればエミッタ、ベース、コレ
クタの各電極が取シ出されテスタ１５によってペレット
の′電気的特性が測定される。
は半導体素子（ペレット）が基盤の目状に焼面「的に形
成される。通常このようなウエノ１−には第１図および
第１図の平面図の第２図に示すようにして′１げ気的特
性の検査が施される。すなわち、ウェハーｉｏはステー
ジ１１上に載置され、ペレット表面の図示しない電極上
に、プローブカード１３に固定されたグローブ針１２の
先端が当てらオＬる。このプローブ針１２はプローブカ
ード１３上の配線により引き出されコネクターｉａ？７
介してテスタ１５に接続されている。また、ウェハーＩ
Ｏ裏面の電１極（辿゛１ｑコレクタ雷５極）はステージ
１１上面の槁電部拐（図示しない）？介して１民り出さ
れテスタ１５に接続されている。このようにして、半尋
体素子がトランジスタであればエミッタ、ベース、コレ
クタの各電極が取シ出されテスタ１５によってペレット
の′電気的特性が測定される。
ここで、従来より、プローブ針１２とフェノ１−ｉｏの
′−極との接触抵抗等による測定誤差ン低減させるため
に四端子測定すなわちケルビン接続による測定が行なわ
れている。これは、測定すべきペレットｌＯの電極間に
テスタ１５の電＃ｔ Ｓ ａに接続された探針ン当てて
電設ンＭｒ１すと同時に、テスタ１５の高入力インピー
ダンスの測定器１５ｂＶＣ接続されだ探針を両電極間に
当てて検育するものである。すなわち、このよりな測定
では、電圧端子に流れる電流が（！ｉＪ否めて小さく、
被測定系に殆んど影響を与えづ゛に済み、接触抵抗も事
美上無捨てきることになる／ヒめ、開力いネＩ貸度の７
旦ｌｌ定が凸丁能となる。
′−極との接触抵抗等による測定誤差ン低減させるため
に四端子測定すなわちケルビン接続による測定が行なわ
れている。これは、測定すべきペレットｌＯの電極間に
テスタ１５の電＃ｔ Ｓ ａに接続された探針ン当てて
電設ンＭｒ１すと同時に、テスタ１５の高入力インピー
ダンスの測定器１５ｂＶＣ接続されだ探針を両電極間に
当てて検育するものである。すなわち、このよりな測定
では、電圧端子に流れる電流が（！ｉＪ否めて小さく、
被測定系に殆んど影響を与えづ゛に済み、接触抵抗も事
美上無捨てきることになる／ヒめ、開力いネＩ貸度の７
旦ｌｌ定が凸丁能となる。
ところで、従来の試験装置？用いた測定には次のような
問題点がある。
問題点がある。
丁なわち、ウェハーの裏面電、極（ポ１常コレクタ電柳
は、ウェハー裏面全体に形成され複数のペレットの共心
の電極となっている。そして電極面かステージ１１の１
つの尋′亀部材よりなる接触面に接触し、このステー１
７１１にテスタ１５の′ｉ電圧端子電流端子とが接続さ
れている。
は、ウェハー裏面全体に形成され複数のペレットの共心
の電極となっている。そして電極面かステージ１１の１
つの尋′亀部材よりなる接触面に接触し、このステー１
７１１にテスタ１５の′ｉ電圧端子電流端子とが接続さ
れている。
従って、テスタ１５からみると、Ｊｌｌにはステージ１
１ｆＸ：含んだウニへ−ｔｏ７測定していることになり
正確には四端子測定とはいえず６１１１足誤差が大きく
含まれると共に、独豆した１つのペレットについては測
定していないことになる。
１ｆＸ：含んだウニへ−ｔｏ７測定していることになり
正確には四端子測定とはいえず６１１１足誤差が大きく
含まれると共に、独豆した１つのペレットについては測
定していないことになる。
このため、実際にはウェハー１０段階で不良と判定され
たペレットを除き、残りの良品と判定されたベンツ）Ｖ
組立て完成品とした後打び試験娶行なっているが、この
組立て後の試験でも不良と判定されるものが数多くある
。
たペレットを除き、残りの良品と判定されたベンツ）Ｖ
組立て完成品とした後打び試験娶行なっているが、この
組立て後の試験でも不良と判定されるものが数多くある
。
また、上記装置のノ゛ローブ針１２はスプリングアクシ
ョンを持ターヒるため材質としてタングステン或いＩｔ
Ｊ、タンガロイが用いられペレットの′電極面に苅し斜
１頃する・ようにプローブカード１３に固定されている
。しかし、タングステンおよびタンガイ口は導電性が鯰
いため、プローブ針１２の電流容量は１本当９通常２５
Ｑ ｍＡと低く、電極との接触抵抗も人きい。このた
め、このようなプローブ針１２に大電流電流すと針の先
端が発熱し、酸化が速まり、接触抵抗が灰化して測定が
不能となる。
ョンを持ターヒるため材質としてタングステン或いＩｔ
Ｊ、タンガロイが用いられペレットの′電極面に苅し斜
１頃する・ようにプローブカード１３に固定されている
。しかし、タングステンおよびタンガイ口は導電性が鯰
いため、プローブ針１２の電流容量は１本当９通常２５
Ｑ ｍＡと低く、電極との接触抵抗も人きい。このた
め、このようなプローブ針１２に大電流電流すと針の先
端が発熱し、酸化が速まり、接触抵抗が灰化して測定が
不能となる。
実際には、電流容量馨上けるためにペレットの１つの′
ＩＪ、極に複数のグローブ針１２７当て検査７行なうよ
うにしているが、プローブ針１２が傾斜しているため、
プローブ針１２の配置面積を広く採る必要がめり、プロ
ーブ針の本数をそう多く増加びぜることかできない。従
って、素子の組立て前の試験は冥髄、Ｖ）素子の動作域
よりはるかに小ぢい微小電流域で行なわざる馨得す、素
子の組立て後に行なう試験との付関が低いものである。
ＩＪ、極に複数のグローブ針１２７当て検査７行なうよ
うにしているが、プローブ針１２が傾斜しているため、
プローブ針１２の配置面積を広く採る必要がめり、プロ
ーブ針の本数をそう多く増加びぜることかできない。従
って、素子の組立て前の試験は冥髄、Ｖ）素子の動作域
よりはるかに小ぢい微小電流域で行なわざる馨得す、素
子の組立て後に行なう試験との付関が低いものである。
特に最近でネニペレットのみ？出荷する場合も増加して
おり、組立て前のペレットに刻し正Ｍｍな試験留付なう
ことが要請はれている。
おり、組立て前のペレットに刻し正Ｍｍな試験留付なう
ことが要請はれている。
ま７ｊ、従来の試験装置では、グローブ針Ｉ２がプロー
ブカード１３に半田付けにより１即足されているため、
プローブ針２１本ごとにＳｌｋすることができず、プロ
ーブ針が１不でも痛むとグローブカードごと又換する必
要があり、不経済でもある。
ブカード１３に半田付けにより１即足されているため、
プローブ針２１本ごとにＳｌｋすることができず、プロ
ーブ針が１不でも痛むとグローブカードごと又換する必
要があり、不経済でもある。
本発明は上記のような点に龜みなされたもので、独立し
た１つのペレットに対し四繻子測定で可能で、ペレット
の組立て後に行なう試験との相関が極めて高い正確な試
験を行なうことのできる半導体装１［ｉの試験装置な提
供することを目的とする。
た１つのペレットに対し四繻子測定で可能で、ペレット
の組立て後に行なう試験との相関が極めて高い正確な試
験を行なうことのできる半導体装１［ｉの試験装置な提
供することを目的とする。
〔発明の棚１要〕
すなわち、本発明による半導体装置の試験装置では、被
試験半導体装置、に供Ａ台する試験電流を出力する複数
の電流端子と高入力インピーダンスの測定器の入力端と
なる複数の′ｉ；圧端子と乞備えたテスタと、被試験゛
半編体装ｌ汀が載置される：ステージと、上記電／Ｍ端
子および電圧端子の所定のものと接続された複数のプロ
ーブ針？備えたプローブとを具備し、板紙１訣半導体装
置の裏面電極と接する上記ステージの上面には上記電流
端子のｐＪｒ定のものに接続された第１の導電部材とこ
の第ｌの都電部材と異なる昔す位に上記電圧端子のノッ
「定のものに接続δれた第２の都電部材とを有したもの
である。
試験半導体装置、に供Ａ台する試験電流を出力する複数
の電流端子と高入力インピーダンスの測定器の入力端と
なる複数の′ｉ；圧端子と乞備えたテスタと、被試験゛
半編体装ｌ汀が載置される：ステージと、上記電／Ｍ端
子および電圧端子の所定のものと接続された複数のプロ
ーブ針？備えたプローブとを具備し、板紙１訣半導体装
置の裏面電極と接する上記ステージの上面には上記電流
端子のｐＪｒ定のものに接続された第１の導電部材とこ
の第ｌの都電部材と異なる昔す位に上記電圧端子のノッ
「定のものに接続δれた第２の都電部材とを有したもの
である。
そして、上記プローブ針は上記ステージ面に対し垂直方
間にプローブのプローブヘッドに固定され、被試験半導
体装置と接触するニードルが銅系金属からなり、このニ
ードルが、内部にはね機４Ｎ’４を有しブ′ローブヘッ
ドに固定されたソケットに献装されプこものであればさ
らに良い。
間にプローブのプローブヘッドに固定され、被試験半導
体装置と接触するニードルが銅系金属からなり、このニ
ードルが、内部にはね機４Ｎ’４を有しブ′ローブヘッ
ドに固定されたソケットに献装されプこものであればさ
らに良い。
以下図面を参照して本発明の一尖施例を説明する。絹−
３図は本発明による半導体装置の試験装置Ｓｒ ｗ模式
的に示す図でグローブ周辺は平面的に示しである。第４
図は第３図のＡ Ａ’紛に沿ったＷｒｙ図である。これ
らの図においてステージ３１上に半導体ベレット〔ここ
ではトランジスタ）３０を載せる。そして、上記ステー
ジ３１に対してグローブ３２乞対同配直させ、グローブ
３２に取り付けられたプローブ針３３を、ペレット３０
の上面のベース電極３４Ｂ５エミツタ′市極ａａＢお工
びステージ３１の上面に当てる。ここで、上記ステー１
７３１のペレットとの接触面は、′眠気的に互込に分離
された第１の等電部材３１１と第２の導電部材３１．と
からなる。
３図は本発明による半導体装置の試験装置Ｓｒ ｗ模式
的に示す図でグローブ周辺は平面的に示しである。第４
図は第３図のＡ Ａ’紛に沿ったＷｒｙ図である。これ
らの図においてステージ３１上に半導体ベレット〔ここ
ではトランジスタ）３０を載せる。そして、上記ステー
ジ３１に対してグローブ３２乞対同配直させ、グローブ
３２に取り付けられたプローブ針３３を、ペレット３０
の上面のベース電極３４Ｂ５エミツタ′市極ａａＢお工
びステージ３１の上面に当てる。ここで、上記ステー１
７３１のペレットとの接触面は、′眠気的に互込に分離
された第１の等電部材３１１と第２の導電部材３１．と
からなる。
そして、上記第１の導ｎ部材３１．に接触すルグローブ
針３３ンテスタ４ｏのコレクタ’に＋ ？Ａｆ一端子Ｃ
ＩＫ接続し、第２の導電部材３１．に接触するグローブ
針３３？コレクタ電圧端子ＣＶに従続する。同様に上記
ペレット３ｏのエミッタ電極３４ Ｅｉにｊ、、−触す
る複数のグローブ針３３のうちいくつか２エミツタ電流
端子ＥＩに接続し、残しのものをエミッタ電圧端子Ｅｖ
ＶＣ接続する。同様にベース′市極３４ＢＫ１友九虫す
るフ゛ローブ針、７．７のうちいくつか？テスタ４θの
ベース電流端子ＤＩに接続し、残シのもの？ベース電圧
端子Ｂｖに接続する。
針３３ンテスタ４ｏのコレクタ’に＋ ？Ａｆ一端子Ｃ
ＩＫ接続し、第２の導電部材３１．に接触するグローブ
針３３？コレクタ電圧端子ＣＶに従続する。同様に上記
ペレット３ｏのエミッタ電極３４ Ｅｉにｊ、、−触す
る複数のグローブ針３３のうちいくつか２エミツタ電流
端子ＥＩに接続し、残しのものをエミッタ電圧端子Ｅｖ
ＶＣ接続する。同様にベース′市極３４ＢＫ１友九虫す
るフ゛ローブ針、７．７のうちいくつか？テスタ４θの
ベース電流端子ＤＩに接続し、残シのもの？ベース電圧
端子Ｂｖに接続する。
上記テスタ４ Ｑ （／Ｊコレクタ屯流端子ＣＩ、エミ
ッタ電流端子ＩＪＩおよびベース電諦端子ＢＩはテスタ
４０内部の図示しない電源に接続σれており、フレフタ
電圧斌子ｃｖ１エミッタ電圧端子Ｅｖおよびベース岨圧
端子Ｂｖはそれぞれテスタ４０ Ｖ’３ ｓの高入力イ
ンピーダンスの図示しない測だ器に接続されている。
ッタ電流端子ＩＪＩおよびベース電諦端子ＢＩはテスタ
４０内部の図示しない電源に接続σれており、フレフタ
電圧斌子ｃｖ１エミッタ電圧端子Ｅｖおよびベース岨圧
端子Ｂｖはそれぞれテスタ４０ Ｖ’３ ｓの高入力イ
ンピーダンスの図示しない測だ器に接続されている。
また、上記グローブ針３３は従来と異なり次のような楊
造乞なしている。すなわち、プローブ針３３はプローブ
３２のグローブヘッド３２ａに固定されたソケット３３
ａとこのソケット、？ ３ ａに嵌装された后脱自在
のニードル３３ｂとからなり、ステージ３１の上面に対
し垂直に固定されている。このソケット３３ａは、内用
Ｊにニードル３３ｂｙｚ押し出すはね３３ｃを倫えてお
り、心当な圧力でペレットの′電極面ｖＣ筬するように
なっている。また、ニードル３３ｂの材ｆｉＡ′ＶＪ、
編戊性が関〈ペレット・電極との接触抵抗の小さい銅ま
／ｉ：は銅合金からなる。
造乞なしている。すなわち、プローブ針３３はプローブ
３２のグローブヘッド３２ａに固定されたソケット３３
ａとこのソケット、？ ３ ａに嵌装された后脱自在
のニードル３３ｂとからなり、ステージ３１の上面に対
し垂直に固定されている。このソケット３３ａは、内用
Ｊにニードル３３ｂｙｚ押し出すはね３３ｃを倫えてお
り、心当な圧力でペレットの′電極面ｖＣ筬するように
なっている。また、ニードル３３ｂの材ｆｉＡ′ＶＪ、
編戊性が関〈ペレット・電極との接触抵抗の小さい銅ま
／ｉ：は銅合金からなる。
思出りような試験装瞳ン用いたペレットの測定は次のよ
うなものである。すなわち、ペレット３０のベース電、
極３４Ｂおよびエミッタ電極３ａＥと第ｌの尋４部材、
３１ 、とに各々ベース電流端子ＢＩ、エミッタ電流端
子Ｅ１およびコレクタ電流端子ＣＩより所定の試験電流
が供給でれる。そして、ベース電極３４ Ｂ、エミッタ
電極３４Ｅおよび第２の導電Ｂｂ材３１．の′屯圧がプ
ローブ針３３を介して測定される。
うなものである。すなわち、ペレット３０のベース電、
極３４Ｂおよびエミッタ電極３ａＥと第ｌの尋４部材、
３１ 、とに各々ベース電流端子ＢＩ、エミッタ電流端
子Ｅ１およびコレクタ電流端子ＣＩより所定の試験電流
が供給でれる。そして、ベース電極３４ Ｂ、エミッタ
電極３４Ｅおよび第２の導電Ｂｂ材３１．の′屯圧がプ
ローブ針３３を介して測定される。
以上のような本冥施例の半導体装置の試験装置では次の
ような長所が認められる。
ような長所が認められる。
すなわち、ペレット３０の裏面′成極であるコレクタ′
成極には、プローブ針３３に接触した独立した第ｌの導
電部材３３□宏介し電流端子が接続されていると共に、
プローブ針に接触した独立した第２の重電部材、？３．
娶弁し電圧端子が接続され、異なる２ケ所において電圧
端子および電流端子か接続していることになるため、コ
レクタ電極を弁したペレ゛ットの測定？完全なケルビン
接続により行かえる。
成極には、プローブ針３３に接触した独立した第ｌの導
電部材３３□宏介し電流端子が接続されていると共に、
プローブ針に接触した独立した第２の重電部材、？３．
娶弁し電圧端子が接続され、異なる２ケ所において電圧
端子および電流端子か接続していることになるため、コ
レクタ電極を弁したペレ゛ットの測定？完全なケルビン
接続により行かえる。
さらに、上６１２ペレット３０をウェハー状態でなく分
割した状ｊ座で測定するようにしたため、従来のものに
比らべ正確な測定が行なえる。
割した状ｊ座で測定するようにしたため、従来のものに
比らべ正確な測定が行なえる。
ま１ζ、上記のようにプローブ針３３のニードル５ａｂ
ｙ内部にばね機４８を有するソケット３３ａに成製し、
ペレット３０面に対し垂匝に固定させるように下れば、
ニードル３３ｂとして接触抵抗が小さく電流容量の大き
い銅系金属を用いることができ、ｌだニードル３．？
ｂの配瞠面私が小さくて済むため１つの′電極に多数の
プローブ針３３馨接／［ｉ！ＩＩさせて、さらに′市流
容ｊ４４馨上げることが可能となる。
ｙ内部にばね機４８を有するソケット３３ａに成製し、
ペレット３０面に対し垂匝に固定させるように下れば、
ニードル３３ｂとして接触抵抗が小さく電流容量の大き
い銅系金属を用いることができ、ｌだニードル３．？
ｂの配瞠面私が小さくて済むため１つの′電極に多数の
プローブ針３３馨接／［ｉ！ＩＩさせて、さらに′市流
容ｊ４４馨上げることが可能となる。
１だ、グローブ針３３のニードル３３ｂは着脱自在なた
め、グローブ針が不良となった場合には、不良のニード
ル３３ｂのみｔ父換１−れは艮く経済的である。
め、グローブ針が不良となった場合には、不良のニード
ル３３ｂのみｔ父換１−れは艮く経済的である。
第５図は、ニードルの材利別の接触抵抗を示すグラフで
ａはタンガロイ、ｂはタングステン、Ｃは縣ｉでるる。
ａはタンガロイ、ｂはタングステン、Ｃは縣ｉでるる。
この図で示すように、短、流値の増加に伴う接触抵抗の
扁加か小さいＶは銅である。さらにニードルが通電２に
より、鮮色に発熱した電流値ｈ”それぞれタンガロイａ
が６．５Ａ、タングステンｂが５Ａ、銅ＣがＩＯＡでわ
り、大電流の測定のためのニードル材としてに銅が適し
ていることが明らかである。
扁加か小さいＶは銅である。さらにニードルが通電２に
より、鮮色に発熱した電流値ｈ”それぞれタンガロイａ
が６．５Ａ、タングステンｂが５Ａ、銅ＣがＩＯＡでわ
り、大電流の測定のためのニードル材としてに銅が適し
ていることが明らかである。
また、第６図は本冥施例装置を用いてペレットを大電流
測定した測定値と、ペレット？組立て、製品化した彼測
定した際の測定値と？比較した結果で、それぞれグラフ
（ａ）は２ＯＡ規格の製品の測だ結果、グラフ（ｂ）は
４０Ａ規格の製品のｌ！ｔｌＪ定結果である。この図中
の破線ｄはペレット状態に訃ける測定（ｉｆｆど絹み立
て後の測定値とが同じ値ン示すラインでのる。第６図の
グラフ（ａ）に示すように２ＯＡ規格の製品では、基準
となるラインｄとｄｌ１１足結果とが”？； ’ｌ’Ｊ
’ Ｌ／ ＜ ｓ測定値のばらつきも±ｌφ以（ハ）で
めった。ｍ「１６図のグラフ（ｂ）に示す工うに４ＯＡ
規格の製品においても、ペレット状態での測距と組立て
懐の測定との１１ηに極めて召ｉい相関が得られ、副別
値のばらつきも±５％１２＋、 ｌ／９であった。（尚
、勿論、従来の装置ではペンット？数へ程腹り、上で試
験することができない。） 尚、定格電流の小さい素子に対しては従来と同様のグロ
ーブ針？有する試験装置で試験してもよい。
測定した測定値と、ペレット？組立て、製品化した彼測
定した際の測定値と？比較した結果で、それぞれグラフ
（ａ）は２ＯＡ規格の製品の測だ結果、グラフ（ｂ）は
４０Ａ規格の製品のｌ！ｔｌＪ定結果である。この図中
の破線ｄはペレット状態に訃ける測定（ｉｆｆど絹み立
て後の測定値とが同じ値ン示すラインでのる。第６図の
グラフ（ａ）に示すように２ＯＡ規格の製品では、基準
となるラインｄとｄｌ１１足結果とが”？； ’ｌ’Ｊ
’ Ｌ／ ＜ ｓ測定値のばらつきも±ｌφ以（ハ）で
めった。ｍ「１６図のグラフ（ｂ）に示す工うに４ＯＡ
規格の製品においても、ペレット状態での測距と組立て
懐の測定との１１ηに極めて召ｉい相関が得られ、副別
値のばらつきも±５％１２＋、 ｌ／９であった。（尚
、勿論、従来の装置ではペンット？数へ程腹り、上で試
験することができない。） 尚、定格電流の小さい素子に対しては従来と同様のグロ
ーブ針？有する試験装置で試験してもよい。
また、上ａ己冥施邪“りではステージ３１の第１の導′
亀部材３１．および第２の導電部材Ｅｌ、とテスタ４０
の電流端子および電圧端子との接続をグローブ針３，３
を介して行なうようにしているが、第１の導電部材３１
．およびε１（２の導電部材３１２とテスター４０との
接糾ｉは例えば半田伺は等他の層紗手段によって行なっ
てもか互わない、 〔発明の効果〕 以上のように本発明による半總体装トニの試ムノミ装置
では、独立した１つのペレットに対し四端子１ｉ１１Ｊ
定が可能で、ペレットの組立て後の試ｊＢす７との泪巴
１の極めて筒い上値な試験７行なうことがでひる。
亀部材３１．および第２の導電部材Ｅｌ、とテスタ４０
の電流端子および電圧端子との接続をグローブ針３，３
を介して行なうようにしているが、第１の導電部材３１
．およびε１（２の導電部材３１２とテスター４０との
接糾ｉは例えば半田伺は等他の層紗手段によって行なっ
てもか互わない、 〔発明の効果〕 以上のように本発明による半總体装トニの試ムノミ装置
では、独立した１つのペレットに対し四端子１ｉ１１Ｊ
定が可能で、ペレットの組立て後の試ｊＢす７との泪巴
１の極めて筒い上値な試験７行なうことがでひる。
・１１図回の［：１担な説明
ｊ、ニー； Ｊ、 ｌり１鋒工び木２［川はそれぞれ従
来の半尋体嶋し：の試朕装髄欠示す平面図お工びｒ：打
聞図、第３図は本発明の一冥施例に’ＬＦ１．る半尋体
衾圃の試験装Ｆ１ン示１−脚、第４図ｉｃ第３図Ｖこ示
ず試験装置の−ｆｉｔ）娶り、Ａ’４ヌに沿って示す１
折面図、ｕＬ Ｓ崗はニードルに流れる電流と懐触抵抗
との関係ン示すグラフ、親６図は素子の組み立て後の測
定値と本発明による半導体装置の試験装而７用い／ζペ
レット状態での測定値との関係？示すグラフである。
来の半尋体嶋し：の試朕装髄欠示す平面図お工びｒ：打
聞図、第３図は本発明の一冥施例に’ＬＦ１．る半尋体
衾圃の試験装Ｆ１ン示１−脚、第４図ｉｃ第３図Ｖこ示
ず試験装置の−ｆｉｔ）娶り、Ａ’４ヌに沿って示す１
折面図、ｕＬ Ｓ崗はニードルに流れる電流と懐触抵抗
との関係ン示すグラフ、親６図は素子の組み立て後の測
定値と本発明による半導体装置の試験装而７用い／ζペ
レット状態での測定値との関係？示すグラフである。
３０・・・ペレツ）、”３１・・・ステーｉ）、３１．
・・・第１のとΔへｔ゛５５部材１．・・・第２の導電
とＩ）材、３２・・・グローブ、３２ａ・・・プローブ
ヘッド、３３・・・グローブ針、３３ａ・・・ソケット
、３３ｂ…ニードル、３３ｃ・・・ばね、ＩＩＱ…テス
タ、ＣＩ・・・コレクタ電流端子、ＢＩ・・・エミッタ
電流端子、ＢＩ・・・ベース電流端子、ＣＶ・・・コレ
クタ箱、圧端子、ＥＶ・・・エミッタ、’ｊｔｆ、圧端
子、Ｂｖ・・・ベース電圧端子。
・・・第１のとΔへｔ゛５５部材１．・・・第２の導電
とＩ）材、３２・・・グローブ、３２ａ・・・プローブ
ヘッド、３３・・・グローブ針、３３ａ・・・ソケット
、３３ｂ…ニードル、３３ｃ・・・ばね、ＩＩＱ…テス
タ、ＣＩ・・・コレクタ電流端子、ＢＩ・・・エミッタ
電流端子、ＢＩ・・・ベース電流端子、ＣＶ・・・コレ
クタ箱、圧端子、ＥＶ・・・エミッタ、’ｊｔｆ、圧端
子、Ｂｖ・・・ベース電圧端子。
出１ｉＫｑ人ｆ誌２人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図
Claims (4)
- （１） 被試験半導体装置に供給する試験電流を出力す
る複数の電流端子と上記半導体装置の試験時の測定電圧
が入力される複数の電圧端子とを備えた四端子測定用の
テスタと、上記半導体装置を低置するステージと、上記
電流端子訃よび電圧端子の勇足のものと接続され上記半
導体装も、の表面電極の９［定のものに接触する複数の
プローブ針を備えたグローブと？具・［＋ｉｆｉ Ｌ、
上記ステージはそれぞれ上記半導体装｛ｉの裏面電極と
托６触きれると共に上記電流端子の０１足のものに接続
する第ｌの導電す材と、この第１の心協°。 部材と異なる部位に上記電圧端子の牌定のものに接続す
る第２の導電部材の２個の互いに独立した導電部材？備
えていること？特徴とする半導体装置の試験装置。 - （２） 上記プローブ針は、上記ステージ面に対し垂直
方向にプローブヘッドに固定されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１世記載の半導体装置の試験装６゜ - （３） 上記プローブ針は、被試１験半尋体装瞠の電極
面に１端が厘う女佑触するニードルと、上記ニードルを
押し出すばね機構な円部に有し上記ニードルを嵌装する
プローブヘッドに固定されたソケットと？具備している
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
戦の半導体装置の試験装置。 - （４） 上記ニードルが銅系金部よυなることン特徴と
する特許請求の範囲第３１Ｌｌ記載の半導体装置の試験
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2846584A JPS60173850A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2846584A JPS60173850A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173850A true JPS60173850A (ja) | 1985-09-07 |
| JPH0566732B2 JPH0566732B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=12249399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2846584A Granted JPS60173850A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173850A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337247A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の試験装置および試験方法 |
| JP2011174946A (ja) * | 2011-06-02 | 2011-09-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の試験方法 |
| JP2012089680A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体測定装置 |
| JP2015049076A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 三菱電機株式会社 | 接触子、測定装置 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2846584A patent/JPS60173850A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337247A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の試験装置および試験方法 |
| JP2012089680A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体測定装置 |
| JP2011174946A (ja) * | 2011-06-02 | 2011-09-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の試験方法 |
| JP2015049076A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 三菱電機株式会社 | 接触子、測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566732B2 (ja) | 1993-09-22 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |