JPS60170981A - 薄膜太陽電池 - Google Patents

薄膜太陽電池

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Publication number
JPS60170981A
JPS60170981A JP59027804A JP2780484A JPS60170981A JP S60170981 A JPS60170981 A JP S60170981A JP 59027804 A JP59027804 A JP 59027804A JP 2780484 A JP2780484 A JP 2780484A JP S60170981 A JPS60170981 A JP S60170981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thin film
transparent electrode
transparent
photoelectric conversion
Prior art date
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Pending
Application number
JP59027804A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakazu Ueno
正和 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd filed Critical Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Publication of JPS60170981A publication Critical patent/JPS60170981A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は半導体薄膜からなる光電変換領域の両面に透明
導電膜よりなる透明電極と金属電極とを有し、透明′電
極の一方の側に備えられた集電電極と金属電極とから光
起電力が取り出される薄膜太陽電池に関する。
r従来技術とその問題点〕 非晶質シリコン(以下a−8iと記す)の価電子制御が
可能であることが発見されて以来、この材料を用いた電
子素子の開発が進められている。特に太陽電池に関して
は、電卓等の民生機器への適用はすでに実現されている
。しかし、いわゆる発に%の太陽電池への適用は、a−
8iが単結晶シリコンに比較して、低価格であるにもか
かわらず、その特性が多少劣っているために実用化が困
難な状況である。この理由は幾つかあるが、a−8iQ
+抵抗が高いために、a −S i層の光の入射側の面
に透明電極を形成する必要があることも大きな理由の一
つである。この透明電極は、通常I T U 、 5n
02等金属酸化物が用いられるが、その抵抗が無視出来
る程小さくはないために、透明電極での電力損失が一つ
の問題である。
第1図はこの電力損失を説明するための薄膜太陽電池の
断面図である。ガラス基板1の上に上述の透明電極2が
形成され、その上の所定の領域をa −S i接合層3
が被覆する。a −S i接合層3は、例えば下側から
順にりんを添加したn層、無添加のi層、はう素を添加
したp層からなる。さらに、この上にAt等の金属電極
4が被着し、一方透明電極2の露出面に金属の集電電極
5が形成されている。この薄膜太陽電池にガラス基板1
の側から太陽光7が入射し、a−8i層3に達すると電
子−正孔対が発生し、これらが内部電界によって分離さ
れ、金属電極と透明電極に各々移動する。a−8i中で
発生する電流は単位面積当り均一であるから、結局集電
々極5の近くで、透明′電極内を横方向に流れる電流6
の密度は図に示す様に非常に大きくなる。一般に抵抗内
の電力損失は1.Rで表わされるから、透明電極内の電
流密度が大きい部分での損失は相当大きくなる。透明電
極の厚さを厚くすれば、横方向の抵抗を小さくすること
は可能であるが、反面透明電極の光の透過率が小さくな
るため、発生電流が小さくなる。
〔発明の目的〕
本発明はかかる欠点を除去し、透明電極内における電力
損失の少ない薄膜太陽電池を提供することを目的とする
〔発明の要点〕
本発明による太陽電池では、半導体薄膜からなる光電変
換領域が透明電極に備えられる集電電極の側に向って次
第に幅が広くなる形状を有することによって上記の目的
が達成される。
〔発明の実施例〕
第2図tal、 (blは本発明の効果を具体的かつ定
量的に示すための説明図である。第2図131は、透明
電極、a −S i層、金属電極から成る積層構造1]
が平面的には技さt1幅Wの矩形である従来の太陽電池
であり、第2図1b+は積層構造11が平面的には高さ
t、底辺2Wの三角形である本発明の一実施例である。
a−8i層で発生した電流は集電電極5に向って矢印1
2の方向に流れる。今、座標X点での積層構造の幅をy
とすると、微小長さdx中での電力損失p2は、 z Px=I−R・□ −・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・+11で表4つされる。ここで
、■はこの点を通過する電流、■(は透明゛電極のシー
ト抵抗である。従って全損失PはOからtまで積分する
ことによって、でめられる。
第2図(alの場合は y=W(一定)、I=x−W−
Jとなるから(2)式を用いて Pa =−jWJ2R
t3・(3)である。ただしJはa −S i層の単位
面積当りの発生電流である。−力筒2図tblの場合は
 y−7・2W。
2 ■=7W−Jとなるから Pb=−WJ R1・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・+4)である。
(3)式と(4)式を比較すると係数だけ異なっており
、a −S i層の面積が等しい第2図(al、 (b
lを比較して、lblの場合の損失は(alの場合の%
、すなわち37.5%に低減することが判かる。つまり
透明電極に備えられる集電電極5に向ってa−8i層の
幅が広がる様な形状とすることで電力損失を大幅に小さ
くできることになる。
第3図は、第2図(blに示した本発明の第一の実施例
の斜視図である。、透明電極2に対向する金属電極4を
流れる電流は、幅の狭い部分の方が大きくなるが、金属
の抵抗率は透明導電材料に比較し ′て約4桁小さいの
で、上で議論した電力損失の問題は金属電極では無視で
きる。
第4図に示された本発明の第二の実施例では、それぞれ
透明電極21.22.23、a −S i接合層31.
32゜33、金属電極41.42.43からなる第3図
と同じ構造の三つの太陽電池菓子81.82.83が共
通ガラス基板10の上に形成され、直列接続される。す
なわち集電電極51.52が隣接素子の金属電極42.
43と電気的に接触している。これらの集電電極上金属
電極は、マスクを用いての選択金属蒸着あるいは全面蒸
着後の選択エツチングにより同時に連結して形成すれば
有利であることは言うまでもない。第5図は第4図の実
施例の平面図である。
第6図は、4@4、第5図で示した3@列接続素子の素
子形状を直角三角形とし、逆向きに2組配置したもので
あり、長方形のガラス板10の上に形成すれば、受光面
積利用率が向上し、より実用的な構成となっている。
第7図は円形の基板10に14円の形状を有する太陽電
池素子91〜94を4個直列に接続した実施例を示して
いる。いずれの場合も第一の実施例で示した二等辺三角
形の形状の素子の場合と全く同じ効果が得られる。
〔発明の効果〕
本発明は、薄膜太陽電池の光電変換領域にその一面に接
して設けられる透明電極の集電電極に向って幅が漸増す
る形状を持たせることによって透明電極内の電流の流れ
を分散させ、そこでの電力損失を大幅に軽減することに
なる。光電変換領域ならびにそれに積層される両面の電
極の形状を、太陽電池の設置場所に応じて上記の条件−
で適宜選定すれば、同一受光面積での太陽電池の出方を
増大させることが可能となり、得られる効果は極めて太
きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の対象である薄膜太陽電池の一例の断面
図、第2図は本発明の詳細な説明図で・第2図falは
従来例の平面図、第2図fblは本発明の一実施例の平
面図、第3図は本発明の一実施例の斜視図、第4図は別
の実施例の斜視図、第5図はその平面図、第6図、第7
1はそれぞれ異なる実施例の平面図である。。 1’、10・・・ガラス基板、2.21.22.2’・
・・透明電極、3、31.32.33− a−8i接合
層、4.41.42.43−・・金属電極、5.51.
52.53・・・集電電極、81.82.83.91.
92.93゜94・・・太陽電池素子。 jr1図 才2図 才3図 24叉

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)半導体薄膜からなる光電変換領域の両面に透明導電
    膜よりなる透明電極とを有し、透明電極の一方の側に備
    えられた集電電極と金属電極とから光起電力が取り出さ
    れるものにおいて、光電変換領域が果g’iIf極の側
    に向って次第に幅が広くなる形状を有することを特徴と
    する薄膜太陽電池。 2、特許請求の範囲第1項記−載の電池において、光′
    成変換領域が両面の透明電極2よび金属成極と共に直角
    三角形の形状を有する複数の太陽電池素子が、各2素子
    の直角三角形の斜辺を隣接させて共通基板上に配置され
    たことを特徴とする薄膜太陽電池。
JP59027804A 1984-02-16 1984-02-16 薄膜太陽電池 Pending JPS60170981A (ja)

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JP59027804A JPS60170981A (ja) 1984-02-16 1984-02-16 薄膜太陽電池

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JPS60170981A true JPS60170981A (ja) 1985-09-04

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