JPS60170800A - 炭化ホウ素と遊離炭素から成るセラミツク結合中性子吸収板およびその製造方法 - Google Patents
炭化ホウ素と遊離炭素から成るセラミツク結合中性子吸収板およびその製造方法Info
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- JPS60170800A JPS60170800A JP59246361A JP24636184A JPS60170800A JP S60170800 A JPS60170800 A JP S60170800A JP 59246361 A JP59246361 A JP 59246361A JP 24636184 A JP24636184 A JP 24636184A JP S60170800 A JPS60170800 A JP S60170800A
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- G21F1/02—Selection of uniform shielding materials
- G21F1/06—Ceramics; Glasses; Refractories
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/563—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on boron carbide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
固体マトリックスに埋込んだ炭化ホウ素粉体がら成る面
積の大きい薄板状の中性子吸収材とその製造方法は公知
である。このような吸収板は特に、核反応炉プラントか
らの使用済み燃料要素の貯蔵に有効である。
積の大きい薄板状の中性子吸収材とその製造方法は公知
である。このような吸収板は特に、核反応炉プラントか
らの使用済み燃料要素の貯蔵に有効である。
吸収板は炭化ホウ素及び、必要に応じて、希釈材ならび
に炭化ホウ素粒子と希釈付粒子の周囲に連続マトリック
スを形成する不可逆的に硬化した固体のフェノール樹脂
から成るプラスチック結合中性子吸収材から製造されて
いる。この吸収板は粗粒の炭化ホウ素粉体と希釈材に、
必要に応じて、固体または液状のフェノール樹脂を混和
し、混合物を成形し、フェノール樹脂結合材を200℃
までの温度においてコーキングすることなく、硬化させ
ること罠よって製造する。希釈材としては炭化ケイ素、
黒鉛、無定形炭素、アルミナ及びシリカが挙げられてい
る。一般に、希釈材はその都度使用する炭化ホウ素粉体
と同じ粒度で用いられる(ヨーロッパ特許出願明細書筒
A−2227号。
に炭化ホウ素粒子と希釈付粒子の周囲に連続マトリック
スを形成する不可逆的に硬化した固体のフェノール樹脂
から成るプラスチック結合中性子吸収材から製造されて
いる。この吸収板は粗粒の炭化ホウ素粉体と希釈材に、
必要に応じて、固体または液状のフェノール樹脂を混和
し、混合物を成形し、フェノール樹脂結合材を200℃
までの温度においてコーキングすることなく、硬化させ
ること罠よって製造する。希釈材としては炭化ケイ素、
黒鉛、無定形炭素、アルミナ及びシリカが挙げられてい
る。一般に、希釈材はその都度使用する炭化ホウ素粉体
と同じ粒度で用いられる(ヨーロッパ特許出願明細書筒
A−2227号。
第B−2276号、第B−2715号及び対応するアメ
リカ特許明細書s?、z 25,467号、第4゜28
7、145号、第4,198,322号。
リカ特許明細書s?、z 25,467号、第4゜28
7、145号、第4,198,322号。
第4,156,147号及び第4,215,883号参
肋。
肋。
公知の中性子吸収材は2闘以上の厚さを有するプレート
として製造されるが、プラスチックマトリックスが存在
するために、高温に対して耐性でなく、照射中にガス状
物質を放出する傾向がある。
として製造されるが、プラスチックマトリックスが存在
するために、高温に対して耐性でなく、照射中にガス状
物質を放出する傾向がある。
炭化ホウ素と遊離炭素から成るセラミック結合中性子吸
収材には、プラスチック結合吸収材の欠点が認められな
い。セラミック結合中性子吸収相中の炭化ホウ素の割合
は60容量チまでになり得る。このセラミック結合吸収
材は特定の粒度分布と約0.5重1196以下のB2O
3含量を有する炭化ホウ素粉体と任意の黒鉛粉体に有機
樹脂結合相と湿潤剤を混合し、この混合物を室温におい
て加圧下で成形し、180℃までの温度で樹脂結合相を
硬化させ、次に成形した吸収板を約1000℃までの温
度で空気を遮断してコーキングすることによって製造す
る(西ドイツ特許第2,752,040号明細書及びア
メリカ特許第4,252,691号明細書参照)。
収材には、プラスチック結合吸収材の欠点が認められな
い。セラミック結合中性子吸収相中の炭化ホウ素の割合
は60容量チまでになり得る。このセラミック結合吸収
材は特定の粒度分布と約0.5重1196以下のB2O
3含量を有する炭化ホウ素粉体と任意の黒鉛粉体に有機
樹脂結合相と湿潤剤を混合し、この混合物を室温におい
て加圧下で成形し、180℃までの温度で樹脂結合相を
硬化させ、次に成形した吸収板を約1000℃までの温
度で空気を遮断してコーキングすることによって製造す
る(西ドイツ特許第2,752,040号明細書及びア
メリカ特許第4,252,691号明細書参照)。
このような中性子吸収材は約5朋以上の厚さでは充分な
機械的強度を有するが、この機械的強度は黒鉛の添加に
よってさらに高められる。しかし、約2鰭の厚さ及び5
00朋以上の辺の長さを有する大きい薄板を製造する場
合には、純粋な炭化ホウ素のみの使用では機械的強度が
もはや充分ではない。使用する炭化ホウ素粉体中の微粒
成分の割合を高めることによって、機械的強度の目安と
なる室温での曲げ強度を改善することができるが、この
薄板は非常に腐食されやすいものである。ここで用いる
「腐食されやすい」という用語は、沸とう水中で数時間
加熱する腐食テストによる厳しい条件下での曲げ強度が
最初の値の50%以上の低下を示すことを意味する。し
かし、強度を高めるために充分な量で黒鉛を添加すると
、この異方性材料の配向性が非常に高いために加工中に
問題が生ずる。プレート製造中の加圧によって排気が妨
げられて層のき裂が生ずる。この他、このような吸収板
はコーキングの際に歪みを生じやすい、すなわち、この
吸収板はこのような条件下で寸法安定性ではない。
機械的強度を有するが、この機械的強度は黒鉛の添加に
よってさらに高められる。しかし、約2鰭の厚さ及び5
00朋以上の辺の長さを有する大きい薄板を製造する場
合には、純粋な炭化ホウ素のみの使用では機械的強度が
もはや充分ではない。使用する炭化ホウ素粉体中の微粒
成分の割合を高めることによって、機械的強度の目安と
なる室温での曲げ強度を改善することができるが、この
薄板は非常に腐食されやすいものである。ここで用いる
「腐食されやすい」という用語は、沸とう水中で数時間
加熱する腐食テストによる厳しい条件下での曲げ強度が
最初の値の50%以上の低下を示すことを意味する。し
かし、強度を高めるために充分な量で黒鉛を添加すると
、この異方性材料の配向性が非常に高いために加工中に
問題が生ずる。プレート製造中の加圧によって排気が妨
げられて層のき裂が生ずる。この他、このような吸収板
はコーキングの際に歪みを生じやすい、すなわち、この
吸収板はこのような条件下で寸法安定性ではない。
このため本発明の課題は、中性子吸収に充分なホウ素含
量を有する非常に薄く面積の大きいプレートとして、良
好な機械的強度を有し、腐食され難く、加工の際に問題
なく寸法安定性に製造され得るような、炭化ホウ素と遊
離炭素に基づく、いわゆるセラミック結合中性子吸収材
を提供することである。
量を有する非常に薄く面積の大きいプレートとして、良
好な機械的強度を有し、腐食され難く、加工の際に問題
なく寸法安定性に製造され得るような、炭化ホウ素と遊
離炭素に基づく、いわゆるセラミック結合中性子吸収材
を提供することである。
この課題は本発明によると、9:lがら1:9のB4C
: S tcの比の炭化ホウ素士屍化ケイ素40〜60
容量係、遊離炭素10〜2o容鍛係及び残部の空隙から
成り、1.5〜2.27/iの密度及び3点法で測定し
て室温で20〜5ON/raの曲げ強度を有し、曲げ強
度が沸とう水中での3000時間加熱による腐食テスト
によって最初の値の40係以下の低下を示す中性子吸収
板によって解決される。
: S tcの比の炭化ホウ素士屍化ケイ素40〜60
容量係、遊離炭素10〜2o容鍛係及び残部の空隙から
成り、1.5〜2.27/iの密度及び3点法で測定し
て室温で20〜5ON/raの曲げ強度を有し、曲げ強
度が沸とう水中での3000時間加熱による腐食テスト
によって最初の値の40係以下の低下を示す中性子吸収
板によって解決される。
本発明による中性子吸収板は排他的にホウ素、ケイ素及
び炭素から成り、望ましい容量組成は4゜容fi%まで
の炭化ホウ素、少なくとも10容鼠襲−の炭化ケイ素、
工o〜2o容量チの遊離炭素及び空隙としての残部から
成るものである。
び炭素から成り、望ましい容量組成は4゜容fi%まで
の炭化ホウ素、少なくとも10容鼠襲−の炭化ケイ素、
工o〜2o容量チの遊離炭素及び空隙としての残部から
成るものである。
密度と物理的性質に関して最も良い結果は、炭化ホウ素
15〜25容量チ、 炭化ケイ素 25〜35容量チ 遊離炭素 10〜20容量チ、及び 空隙 残部 から成る容量組成を有するプレートによって得られる。
15〜25容量チ、 炭化ケイ素 25〜35容量チ 遊離炭素 10〜20容量チ、及び 空隙 残部 から成る容量組成を有するプレートによって得られる。
セラミック結合を有するこの中性子吸収板は比較的微粒
の粉体セラミック出発物質と場合によっては黒鉛粉体に
粉状の有機樹脂結合材及び湿潤剤を混合し、室温におい
て加圧下で混合物を成形し、180℃までの温度で樹脂
結合材を硬化させ、次に空気を遮断して1000℃まで
の温度において温度上昇を制御しながら、成形した板を
コーキングすることにより、本来公知の方法で製造する
ことができる。
の粉体セラミック出発物質と場合によっては黒鉛粉体に
粉状の有機樹脂結合材及び湿潤剤を混合し、室温におい
て加圧下で混合物を成形し、180℃までの温度で樹脂
結合材を硬化させ、次に空気を遮断して1000℃まで
の温度において温度上昇を制御しながら、成形した板を
コーキングすることにより、本来公知の方法で製造する
ことができる。
望ましい性質を得るためには、使用するセラミック出発
粉体の炭化ホウ素と炭化ケイ素の性質が決定的に重要で
ある。使用する炭化ホウ素は少なくとも約98重ffi
%の純度を有するのが望ましいうこの純度は、ここで用
いる場合、炭化、ホウ素粉体中のホウ素と炭素の合用チ
が少なくとも約98重量%であり、約75〜79重量%
のホウ素t fitに相当することを意味する。製造開
始時から炭化ホウ素中に存在し得るB206の最大量は
0.5重jjk %である。金属夾雑物は全体で約1.
0重爪チまで容認される、フッ素原子及び塩素原子の含
量はそれぞれ、100 ppmを超えてはならない。使
用する炭化ホウ素粉体の微粒性の基準として、次の粒度
分布が役立つ: 90μm以下 少なくとも95% 80μm以下 少lz くとも90% 50μm以下 少なくとも70チ 30μm以下 少ブよくとも50% 20μm以下 少ブ疋くとも30% 6 ltm以下 少なくとも10% 炭化ケイ素粉体としては、少なくとも98重量%のSi
C含量、多くとも0.5重量係の酸素含量、全体で多く
とも1,0重量%の金属夾雑物含バtフzらびにそれぞ
れ100 ppm以下のフッ素原子及び塩素原子含量を
有するような炭化ケイ菓粉体を用いることができる。用
いる炭化ケイ素の微粒性の基準として、次の粒度分布が
役立つ: 40 zzm以下 少なくとも95% 30μm以下 少なくとも90% 20μm以下 少なくとも70係 10 Am以−ト 少なくとも50% 7μm以下 少なくとも30% 4μm以下 少なくとも10% 粉状有機樹脂結合材としては、実際に金属夾雑物を急ま
ず、約1000℃の温度で分解して無定形炭素を約35
・〜50チの収率で形成するノゲラック型また(上リシ
ール型のフェノール−ホルムアルデヒド縮合生成物を用
いるのが望ましいう湿潤剤としては、例えばフルフラー
ルを用いることが ゛できる。
粉体の炭化ホウ素と炭化ケイ素の性質が決定的に重要で
ある。使用する炭化ホウ素は少なくとも約98重ffi
%の純度を有するのが望ましいうこの純度は、ここで用
いる場合、炭化、ホウ素粉体中のホウ素と炭素の合用チ
が少なくとも約98重量%であり、約75〜79重量%
のホウ素t fitに相当することを意味する。製造開
始時から炭化ホウ素中に存在し得るB206の最大量は
0.5重jjk %である。金属夾雑物は全体で約1.
0重爪チまで容認される、フッ素原子及び塩素原子の含
量はそれぞれ、100 ppmを超えてはならない。使
用する炭化ホウ素粉体の微粒性の基準として、次の粒度
分布が役立つ: 90μm以下 少なくとも95% 80μm以下 少lz くとも90% 50μm以下 少なくとも70チ 30μm以下 少ブよくとも50% 20μm以下 少ブ疋くとも30% 6 ltm以下 少なくとも10% 炭化ケイ素粉体としては、少なくとも98重量%のSi
C含量、多くとも0.5重量係の酸素含量、全体で多く
とも1,0重量%の金属夾雑物含バtフzらびにそれぞ
れ100 ppm以下のフッ素原子及び塩素原子含量を
有するような炭化ケイ菓粉体を用いることができる。用
いる炭化ケイ素の微粒性の基準として、次の粒度分布が
役立つ: 40 zzm以下 少なくとも95% 30μm以下 少なくとも90% 20μm以下 少なくとも70係 10 Am以−ト 少なくとも50% 7μm以下 少なくとも30% 4μm以下 少なくとも10% 粉状有機樹脂結合材としては、実際に金属夾雑物を急ま
ず、約1000℃の温度で分解して無定形炭素を約35
・〜50チの収率で形成するノゲラック型また(上リシ
ール型のフェノール−ホルムアルデヒド縮合生成物を用
いるのが望ましいう湿潤剤としては、例えばフルフラー
ルを用いることが ゛できる。
場合によっては黒鉛粉体を併用1することもできるが、
黒鉛粉体は40μm以下の粒度を有するものが望ましい
。このような黒鉛粉体が全出発物質の総重量に関して約
10重量%までの量で存在する場合には、加工の際に障
害とならない。
黒鉛粉体は40μm以下の粒度を有するものが望ましい
。このような黒鉛粉体が全出発物質の総重量に関して約
10重量%までの量で存在する場合には、加工の際に障
害とならない。
出発物質は次のような量で用いるのが望ましい:炭化ホ
ウ素粉体 20〜55重量% 炭化ケイ素粉体 55〜20重量係 黒鉛粉体 O〜10重量% 有機樹脂結合材 20〜12重量% 及び湿潤剤 5〜
3重量% 本発明による中性子吸収板の製造方法を実施するには、
セラミック出発粉体の炭化ホウ素と炭化ケイ素及び任意
に用いる黒鉛粉体を粉状有機結合態及び湿潤剤とともに
、上記の量で均質に混合して、流動性粉体な形成する。
ウ素粉体 20〜55重量% 炭化ケイ素粉体 55〜20重量係 黒鉛粉体 O〜10重量% 有機樹脂結合材 20〜12重量% 及び湿潤剤 5〜
3重量% 本発明による中性子吸収板の製造方法を実施するには、
セラミック出発粉体の炭化ホウ素と炭化ケイ素及び任意
に用いる黒鉛粉体を粉状有機結合態及び湿潤剤とともに
、上記の量で均質に混合して、流動性粉体な形成する。
この粉体をスチール製鋳枠のような、プレート状鋳型に
均質に分配し、室温において液圧プレスを用いて約25
〜30Mpaの圧力下で圧縮して、約2〜10mxの厚
さを有するプレートを形成する。次にこのプレートを鋳
型から取り出して、ガラス板のような不活性キャリヤ材
から成る板の間に積み重ねて約180℃までの温度にお
いて硬化させる。
均質に分配し、室温において液圧プレスを用いて約25
〜30Mpaの圧力下で圧縮して、約2〜10mxの厚
さを有するプレートを形成する。次にこのプレートを鋳
型から取り出して、ガラス板のような不活性キャリヤ材
から成る板の間に積み重ねて約180℃までの温度にお
いて硬化させる。
樹脂結合材を熱分解及びコーキングさせるためには、予
成形プレートを約1000℃に加熱しなければならない
。
成形プレートを約1000℃に加熱しなければならない
。
コーキングのためには、プレートを黒鉛板の間に積み重
ね、このような形で例えば120℃1時のように温度上
昇速度を制御し、空気を逗断して、加熱過程を行うこと
が望ましい。加熱過程に必要な温度プログラム(加熱−
保温−冷却)は予成形プレートのサイズに依存する。7
00X500mのサイズのプレートの場合には、1枚の
プレート内の温度差が100℃を超えるべきではない。
ね、このような形で例えば120℃1時のように温度上
昇速度を制御し、空気を逗断して、加熱過程を行うこと
が望ましい。加熱過程に必要な温度プログラム(加熱−
保温−冷却)は予成形プレートのサイズに依存する。7
00X500mのサイズのプレートの場合には、1枚の
プレート内の温度差が100℃を超えるべきではない。
このことは例えは、1000℃の温度に達するまでの加
熱を少なくとも20時間にわたって行い、この温度に少
なくとも4時間保持することによって実現する。次に、
冷却を24時間にわたって行う。
熱を少なくとも20時間にわたって行い、この温度に少
なくとも4時間保持することによって実現する。次に、
冷却を24時間にわたって行う。
j4Jいる作業温度において柔軟にもならず溶融もしな
い不活性物質から成るキャリヤプレートの間に中性子吸
収板を積み重ねる配置によって、硬化作業及び次のコー
キング中のプレートの歪みを実際に、完全に阻止するこ
とができ、コーキング中に、プレートの長さは約1%短
縮するにすぎない。冷却後にすでにプレートは望ましい
形状であり、最終サイズに仕上げるにはプレート縁を単
に分離することが必要であるにすぎない。
い不活性物質から成るキャリヤプレートの間に中性子吸
収板を積み重ねる配置によって、硬化作業及び次のコー
キング中のプレートの歪みを実際に、完全に阻止するこ
とができ、コーキング中に、プレートの長さは約1%短
縮するにすぎない。冷却後にすでにプレートは望ましい
形状であり、最終サイズに仕上げるにはプレート縁を単
に分離することが必要であるにすぎない。
本発明による中性子吸収板は、純粋な炭化ホウ素のみに
基づくセラミック結合を有する公知の材料に比べて、室
温での機械的強度の強化及び耐食性の改良を特徴とする
ものである。使用する炭化ボウ素粉体に比べて微粒部分
を多量に含む炭化ケイ紫粉体の使用が特に有効であると
実証されておリシ、腐食テスト後の曲げ強度の低下が約
30%に減じられる。
基づくセラミック結合を有する公知の材料に比べて、室
温での機械的強度の強化及び耐食性の改良を特徴とする
ものである。使用する炭化ボウ素粉体に比べて微粒部分
を多量に含む炭化ケイ紫粉体の使用が特に有効であると
実証されておリシ、腐食テスト後の曲げ強度の低下が約
30%に減じられる。
このような性質を得るために、黒鉛粉体の併用は必らず
しも必要ではない。任意に併用する黒鉛粉体の量を出発
物質全体の重置に関して最大l。
しも必要ではない。任意に併用する黒鉛粉体の量を出発
物質全体の重置に関して最大l。
重量%までに制限することによって、約2龍程度の薄さ
と50m以上の辺の長さを有する非常に薄い形状の本発
明による中性子吸収板全加工の際に問題なく、寸法安定
性に製造することができる。
と50m以上の辺の長さを有する非常に薄い形状の本発
明による中性子吸収板全加工の際に問題なく、寸法安定
性に製造することができる。
このような薄いプレートは機械的強度が良好であるため
に非常に扱いやすく、ホウ素負荷量が低いにも拘らず、
中性子吸収を充分に信頼できるものにしている。さらに
、このようなプレートは純粋な炭化ホウ素のみに基づく
公知のプレートと同様に、イオン化照射に対して安定で
ある。このような薄いプレートは、使用済み燃料要素の
緻密な配置を可能にする「緻密貯蔵」に特に有効であり
、既存の使用済み燃料要素貯蔵ラックの収容能力を高め
ることができる。
に非常に扱いやすく、ホウ素負荷量が低いにも拘らず、
中性子吸収を充分に信頼できるものにしている。さらに
、このようなプレートは純粋な炭化ホウ素のみに基づく
公知のプレートと同様に、イオン化照射に対して安定で
ある。このような薄いプレートは、使用済み燃料要素の
緻密な配置を可能にする「緻密貯蔵」に特に有効であり
、既存の使用済み燃料要素貯蔵ラックの収容能力を高め
ることができる。
以下の実施例において、本発明の目的をさらに詳細に説
明する。実施例ではセラミック出発粉体として次のよう
な種類の粉体を用いた:炭化ホウ素粉体(A)はB 7
7.3重量%とB2o303重i%を含み、次のような
粒度分布を有する=100μm以下 100% 60μm以下 90係 40μm以下 70チ 30μm以下 50% 20μm以下 30% 及び 15μm以下 20チ 炭化ホウ素粉体(B)はB78.8重量%とB2030
.24重ffi%を含み、次のような粒度分布を有する
: 50μm以下 100% 15 fim以下 90qb 108m以下 70% 8μm以下 50% 6μm以下 30% 及び 4μm以下 20% 炭化ケイ素粉体(C)はSiC98,4重ffi%を含
み、次のような粒度分布を有する: 50μm以下 100% 15μm以下 90% 10μm以下 70% 8μm以下 50% 5μm以下 30q6 及び 2μm以下 20饅 黒鉛粉体は40μm以下の天然黒鉛のふるい分は分画で
ある。
明する。実施例ではセラミック出発粉体として次のよう
な種類の粉体を用いた:炭化ホウ素粉体(A)はB 7
7.3重量%とB2o303重i%を含み、次のような
粒度分布を有する=100μm以下 100% 60μm以下 90係 40μm以下 70チ 30μm以下 50% 20μm以下 30% 及び 15μm以下 20チ 炭化ホウ素粉体(B)はB78.8重量%とB2030
.24重ffi%を含み、次のような粒度分布を有する
: 50μm以下 100% 15 fim以下 90qb 108m以下 70% 8μm以下 50% 6μm以下 30% 及び 4μm以下 20% 炭化ケイ素粉体(C)はSiC98,4重ffi%を含
み、次のような粒度分布を有する: 50μm以下 100% 15μm以下 90% 10μm以下 70% 8μm以下 50% 5μm以下 30q6 及び 2μm以下 20饅 黒鉛粉体は40μm以下の天然黒鉛のふるい分は分画で
ある。
45X4.5X3.5朋のサイズを有する試料、3゜闘
の間隔及び1.8N/riX秒の負荷速度による3点法
によって、曲げ強度を測定した。腐食テストのために、
プレートを沸とう水中で2000〜3000時間加熱し
、次に曲げ強度を新たに測定した。曲げ強度の低下(チ
)は室温において最初に測定した値に関連づけて示した
。
の間隔及び1.8N/riX秒の負荷速度による3点法
によって、曲げ強度を測定した。腐食テストのために、
プレートを沸とう水中で2000〜3000時間加熱し
、次に曲げ強度を新たに測定した。曲げ強度の低下(チ
)は室温において最初に測定した値に関連づけて示した
。
実施例 1 。
炭化ホウ素粉体(A)” 28重量部
炭化ケイ素粉体(c) 65重量部
黒鉛粉体 7重量部
フェノール樹脂粉体 18重量部 及びフルフラール
6重量部 を均質に混合した。この粉体混合物を28 MPaの圧
縮圧力によって2B厚さのプレートに加工した。
6重量部 を均質に混合した。この粉体混合物を28 MPaの圧
縮圧力によって2B厚さのプレートに加工した。
プレートをガラス板の間に積み重ね、180℃に15時
間加熱することによって硬化した。次にプレートを黒鉛
板の間に積み重ね、空気を遮断して1050℃に加熱し
た。この場合、この温度に達するまでの加熱時間は1°
9時間であった。プレートをこの温度に7時間保持した
。
間加熱することによって硬化した。次にプレートを黒鉛
板の間に積み重ね、空気を遮断して1050℃に加熱し
た。この場合、この温度に達するまでの加熱時間は1°
9時間であった。プレートをこの温度に7時間保持した
。
製造したプレートの性質:
密度: 2.1L/c11
ホウ素含量:19.0重量%(B4C19,5容量係に
相当) ケイ素含量:36.5重量%(SiC32,5容量チに
相当) 遊離炭素含量:20.0重量%(遊離炭素18.0容量
チに相当) B10−負荷量:約0.011’ BIO/7曲げ強度
: 35N/mj 耐圧性: 、6ON/mIi 弾性率: 22,000 N/++J 照射安定性:1011ラド(曲げ強度及びサイズに測定
口■能な変化なし) 93℃における水浴中 での2000時間後の曲げ強度: 25 N/1ni9
3℃における水浴中 での3000時間後の曲げ強度:24N/−最初の値に
比べて 31.4%の減少に相当。
相当) ケイ素含量:36.5重量%(SiC32,5容量チに
相当) 遊離炭素含量:20.0重量%(遊離炭素18.0容量
チに相当) B10−負荷量:約0.011’ BIO/7曲げ強度
: 35N/mj 耐圧性: 、6ON/mIi 弾性率: 22,000 N/++J 照射安定性:1011ラド(曲げ強度及びサイズに測定
口■能な変化なし) 93℃における水浴中 での2000時間後の曲げ強度: 25 N/1ni9
3℃における水浴中 での3000時間後の曲げ強度:24N/−最初の値に
比べて 31.4%の減少に相当。
実施例 2
実施例1に述べた条件と同じ条件下で、次のような均質
な粉体混合物を製造し、圧縮し、プレートを硬化し、空
気を遮断して焼なました:炭化ホウ素粉体(B) 60
重量部 炭化ケイ素粉体(C) 20重量部 黒鉛粉体 10重量部 フェノール樹脂粉体 19重量部 及びフルフラール
6重量部 製造したプレート(2m)の性質: 密度: 1.85P/cd B含爪: 41.0重量%(B4C39,0容量チに相
当) Si含量: 17.5重量%(SiC14,5容量チに
相当) 遊離炭素台ft:19.o重凰%(遊離炭素16,0容
量係に相当) B10負荷量: 約0.028 PB l O/cd!
曲げ強度: 25N/mj 耐圧性: 5ON/xj 弾性率: 16,000 N/ma 照射安定性=1011ラド(曲げ強度とサイズに測定可
能な変化なし) 93℃における水浴中での 2000時間後の曲げ強度: 17.0 N / ma
93℃における水浴中での 3000時間後の曲げ強度: 16.ON/mrA最初
の値に比べて36% の低下に相当。
な粉体混合物を製造し、圧縮し、プレートを硬化し、空
気を遮断して焼なました:炭化ホウ素粉体(B) 60
重量部 炭化ケイ素粉体(C) 20重量部 黒鉛粉体 10重量部 フェノール樹脂粉体 19重量部 及びフルフラール
6重量部 製造したプレート(2m)の性質: 密度: 1.85P/cd B含爪: 41.0重量%(B4C39,0容量チに相
当) Si含量: 17.5重量%(SiC14,5容量チに
相当) 遊離炭素台ft:19.o重凰%(遊離炭素16,0容
量係に相当) B10負荷量: 約0.028 PB l O/cd!
曲げ強度: 25N/mj 耐圧性: 5ON/xj 弾性率: 16,000 N/ma 照射安定性=1011ラド(曲げ強度とサイズに測定可
能な変化なし) 93℃における水浴中での 2000時間後の曲げ強度: 17.0 N / ma
93℃における水浴中での 3000時間後の曲げ強度: 16.ON/mrA最初
の値に比べて36% の低下に相当。
実施例 3 (対照)
実施例1に述べた条件と同じ条件下で、次のような粉体
混合物を製造し、圧縮し、プレートを硬化させ、空気を
遮断して焼なました: 炭化ホウ素粉体(B) 93重量部 黒鉛粉体 7重量部 フェノール樹脂粉体 19重量部 及びフルフラール
5重量部 製造したプレー)(2m)の性質 密度: 1.7(1/crI B含量:64.0重量%(B4C55容量チに相当)遊
離炭素含量:16.0重量%(遊離炭素12容量チに相
当) B10負荷量: 0.04y−、J310/Cff!曲
げ強度: 16N/− 耐圧性: 5ON/yJ 弾性率: 11.500 N/mj 照射安定性:1011ラド(曲げ強度とサイ゛ズに測定
可能な変化なし) 93℃における水浴中での 2000時間後の曲げ強度:8.5N/1d93℃にお
ける水浴中での 3000時間後の曲げ強度: 7.5 N / d最初
の値に比べて52.3% の低下に相当。
混合物を製造し、圧縮し、プレートを硬化させ、空気を
遮断して焼なました: 炭化ホウ素粉体(B) 93重量部 黒鉛粉体 7重量部 フェノール樹脂粉体 19重量部 及びフルフラール
5重量部 製造したプレー)(2m)の性質 密度: 1.7(1/crI B含量:64.0重量%(B4C55容量チに相当)遊
離炭素含量:16.0重量%(遊離炭素12容量チに相
当) B10負荷量: 0.04y−、J310/Cff!曲
げ強度: 16N/− 耐圧性: 5ON/yJ 弾性率: 11.500 N/mj 照射安定性:1011ラド(曲げ強度とサイ゛ズに測定
可能な変化なし) 93℃における水浴中での 2000時間後の曲げ強度:8.5N/1d93℃にお
ける水浴中での 3000時間後の曲げ強度: 7.5 N / d最初
の値に比べて52.3% の低下に相当。
第1頁の続き
0発 明 者 クラウス・ラインl、−トド
@発明者 ブトレフ・フォノ・シ ド
ユトルエンゼー ル
イツ連邦共和国 ドウラック、アン・デア・ハルデ 2
1イツ連邦共和国 ケンブテン、イム拳シュテイフト番
ママイ 28
1イツ連邦共和国 ケンブテン、イム拳シュテイフト番
ママイ 28
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)炭化ホウ素と遊離炭素から成り、厚さが薄く面積の
大きい板状のセラミック結合中性子吸収板において、B
4C:SICの比が9=1からl:9である炭化ホウ素
子炭化ケイ素40〜60容量チ、遊離炭素10〜20容
量チ及び残部の空隙から成り、1.5〜2.27/dの
密度及び3点法で測定して室温において20〜5ON/
−の曲げ強度を有し、この曲げ強度が沸とう水中での3
000時間加熱による腐食テストによって最初の値の4
0%以下の低下を示すにすぎないことを特徴とする中性
子吸収板。 2)次の容量組成: 炭化ホウ素 15〜25容量チ 炭化ケイ素 25〜30容量チ 遊離炭素 io〜20容量チ 及び 空 隙 残部 を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
中性子吸収板。 3)比較的微粒のセラミック出発粉体および場合により
黒鉛粉体を粉状有機樹脂結合材及び湿潤剤と混合し、こ
の混合物を室観において加圧下で成形し、樹脂結合材を
180℃までの温度において硬化させ、次に予成形プレ
ートを約1000℃までの温度において空気を遮断し温
度上昇を制御しながらコーキングすることによる中性子
吸収板の製造方法において、少なくとも75重量のホウ
素及び0.5重量%以下のB2O3成分を有し、次の粒
度分布: 90μm0μm以下少も95% 80pm以下少なくとも90% 50μm0μm以下少も70% 30μm0μm以下少も50% 20μm0μm以下少も30% 6μm以下少なくとも10% を有する炭化ホウ素粉体、及び少なくとも98重量%の
SiC含量及び0.5重量係以下の酸素含量を有し、次
の粒度分布: 40μm以下 少なくとも95チ 30μm以下 少なくとも90% 20μm以下 少なくとも70% 10μm以下 少なくとも50% 7μm以下 少なくとも30チ 4μm以下 少なくとも10% を有する炭化ケイ素粉体をセラミック出発粉体として用
いることを特徴とする方法。 4)炭化ホウ素粉体 20〜55重社チ炭化ケイ素粉体
55〜20重量% 黒鉛粉体 0〜10爪量チ 有機樹脂結合材 20〜12重量% 及び湿潤剤 5〜
3重量% を用いることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
方法っ
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3403257.6 | 1984-01-31 | ||
DE19843403257 DE3403257A1 (de) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | Neutronenabsorberplatten mit keramischer bindung auf basis borcarbid und freiem kohlenstoff |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60170800A true JPS60170800A (ja) | 1985-09-04 |
JPH0453279B2 JPH0453279B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=6226348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59246361A Granted JPS60170800A (ja) | 1984-01-31 | 1984-11-22 | 炭化ホウ素と遊離炭素から成るセラミツク結合中性子吸収板およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4684480A (ja) |
EP (1) | EP0150841B1 (ja) |
JP (1) | JPS60170800A (ja) |
DE (2) | DE3403257A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100329471B1 (ko) * | 1993-12-10 | 2002-08-13 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 | 중성자 흡수 복합재료 및 이의 제조방법 |
CN111089774A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-05-01 | 上海衡益特陶新材料有限公司 | 碳化硼制品的表面腐蚀处理方法、金相试样及其制备方法 |
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US6716782B2 (en) | 2002-08-16 | 2004-04-06 | The Boeing Company | Rigid insulation and method of producing same |
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BE567962A (ja) * | 1956-11-02 | |||
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GB1054961A (ja) * | 1963-03-18 | |||
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-
1984
- 1984-01-31 DE DE19843403257 patent/DE3403257A1/de not_active Withdrawn
- 1984-11-13 US US06/670,760 patent/US4684480A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-22 JP JP59246361A patent/JPS60170800A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-29 DE DE8585100862T patent/DE3579325D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-29 EP EP85100862A patent/EP0150841B1/de not_active Expired - Lifetime
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---|---|
EP0150841B1 (de) | 1990-08-29 |
EP0150841A3 (en) | 1988-07-06 |
DE3579325D1 (de) | 1990-10-04 |
DE3403257A1 (de) | 1985-08-01 |
EP0150841A2 (de) | 1985-08-07 |
US4684480A (en) | 1987-08-04 |
JPH0453279B2 (ja) | 1992-08-26 |
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