JPS60168147A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS60168147A JPS60168147A JP59024093A JP2409384A JPS60168147A JP S60168147 A JPS60168147 A JP S60168147A JP 59024093 A JP59024093 A JP 59024093A JP 2409384 A JP2409384 A JP 2409384A JP S60168147 A JPS60168147 A JP S60168147A
- Authority
- JP
- Japan
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- mirror
- fly
- exposing
- lens
- eye lens
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフォトレジストン塗布したワークにマスクの
パターン乞焼付ける無光装置に関するものである。一般
にこのようＴＫｋ光装置には密層型露光装置、近接型露
光装置及び投影８！！蕗光装置等がある。この発明は近
接型露光装置に関し大面積の露光面？要求され、プロキ
シミテイギャップを設けて５〜１０μｍ前後のパターン
精度が要求されるワークの製造に適した近接型路光装置
Ｙ提供するものである。
パターン乞焼付ける無光装置に関するものである。一般
にこのようＴＫｋ光装置には密層型露光装置、近接型露
光装置及び投影８！！蕗光装置等がある。この発明は近
接型露光装置に関し大面積の露光面？要求され、プロキ
シミテイギャップを設けて５〜１０μｍ前後のパターン
精度が要求されるワークの製造に適した近接型路光装置
Ｙ提供するものである。
第１図は従来の近接型無光装置ン示ｊ概略構成図である
。フォトレジストが塗布されたワークｌｆ）表面上方に
は所定比ＭＤ離隔してマスク２が配置されており、マス
ク２のパターンは露光光束３をワーク１上に投影し焼付
けられるようＫ Ｔｘっている。４は水ｔｉｂＫの光源
であり、そこから出た放射光線は一対の楕円凹面鏡５に
より反射集光される。集光された路光光束３は最初のコ
ールドミラー６により露光に要求される紫外線のみが反
射され、フライアイレンズ７を通り、更に次のコールド
ミラー６を辿りコリメーターレンズ８により平行光線と
なる。このような平行光線の露光光束３はマスク２上に
照射される。ワークｌとマスク２との間にはグロキシミ
テイギャップＤが設けられマスク２がワーり１のレジス
ト面に接触しないように装着される。なお７ライアイレ
ンズ７は露光光束３を露光面全域に渡って一様な明るさ
にするための機能乞持っている。ここで光源４は一般に
クセノン−水銀ランプが使用されており、その放射光は
・３６５ｎｍ 、４００ｎｍおよび４３５ ｎｍの輝線
スペクトルを含むものである。これらの輝線は部分的に
位相が揃っており、干渉性即ちコヒーレントな光線とな
って各輝線とも全放射細巾に１〜５％のコヒーレント光
の存在が認められる。
。フォトレジストが塗布されたワークｌｆ）表面上方に
は所定比ＭＤ離隔してマスク２が配置されており、マス
ク２のパターンは露光光束３をワーク１上に投影し焼付
けられるようＫ Ｔｘっている。４は水ｔｉｂＫの光源
であり、そこから出た放射光線は一対の楕円凹面鏡５に
より反射集光される。集光された路光光束３は最初のコ
ールドミラー６により露光に要求される紫外線のみが反
射され、フライアイレンズ７を通り、更に次のコールド
ミラー６を辿りコリメーターレンズ８により平行光線と
なる。このような平行光線の露光光束３はマスク２上に
照射される。ワークｌとマスク２との間にはグロキシミ
テイギャップＤが設けられマスク２がワーり１のレジス
ト面に接触しないように装着される。なお７ライアイレ
ンズ７は露光光束３を露光面全域に渡って一様な明るさ
にするための機能乞持っている。ここで光源４は一般に
クセノン−水銀ランプが使用されており、その放射光は
・３６５ｎｍ 、４００ｎｍおよび４３５ ｎｍの輝線
スペクトルを含むものである。これらの輝線は部分的に
位相が揃っており、干渉性即ちコヒーレントな光線とな
って各輝線とも全放射細巾に１〜５％のコヒーレント光
の存在が認められる。
第２図はワーク１とマスク２との位置関係乞拡大して示
しており、マスク２にはパターンを構成するスリット、
即ち切抜部９か形成されている。この切抜部９の＠ｖ−
ｇとすると無光光束３はマスク２の端面（エツジ）にお
いて回折しレジスト面上にフレンネル回折模様乞生じる
。したがって、例えば３５５ ｎｍの輝線はエツジ直下
からの幾何学的距離Ｘが変るとそのＸＫ対して明暗の°
′しま″（コントラスト）を生じる。
しており、マスク２にはパターンを構成するスリット、
即ち切抜部９か形成されている。この切抜部９の＠ｖ−
ｇとすると無光光束３はマスク２の端面（エツジ）にお
いて回折しレジスト面上にフレンネル回折模様乞生じる
。したがって、例えば３５５ ｎｍの輝線はエツジ直下
からの幾何学的距離Ｘが変るとそのＸＫ対して明暗の°
′しま″（コントラスト）を生じる。
”しま″乞生ずる条件式は露光光束３０波長ビλ、グロ
キシミテイギャップＹＤ、前記エツジ直下からの距離ｉ
Ｘとすると、 となる。このときｍは自然数１．２．３・・・・・・で
あり、Ｄ〉λ（即ちキャップＤは４００μｍ程度のとき
λは０．４μｍ程度である）として近似ン採用している
。
キシミテイギャップＹＤ、前記エツジ直下からの距離ｉ
Ｘとすると、 となる。このときｍは自然数１．２．３・・・・・・で
あり、Ｄ〉λ（即ちキャップＤは４００μｍ程度のとき
λは０．４μｍ程度である）として近似ン採用している
。
上記両式に現わされる位置にｍｌ暗の対照楔様乞生じる
。２次元の例えば第３図何１に示されるマスク２のパタ
ーンは、ワーク１の上では同図（ロ）に示すように周縁
部、特にコーナ一部に凸凹の歪みン生じる。露光光束３
は完全なコヒーレントな光線ではないとはいえ１〜５％
程度藤棚でコヒーレント性を有するため、パターン製造
上マスク２のワーク１への両現性、解像性に幾影脣ン及
ぼしている。このようにしてマスク２の焼付は工程にお
いて大きな問題点となっていた。
。２次元の例えば第３図何１に示されるマスク２のパタ
ーンは、ワーク１の上では同図（ロ）に示すように周縁
部、特にコーナ一部に凸凹の歪みン生じる。露光光束３
は完全なコヒーレントな光線ではないとはいえ１〜５％
程度藤棚でコヒーレント性を有するため、パターン製造
上マスク２のワーク１への両現性、解像性に幾影脣ン及
ぼしている。このようにしてマスク２の焼付は工程にお
いて大きな問題点となっていた。
一万露光光線の干渉性を排し、電子ｌ＃ＪＰｘｗを光源
としたり、無収差投影光学系を採用したりした露光装置
も既に開発されている。しかしながらこのような露光装
置は複雑なレンズ系や、装置Ｚ制御するため高度な電子
回路が必要となり結果的に高価な露光装置となってし筐
うという問題点があった。
としたり、無収差投影光学系を採用したりした露光装置
も既に開発されている。しかしながらこのような露光装
置は複雑なレンズ系や、装置Ｚ制御するため高度な電子
回路が必要となり結果的に高価な露光装置となってし筐
うという問題点があった。
この発明は従来の問題点に着目してなされたもので露光
光束を遮断するシャッターに同期して、露光中に適当回
数回転を行うフライアイレンズン光学系の一部に採用す
ることにより上記問題点を解決することを目的としてい
る。以下この発明乞図面及び原理図に基づいて説明する
。
光束を遮断するシャッターに同期して、露光中に適当回
数回転を行うフライアイレンズン光学系の一部に採用す
ることにより上記問題点を解決することを目的としてい
る。以下この発明乞図面及び原理図に基づいて説明する
。
第４図乃至第８図において、箱体１１には光源としての
水銀灯１２が所定の寛気配称Ｙ施されて設けられており
、この水銀幻１２はショートアークタイプ、例えば寛憔
間の距離が１ｍｍ はどのもので出力は２１４１ ＫＷ
である。強力な紫外線光臨としては希薄水銀気体中の放
電により生ずる光が最も簡便なものである。水銀灯１２
ン囲むように楕円凹面ｆｉ１３が箱体１１に固設されて
おり、楕円凹面鏡１３は第４図中上方に向けて開口部１
４馨有している。
水銀灯１２が所定の寛気配称Ｙ施されて設けられており
、この水銀幻１２はショートアークタイプ、例えば寛憔
間の距離が１ｍｍ はどのもので出力は２１４１ ＫＷ
である。強力な紫外線光臨としては希薄水銀気体中の放
電により生ずる光が最も簡便なものである。水銀灯１２
ン囲むように楕円凹面ｆｉ１３が箱体１１に固設されて
おり、楕円凹面鏡１３は第４図中上方に向けて開口部１
４馨有している。
開口部１４に対面する位置で箱体１１の上方には第１ミ
ラー１５が設けられており、この第１ミラー１５の中心
点と開口部１４の中心点とは略同−線上に位置するとと
もに、第１ミラー１５０反射面は、これら中心点乞結ぶ
線即ち入射光線と所定角度＠斜している。楕円凹面鏡１
３と第１ミラー１５とは第１の光学系ン構成している。
ラー１５が設けられており、この第１ミラー１５の中心
点と開口部１４の中心点とは略同−線上に位置するとと
もに、第１ミラー１５０反射面は、これら中心点乞結ぶ
線即ち入射光線と所定角度＠斜している。楕円凹面鏡１
３と第１ミラー１５とは第１の光学系ン構成している。
第１ミラー１５からの反射光線に対面する位置で箱体１
１の側壁１６にはフライアイレンズ１７が後述するよう
に回転自在に設けられており、フライアイレンズ１７の
中心点と第１ミラー１５の中心点とは略同−直線上に位
置している。
１の側壁１６にはフライアイレンズ１７が後述するよう
に回転自在に設けられており、フライアイレンズ１７の
中心点と第１ミラー１５の中心点とは略同−直線上に位
置している。
フライアイレンズ１７と第１ミラー１５との間にはシャ
ッター１８が介在し、箱体１１に取付けられており、こ
のシャッター１８は減速機付のヒステリシスモータ１９
により駆動されるようになっている。
ッター１８が介在し、箱体１１に取付けられており、こ
のシャッター１８は減速機付のヒステリシスモータ１９
により駆動されるようになっている。
フライアイレンズ１７の後面に対面する位置で相体１１
には第２ミラー２０が設けられており、この第２ミラー
２０の中心点と７ライアイレンズ１７の中心点とは略同
−線上に位置するとともに、第２ミラー２００反射面は
、これら中心点ケ結ぶ緑、即ち入射光線と所定角度傾斜
している。したがって、シャッター１８とフライアイレ
ンズ１７とは第１ミラー１５と第２ミラー２０との間に
介装されている。第２ミラー２０からの反射光線に対面
する位置で相体１１の上方には大型のコリメーターミラ
ー２１が殴られており、第２ミラー２０の中心点とコリ
メーターミラー２１の中心点とは略同−直線上に位置す
るとともに、コリメーターミラー２１からの反射光は相
体１１の下面に略垂直に向うように取付けられている。
には第２ミラー２０が設けられており、この第２ミラー
２０の中心点と７ライアイレンズ１７の中心点とは略同
−線上に位置するとともに、第２ミラー２００反射面は
、これら中心点ケ結ぶ緑、即ち入射光線と所定角度傾斜
している。したがって、シャッター１８とフライアイレ
ンズ１７とは第１ミラー１５と第２ミラー２０との間に
介装されている。第２ミラー２０からの反射光線に対面
する位置で相体１１の上方には大型のコリメーターミラ
ー２１が殴られており、第２ミラー２０の中心点とコリ
メーターミラー２１の中心点とは略同−直線上に位置す
るとともに、コリメーターミラー２１からの反射光は相
体１１の下面に略垂直に向うように取付けられている。
第２ミラー２０とコリメーターミラー２１とは第２の光
学系ン構成している。このコリメーターミラー２１は第
２ミラー２０からの入射光を平行光線にして反射するも
ので４ Ｑ Ｑ ｍｍ以上の径のものが実用化されてお
り、透過型のコンデンサレンズに較べて製作が容意であ
るとともにより安価に入手できる。
学系ン構成している。このコリメーターミラー２１は第
２ミラー２０からの入射光を平行光線にして反射するも
ので４ Ｑ Ｑ ｍｍ以上の径のものが実用化されてお
り、透過型のコンデンサレンズに較べて製作が容意であ
るとともにより安価に入手できる。
２２は表面に７オトレジストが塗布されたワークであり
、このワーク２２の上面には所定のパターンが描かれた
マスク２３が滴定のプロキシミテイギャツプＤＹもって
平行に配設されている。これらワーク２２とマスク２３
とは公知のチャック（図示せず）により保持されており
、これらの表面はコリメーターミラー２１から入射され
る光線に対して垂直となっている。
、このワーク２２の上面には所定のパターンが描かれた
マスク２３が滴定のプロキシミテイギャツプＤＹもって
平行に配設されている。これらワーク２２とマスク２３
とは公知のチャック（図示せず）により保持されており
、これらの表面はコリメーターミラー２１から入射され
る光線に対して垂直となっている。
次に第５図はフライアイレンズ１７およびその周辺部乞
拡大して示す図であり、２５は側壁１６に固設された基
板である。この基＆２５の一端部には真円の貫通孔２６
が形成されており、この貫通孔２６には環状のスリーブ
２７が回転自在に挿入されている。
拡大して示す図であり、２５は側壁１６に固設された基
板である。この基＆２５の一端部には真円の貫通孔２６
が形成されており、この貫通孔２６には環状のスリーブ
２７が回転自在に挿入されている。
このスリーブ２７の内周にはホルダ２８の一端部が同軸
に回転自在に押入されており、このホルダ２８は内周部
に７ライアイレンズ１７を保持している。このフライア
イレンズ１７は味巻状の多数のレンズ２９を束ねたもの
であり；例えば２５本〜５０本のレンズ群により構成さ
れている。
に回転自在に押入されており、このホルダ２８は内周部
に７ライアイレンズ１７を保持している。このフライア
イレンズ１７は味巻状の多数のレンズ２９を束ねたもの
であり；例えば２５本〜５０本のレンズ群により構成さ
れている。
３０はホルダ２８の他端部が回転自在に押入された押え
用の上方スリーブであり、この上方スリーブ３０は押え
板３１等により基板２５に固定されている。
用の上方スリーブであり、この上方スリーブ３０は押え
板３１等により基板２５に固定されている。
これらスリーブ２７と上方スリーブ３０との間でホルダ
２８の外周面３２には後述するベルトが係合するための
規則的な凸条部等が形成されており、ホルダ２８の上端
面には凸レンズ３３を内装した中空の円筒部３４か同軸
方向に固看されている。
２８の外周面３２には後述するベルトが係合するための
規則的な凸条部等が形成されており、ホルダ２８の上端
面には凸レンズ３３を内装した中空の円筒部３４か同軸
方向に固看されている。
したがって７ライアイレンメ１７は、これらスリーブ２
７と、上方スリーブ３０）ａｊ介して側壁１６に回転自
在に支持されている。
７と、上方スリーブ３０）ａｊ介して側壁１６に回転自
在に支持されている。
基板２５の他端部には支％＆３５がボルト等により取付
けられており、この支持板３５には制御可能なインダク
ションモータ３６が装着されている。このインダクショ
ンモータ３６は減速機３７に連結されており、減速機３
７の出力軸３８は基板２５と支持板３５０間に突出して
いる。
けられており、この支持板３５には制御可能なインダク
ションモータ３６が装着されている。このインダクショ
ンモータ３６は減速機３７に連結されており、減速機３
７の出力軸３８は基板２５と支持板３５０間に突出して
いる。
この出力軸３８には外周面に凸条部が形成されたプーリ
ー３９が同軸に固定されており、このプーリー３９とホ
ルダ２８の外周面３２との間には内方に凹条部を有する
駆動ベルト４０が巻回されている。
ー３９が同軸に固定されており、このプーリー３９とホ
ルダ２８の外周面３２との間には内方に凹条部を有する
駆動ベルト４０が巻回されている。
したがってインダクションモータ３６の回転により、フ
ライアイレンズ１７及び凸レンズ３３は基板２５に対し
てスリーブ２７．上方スリーブ３０を介して回転するよ
うになっている。
ライアイレンズ１７及び凸レンズ３３は基板２５に対し
てスリーブ２７．上方スリーブ３０を介して回転するよ
うになっている。
また、シャッター１８を駆動するモータ１９と、このイ
ンダクションモータ３６とは図示外の制御回路により所
定の関係で回転制御されろようになっている。
ンダクションモータ３６とは図示外の制御回路により所
定の関係で回転制御されろようになっている。
次にこの発明の作用について説明する。
水鋏灯１２乞出た鼻先光線は楕円凹面腓１３により反射
集光されて第１ミラー１５に光束が絞られて入射される
。第１ミラー１５により反射された露光光束りはシャッ
ター１８を通り、凸レンズ３３に入る。露光光束りは凸
レンズ３３によりフライアイレンズ１７の各レンズ２９
の一端面にのみこまれるようにやや収束される フライアイレンズ１７Ｙ出た露光光束りは第２ミラー２
０に入射し、所定の反射角乞もってコリメーターミラー
２１に向って反射される。
集光されて第１ミラー１５に光束が絞られて入射される
。第１ミラー１５により反射された露光光束りはシャッ
ター１８を通り、凸レンズ３３に入る。露光光束りは凸
レンズ３３によりフライアイレンズ１７の各レンズ２９
の一端面にのみこまれるようにやや収束される フライアイレンズ１７Ｙ出た露光光束りは第２ミラー２
０に入射し、所定の反射角乞もってコリメーターミラー
２１に向って反射される。
第６図、第７図に示すように、フライアイレンズ１７の
直前の仮想半間ｒ上の照度分布は第６図の同心円状にな
っている。これはアーク像が楕円凹鋭１３により拡大さ
れて、その像が投影されるからである。点Ｏｔ中心にし
てＰ円内の照度を１００とすると、０円内は８０．１−
を円内は６０およびＳ円内は５０等のようになっている
。次に露光光束りがフライアイレンズ１７の個々のレン
ズ２９に入射すると次のような作用ン受ける。今レンズ
２９（ａａ）について考察すると、レンズ２９（ａａ）
後面の仮想平面Ｂ上には同心円ｐ、ｕ、ｔｉ、ｓの４分
の１の部分、ｂｕちａ領域がＢ平面全域に渡って投影さ
れる（第６図）。同様にして第７図に示すようにレンズ
２９（ｂｂ）はｂ領域、レンズ２９（ｃｃ）＋ＩＣ領域
、レンズ２９（ｄｄ）はｄ領域を平面Ｂ上に投影する。
直前の仮想半間ｒ上の照度分布は第６図の同心円状にな
っている。これはアーク像が楕円凹鋭１３により拡大さ
れて、その像が投影されるからである。点Ｏｔ中心にし
てＰ円内の照度を１００とすると、０円内は８０．１−
を円内は６０およびＳ円内は５０等のようになっている
。次に露光光束りがフライアイレンズ１７の個々のレン
ズ２９に入射すると次のような作用ン受ける。今レンズ
２９（ａａ）について考察すると、レンズ２９（ａａ）
後面の仮想平面Ｂ上には同心円ｐ、ｕ、ｔｉ、ｓの４分
の１の部分、ｂｕちａ領域がＢ平面全域に渡って投影さ
れる（第６図）。同様にして第７図に示すようにレンズ
２９（ｂｂ）はｂ領域、レンズ２９（ｃｃ）＋ＩＣ領域
、レンズ２９（ｄｄ）はｄ領域を平面Ｂ上に投影する。
このようにして照度分布の個よりか全域に拡大され重ね
られるため、レンズ２９の数ケ増ＪＰ丁ことにより平面
Ｂ上の照度が全体的に均一となる。
られるため、レンズ２９の数ケ増ＪＰ丁ことにより平面
Ｂ上の照度が全体的に均一となる。
したがって、第２ミラー２０に入射１−る露光光束３は
均一な照度分布となっており、この露光光束３はコリメ
ーターミラー２１に向って反射される。コリメーターミ
ラー２１ではこの露光光束３Ｚ平行光紬（コリメート）
としてマスク２３上に照射する。このとぎ図示外の制御
回路によりインダクションモータ３６が駆動され、減速
された出力軸３８はプーリー３９．駆動ベルト４０乞介
してフライアイレンズ１７乞回転させる。
均一な照度分布となっており、この露光光束３はコリメ
ーターミラー２１に向って反射される。コリメーターミ
ラー２１ではこの露光光束３Ｚ平行光紬（コリメート）
としてマスク２３上に照射する。このとぎ図示外の制御
回路によりインダクションモータ３６が駆動され、減速
された出力軸３８はプーリー３９．駆動ベルト４０乞介
してフライアイレンズ１７乞回転させる。
そしてシャッター１８の露光時間はヒステリシスモータ
１９０回転数により制御されるが、この壽光時間に対し
てフライアイレンズ１７の回転数ケ制御回路により任意
に設定することができる。例えは露光時間１秒に対して
毎秒４回転等のように設定できる。
１９０回転数により制御されるが、この壽光時間に対し
てフライアイレンズ１７の回転数ケ制御回路により任意
に設定することができる。例えは露光時間１秒に対して
毎秒４回転等のように設定できる。
このようにして水銀灯１２ン出た露光光束りはその中に
輝線スペクトル、即ちコヒーレントな成分ｙｈ％有して
いるが、フライアイレンズ１７の各レンズ２９Ｙ通過す
るときに、まずその一部が位相ケ乱され、史に７ライア
イレンズ１７乞回転させることにより、残りのコヒーレ
ントな輝線スペクトルも殆んど非コヒーレントな先組に
転候されてしま丁。
輝線スペクトル、即ちコヒーレントな成分ｙｈ％有して
いるが、フライアイレンズ１７の各レンズ２９Ｙ通過す
るときに、まずその一部が位相ケ乱され、史に７ライア
イレンズ１７乞回転させることにより、残りのコヒーレ
ントな輝線スペクトルも殆んど非コヒーレントな先組に
転候されてしま丁。
そして非コヒーレントな露光光束りがマスク２３に照射
され、マスク２３上のパターンはワーク２２上に干渉じ
まＹ生することな（焼付けられる。
され、マスク２３上のパターンはワーク２２上に干渉じ
まＹ生することな（焼付けられる。
発明者の実験によれは、第８図に示すように、マスク２
３上のパターン幅が５〜３０μｍで、グロキシミテイギ
ャップ１０〜４００μｍＫ設定し、矩形パターン（イ）
をワーク２２上に焼付けたとき、７ライアイレンズ１７
を回転させない場合は、同図（口１のような焼付パター
ンが得られ、−万、７ライアイレンズ１７７所定スピー
ドで（ロ）転させると、同図ｅ−１に示すような周辺部
の境界が明確な焼付はパターンが得られた。
３上のパターン幅が５〜３０μｍで、グロキシミテイギ
ャップ１０〜４００μｍＫ設定し、矩形パターン（イ）
をワーク２２上に焼付けたとき、７ライアイレンズ１７
を回転させない場合は、同図（口１のような焼付パター
ンが得られ、−万、７ライアイレンズ１７７所定スピー
ドで（ロ）転させると、同図ｅ−１に示すような周辺部
の境界が明確な焼付はパターンが得られた。
この発明の露光装置により製造されるパターンは大きな
ワークサイズでかつプロキシミテイギャップン設定して
焼付けなければならない格子１０μｍ前後のパターン精
度の要求されるワーク、％に液晶用、サーマルプリンタ
ー用、又はハイブリッドＩＣ用パターンの製造に適して
いる。
ワークサイズでかつプロキシミテイギャップン設定して
焼付けなければならない格子１０μｍ前後のパターン精
度の要求されるワーク、％に液晶用、サーマルプリンタ
ー用、又はハイブリッドＩＣ用パターンの製造に適して
いる。
以上説明してきたように、この発明によれば、フライア
イレンズを回転させることにより、非干渉性の強力な面
光諒が得られることになり、高解像力をもちかつ太面稼
の露光が可能な安価で取扱の簡単な露光装置ｌｔを提供
できるという効果が得られる。
イレンズを回転させることにより、非干渉性の強力な面
光諒が得られることになり、高解像力をもちかつ太面稼
の露光が可能な安価で取扱の簡単な露光装置ｌｔを提供
できるという効果が得られる。
第１図は従来の近接型結党装ｆｉｌを示″ｆ概略構成因
、第２図は干渉の涼埋ン説明する図、第３図は従来の露
光装置で得られたマスクの焼付図、であり、第４図はこ
の発明の結党装Ｒ’ｌ示す部分断面正面図、第５図はこ
の発明の要部拡大艶面図、第６図は照度分布ン示す図、
第７図は照度分布の一様化？説明する図、第８図はこの
発明の勝光装諏で得られたマスクの焼付図で′ある。 １２・・・水釦灯（光源） １５・・・第１ミラー１７
・・・フライアイレンズ １８・・・シャッター２０・
・・第２ミラー ２１・・・コリメーターミラー２２・
・・ウェハ ２３・・・マスク Ｌ・・・無光光束 オ、１図 手続補正書（自発） 昭和５９年２月１６０ 特許庁長官殿 （特許庁審判長 殿） （ｆ６許庁審査篇 殿） １ 事件の表示 昭和５９年２月１０日出願の特許願２
発明の名称 露 光 装 置 ３ 補正をする省 事件との関係 出願人 住所 東京都町布市調布ケ丘３丁目３４番１号氏名 株
式会社 オーク製作Ｐｆｒ（外 名）４ 代理人 ５ 昭和 年 月 １」 手続令甫正書（白丸２ 昭和５９年 ６月ｌｃＩ日 （特許庁審査官 殿） ｌ、事件の表示 特願昭５９−２４０９３号２、発明の
名称 露 光 装 置 ３、 補正をする者 事件との関係 出願人 住所 氏名 株式会社オーク製作所 （外 名）４、代理人 住所 〒１０１東京都千代田区東神田２丁目１番１１号
６、補正の内容 （イ）第８頁６行目のｒＤＪをｒＥＪに訂正する。 （Ｕ）第１１頁１０行目のｒｒＪを「γ」に訂正する。 （ハ）第１１頁１４行目の「０円」を「Ｑ円」に訂正す
る。 （＝）第１１頁２０行目の［Ｂ上には同心円Ｐ、Ｏ，Ｒ
ｊを「β上には同心円Ｐ、Ｑ、ＲＪに訂正する。 （ホ）第１２頁１行目のｒＢＪを「β」に訂正する。 （へ）第１２頁４行目のｒＢＪを「β」に訂正する。 （ト）第１２頁２行目の−Ｂ」を「β」に訂正する。
、第２図は干渉の涼埋ン説明する図、第３図は従来の露
光装置で得られたマスクの焼付図、であり、第４図はこ
の発明の結党装Ｒ’ｌ示す部分断面正面図、第５図はこ
の発明の要部拡大艶面図、第６図は照度分布ン示す図、
第７図は照度分布の一様化？説明する図、第８図はこの
発明の勝光装諏で得られたマスクの焼付図で′ある。 １２・・・水釦灯（光源） １５・・・第１ミラー１７
・・・フライアイレンズ １８・・・シャッター２０・
・・第２ミラー ２１・・・コリメーターミラー２２・
・・ウェハ ２３・・・マスク Ｌ・・・無光光束 オ、１図 手続補正書（自発） 昭和５９年２月１６０ 特許庁長官殿 （特許庁審判長 殿） （ｆ６許庁審査篇 殿） １ 事件の表示 昭和５９年２月１０日出願の特許願２
発明の名称 露 光 装 置 ３ 補正をする省 事件との関係 出願人 住所 東京都町布市調布ケ丘３丁目３４番１号氏名 株
式会社 オーク製作Ｐｆｒ（外 名）４ 代理人 ５ 昭和 年 月 １」 手続令甫正書（白丸２ 昭和５９年 ６月ｌｃＩ日 （特許庁審査官 殿） ｌ、事件の表示 特願昭５９−２４０９３号２、発明の
名称 露 光 装 置 ３、 補正をする者 事件との関係 出願人 住所 氏名 株式会社オーク製作所 （外 名）４、代理人 住所 〒１０１東京都千代田区東神田２丁目１番１１号
６、補正の内容 （イ）第８頁６行目のｒＤＪをｒＥＪに訂正する。 （Ｕ）第１１頁１０行目のｒｒＪを「γ」に訂正する。 （ハ）第１１頁１４行目の「０円」を「Ｑ円」に訂正す
る。 （＝）第１１頁２０行目の［Ｂ上には同心円Ｐ、Ｏ，Ｒ
ｊを「β上には同心円Ｐ、Ｑ、ＲＪに訂正する。 （ホ）第１２頁１行目のｒＢＪを「β」に訂正する。 （へ）第１２頁４行目のｒＢＪを「β」に訂正する。 （ト）第１２頁２行目の−Ｂ」を「β」に訂正する。
Claims (1)
- 結党光緑乞発生する光源と、この結党光緑ン集光する第
１の光学系と、この第１の光学系によって集光された光
束乞入射させ露光面へ投影する第２の光学系及びこの第
２の光学系から投影される光束を反射コリメー：・した
露光光束によりマスク上のパターン？ワークに焼付ける
無光装置において、前記第１の光学系と前記第２の光学
系との間にシャッターと、このシャッターに運動して結
党中虐当回数だけ回転するフライアイレンズとを介装し
たこと乞特徴とする路光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024093A JPS60168147A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光装置 |
| US06/615,032 US4577959A (en) | 1984-02-10 | 1984-05-29 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024093A JPS60168147A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60168147A true JPS60168147A (ja) | 1985-08-31 |
| JPH0322975B2 JPH0322975B2 (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=12128761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59024093A Granted JPS60168147A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4577959A (ja) |
| JP (1) | JPS60168147A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293248A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-19 | Mamiya Koki Kk | フレキシブル基板の両面露光方法 |
| JPS6325640A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Oak Seisakusho:Kk | 平行光投射光学系 |
| JPS63167367A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Somar Corp | 写真製版用露光装置 |
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805002A (en) * | 1986-06-13 | 1989-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Exposure apparatus |
| US5227821A (en) * | 1987-04-30 | 1993-07-13 | Nview Corporation | Liquid crystal display for projection systems |
| US5255029A (en) * | 1987-04-30 | 1993-10-19 | Nview Corporation | Liquid crystal display for projection systems |
| US5150151A (en) * | 1989-03-09 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
| EP0405563B1 (en) * | 1989-06-29 | 1996-03-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Illumination system |
| US5206515A (en) * | 1991-08-29 | 1993-04-27 | Elliott David J | Deep ultraviolet photolithography and microfabrication |
| JP2817615B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 縮小投影露光装置 |
| JP2002131923A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Ushio Inc | 基板用逐次露光装置 |
| CN105259739B (zh) * | 2015-11-12 | 2017-06-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法及装置 |
| WO2018213825A1 (en) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Transport system having a magnetically levitated transportation stage |
| US11393706B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Magnetically-levitated transporter |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3217594A (en) * | 1963-02-27 | 1965-11-16 | Simmon Brothers Inc | Photographic printer and enlarger and light mixing device therefor |
| JPS58147708A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明用光学装置 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59024093A patent/JPS60168147A/ja active Granted
- 1984-05-29 US US06/615,032 patent/US4577959A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293248A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-19 | Mamiya Koki Kk | フレキシブル基板の両面露光方法 |
| JPS6325640A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Oak Seisakusho:Kk | 平行光投射光学系 |
| JPS63167367A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Somar Corp | 写真製版用露光装置 |
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
| JPH0532900B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1993-05-18 | Ushio Electric Inc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322975B2 (ja) | 1991-03-28 |
| US4577959A (en) | 1986-03-25 |
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