JPS60168119A - 透明電極用金属薄膜 - Google Patents
透明電極用金属薄膜Info
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- JPS60168119A JPS60168119A JP2487484A JP2487484A JPS60168119A JP S60168119 A JPS60168119 A JP S60168119A JP 2487484 A JP2487484 A JP 2487484A JP 2487484 A JP2487484 A JP 2487484A JP S60168119 A JPS60168119 A JP S60168119A
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- Japan
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- transparent electrode
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透明電極として用いる金属薄膜に係るもので
あシ、透明でない金属を用いながら実質的には透明な電
極を得ることのできる金属薄膜に関するものである。
あシ、透明でない金属を用いながら実質的には透明な電
極を得ることのできる金属薄膜に関するものである。
透明電極は液晶表示素子など透光性を必要とする装置の
電極として用いられており、その用途は広がシつつある
。この透明電極を形成する方法、材料について種々の研
究が進められている。最も一般的な透明性を有する電極
材料としては、酸化インジウムや酸化錫があるが、前者
は高価でｓｂ、後者は抵抗率が高いといった欠点がある
。これらについては抵抗率の改善について種々の試みが
なされているが、抵抗率の改善にも限界がある。まだ、
これらの材料は特有の色がらシ、かつ透過率の波長依存
性があるので、カラー用材料としては難点がある。更に
、プラスチック膜上に形成する場合には１反応性スパッ
タリング法などの大規模な装置、特殊な工程を必要とす
る、といつだ問題を有している。
電極として用いられており、その用途は広がシつつある
。この透明電極を形成する方法、材料について種々の研
究が進められている。最も一般的な透明性を有する電極
材料としては、酸化インジウムや酸化錫があるが、前者
は高価でｓｂ、後者は抵抗率が高いといった欠点がある
。これらについては抵抗率の改善について種々の試みが
なされているが、抵抗率の改善にも限界がある。まだ、
これらの材料は特有の色がらシ、かつ透過率の波長依存
性があるので、カラー用材料としては難点がある。更に
、プラスチック膜上に形成する場合には１反応性スパッ
タリング法などの大規模な装置、特殊な工程を必要とす
る、といつだ問題を有している。
本発明は、上記のような問題を解決し、抵抗率の低い透
Ｆ３Ａ電極を得ることを目的とするものである。
Ｆ３Ａ電極を得ることを目的とするものである。
また、安価で製造の容易な透明電極を得るための金属薄
膜を得ることを目的とする。
膜を得ることを目的とする。
本発明による透明電極用金属薄膜は、通常の金属、例え
ばアルミニウム、銅、クロム、銀などそれ自体は透明で
ない安価な金属をガラス・アクリル樹脂その他の有機ガ
ラスの曲面または、平面状の基板の、片面または両面上
の必要な領域に微細な縞状や網状のパターンに形成して
導電性、透光性の良好な金属薄膜を透明基板の表面に形
成することによって上記の目的を達成するものである。
ばアルミニウム、銅、クロム、銀などそれ自体は透明で
ない安価な金属をガラス・アクリル樹脂その他の有機ガ
ラスの曲面または、平面状の基板の、片面または両面上
の必要な領域に微細な縞状や網状のパターンに形成して
導電性、透光性の良好な金属薄膜を透明基板の表面に形
成することによって上記の目的を達成するものである。
上で述べた縞状または網状というのは本発明にかかる金
属薄膜の模様の総括的表現であって１本発明の原理は完
成した電極において、電極を構成する金属膜が金属膜上
のいずれの２点も互いに電気的に導通状態にあシム間の
視覚に対し透明感を与えるように金属膜上に一様に穴が
開いておシ、かつ金属膜のストリップやその間隔の〈シ
かえしがモアレ現象なでが生じないように不均一に配列
された模様となっていることにある。この目的のために
は、穴の平均的な大きさは観測者のはｙ分解能以下であ
るものとする。第１図ないし第２図は模様の例である。
属薄膜の模様の総括的表現であって１本発明の原理は完
成した電極において、電極を構成する金属膜が金属膜上
のいずれの２点も互いに電気的に導通状態にあシム間の
視覚に対し透明感を与えるように金属膜上に一様に穴が
開いておシ、かつ金属膜のストリップやその間隔の〈シ
かえしがモアレ現象なでが生じないように不均一に配列
された模様となっていることにある。この目的のために
は、穴の平均的な大きさは観測者のはｙ分解能以下であ
るものとする。第１図ないし第２図は模様の例である。
第１図は基板１に形成した透明電極用金属薄膜２を縞状
のパターンに形成した９１３で、３．３’は導電性金属
からなる金属ストリップ、４，４′は金属薄膜２に開け
た穴である。金属ストリップのパターンは（イ）のよう
に真直なものや（ロ）のように波形のもの等、種々考え
られる。５は金属薄膜のリード線取付用電極、６はリー
ド線である。 ゛第１図には、説明の便宜上、２種類の
パターンを同−図で示した。第２図は網状パターンの列
である。（ａ）は円形の穴４ａを、［有］）は三角形の
穴４ｂを、（Ｃ）は矩形状の穴４ｃを夫々設けるもので
あるが、単一の模様ではなく、４図（ｄ）のように各種
の形状を組み合せた穴４ｄを設けたものであってもよい
。
のパターンに形成した９１３で、３．３’は導電性金属
からなる金属ストリップ、４，４′は金属薄膜２に開け
た穴である。金属ストリップのパターンは（イ）のよう
に真直なものや（ロ）のように波形のもの等、種々考え
られる。５は金属薄膜のリード線取付用電極、６はリー
ド線である。 ゛第１図には、説明の便宜上、２種類の
パターンを同−図で示した。第２図は網状パターンの列
である。（ａ）は円形の穴４ａを、［有］）は三角形の
穴４ｂを、（Ｃ）は矩形状の穴４ｃを夫々設けるもので
あるが、単一の模様ではなく、４図（ｄ）のように各種
の形状を組み合せた穴４ｄを設けたものであってもよい
。
本発明による透明電極用金属薄膜は、通常の半導体製造
技術を利用することによって容易に製造することができ
る。透明な基板として透明なガラス、アクリルなどのプ
ラスチック板または各種のプラスチックフィルム上に前
記の金属の薄膜を蒸着、スパッタリング法などによって
形成する。厚みは数百〜数千Ａ程度とするが、厚くなる
ほど抵抗率は下がるが、後のエツチング処理は難しくな
る。基板表面に一様に形成された金属薄膜は、所望のパ
ターンを残してエツチングされる。すなわち、残すパタ
ーン上にホトレジス）［を形成し。
技術を利用することによって容易に製造することができ
る。透明な基板として透明なガラス、アクリルなどのプ
ラスチック板または各種のプラスチックフィルム上に前
記の金属の薄膜を蒸着、スパッタリング法などによって
形成する。厚みは数百〜数千Ａ程度とするが、厚くなる
ほど抵抗率は下がるが、後のエツチング処理は難しくな
る。基板表面に一様に形成された金属薄膜は、所望のパ
ターンを残してエツチングされる。すなわち、残すパタ
ーン上にホトレジス）［を形成し。
それぞれの金属に応じた溶解液によって不要部分を除去
する。
する。
上記のホトレジストのパターンは、縞状とするか、ある
いは網状とする。利用する透明電極のパターンにもよる
が、微細なパターンを必要とする場合には網状とするの
が有利である。縞状、網状のいずれに形成される場合で
あっても、間隔が１００μｍ以下の周期をもちかつモア
レ現象を生じないように金属ストリップが配列された構
造とする。あまシ狭くするとエツチングの精度の問題が
生じるので、１ｏ−ｔｏｏμｍの範囲とするのが好まし
い。
いは網状とする。利用する透明電極のパターンにもよる
が、微細なパターンを必要とする場合には網状とするの
が有利である。縞状、網状のいずれに形成される場合で
あっても、間隔が１００μｍ以下の周期をもちかつモア
レ現象を生じないように金属ストリップが配列された構
造とする。あまシ狭くするとエツチングの精度の問題が
生じるので、１ｏ−ｔｏｏμｍの範囲とするのが好まし
い。
エツチングされずに残す金属ストリップの幅は、観測者
の分解能以下であることが望ましいので、５０μｍ以下
とする。これもあまシ狭くするとエツチングによって断
線を生じたりするので、３μ雇以上が必要である。曲の
条件なども考え併せると実際には３〜３０μｍの範囲と
するのが過当である。電極が２枚以上重つだ場合のモア
レ現象をさけるためにはパターンを少しづつずらしたも
のにする等、公知の手段を用いればよい。
の分解能以下であることが望ましいので、５０μｍ以下
とする。これもあまシ狭くするとエツチングによって断
線を生じたりするので、３μ雇以上が必要である。曲の
条件なども考え併せると実際には３〜３０μｍの範囲と
するのが過当である。電極が２枚以上重つだ場合のモア
レ現象をさけるためにはパターンを少しづつずらしたも
のにする等、公知の手段を用いればよい。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
ガラス基板上に３０００Ａの厚さのアルミニウム薄膜を
蒸着し、エツチングによってそれぞれの幅と間隔、を有
する金属ストリップを縞状に形成したところ、表のよう
な結果を得た。
蒸着し、エツチングによってそれぞれの幅と間隔、を有
する金属ストリップを縞状に形成したところ、表のよう
な結果を得た。
いずれの試料においても、金属ストリップと空隙を肉眼
で識別することはできず、酸化インジウムの場合と同じ
ような透明な膜となっていた。
で識別することはできず、酸化インジウムの場合と同じ
ような透明な膜となっていた。
上記の実施ｆ１１からも明らかなように透過率が９０チ
であシながらｌＯＯΩ以下の抵抗が実現でき、従来の透
明導層膜に比較すると抵抗率が大幅に改善できる。この
金属薄膜を用いて非発光性の文字及びカラー文字を透視
したところ、何ら色調の変化も無く、識別の困難さも無
いことが確認された。
であシながらｌＯＯΩ以下の抵抗が実現でき、従来の透
明導層膜に比較すると抵抗率が大幅に改善できる。この
金属薄膜を用いて非発光性の文字及びカラー文字を透視
したところ、何ら色調の変化も無く、識別の困難さも無
いことが確認された。
なお、金属面からの反射が角度によっては多少光られる
が、二酸化シリコンなどの反射防止膜を形成すれば良い
。
が、二酸化シリコンなどの反射防止膜を形成すれば良い
。
実施列２
ガラス基板上に３００ＯＡの厚さのアルミニウム薄膜を
蒸着し、エツチングによって、金属ストリップの幅が５
μｍ′、間隔が９０μｍの格子状の網目をなす幅１０ｍ
ｍ長さ６５調の透明電極用金属薄膜を複数個差べて形成
した。透過率は８５％以上、抵抗率は６．３０／口を得
た。この網状金属薄膜を通して非発光性の文字及びカラ
ー文字を透視したところ、実施列１と同様良好な透明感
が得られた。
蒸着し、エツチングによって、金属ストリップの幅が５
μｍ′、間隔が９０μｍの格子状の網目をなす幅１０ｍ
ｍ長さ６５調の透明電極用金属薄膜を複数個差べて形成
した。透過率は８５％以上、抵抗率は６．３０／口を得
た。この網状金属薄膜を通して非発光性の文字及びカラ
ー文字を透視したところ、実施列１と同様良好な透明感
が得られた。
本発明によれば、所定の幅と間隔以下に金属ストリップ
を形成して、実質的に透明な金属薄膜を形成することが
できる。そして、金属ストリップの幅と間隔を変えるこ
とによって透過率、抵抗値を任意に設定することができ
る。
を形成して、実質的に透明な金属薄膜を形成することが
できる。そして、金属ストリップの幅と間隔を変えるこ
とによって透過率、抵抗値を任意に設定することができ
る。
本発明の最大の利点は抵抗率を大幅に改善した点にある
。したがって微細なパターンの表示装置などにおいては
特に有利で、連続的な円滑な像を得ることが容易となる
。もちろん、それに限られず、グレーティングや光スィ
ッチ等への利用もできる。
。したがって微細なパターンの表示装置などにおいては
特に有利で、連続的な円滑な像を得ることが容易となる
。もちろん、それに限られず、グレーティングや光スィ
ッチ等への利用もできる。
第１図は、本発明にかかる透明電極用金属薄膜のパター
ン−［Ｆｌｌを示す拡大平面図、第２図（ａ） （ｂ）
（ｃ）（ｄ）は、同じく曲の例を示す拡大平面図であ
る。 ■・°゛・・・基板、 ２・・・・・・透明電極用金属
薄膜。 ３・・・・・・金属ストリップ、４・４′・４ａ・４ｂ
・４Ｇ・・・・・・穴 第２図 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２４８７４号 ２、発明の名称 透明電極用金属１Ｖｉｔ膜 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 栃木県足利市家冨町２２６９番地氏名木村 修 住所 東京都世田谷区上祖師谷３丁目１３番４号氏名喜
安善市 住所 東京都大田区東雪谷２丁目１番１７号名称（３０
８）東光株１（会社 代表者 樋 １） 京 ４、代理人 住所 埼玉県人間郡鶴ケ島町大字五味ケ谷１８番地５、
補正命令の日付 自発 ６．補正により増加する発明の数 ０ ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 ′（１）同第３頁第１１行の「なでが」を「などが」に
訂正します。 （２）同第５頁第１８行の「過当」を「適当」に訂正し
ます。 （３）同第６頁第４行のｒ３０００ＡＪを「３０００λ
」に訂正します。 （４）同第７頁第６行のｒ３０００ＡＪを「３００ＱＡ
Ｊに訂正します。
ン−［Ｆｌｌを示す拡大平面図、第２図（ａ） （ｂ）
（ｃ）（ｄ）は、同じく曲の例を示す拡大平面図であ
る。 ■・°゛・・・基板、 ２・・・・・・透明電極用金属
薄膜。 ３・・・・・・金属ストリップ、４・４′・４ａ・４ｂ
・４Ｇ・・・・・・穴 第２図 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２４８７４号 ２、発明の名称 透明電極用金属１Ｖｉｔ膜 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 栃木県足利市家冨町２２６９番地氏名木村 修 住所 東京都世田谷区上祖師谷３丁目１３番４号氏名喜
安善市 住所 東京都大田区東雪谷２丁目１番１７号名称（３０
８）東光株１（会社 代表者 樋 １） 京 ４、代理人 住所 埼玉県人間郡鶴ケ島町大字五味ケ谷１８番地５、
補正命令の日付 自発 ６．補正により増加する発明の数 ０ ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 ′（１）同第３頁第１１行の「なでが」を「などが」に
訂正します。 （２）同第５頁第１８行の「過当」を「適当」に訂正し
ます。 （３）同第６頁第４行のｒ３０００ＡＪを「３０００λ
」に訂正します。 （４）同第７頁第６行のｒ３０００ＡＪを「３００ＱＡ
Ｊに訂正します。
Claims (1)
- 透明な基板表面に微小間隔で縞状または網状に形成され
た透明電極用金属薄膜において、幅が５０μｍ以下でア
シ、かつ間隔が１００μｍ以下の金属ストリップが縞状
または網状にかつモアレ現象を生じないような配列で形
成されていることを特徴とする透明電極用金属薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2487484A JPS60168119A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 透明電極用金属薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2487484A JPS60168119A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 透明電極用金属薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60168119A true JPS60168119A (ja) | 1985-08-31 |
Family
ID=12150346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2487484A Pending JPS60168119A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 透明電極用金属薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60168119A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136413A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明体 |
| JPS63168910A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明体 |
| JPS63174216A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-18 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明体 |
| JPS63223285A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | 積水化学工業株式会社 | 窓用透明体 |
| JP2006523171A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-10-12 | デプナー バウエレメンテ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 透明要素、特に複合ガラス要素 |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP2487484A patent/JPS60168119A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136413A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明体 |
| JPS63168910A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明体 |
| JPS63174216A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-18 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明体 |
| JPS63223285A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | 積水化学工業株式会社 | 窓用透明体 |
| JP2006523171A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-10-12 | デプナー バウエレメンテ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 透明要素、特に複合ガラス要素 |
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