JPS60167390A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS60167390A JPS60167390A JP59023101A JP2310184A JPS60167390A JP S60167390 A JPS60167390 A JP S60167390A JP 59023101 A JP59023101 A JP 59023101A JP 2310184 A JP2310184 A JP 2310184A JP S60167390 A JPS60167390 A JP S60167390A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ、発光ダイオードなどの半導体発
光素子に関する。
光素子に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザ、発光ダイオードなどの半導体発光素子は
、光フアイバ通信・光ディスクなどの光情報処理・光を
使った光応用計測などに応用されており、光産業の発展
にとも々って今後大きな需要が見込まれている。
、光フアイバ通信・光ディスクなどの光情報処理・光を
使った光応用計測などに応用されており、光産業の発展
にとも々って今後大きな需要が見込まれている。
半導体発光素子たとえばＡｌ２ＧａＡｓ半導体レーザの
場合、発振波長は約０．９μｍである。この波長は周波
数になおすと２Ｘ１０１５Ｈｚ という非常に高い周波
数になる。しかし現在のところ半導体レーザの変調周波
数は１０９Ｈｚ オーダーが実現されているに過ぎず、
半導体レーザの高速化の面において半導体レーザの性能
が十分に生かされているとは言えないのが現状である。
場合、発振波長は約０．９μｍである。この波長は周波
数になおすと２Ｘ１０１５Ｈｚ という非常に高い周波
数になる。しかし現在のところ半導体レーザの変調周波
数は１０９Ｈｚ オーダーが実現されているに過ぎず、
半導体レーザの高速化の面において半導体レーザの性能
が十分に生かされているとは言えないのが現状である。
半導体レーザの変調周波数がＩＧＨｚ 程度にとどまっ
ている原因の１つに活性層に注入されたキャリアの再結
合速度による影響がある。
ている原因の１つに活性層に注入されたキャリアの再結
合速度による影響がある。
第１図（ａ）に従来のＢＨ（埋込みへテロ接合形）レー
ザの構造を示す。ＩｎＧａＡｓＰのＤＨレーザの場合１
はｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＰバッファ一層、３は
ＩｎＧａＡｓＰ１性層、４はｐ形ＩｎＰクラッド層、５
はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ キャップ層、６はｎ形ＩｎＰ埋
込層、７はＳ ｚ０２膜、８はＡ ｕ／Ｚ ｎ電極、９
はＡ ｕ／Ｓ ｎ電極である。第１図（ｂ）は第１図（
ａ）の一点鎖線Ａ−Ａ’に沿ったエネルギーバンド図で
ある。Ｐ−ＩｎＰから活性層に正孔が、ｎ−ＩｎＰから
活性層に電子がそれぞれ注入され、活性層内で注入され
だ正孔と電子とが再結合して発光する。レーザを直接変
調する場合、発光量の変調は電子および正孔の注入量を
変化することによって行なわれる。そこでたとえば電子
および正孔の注入を止めたとすると、それまでに活性層
に注入されていた正孔おｒび電子はある再結合速度に従
って減少し、発光量もこれに従って減少していく。した
がって変調速度はこの再結合速度によって制約され、通
常数ｎ５ｅｃすなわち数百ＭＨｚとなる。寸だ、活性層
に注入された電子は矢印Ｂで示すようにオーバーフロー
してＰ−ＩｎＰ 層に注入され半導体レーザの発光効率
を低下させる原因になっている。
ザの構造を示す。ＩｎＧａＡｓＰのＤＨレーザの場合１
はｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＰバッファ一層、３は
ＩｎＧａＡｓＰ１性層、４はｐ形ＩｎＰクラッド層、５
はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ キャップ層、６はｎ形ＩｎＰ埋
込層、７はＳ ｚ０２膜、８はＡ ｕ／Ｚ ｎ電極、９
はＡ ｕ／Ｓ ｎ電極である。第１図（ｂ）は第１図（
ａ）の一点鎖線Ａ−Ａ’に沿ったエネルギーバンド図で
ある。Ｐ−ＩｎＰから活性層に正孔が、ｎ−ＩｎＰから
活性層に電子がそれぞれ注入され、活性層内で注入され
だ正孔と電子とが再結合して発光する。レーザを直接変
調する場合、発光量の変調は電子および正孔の注入量を
変化することによって行なわれる。そこでたとえば電子
および正孔の注入を止めたとすると、それまでに活性層
に注入されていた正孔おｒび電子はある再結合速度に従
って減少し、発光量もこれに従って減少していく。した
がって変調速度はこの再結合速度によって制約され、通
常数ｎ５ｅｃすなわち数百ＭＨｚとなる。寸だ、活性層
に注入された電子は矢印Ｂで示すようにオーバーフロー
してＰ−ＩｎＰ 層に注入され半導体レーザの発光効率
を低下させる原因になっている。
従来の半導体レーザにおいては上述のように、キャリア
の再結合速度が遅いことおよび電子のオーバーフローと
いうような問題点があった。
の再結合速度が遅いことおよび電子のオーバーフローと
いうような問題点があった。
発明の目的
本発明はこのような従来の半導体レーザの問題末
点を解拵するだめになされたものであり、高速変調が可
能で電子のオーバーフローが少ない半導体レーザを提供
することを目的とする。
能で電子のオーバーフローが少ない半導体レーザを提供
することを目的とする。
発明の構成
本発明は第１導電形のエミツタ層、第２導電形のベース
層および第１導電形のコレクタ層よりなるトランジスタ
構造の上記エミツタ層と上記ベース層との間に発光層と
なる活性層を設けた構成を有する半導体発光素子であり
、エミッタ・ベース接合に電流を注入することにより発
光を行ない、ベース・コレクタ接合に逆バイアスを印加
することにより活性層内に蓄積されたキャリアを強制的
に吸い出して変調速度の高速化を図るものである。
層および第１導電形のコレクタ層よりなるトランジスタ
構造の上記エミツタ層と上記ベース層との間に発光層と
なる活性層を設けた構成を有する半導体発光素子であり
、エミッタ・ベース接合に電流を注入することにより発
光を行ない、ベース・コレクタ接合に逆バイアスを印加
することにより活性層内に蓄積されたキャリアを強制的
に吸い出して変調速度の高速化を図るものである。
実施例の説明
以下、本発明を実施例に従って説明する。第２図に本発
明をＢＨレーザに応用した本発明の第１の実施例を示す
。たとえばＩ ｎＧａＡｓ Ｐ のＢＨレーザを例にと
ると、１１はｐ形ＩｎＰ基板、１２はｐ形Ｉｎｐコレク
タ層、１３はｎ形ＩｎＰベース層、１４はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、１５はｐ形ＩｎＰエミッタ層、１６はエミツ
タ層１５にオーミック接触をとるた・めのｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ コアタクト層、１７はｎ形ＩｎＰ埋込層、１８
は埋込層１７にオーミック接触をとるだめのｎ形Ｉ ｎ
ＧａＡｓ Ｐ コンタクト層、１９はエミッタ電極、２
０はベース電極、２１はコレクタ電極である。正孔はエ
ミツタ層１５より、寸だ電子は埋込層１７より（一部は
ベース層１３を通して）活性層１４に注入され、注入さ
れた正孔および電子は活性層１４で再結合して発光する
。活性層１４に圧入されたキャリアの吸い出しをよ、コ
レクタ層１２とベース層１３との接合を逆バイアス活性
層１４、ベース層１３およびコレクタ層１２０間をパン
チスルー状態にすることにより行なう。
明をＢＨレーザに応用した本発明の第１の実施例を示す
。たとえばＩ ｎＧａＡｓ Ｐ のＢＨレーザを例にと
ると、１１はｐ形ＩｎＰ基板、１２はｐ形Ｉｎｐコレク
タ層、１３はｎ形ＩｎＰベース層、１４はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、１５はｐ形ＩｎＰエミッタ層、１６はエミツ
タ層１５にオーミック接触をとるた・めのｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ コアタクト層、１７はｎ形ＩｎＰ埋込層、１８
は埋込層１７にオーミック接触をとるだめのｎ形Ｉ ｎ
ＧａＡｓ Ｐ コンタクト層、１９はエミッタ電極、２
０はベース電極、２１はコレクタ電極である。正孔はエ
ミツタ層１５より、寸だ電子は埋込層１７より（一部は
ベース層１３を通して）活性層１４に注入され、注入さ
れた正孔および電子は活性層１４で再結合して発光する
。活性層１４に圧入されたキャリアの吸い出しをよ、コ
レクタ層１２とベース層１３との接合を逆バイアス活性
層１４、ベース層１３およびコレクタ層１２０間をパン
チスルー状態にすることにより行なう。
第３図に第２図の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿ったエネ。
ルギーバンド図を示す。第３図（ａ）および（ｂ）はコ
レフタ・ベース間の印加電圧がそれぞれ零バイアスおよ
び逆バイアスの時について示す。コレクタ・ベース間が
零バイアスの時は電子および正孔は活性層に閉じ込めら
れているが、コレクタ・ベース間に逆バイアスを印加す
ると第３図（ｂ）のようにパンチスルーが起こり、活性
層１４内の正孔はコレクタに吸い出される。したがって
本発明によれば従来のＢＨレーザで起こっていたような
活性層内でのキャリアの再結合速度による動作速度の制
限は無くなることになり、高速変調が可能となる。
レフタ・ベース間の印加電圧がそれぞれ零バイアスおよ
び逆バイアスの時について示す。コレクタ・ベース間が
零バイアスの時は電子および正孔は活性層に閉じ込めら
れているが、コレクタ・ベース間に逆バイアスを印加す
ると第３図（ｂ）のようにパンチスルーが起こり、活性
層１４内の正孔はコレクタに吸い出される。したがって
本発明によれば従来のＢＨレーザで起こっていたような
活性層内でのキャリアの再結合速度による動作速度の制
限は無くなることになり、高速変調が可能となる。
このようなコレクタによる活性層のキャリアの吸い出し
動作を行なうために必要な各層の不純物密度をここでめ
ておく。ベース層１３の不純物密度をＮＢ 、コレクタ
層１２の不純物密度をＮｃとすると、コレクタ・ベース
間に逆電圧■を印加したときにベース層１３の内部に拡
がる空乏層の幅ｄは次のようになる。
動作を行なうために必要な各層の不純物密度をここでめ
ておく。ベース層１３の不純物密度をＮＢ 、コレクタ
層１２の不純物密度をＮｃとすると、コレクタ・ベース
間に逆電圧■を印加したときにベース層１３の内部に拡
がる空乏層の幅ｄは次のようになる。
ここにεは誘電率、ｖｂｉはビルトイン電圧、ｑは電子
の電荷量である。ここでたとえば ＮＣ＝ＩＸ１０ ｃｎｒ 、 ＮＢ＝５Ｘ１０ ｃｍ
、ε＝１．０６Ｘ１０−１２Ｆ／Ｃｒｎ とするとコレ
クタ・ベース間電圧■＝１ｏｖのときのｄは ｄ＝０．４４μｍ となる。しだがって、この場合ベース層１３の厚さｔを
ｏ、４４μｍ以下にするとｖ＝１ｏ■で活性層１４のキ
ャリアを吸い出すことができる。すなわち、本発明の動
作を行なうためには動作電圧Ｖにおいて ｔ（ｄ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（
２）を満たすように、ベース層１３の厚さｔ、ベース層
１３の不純物密度ＮＢおよびコレクタ層１２の不純物密
度Ｎｃ決めればよいことになる。
の電荷量である。ここでたとえば ＮＣ＝ＩＸ１０ ｃｎｒ 、 ＮＢ＝５Ｘ１０ ｃｍ
、ε＝１．０６Ｘ１０−１２Ｆ／Ｃｒｎ とするとコレ
クタ・ベース間電圧■＝１ｏｖのときのｄは ｄ＝０．４４μｍ となる。しだがって、この場合ベース層１３の厚さｔを
ｏ、４４μｍ以下にするとｖ＝１ｏ■で活性層１４のキ
ャリアを吸い出すことができる。すなわち、本発明の動
作を行なうためには動作電圧Ｖにおいて ｔ（ｄ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（
２）を満たすように、ベース層１３の厚さｔ、ベース層
１３の不純物密度ＮＢおよびコレクタ層１２の不純物密
度Ｎｃ決めればよいことになる。
本発明の第１の実施例（第２図）の場合、従来のＢＨレ
ーザと異なる点は、活性層への電子の注入は基板側から
基板表面に垂直な方向に行なわれていたのに対し、第２
図では埋込層１７から基板表面に平行な方向に注入が行
なれることである。
ーザと異なる点は、活性層への電子の注入は基板側から
基板表面に垂直な方向に行なわれていたのに対し、第２
図では埋込層１７から基板表面に平行な方向に注入が行
なれることである。
したがって動作電圧■を下げるためにベース層１３の不
純物密度ＮＢ を低くしても埋込層１７から活性層１４
へ電子を注入する際の直列抵抗の上昇は少ない。
純物密度ＮＢ を低くしても埋込層１７から活性層１４
へ電子を注入する際の直列抵抗の上昇は少ない。
以上の本発明の第１の実施例の説明ではエミツタ層１５
およびコレクタ層１２がｐ形、ベース層１３がｎ形（ｐ
−ｎ−ｐ）の場合について説明したが、以上の説明でｐ
形とｎ形とをすべて逆にした場合について以下に説明す
る。第４図（ａ）にエミツタ層１５およびコレクタ層１
２がｎ形、ベース層１３がｐ形（ｎ−ｐ−ｎ）の場合の
コレクタ・ベース間逆バイアス時のエネルギーバンド図
ヲ示す。この場合活性層内の電子がコレクタに吸い出さ
れる。ｎ −ｐ −ｎの場合のコレクタ・ベース間順バ
イアス時のエネルギーバンド図を第４図（ｂ）に示す。
およびコレクタ層１２がｐ形、ベース層１３がｎ形（ｐ
−ｎ−ｐ）の場合について説明したが、以上の説明でｐ
形とｎ形とをすべて逆にした場合について以下に説明す
る。第４図（ａ）にエミツタ層１５およびコレクタ層１
２がｎ形、ベース層１３がｐ形（ｎ−ｐ−ｎ）の場合の
コレクタ・ベース間逆バイアス時のエネルギーバンド図
ヲ示す。この場合活性層内の電子がコレクタに吸い出さ
れる。ｎ −ｐ −ｎの場合のコレクタ・ベース間順バ
イアス時のエネルギーバンド図を第４図（ｂ）に示す。
この場合、活性層１４からベース層１３にオーバーフロ
ーした電子は矢印りに示すように活性層１４に押しもど
され従来例で示したような電子のオーバーフローを少な
くすることができる。
ーした電子は矢印りに示すように活性層１４に押しもど
され従来例で示したような電子のオーバーフローを少な
くすることができる。
筑６図に本発明をＢＨレーザに応用した本発明牽溌−Ｈ
Ｌ（Ｄ第２の実施例を示す。たとえば、３１はｐ形Ｉｎ
Ｐ基板、３２はｐ形ＩｎＰ＝＋レクタ層、３３はＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、３４はｎ形ＩｎＰベース層、３５はｐ
形ＩｎＰコレクタ層、３６はｐ形ＩｎＧａＡｓＰ＝＋
７タクト層、３７はｎ形ＩｎＰ埋込層、３８はｎ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ コンタクト層、３９はコレクタ電極、４ｏ
はベース電極、４１はエミッタ電極である。
Ｌ（Ｄ第２の実施例を示す。たとえば、３１はｐ形Ｉｎ
Ｐ基板、３２はｐ形ＩｎＰ＝＋レクタ層、３３はＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、３４はｎ形ＩｎＰベース層、３５はｐ
形ＩｎＰコレクタ層、３６はｐ形ＩｎＧａＡｓＰ＝＋
７タクト層、３７はｎ形ＩｎＰ埋込層、３８はｎ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ コンタクト層、３９はコレクタ電極、４ｏ
はベース電極、４１はエミッタ電極である。
ベース層３４の不純物密度厚さおよびコレクタ層３５の
不純物密度は本発明の第１の実施例と同様の方法で決定
される。このような構造の場合も本発明の第１の実施例
の場合と同様に活性層のキャリアの吸い出し効果および
電子のオーしく一フローの防止かできることはもちろん
である。１／こ第５図の構造の場合第２図の構造に比ベ
ベース・コレクタ接合の接合面積が小さくなる。すなわ
ち、第５図の構造の場合、第２図１に比ベベース・コレ
クタ接合の容量を小さくすることができ、変調速度をよ
り高速化することができる。
不純物密度は本発明の第１の実施例と同様の方法で決定
される。このような構造の場合も本発明の第１の実施例
の場合と同様に活性層のキャリアの吸い出し効果および
電子のオーしく一フローの防止かできることはもちろん
である。１／こ第５図の構造の場合第２図の構造に比ベ
ベース・コレクタ接合の接合面積が小さくなる。すなわ
ち、第５図の構造の場合、第２図１に比ベベース・コレ
クタ接合の容量を小さくすることができ、変調速度をよ
り高速化することができる。
なお、上記本発明の詳細な説明でｐ形とｎ形とを入れか
えてもよいことはもちろんである。まだ、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ のＢＨレーザを例にとって説明したが他の材料を使
ったレーザたとえばＧａＡｓを基板とするＡｌＧａＡｓ
、 ’Ｉ ｎＧａＡｓＰ 、 Ｉ ｎＧａＡｌＰなど
であってもよい。さらに、ＢＨレーザの埋込層のかわり
に拡散層でベース電極の取シ出しを行なった拡散ストラ
イプ形レーザなどにも応用可能である。
えてもよいことはもちろんである。まだ、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ のＢＨレーザを例にとって説明したが他の材料を使
ったレーザたとえばＧａＡｓを基板とするＡｌＧａＡｓ
、 ’Ｉ ｎＧａＡｓＰ 、 Ｉ ｎＧａＡｌＰなど
であってもよい。さらに、ＢＨレーザの埋込層のかわり
に拡散層でベース電極の取シ出しを行なった拡散ストラ
イプ形レーザなどにも応用可能である。
また、上記本発明の詳細な説明では半導体レーザについ
て説明しだが発光ダイオードに応用してもよいことはも
ちろんである。
て説明しだが発光ダイオードに応用してもよいことはも
ちろんである。
発明の詳細
な説明したように、本発明ではレーザにコレクタ層を設
けることにより、活性層のキャリアの吸出しが可能とな
り、レーザの高速変調が可能と々るｏまた、ｎ −ｐ
−ｎ構造をとることにより電子のオーバーフローを防止
することができ発光効率を良くすることができる。また
、ＢＨレーザの埋込層をベースの電極取り出しに使うこ
とにより簡単彦構造で活性層のキャリアの吸い出しを行
なうことができる。このように、本発明により半導体レ
ーザの高速変調が可能になり、半導体レーザの応用範囲
のよシ一層の広が９が可能となる。
けることにより、活性層のキャリアの吸出しが可能とな
り、レーザの高速変調が可能と々るｏまた、ｎ −ｐ
−ｎ構造をとることにより電子のオーバーフローを防止
することができ発光効率を良くすることができる。また
、ＢＨレーザの埋込層をベースの電極取り出しに使うこ
とにより簡単彦構造で活性層のキャリアの吸い出しを行
なうことができる。このように、本発明により半導体レ
ーザの高速変調が可能になり、半導体レーザの応用範囲
のよシ一層の広が９が可能となる。
第１図（−）および（ｂ）は従来のＢＨレーザの構造断
面図およびＡ−Ａ’に沿ったエネルギーバンド図、第２
図は本発明の第１の実施例のＢＨレーザの構造断面図、
第３図（ａ） 、 （ｂ）は第２図のＣ−Ｃ′線に沿っ
た動作を示すエネルギーバンド図、第４図（ａ）。 （ｂ）はｐ−ｎ−ｐおよびｎ−ｐ −ｎ構造の動作を示
す第２図におけるｐとｎを逆にしたＣ−Ｃ’線に沿った
動作を示すエネルギーバンド図、第５図は本発明の第２
の実施例のＢＨレーザの構造断面図である。 １２．３４・・・・・コレクタ層、１３，３４・・・・
・ベース層、１４，３３・・・・・活性層、１５．３２
・・・・・・エミツタ層、１７．３７・・・・埋込層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
因 Ａ Ａノ Ｔ７１ＧｔＬＡｓＦ （シ号跣槽） 第２図
面図およびＡ−Ａ’に沿ったエネルギーバンド図、第２
図は本発明の第１の実施例のＢＨレーザの構造断面図、
第３図（ａ） 、 （ｂ）は第２図のＣ−Ｃ′線に沿っ
た動作を示すエネルギーバンド図、第４図（ａ）。 （ｂ）はｐ−ｎ−ｐおよびｎ−ｐ −ｎ構造の動作を示
す第２図におけるｐとｎを逆にしたＣ−Ｃ’線に沿った
動作を示すエネルギーバンド図、第５図は本発明の第２
の実施例のＢＨレーザの構造断面図である。 １２．３４・・・・・コレクタ層、１３，３４・・・・
・ベース層、１４，３３・・・・・活性層、１５．３２
・・・・・・エミツタ層、１７．３７・・・・埋込層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
因 Ａ Ａノ Ｔ７１ＧｔＬＡｓＦ （シ号跣槽） 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）第１導電形のエミッタ層、第２導電形のベース層お
よび第１導電形のコレクタ層よりなるトランジスタ構造
の上記エミツタ層と上記ベース層との間に発光層となる
活性層を設け、コレクタ・ベース間の動作電圧において
上記ベース層の厚みは上記ベース層内に拡がる空乏層の
幅よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。 に））活性層のバンドギャップがベース層のバンドギャ
ップよりも小さいことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体発光素子。 （３）第１および第２導電形がそれぞれｎ形およびｐ形
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体発光素子。 （４） コレクタとなる第１導電形の半導体基板上に第
２導電形のベース層、このベース層上に選択的に形成さ
れた上記ベース層よりもバンドギャップの小さい活性層
、さらに上記活性層上に選択的に形成された上記活性層
よシもバンドギャップの大きい第１導電形のエミツタ層
および少なくとも上記ベース層に接するように形成され
た第２導電形の埋込層を有することを特徴とする半導体
発光素子。 （６）エミッタとなる第１導電形の半導体基板上に選択
的に形成された上記半導体基板よりもバンドギャップの
小さい活性層、この活性層上に選択的に形成された上記
活性層よシもバンドギャップの大きい第２導電形のベー
ス層、さらに上記ベース上に選択的に形成された第１導
電形のコレクタ層および少なくとも上記ベース層に接す
るように形成された第２導電形の埋込層を有することを
特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59023101A JPS60167390A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59023101A JPS60167390A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167390A true JPS60167390A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12101059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59023101A Pending JPS60167390A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167390A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181486A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hiroshima Univ | 半導体発光装置 |
| US6707074B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and apparatus for driving the same |
| WO2009093177A1 (en) | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Insiava (Pty) Limited | Semiconductor light emitting device utilising punch-through effects |
| JP2012514870A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | ザ ボード オブ トラスティース オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 発光並びにレーザ半導体素子および方法 |
| JP2013510540A (ja) * | 2009-11-09 | 2013-03-21 | クワンタム エレクトロ オプト システムズ エスディーエヌ． ビーエイチディー． | 高速通信 |
| JP2013211355A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Oki Data Corp | ３端子発光素子、３端子発光素子アレイ、プリントヘッドおよび画像形成装置 |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP59023101A patent/JPS60167390A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181486A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hiroshima Univ | 半導体発光装置 |
| JPH0523516B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1993-04-02 | Univ Hiroshima | |
| US6707074B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and apparatus for driving the same |
| WO2009093177A1 (en) | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Insiava (Pty) Limited | Semiconductor light emitting device utilising punch-through effects |
| US8759845B2 (en) | 2008-01-21 | 2014-06-24 | Insiava (Pty) Limited | Semiconductor light emitting device utilising punch-through effects |
| JP2012514870A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | ザ ボード オブ トラスティース オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 発光並びにレーザ半導体素子および方法 |
| JP2013510540A (ja) * | 2009-11-09 | 2013-03-21 | クワンタム エレクトロ オプト システムズ エスディーエヌ． ビーエイチディー． | 高速通信 |
| JP2013211355A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Oki Data Corp | ３端子発光素子、３端子発光素子アレイ、プリントヘッドおよび画像形成装置 |
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