JPS60163909A - 高誘電性高分子材料 - Google Patents
高誘電性高分子材料Info
- Publication number
- JPS60163909A JPS60163909A JP1891084A JP1891084A JPS60163909A JP S60163909 A JPS60163909 A JP S60163909A JP 1891084 A JP1891084 A JP 1891084A JP 1891084 A JP1891084 A JP 1891084A JP S60163909 A JPS60163909 A JP S60163909A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copolymer
- polymeric material
- vinylidene fluoride
- film
- radiation
- Prior art date
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- Granted
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- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高透電性高分子材料に関腰更に詳しくは、改
良された高誘電率を有するフッ化ビニリデン／トリフル
オロ工チレン共重合体フィルムから成る高誘電性高分子
材料に関する。
良された高誘電率を有するフッ化ビニリデン／トリフル
オロ工チレン共重合体フィルムから成る高誘電性高分子
材料に関する。
近年、電子機器の小型化が望まれ、そこに組み込まれる
部品としてのコンデンサーも、小型化の要求が高まって
きた。コンデンサーのＯ量（Ｃ）ｌｉ、Ｃ−ε゛εＯ（
Ｓ／ｄ） ε゛：誘電体の比誘電率 εＯ：真空の比誘電率＝０．０８８５ＰＦ／ｃｍＳ ：
コンデンサーの面積 ｄ ：コンデンサーの厚み で表わされ、この式より明らかに小型大容量のコンデン
サーの開発には、ε゛ とＳを大とくシ、ｄを小さくす
る必要がある。
部品としてのコンデンサーも、小型化の要求が高まって
きた。コンデンサーのＯ量（Ｃ）ｌｉ、Ｃ−ε゛εＯ（
Ｓ／ｄ） ε゛：誘電体の比誘電率 εＯ：真空の比誘電率＝０．０８８５ＰＦ／ｃｍＳ ：
コンデンサーの面積 ｄ ：コンデンサーの厚み で表わされ、この式より明らかに小型大容量のコンデン
サーの開発には、ε゛ とＳを大とくシ、ｄを小さくす
る必要がある。
高分子物質はその加工上の特徴として、大面積、薄膜の
フィルムを容易に得ることがでとるが、一般にε゛は２
〜５と小さい。どうしてもε゛の大トい高分子物質がめ
られるコンデンサーの小型化、高性能化の為には、高い
比誘電率を有する高誘電性高分子材料が必要であり、た
とえば特開昭５２−６９ｏｏｏ号に載されているフッ化
ビニリゾ゛ン（以下、ＶｄＦ という。）とトリフルオ
ロエチレン（以下、ＴｒＦ Ｅ という。）の２元共重
合体は、比誘電率の高い高分子物質としてよく知られて
いるものの一つである。この材料の比誘電率は、それ以
前に高誘電性高分子材料としてよく知られているポリフ
ッ化ビニリデンの１．５〜２．０倍はど天外く、ε’＝
１５（室温、ＩＫＨｚ）が得られている。
フィルムを容易に得ることがでとるが、一般にε゛は２
〜５と小さい。どうしてもε゛の大トい高分子物質がめ
られるコンデンサーの小型化、高性能化の為には、高い
比誘電率を有する高誘電性高分子材料が必要であり、た
とえば特開昭５２−６９ｏｏｏ号に載されているフッ化
ビニリゾ゛ン（以下、ＶｄＦ という。）とトリフルオ
ロエチレン（以下、ＴｒＦ Ｅ という。）の２元共重
合体は、比誘電率の高い高分子物質としてよく知られて
いるものの一つである。この材料の比誘電率は、それ以
前に高誘電性高分子材料としてよく知られているポリフ
ッ化ビニリデンの１．５〜２．０倍はど天外く、ε’＝
１５（室温、ＩＫＨｚ）が得られている。
また高誘電性高分子化合物は、最近注目を集めている面
状発光体のＺｎＳ 粒子の分散剤としても応用可能であ
る。
状発光体のＺｎＳ 粒子の分散剤としても応用可能であ
る。
かかる状況において、本発明者らはＶｄＦ／ＴｒＦＥ共
重合体の誘電性について鋭意研究を行なった結果、この
重合体に放射線照射するとフィルムの比誘電率は３５（
２４℃、ＩＫＨｚ）以上にも達することを見い出し本発
明を完成するに至った。
重合体の誘電性について鋭意研究を行なった結果、この
重合体に放射線照射するとフィルムの比誘電率は３５（
２４℃、ＩＫＨｚ）以上にも達することを見い出し本発
明を完成するに至った。
即ち、本発明の要旨は、フッ化ビニリデン／ト＋７ フ
ルオロエチレン共重合体に放射線を照射して得られる高
誘電性高分子材料およびその製法に存する。
ルオロエチレン共重合体に放射線を照射して得られる高
誘電性高分子材料およびその製法に存する。
本発明で用いるＶｄＦ／ＴｒＦＥ共重合体は、１０〜８
０モル％、好ましくは４０〜８０モル％のＶｄＦ を含
有する。更にＶｄＦ／ＴｒＰＥ共重合体ハ、ヘキサフル
オロプロピレン（ＨＦＰ）、クロロトリフルオロエチレ
ン（ＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、
７フ化ビニル等を第３、第４成分として少量共重合させ
た多元共重合体をも含む。共重合体の合成法については
、特開昭５２−６９０００号および特開昭５８−１１２
３２９号に詳しく記載されている。
０モル％、好ましくは４０〜８０モル％のＶｄＦ を含
有する。更にＶｄＦ／ＴｒＰＥ共重合体ハ、ヘキサフル
オロプロピレン（ＨＦＰ）、クロロトリフルオロエチレ
ン（ＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、
７フ化ビニル等を第３、第４成分として少量共重合させ
た多元共重合体をも含む。共重合体の合成法については
、特開昭５２−６９０００号および特開昭５８−１１２
３２９号に詳しく記載されている。
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の溶剤を用いるキャス
ティング法、ホットプレス法またはフィルム押出法によ
って、ＶｄＦ／ＴｒＦＥ共重合体のフィルムを得ること
ができる。
ティング法、ホットプレス法またはフィルム押出法によ
って、ＶｄＦ／ＴｒＦＥ共重合体のフィルムを得ること
ができる。
このＶｄＦ／ＴｒＦＥ共重合体フィルムに放射線、好ま
しくは電子線、γ線を照射する。特に電子線は、特定温
度で高線量の照射を短時間に達成でき３− るのでより好ましい。放射線量は線種によって異なるが
、一般に２０〜３００Ｍラドである。照射時、共重合体
フィルムをキュリ一温度以−にに保つことが望ましい。
しくは電子線、γ線を照射する。特に電子線は、特定温
度で高線量の照射を短時間に達成でき３− るのでより好ましい。放射線量は線種によって異なるが
、一般に２０〜３００Ｍラドである。照射時、共重合体
フィルムをキュリ一温度以−にに保つことが望ましい。
こうして、従来のＶｃｌＦ／ＴｒＦＥ共重合体フィルム
よりさらに高い誘電率を有するフィルムが得られる。
よりさらに高い誘電率を有するフィルムが得られる。
本発明の高誘電性高分子材料からコンデンサーを作るに
は、共重合体フィルム表面に金属、たとえばアルミニウ
ム、銀、ニッケルなどを厚さ０゜０５〜２μｍで蒸着し
て電極とすればよい。また、金属蒸着膜の代りに金属箔
を積層して電極としてもよい。
は、共重合体フィルム表面に金属、たとえばアルミニウ
ム、銀、ニッケルなどを厚さ０゜０５〜２μｍで蒸着し
て電極とすればよい。また、金属蒸着膜の代りに金属箔
を積層して電極としてもよい。
次に実施例および比較例を示し、本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例１〜２および比較例Ｉ
ＶｄＦ６５モル％のＶｄＦ／ＴｒＦＥ共重合体（キュリ
一点： １０２°Ｃ）を、２００℃に加熱したフィルム
押出機によって厚さ３０〜３５μｍに成膜し、第１表に
示す温度および線量で電子線照射した。
一点： １０２°Ｃ）を、２００℃に加熱したフィルム
押出機によって厚さ３０〜３５μｍに成膜し、第１表に
示す温度および線量で電子線照射した。
４−
（実施例１および２）
次に、このフィルムの両面にアルミニウムを真空蒸着し
て電極を形成し、Ｙｏｋｏｇａｕ＋ａ −Ｈｅｕ＋ｌｅ
ｔ、ｔ−Ｐａｃｋａｒｄ社製の４２７４． Ａ ＭＵＬ
ＴＩ−ＦＲＥＱＵＩＥＮＣＹ ＬＣＲｍｅＬｅｒで、コ
ンデンサー容量を測定し、比誘電率を得た。
て電極を形成し、Ｙｏｋｏｇａｕ＋ａ −Ｈｅｕ＋ｌｅ
ｔ、ｔ−Ｐａｃｋａｒｄ社製の４２７４． Ａ ＭＵＬ
ＴＩ−ＦＲＥＱＵＩＥＮＣＹ ＬＣＲｍｅＬｅｒで、コ
ンデンサー容量を測定し、比誘電率を得た。
また、比較例１として、電子線照射していない以外は同
じフィルムフィルムを用い、比誘電率を測定した。
じフィルムフィルムを用い、比誘電率を測定した。
結果を第１表に示す。
実施例３および比較例２
＼７ｄＦ５２モル％のＶｄＦ／ＴｒＦＥ共重合体（キュ
リ一点： ７０°Ｃ）を、２６０℃に加熱したフィルム
押出機によって厚さ３０〜３５μｍに成膜し、第２表に
示す温度および線量で電子線照射し、実施例１と同方法
で比誘電率を測定した（実施例２）。
リ一点： ７０°Ｃ）を、２６０℃に加熱したフィルム
押出機によって厚さ３０〜３５μｍに成膜し、第２表に
示す温度および線量で電子線照射し、実施例１と同方法
で比誘電率を測定した（実施例２）。
また比較例２として、電子線照射していない以外は同じ
フィルムを用い、比誘電率を測定した。
フィルムを用い、比誘電率を測定した。
結果を第２表に示す。
第２表
特許出願人 ダイキン工業株式会社
代 理 人 弁理士 青白 葆 （外２名）７−６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．７フ化ビニリデン／トリフルオロ工チレン共重合体
に高エネルギー放射線を照射して得られる高誘電性高分
子材料。 ２．７フ化ビニリデン１０〜８０モル％、好ましくは４
０〜８０モル％を含むフッ化ビニリデン／トリフルオロ
エチレン共重合体に、この共重合体のキュリ一点以上で
、高エネルギー放射線を照射して得られる特許請求の範
囲第１項に記載の高誘電性高分子材料。 ３、放射線は電子線またはγ線である特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の高誘電性高分子材料。 ４．７フ化ヒニリデン／トリフルオロ工チレン共重合体
に高エネルギー放射線を照射することより成ることを特
徴とする高誘電性高分子材料の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891084A JPS60163909A (ja) | 1984-02-04 | 1984-02-04 | 高誘電性高分子材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891084A JPS60163909A (ja) | 1984-02-04 | 1984-02-04 | 高誘電性高分子材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163909A true JPS60163909A (ja) | 1985-08-26 |
| JPH0126602B2 JPH0126602B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=11984756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1891084A Granted JPS60163909A (ja) | 1984-02-04 | 1984-02-04 | 高誘電性高分子材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163909A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5053443A (ja) * | 1973-09-12 | 1975-05-12 | ||
| JPS5269000A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-08 | Daikin Ind Ltd | Highhmolecular dielectric material |
| JPS55126905A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Nippon Telegraph & Telephone | High molecular ferrodielectric material |
-
1984
- 1984-02-04 JP JP1891084A patent/JPS60163909A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5053443A (ja) * | 1973-09-12 | 1975-05-12 | ||
| JPS5269000A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-08 | Daikin Ind Ltd | Highhmolecular dielectric material |
| JPS55126905A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Nippon Telegraph & Telephone | High molecular ferrodielectric material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0126602B2 (ja) | 1989-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |