JPS60150548A - 電子線回折方法 - Google Patents
電子線回折方法Info
- Publication number
- JPS60150548A JPS60150548A JP599484A JP599484A JPS60150548A JP S60150548 A JPS60150548 A JP S60150548A JP 599484 A JP599484 A JP 599484A JP 599484 A JP599484 A JP 599484A JP S60150548 A JPS60150548 A JP S60150548A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- diffraction
- inclination angle
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/2955—Electron or ion diffraction tubes using scanning ray
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
本発明は、試料に実質的に中空円錐状な電子線を照射し
て、試料の電子線回折像を観察する方法に関づる。
て、試料の電子線回折像を観察する方法に関づる。
［従来技術］
Ｘ線回折を利用すれば、試料の対称性に関する情報を（
ｑることができ、試料の空間群の決定を行なうことがで
きるが、Ｘ線回折により分析をＪるには、試料としてか
なり大きな単結晶を必要とする。これに対して、集束電
子線回折を利用づれば、試料が極めて小さい場合にも回
折像を得ることができるため、集束電子線回折法はｒｌ
ｌ細試利試料間群の決定に利用されるようになった。以
下、電子線回折と、従来の欠点について説明する。
ｑることができ、試料の空間群の決定を行なうことがで
きるが、Ｘ線回折により分析をＪるには、試料としてか
なり大きな単結晶を必要とする。これに対して、集束電
子線回折を利用づれば、試料が極めて小さい場合にも回
折像を得ることができるため、集束電子線回折法はｒｌ
ｌ細試利試料間群の決定に利用されるようになった。以
下、電子線回折と、従来の欠点について説明する。
一般に結晶に電子線を照射すると試料を透過した電子に
基づく回折パターンと反射電子に基づく回折パターンが
各々試料の下方及び上方に形成されるが、良く知られて
いるようにその回折条件が以下のブラッグの条件に合致
した場合のみ強く回折が起る。
基づく回折パターンと反射電子に基づく回折パターンが
各々試料の下方及び上方に形成されるが、良く知られて
いるようにその回折条件が以下のブラッグの条件に合致
した場合のみ強く回折が起る。
２ ｄ ｓｉｎθ＝ｎλ
但し、上式でｄは結晶の格子面間隔、λは入射電子線の
波長、ｎは整数を表わしている。このような関係を■バ
ルト（［ｗａｌｄ）によって考案された作図法を利用し
た第１図を用いて、逆格子空間にＪ３いて説明づる。第
１図において、Ａは結晶の晶帯軸、Ｂは入射電子線、Ｃ
はエバルト球を表わしており、エバルト球の半径は１／
λである。規則的に配列された点は逆格子点を表わして
おり、し０、Ｌｌ、Ｌ２は各々０次、１次、２次の逆番
仔点の層を表わしており、これら逆格子点の層ＬＯ。
波長、ｎは整数を表わしている。このような関係を■バ
ルト（［ｗａｌｄ）によって考案された作図法を利用し
た第１図を用いて、逆格子空間にＪ３いて説明づる。第
１図において、Ａは結晶の晶帯軸、Ｂは入射電子線、Ｃ
はエバルト球を表わしており、エバルト球の半径は１／
λである。規則的に配列された点は逆格子点を表わして
おり、し０、Ｌｌ、Ｌ２は各々０次、１次、２次の逆番
仔点の層を表わしており、これら逆格子点の層ＬＯ。
Ｌｌ、Ｌ２は、各々、０次、１次、２次のラウェゾーン
Ｓｏ 、８１ 、Ｓ２に対応している。又、逆格子点が
エバルト球Ｃに近い程、前記回折条件を満１度合が大き
い。従って、電子線が晶帯軸Ａに一致した方向から試料
に入射した場合、０次の前記層ＬＯがエバルト球Ｃに接
しているため、結像レンズ系の後段に配置された表示ス
クリーン上には第２図に承りような回折パターンが投影
される。
Ｓｏ 、８１ 、Ｓ２に対応している。又、逆格子点が
エバルト球Ｃに近い程、前記回折条件を満１度合が大き
い。従って、電子線が晶帯軸Ａに一致した方向から試料
に入射した場合、０次の前記層ＬＯがエバルト球Ｃに接
しているため、結像レンズ系の後段に配置された表示ス
クリーン上には第２図に承りような回折パターンが投影
される。
この第２図において、ＳＯは入射電子線ＩＢの回りに形
成された０次のラウェゾーンであり、このラウェゾーン
ＳＯ内には０次の回折ディスクＤＯを観察づることがで
きる。第１図から明らかなように、エバル１〜球Ｃは高
次（１次以上）の逆格子点の層から離れているため、１
次のラウェゾーンの回折パターンＳ１は回折リングＲと
して不明瞭に観察できるだけであり、他の高次のラウェ
ゾーンの回折パターンも殆ど観察することはできない。
成された０次のラウェゾーンであり、このラウェゾーン
ＳＯ内には０次の回折ディスクＤＯを観察づることがで
きる。第１図から明らかなように、エバル１〜球Ｃは高
次（１次以上）の逆格子点の層から離れているため、１
次のラウェゾーンの回折パターンＳ１は回折リングＲと
して不明瞭に観察できるだけであり、他の高次のラウェ
ゾーンの回折パターンも殆ど観察することはできない。
そのため試料の３次元的な対称性を把握づることはでき
ない。そこで、回折ディスクの代りに高次の擬菊池線パ
ターンの対称性を調べることにより、試料の３次元情報
を得ることが考えられた。高次の擬菊池線は一般に包絡
線として回折リングを形成し、又、晶帯軸Ａを中心とす
る回折ディスク内にも現われる。そのうち、回折リング
を形成する擬菊池線は、重なり合ってしまうと共に、極
めて狭い領域内に現われるだけであるため、対称性に関
づ゛る情報を得ることはできない。そこで、晶帯軸Ａを
中心とする回折ディスク内に現われる擬菊池線パターン
の対称性を観察づ−ることか行なわれていたが、第１に
回折ディスク内には、試料の厚さと形状に関係した種々
の模様が入り、この模様が擬菊池線のパターンを識別す
る際に邪魔になるため、第２に擬菊池線がネガのコント
ラストで表示されるため、擬菊池線のパターンの対称性
の観察は非常に困難であった。
ない。そこで、回折ディスクの代りに高次の擬菊池線パ
ターンの対称性を調べることにより、試料の３次元情報
を得ることが考えられた。高次の擬菊池線は一般に包絡
線として回折リングを形成し、又、晶帯軸Ａを中心とす
る回折ディスク内にも現われる。そのうち、回折リング
を形成する擬菊池線は、重なり合ってしまうと共に、極
めて狭い領域内に現われるだけであるため、対称性に関
づ゛る情報を得ることはできない。そこで、晶帯軸Ａを
中心とする回折ディスク内に現われる擬菊池線パターン
の対称性を観察づ−ることか行なわれていたが、第１に
回折ディスク内には、試料の厚さと形状に関係した種々
の模様が入り、この模様が擬菊池線のパターンを識別す
る際に邪魔になるため、第２に擬菊池線がネガのコント
ラストで表示されるため、擬菊池線のパターンの対称性
の観察は非常に困難であった。
［発明の目的］
本発明はこのような従来の欠点を解決して、擬菊池線パ
ターンの対称性の観察を容易に行なうどとのできる電子
線回折方法を提供づること−を、目的としている。
ターンの対称性の観察を容易に行なうどとのできる電子
線回折方法を提供づること−を、目的としている。
［発明の構成］
本発明は試料に実質的に中空円錐状な電子線を照射し、
その結果試料によって回折された電子線のパターンを結
像レンズ系により表示スクリーン上に投影して試料の回
折像を観察する方法において、試料に比較的小さな傾斜
角で電子線又は該中空円錐状の電子線を照射して表示ス
クリーン上に高次のラウェゾーンリングを含む回折像を
投影し、該回折像を観察しながら該電子線又は該中空円
錐状の電子線の試料に対づる傾斜角を増加させて入射電
子線の照射位置が該ラウェゾーンリング上に位置するよ
うにした状態で該中空円錐状の電子線を試料に照射し、
該表示スクリーン上に投影された像を観察づるようにし
たことを特徴としている。
その結果試料によって回折された電子線のパターンを結
像レンズ系により表示スクリーン上に投影して試料の回
折像を観察する方法において、試料に比較的小さな傾斜
角で電子線又は該中空円錐状の電子線を照射して表示ス
クリーン上に高次のラウェゾーンリングを含む回折像を
投影し、該回折像を観察しながら該電子線又は該中空円
錐状の電子線の試料に対づる傾斜角を増加させて入射電
子線の照射位置が該ラウェゾーンリング上に位置するよ
うにした状態で該中空円錐状の電子線を試料に照射し、
該表示スクリーン上に投影された像を観察づるようにし
たことを特徴としている。
［実施例］
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
第３図は本発明を実施するための装置の一例を示すため
のもので、図中１は図示外の電子銃より発生した電子線
であり、この電子線は集束レンズ２により集束される。
のもので、図中１は図示外の電子銃より発生した電子線
であり、この電子線は集束レンズ２により集束される。
２ａは集束レンズアパーチャである。集束レンズ２の後
段には、二段の偏向コイル３ａ、３ｂが配置されている
。これら偏向コイル３ａ、３ｂの各々はＸｈ方向向用及
びＹ方向偏向用の一対のコイルより成っている。４はこ
れらＸ方向及びＹ方向偏向用のコイルに出力覆るための
２種の出力信号 を発生する走査回転回路であり、この走査回転回路４よ
りの出力信号の係数α及び位相βの値は任意に調整でき
るようになっていると共に、位相βの値は時間ｔの関数 β＝ωｔ ・旧・・（２） （但しωは定数）で変化させ得るようになっている。こ
の走査回転回路４の出力信号は平衡回路５を介してこれ
ら二段の偏向コイル３ａ、３ｂに供給されるが、こσ９
平衡回路５は走査回転回路４より発生ずる前記偏向信号
の両偏向コイル３ａ、３ｂへの供給比を調節するための
ものである。偏向コイル３ａ、３ｂの後段には試料６が
配置されており、この試料６によって回折された電子線
は試料より後段に配置された対物レンズ７によって結像
され、更に図示外の投影レンズによって蛍光板８上に投
影される。尚、７ａは対物レンズ絞りである。９は蛍光
板８上の特定の位置を示す目印となる影を投影Ｊるため
のビームストッパーであり、このビームストッパー９は
１字状のアーム１０に取り付【プられでいる。このアー
ム１０は矢印にの方向に移動でき、且つ矢印Ｇのように
傾斜できるようになっており、これによりビームストッ
パー９の影を蛍光板８上の任意の位置に移動できるよう
になっている。
段には、二段の偏向コイル３ａ、３ｂが配置されている
。これら偏向コイル３ａ、３ｂの各々はＸｈ方向向用及
びＹ方向偏向用の一対のコイルより成っている。４はこ
れらＸ方向及びＹ方向偏向用のコイルに出力覆るための
２種の出力信号 を発生する走査回転回路であり、この走査回転回路４よ
りの出力信号の係数α及び位相βの値は任意に調整でき
るようになっていると共に、位相βの値は時間ｔの関数 β＝ωｔ ・旧・・（２） （但しωは定数）で変化させ得るようになっている。こ
の走査回転回路４の出力信号は平衡回路５を介してこれ
ら二段の偏向コイル３ａ、３ｂに供給されるが、こσ９
平衡回路５は走査回転回路４より発生ずる前記偏向信号
の両偏向コイル３ａ、３ｂへの供給比を調節するための
ものである。偏向コイル３ａ、３ｂの後段には試料６が
配置されており、この試料６によって回折された電子線
は試料より後段に配置された対物レンズ７によって結像
され、更に図示外の投影レンズによって蛍光板８上に投
影される。尚、７ａは対物レンズ絞りである。９は蛍光
板８上の特定の位置を示す目印となる影を投影Ｊるため
のビームストッパーであり、このビームストッパー９は
１字状のアーム１０に取り付【プられでいる。このアー
ム１０は矢印にの方向に移動でき、且つ矢印Ｇのように
傾斜できるようになっており、これによりビームストッ
パー９の影を蛍光板８上の任意の位置に移動できるよう
になっている。
まず走査回転回路４より偏向コイル３ｃ’、３ｂに供給
する信号のβを例えば０°にする。その結果、走査回転
回路４の出力信号は Ｘ−α、 Ｙ＝０ になる。そこで、αをＯに設定すれば、電子１１は直進
し、蛍光板８上には、第２図に示した如き試料の回折像
が得られる。そこで、この像を観察しながら、前記アー
ム１０を矢印Ｋに沿ったＸ方向に移動させ、ストッパー
９の影が１次のうろエゾーンリングＲの上に位置するよ
うにする。しかる後、走査回転回路４より出力される信
号の前記αを徐々に増加させる。その結果、電子線１は
偏向コイル３ａでＸ方向に偏向され、偏向コイル３ｂで
Ｘ方向に振り戻されて、試料６に入射する電子線の傾斜
角θが徐々に増大する。そこで、このような傾斜角θの
増大により、第４図に示づように蛍光板８上において、
入射電子線１が蛍光板８上のビームストッパー９の影イ
と一致覆るようにする。この時の傾斜角θ０は試料が面
心立方格子の場合には、以下の式で与えられる値となっ
てい但し上式において、λは電子線の波長であり、Ｋ＝
１／λ、ａＯは単位セルの格子定数、ｕ、ｖ。
する信号のβを例えば０°にする。その結果、走査回転
回路４の出力信号は Ｘ−α、 Ｙ＝０ になる。そこで、αをＯに設定すれば、電子１１は直進
し、蛍光板８上には、第２図に示した如き試料の回折像
が得られる。そこで、この像を観察しながら、前記アー
ム１０を矢印Ｋに沿ったＸ方向に移動させ、ストッパー
９の影が１次のうろエゾーンリングＲの上に位置するよ
うにする。しかる後、走査回転回路４より出力される信
号の前記αを徐々に増加させる。その結果、電子線１は
偏向コイル３ａでＸ方向に偏向され、偏向コイル３ｂで
Ｘ方向に振り戻されて、試料６に入射する電子線の傾斜
角θが徐々に増大する。そこで、このような傾斜角θの
増大により、第４図に示づように蛍光板８上において、
入射電子線１が蛍光板８上のビームストッパー９の影イ
と一致覆るようにする。この時の傾斜角θ０は試料が面
心立方格子の場合には、以下の式で与えられる値となっ
てい但し上式において、λは電子線の波長であり、Ｋ＝
１／λ、ａＯは単位セルの格子定数、ｕ、ｖ。
Ｗは結晶の晶帯軸の方向を表わすミラー指数であり、ｐ
はＵ＋Ｖ＋Ｗが奇数なら１．偶数なら２である。又、第
４図において、点線ｓｏ 、ｓｉで示したものは各々０
次、１次のラウェゾーンを表わしているが、点線はこれ
らの位置を示すために書き加えたもので、実際には現わ
れない。そこで、次に走査回転回路４の出力信号のαを
この大きさに保持した状態で、βを（２）式で表わされ
るように時間的に変化させる。その結果、電子線１は試
料６に入射、する際の傾斜角θを固定した状態で傾斜方
位を表わす方位角φを回転させ、試料６には、実質的に
中空円錐状の電子線が照射される。
はＵ＋Ｖ＋Ｗが奇数なら１．偶数なら２である。又、第
４図において、点線ｓｏ 、ｓｉで示したものは各々０
次、１次のラウェゾーンを表わしているが、点線はこれ
らの位置を示すために書き加えたもので、実際には現わ
れない。そこで、次に走査回転回路４の出力信号のαを
この大きさに保持した状態で、βを（２）式で表わされ
るように時間的に変化させる。その結果、電子線１は試
料６に入射、する際の傾斜角θを固定した状態で傾斜方
位を表わす方位角φを回転させ、試料６には、実質的に
中空円錐状の電子線が照射される。
そのため、蛍光板８上に投影される回折像は第５図に示
づようになり、０次の回折ディスクは晶帯軸Ａを中心と
して重なり合うようになるため、各回折ディスク内の模
様も重なり合って平均化されて目だたなくなり、一方擬
菊池線は強め合っ・て晶帯軸を中心とする０次の回折デ
ィスクの中央に明瞭に出現づる。この第５図で白いリン
グは１次のラウェゾーン上にある入射電子線の軌跡を示
している。更に第１図から解るように、電子線１が晶帯
軸Ａに入射する場合は、高次のラウェゾーンの反射は逆
格子ベクトルｈｋｌで表わせるが、中空円錐状電子線の
場合は−ｈｋｌで表わされ、極性が逆になるため、擬菊
池線のコントラストは従来のネガからポジになり、この
ことによっても、より観察し易いものとなる。従って、
蛍光板８上に投影された回折像から擬菊池線のパターン
の対称性を調べ、これにより容易に結晶の３次元的な対
称性を把握することができる。
づようになり、０次の回折ディスクは晶帯軸Ａを中心と
して重なり合うようになるため、各回折ディスク内の模
様も重なり合って平均化されて目だたなくなり、一方擬
菊池線は強め合っ・て晶帯軸を中心とする０次の回折デ
ィスクの中央に明瞭に出現づる。この第５図で白いリン
グは１次のラウェゾーン上にある入射電子線の軌跡を示
している。更に第１図から解るように、電子線１が晶帯
軸Ａに入射する場合は、高次のラウェゾーンの反射は逆
格子ベクトルｈｋｌで表わせるが、中空円錐状電子線の
場合は−ｈｋｌで表わされ、極性が逆になるため、擬菊
池線のコントラストは従来のネガからポジになり、この
ことによっても、より観察し易いものとなる。従って、
蛍光板８上に投影された回折像から擬菊池線のパターン
の対称性を調べ、これにより容易に結晶の３次元的な対
称性を把握することができる。
尚、上述した実施例においては、傾斜角θを入射電子線
が１次のラウェゾーンリングに一致するようなものにし
たが、傾斜角θを２次のラウェゾーンリングに一致する
ようにすれば、０次の回折ディスク中に２次の擬菊池線
パターンを観察することができる。
が１次のラウェゾーンリングに一致するようなものにし
たが、傾斜角θを２次のラウェゾーンリングに一致する
ようにすれば、０次の回折ディスク中に２次の擬菊池線
パターンを観察することができる。
又、上述した実施例においては、電子線１の方位角φを
回転させる前に、ビームストッパーの影を目印として傾
斜角θを必要な角度に設定したが、方位角φを回転させ
た状態において、傾斜角θを必要な角度に設定するよう
にしても良い。
回転させる前に、ビームストッパーの影を目印として傾
斜角θを必要な角度に設定したが、方位角φを回転させ
た状態において、傾斜角θを必要な角度に設定するよう
にしても良い。
第６図は本発明を実施するだめの他の装置を示゛づため
のもので、この図においては、第３図に示した構成と同
一の構成に対しては同一番号を付している。この実施例
の装置においては、第３図に示した装置と異なり、集束
レンズ２によって集束された電子線１をドーナツ状のア
パーチャ１１を通過させることにより、中空円錐状の電
子線を得、これを試料６に照射するようにしている。こ
の装置を用いた場合には、試料６に入用する電子線の傾
斜角θを変化させるには、試料６の位置を光軸に沿って
上下に移動させると共に、対物レンズ７の前方磁界レン
ズの強度を調節づ−れば良い。
のもので、この図においては、第３図に示した構成と同
一の構成に対しては同一番号を付している。この実施例
の装置においては、第３図に示した装置と異なり、集束
レンズ２によって集束された電子線１をドーナツ状のア
パーチャ１１を通過させることにより、中空円錐状の電
子線を得、これを試料６に照射するようにしている。こ
の装置を用いた場合には、試料６に入用する電子線の傾
斜角θを変化させるには、試料６の位置を光軸に沿って
上下に移動させると共に、対物レンズ７の前方磁界レン
ズの強度を調節づ−れば良い。
［効果］
上述したように、本発明によれば、任意の次数の擬菊池
線パターンを０次の回折ディスク中に明瞭に観察するこ
とができるため、この擬菊池線の対称性を調べることに
より、結晶の３次元的な対称性を把握することができる
。
線パターンを０次の回折ディスク中に明瞭に観察するこ
とができるため、この擬菊池線の対称性を調べることに
より、結晶の３次元的な対称性を把握することができる
。
第１図は電子線回折現象をエバルｌ−球を用いて説明す
るための図、第２図は、従来の電子線回折において得ら
れた回折像を説明するだめの図、第３図は本発明を実施
するための装置の一例を示すための図、第４図は試料に
入射する電子線の傾斜角の設定作業を説明するだめの図
、第５図は本発明により観察された回折像を例示するだ
めの写真、第６図は本発明を実施するための他の装置を
例示するだめの図である。 １：電子線、２：集束レンズ、２ａ：絞り、３ａ、３ｂ
：偏向コイル、４：走査回転回路、５：平衡回路、６：
試料、７：対物レンズ、８：蛍光板、９：ビームストッ
パー、１０：アーム、１１：ドーナツ状アパーチャ。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫 第１図 第２図 ／ （ｋ（ｊｓｔ） 第４図 第５図 手続補正用（方式） １．事件の表示 昭和５９年特許願第５９９４号 ２、発明の名称 電子線回折方法 ３、補正をづる者 事例どの関係 特許出願人 住所 東京都昭島市中神町１４１８番地（Ｔ Ｅ Ｌ
０４２５ （４３） １１６５）昭和５９年４月２４日 ６、補正の内容 （１）明細書の第１３頁第１行目を以下の通り補正づる
。 ［により得られた電子線回折像を示す写真、」以上
るための図、第２図は、従来の電子線回折において得ら
れた回折像を説明するだめの図、第３図は本発明を実施
するための装置の一例を示すための図、第４図は試料に
入射する電子線の傾斜角の設定作業を説明するだめの図
、第５図は本発明により観察された回折像を例示するだ
めの写真、第６図は本発明を実施するための他の装置を
例示するだめの図である。 １：電子線、２：集束レンズ、２ａ：絞り、３ａ、３ｂ
：偏向コイル、４：走査回転回路、５：平衡回路、６：
試料、７：対物レンズ、８：蛍光板、９：ビームストッ
パー、１０：アーム、１１：ドーナツ状アパーチャ。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫 第１図 第２図 ／ （ｋ（ｊｓｔ） 第４図 第５図 手続補正用（方式） １．事件の表示 昭和５９年特許願第５９９４号 ２、発明の名称 電子線回折方法 ３、補正をづる者 事例どの関係 特許出願人 住所 東京都昭島市中神町１４１８番地（Ｔ Ｅ Ｌ
０４２５ （４３） １１６５）昭和５９年４月２４日 ６、補正の内容 （１）明細書の第１３頁第１行目を以下の通り補正づる
。 ［により得られた電子線回折像を示す写真、」以上
Claims (3)
- （１）試料に実質的に中空円錐状な電子線を照射し、そ
の結果試料によって回折された電子線のパターンを結像
レンズ系により表示スクリーン上に投影して試料の回折
像を観察覆る方法において、試料に比軸的小さな傾斜角
で電子線又は該中空円錐状の電子線を照射して表示スク
リーン上に高次のラウェゾーンリングを含む回折像を投
影し、該回折像を観察しながら該電子線又は該中空円錐
状の電子線の試料に対する傾斜角を増加させて入射電子
線の照射位置が該ラウェゾーンリング上に位置づるよう
にした状態で該中空円錐状の電子線を試料に照則し、該
表示スクリーン上に投影された像を観察づ゛るようにし
たことを特徴とする電−子線回折方法。 - （２）該実質的に中空円錐状な電子線は電子線の試料に
対する傾斜角を固定した状態で試料に対する方位角を回
転させることにより形成される特許請求の範囲第（１）
項記載の電子線回折方法。 - （３）該実質的に中空円錐状な電子線はドーナツ状のア
パーチャを通過した電子線を集束させることにより形成
される特許請求の範囲第（１）項記載の電子線回折方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP599484A JPS60150548A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 電子線回折方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP599484A JPS60150548A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 電子線回折方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150548A true JPS60150548A (ja) | 1985-08-08 |
| JPH027504B2 JPH027504B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=11626336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP599484A Granted JPS60150548A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 電子線回折方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150548A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206335A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡 |
| JP2006054074A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビームカラム |
| JP2009002748A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Fujitsu Ltd | 試料評価装置及び試料評価方法 |
| JP2010212067A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡の自動試料傾斜装置 |
| JPWO2020217456A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP599484A patent/JPS60150548A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206335A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡 |
| JP2006054074A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビームカラム |
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| JPWO2020217456A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | ||
| WO2020217456A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 株式会社日立ハイテク | 透過電子顕微鏡および透過電子顕微鏡を用いた検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027504B2 (ja) | 1990-02-19 |
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