JPS60149771A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60149771A JPS60149771A JP516684A JP516684A JPS60149771A JP S60149771 A JPS60149771 A JP S60149771A JP 516684 A JP516684 A JP 516684A JP 516684 A JP516684 A JP 516684A JP S60149771 A JPS60149771 A JP S60149771A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- gas
- gaseous
- plating
- raw material
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、反応炉内に原料ガス（揮発性金属化合物）を
導き、反応炉内において高温に加熱しためつき母材（以
下、母材という）に目的とする金属や金属化合物（以下
、これらを気相反応物という）を析出させるＣＶＤ装置
に関するものである。
導き、反応炉内において高温に加熱しためつき母材（以
下、母材という）に目的とする金属や金属化合物（以下
、これらを気相反応物という）を析出させるＣＶＤ装置
に関するものである。
［発明の背景〕
第１図に示されるように、先端部が半球状に閉塞された
円筒体２をめっき母材としてその外周表面および内周表
面にそれぞれ薄膜４．６をＣＶＤめっきしたい場合があ
る。
円筒体２をめっき母材としてその外周表面および内周表
面にそれぞれ薄膜４．６をＣＶＤめっきしたい場合があ
る。
しかし、従来のＣＶＤ装置の反応炉は、一方向に開口す
るガス導入口から原料ガスを導き、他方向に開口するガ
ス導出口から未反応原料ガスを反応炉外へ排出する構造
であるため、めつき母材が前記したような先端部の閉塞
された同筒体のごとき深い凹みを有するものであって母
材内外周表面にそれぞれ異なる気相反応物をＣＶＤめっ
きする場合には、まず母材の内周表面または外周表面の
いずれか一方にＣＶＤめつきを施した後、別の反応炉に
移して残りの部分［ＣＶ、Ｄめつきを施す必要があり、
ＣｖＤめっき作業が非常に煩雑となっていた。
るガス導入口から原料ガスを導き、他方向に開口するガ
ス導出口から未反応原料ガスを反応炉外へ排出する構造
であるため、めつき母材が前記したような先端部の閉塞
された同筒体のごとき深い凹みを有するものであって母
材内外周表面にそれぞれ異なる気相反応物をＣＶＤめっ
きする場合には、まず母材の内周表面または外周表面の
いずれか一方にＣＶＤめつきを施した後、別の反応炉に
移して残りの部分［ＣＶ、Ｄめつきを施す必要があり、
ＣｖＤめっき作業が非常に煩雑となっていた。
まだ、ＣｖＤめっき処理は母相を高温に加熱して行うが
、第１のめつき処理の施された母材を別の反応炉に移し
替える作業を行うにはある程度母材および反応炉が冷え
るまで待たねばならず、さらに、別の反応炉に移した後
、母材を再び加熱しなければならず、この加熱にも時間
をとられ、実質的めっき処理工程そのものが長時間かか
る上に、これらの補助的作業にかなりの時間を費し、Ｃ
ｖＤめっき工程が一層長時間となる一因となっていた。
、第１のめつき処理の施された母材を別の反応炉に移し
替える作業を行うにはある程度母材および反応炉が冷え
るまで待たねばならず、さらに、別の反応炉に移した後
、母材を再び加熱しなければならず、この加熱にも時間
をとられ、実質的めっき処理工程そのものが長時間かか
る上に、これらの補助的作業にかなりの時間を費し、Ｃ
ｖＤめっき工程が一層長時間となる一因となっていた。
本発明は前記従来技術の欠点に鑑みなされたもので、そ
の目的は、深い凹みを有する形状のめつき母材にして母
材外周表面および凹み内周表面にそれぞれ異なるめっき
を施すに際し、そのめっき工程に要する作業を簡略化で
きるＣＶＤ装置を提供することにある。
の目的は、深い凹みを有する形状のめつき母材にして母
材外周表面および凹み内周表面にそれぞれ異なるめっき
を施すに際し、そのめっき工程に要する作業を簡略化で
きるＣＶＤ装置を提供することにある。
本発明に係るＣＶＤ装置は、第１の原料ガス導入口と、
そのガス導出口とを備えだ反応炉容器内にあって、深い
凹みを有するめっき母材を支持する母材支持部材をパイ
プ形状に形成し、この支持部材内に第２の原料ガス導入
管を配設したことを特徴とするもので、この構成によっ
てめっき母材外周表面には第１の原料ガス導入口より供
給されだ気相反応物を析出させ、一方めつき母相゛の凹
部内周表面には第２の原料ガス導入口より供給された気
相反応物を析出させることにより、深い凹みを有するめ
っき母材の外周面および凹み内周面にそれぞれ異なるＣ
ＶＤめつきを施すことができ、これによって前記目的が
達成される。
そのガス導出口とを備えだ反応炉容器内にあって、深い
凹みを有するめっき母材を支持する母材支持部材をパイ
プ形状に形成し、この支持部材内に第２の原料ガス導入
管を配設したことを特徴とするもので、この構成によっ
てめっき母材外周表面には第１の原料ガス導入口より供
給されだ気相反応物を析出させ、一方めつき母相゛の凹
部内周表面には第２の原料ガス導入口より供給された気
相反応物を析出させることにより、深い凹みを有するめ
っき母材の外周面および凹み内周面にそれぞれ異なるＣ
ＶＤめつきを施すことができ、これによって前記目的が
達成される。
なお、異なる気相反応物によるＣＶＤめっきを確実なら
しめるためには、一方の原料ガス導入口からの原料ガス
導入時には、他の原料ガス導入口から水素ガスや不活性
ガスを導入し、目的とする気相反応物の所定個所以外へ
の析出を防ぐことが望ましい。
しめるためには、一方の原料ガス導入口からの原料ガス
導入時には、他の原料ガス導入口から水素ガスや不活性
ガスを導入し、目的とする気相反応物の所定個所以外へ
の析出を防ぐことが望ましい。
〔発明の実施例Ｊ
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第２図は本発明に係るＣＶＤ装置の実施例を示す図であ
る。
る。
この図において、上下方向に配設された円筒形状の反応
炉容器１の上端部には、第１の原料ガス導入口２が設け
られ、一方、下端部近傍の側壁には原料ガス導出口４が
設けられている。ガス導入口２には先端部に多数のガス
噴出孔の設けられた逆ロート形状のノズル６が設けられ
、このノズル６から反応炉容器１内に原料ガスが供給さ
れ、そしてガス導出口４から反応炉容器外へ排出される
ようになっている。
炉容器１の上端部には、第１の原料ガス導入口２が設け
られ、一方、下端部近傍の側壁には原料ガス導出口４が
設けられている。ガス導入口２には先端部に多数のガス
噴出孔の設けられた逆ロート形状のノズル６が設けられ
、このノズル６から反応炉容器１内に原料ガスが供給さ
れ、そしてガス導出口４から反応炉容器外へ排出される
ようになっている。
反応炉容器１の下端部には、めっき母材８を支持するだ
めの支持部制御０が鉛直上方に欠設されており、その上
端部は拡径されてめっき母材８を載置できるようになっ
ている７、この支持部材１０は管パイプ状に形成されて
おり、その内部には第２の原料ガス導入管１２がその先
端を反応炉容器内上方罠突出させて配設されている。こ
のガス導入管１２の先端部には多数の小孔１３があけら
れており、この小孔１３から第２の原料ガスが管外へ噴
出するようになっている。内部にガス導入管１２を挿通
させた支持部材１０の下方には、反応炉容器１に設けら
れているガス導出口４と対応する位置に開口部１４が形
成されており、ガス導入管１２の先端部から供給された
第２の原料ガスは支持部材１０の内周面とガス導入管１
２の外周面とのすき間１３を通ってこの開口部１４、ガ
ス導出口４から反応炉容器外の外部へ排出されるように
なっている。
めの支持部制御０が鉛直上方に欠設されており、その上
端部は拡径されてめっき母材８を載置できるようになっ
ている７、この支持部材１０は管パイプ状に形成されて
おり、その内部には第２の原料ガス導入管１２がその先
端を反応炉容器内上方罠突出させて配設されている。こ
のガス導入管１２の先端部には多数の小孔１３があけら
れており、この小孔１３から第２の原料ガスが管外へ噴
出するようになっている。内部にガス導入管１２を挿通
させた支持部材１０の下方には、反応炉容器１に設けら
れているガス導出口４と対応する位置に開口部１４が形
成されており、ガス導入管１２の先端部から供給された
第２の原料ガスは支持部材１０の内周面とガス導入管１
２の外周面とのすき間１３を通ってこの開口部１４、ガ
ス導出口４から反応炉容器外の外部へ排出されるように
なっている。
また、符号１６は支持部月ｌＯの先端部に突設され、め
っき母材８の内周面と係合してめっき母材８を支持する
保合部であり、ガス導入管１２は支持部材１０に対し上
下方向摺動可能となっており、めつき母材８の凹部深さ
に応じて上下方向摺動可能を調節できるようになってい
る。符号１８はめつき母材８を所定のｉ黒度に加熱する
だめの加熱装置である。
っき母材８の内周面と係合してめっき母材８を支持する
保合部であり、ガス導入管１２は支持部材１０に対し上
下方向摺動可能となっており、めつき母材８の凹部深さ
に応じて上下方向摺動可能を調節できるようになってい
る。符号１８はめつき母材８を所定のｉ黒度に加熱する
だめの加熱装置である。
また、反応炉容器外の原料ガス導入口２は、三第２の原
料ガス導入管１２は、三方ｌ、ＴＩ候弁２６を介して第
２の原料ガス２８、不活性ガスまたは水素ガス供給装置
２４に接続されでおり、切換弁２０．２６を操作するこ
とによって、原料ガス、不活性ガスの供給を任意に行う
ことができるように々つて因る。
料ガス導入管１２は、三方ｌ、ＴＩ候弁２６を介して第
２の原料ガス２８、不活性ガスまたは水素ガス供給装置
２４に接続されでおり、切換弁２０．２６を操作するこ
とによって、原料ガス、不活性ガスの供給を任意に行う
ことができるように々つて因る。
次に、この実施例で示した装置を用いて第１図に示すよ
うな先端部を半球形状に閉塞形成された黒鉛材からなる
円筒体８をめっき母材として内周表面にＷ１外周表面に
ＳｉＣをめっきする場合を例にとって本装置の作動手順
を説明する。
うな先端部を半球形状に閉塞形成された黒鉛材からなる
円筒体８をめっき母材として内周表面にＷ１外周表面に
ＳｉＣをめっきする場合を例にとって本装置の作動手順
を説明する。
まず、めつき母材８の開口部を下方にして反応炉容器１
内の支持部材１０上に載置する。次に、加熱装置Ｊ８に
よってめっき母材８の温度を１３００００に保持する。
内の支持部材１０上に載置する。次に、加熱装置Ｊ８に
よってめっき母材８の温度を１３００００に保持する。
次いでＨ２をキャリヤガスとｌ−てＣＨ３ＳｉＣｌ３を
ガス供給装置２２からノズル６を介して反応炉容器１内
に供給する。同時に、不活性ガス、例えばＡｒガスを不
活性ガス供給装置２４からガス導入管１２を介してめつ
き母材８の凹部内に供給する。反応炉容器１内でめっき
母＠８の外周表面にはＳｉＣが析出し、残りの原料ガス
は第２図矢印Ａで示されるようにガス導出口４より反応
炉容器外へ排出される。めっき母材８の凹部内にはＡｒ
ガスが供給されており、凹部内円面にＳｉＣが析出する
ことはない。このＡｒガスも矢印Ｂで示されるようにガ
ス導出口４より排出される。
ガス供給装置２２からノズル６を介して反応炉容器１内
に供給する。同時に、不活性ガス、例えばＡｒガスを不
活性ガス供給装置２４からガス導入管１２を介してめつ
き母材８の凹部内に供給する。反応炉容器１内でめっき
母＠８の外周表面にはＳｉＣが析出し、残りの原料ガス
は第２図矢印Ａで示されるようにガス導出口４より反応
炉容器外へ排出される。めっき母材８の凹部内にはＡｒ
ガスが供給されており、凹部内円面にＳｉＣが析出する
ことはない。このＡｒガスも矢印Ｂで示されるようにガ
ス導出口４より排出される。
めつき母材８の外周表面にＳｆＣ被膜の形成工程が終了
したら、三方切換弁２０．２６を操作してノズル６から
の原料ガスの供給、およびガス導入管１２からのＡｒガ
スの供給を停止する。
したら、三方切換弁２０．２６を操作してノズル６から
の原料ガスの供給、およびガス導入管１２からのＡｒガ
スの供給を停止する。
次に、加熱装置１８によるめっき母相８の加熱量を減ら
し、めっき母材８の温度を６５０°Ｃに保持する。次い
で三方切換弁２６を操作し、Ｈ２をキャリヤガスとして
ＷＦ６をガス供給装置２８からガス導入管１２を介して
供給する。同時に、三方切ヨヘ弁２０を操作し、不活性
ガス供給装置２４からＡｒガスをノズル６を介して反応
炉容器１内に供給する。すると、めっき母材８の凹部内
にはＷＦ ６が充満し、Ｗがめつき母材８の凹部内周表
面に析出する。一方、めっき母材８の外周囲にはＡｒガ
スが下方向に流れており、めっき母材８外周表面へのＷ
の析出はない。
し、めっき母材８の温度を６５０°Ｃに保持する。次い
で三方切換弁２６を操作し、Ｈ２をキャリヤガスとして
ＷＦ６をガス供給装置２８からガス導入管１２を介して
供給する。同時に、三方切ヨヘ弁２０を操作し、不活性
ガス供給装置２４からＡｒガスをノズル６を介して反応
炉容器１内に供給する。すると、めっき母材８の凹部内
にはＷＦ ６が充満し、Ｗがめつき母材８の凹部内周表
面に析出する。一方、めっき母材８の外周囲にはＡｒガ
スが下方向に流れており、めっき母材８外周表面へのＷ
の析出はない。
析出反応に寄与しなかった残りの原料ガスは矢印Ｂに示
されるように、一方、Ａｒガスは矢印Ａに示されるよう
にガス導出口４より反応炉容器外へ排出される。
されるように、一方、Ａｒガスは矢印Ａに示されるよう
にガス導出口４より反応炉容器外へ排出される。
こうしてめつき母相８の凹部内周表面にＷ被膜のめつき
工程が終了しだら三方切換弁２０．２６を操作して原料
ガス、Ａｒガスの供給を停止し、めっき工程が終了する
。
工程が終了しだら三方切換弁２０．２６を操作して原料
ガス、Ａｒガスの供給を停止し、めっき工程が終了する
。
本実施例によれば、−の反応炉容器上内でめつき母材８
の外周表面にＳｉＣ被膜を、凹部内周表面にＷ被膜をそ
れぞれ被接することができるので、ＣＶＤめっき処理作
業を簡便なものとすることができる。また、めっき母材
８の外周表面への３ｉＣめつき工程終了後、加熱装置Ｊ
８をしてめっき母材８の加熱温度を調節すれば、すぐさ
１凹部内周表面へのＷめつき工程に移行できるので、加
熱装置１８による熱エネルギを有効に利用できるととも
に、めつき工８１（費す全作業時間を短縮することがで
きる。
の外周表面にＳｉＣ被膜を、凹部内周表面にＷ被膜をそ
れぞれ被接することができるので、ＣＶＤめっき処理作
業を簡便なものとすることができる。また、めっき母材
８の外周表面への３ｉＣめつき工程終了後、加熱装置Ｊ
８をしてめっき母材８の加熱温度を調節すれば、すぐさ
１凹部内周表面へのＷめつき工程に移行できるので、加
熱装置１８による熱エネルギを有効に利用できるととも
に、めつき工８１（費す全作業時間を短縮することがで
きる。
な卦、前記実施例に係る装置の作動手順では、最初にめ
っき母相８の外周表面をめっきし、次いで凹部内周表面
をめっきする場合について説明したが、これと全く逆の
順序でめっきする場合も同様である。
っき母相８の外周表面をめっきし、次いで凹部内周表面
をめっきする場合について説明したが、これと全く逆の
順序でめっきする場合も同様である。
また、前記実施例では、めっき母料支持部材１゜に開口
部１４を設けて原料ガスとＡｒガスとをガス導出口４か
ら一桶に排出するようにしているが、開口部１４を形成
せず、めっき母材８の凹部内に供給されたガスを支持部
Ｕ’ＩＯとガス導入管１２とのすき間１３から直接反応
炉容器外へ排出するようにしてもよい。
部１４を設けて原料ガスとＡｒガスとをガス導出口４か
ら一桶に排出するようにしているが、開口部１４を形成
せず、めっき母材８の凹部内に供給されたガスを支持部
Ｕ’ＩＯとガス導入管１２とのすき間１３から直接反応
炉容器外へ排出するようにしてもよい。
さらに、前記実施例では異なる２釉類の物質（ＳｉＣＸ
Ｗ）をめっきする場合について説明したが、同一の物質
をめっきする場合にも適用でき、この場合にはノズル６
、ガス導入管１２の双方から原料ガスを同時に供給すれ
ばよい。
Ｗ）をめっきする場合について説明したが、同一の物質
をめっきする場合にも適用でき、この場合にはノズル６
、ガス導入管１２の双方から原料ガスを同時に供給すれ
ばよい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、めっ
き母材へのめっき処理に必要な作業が簡略化されてめっ
き工程に要す時間が短縮されるとともに、省エネルギを
達成することができる。
き母材へのめっき処理に必要な作業が簡略化されてめっ
き工程に要す時間が短縮されるとともに、省エネルギを
達成することができる。
第１図は先端部が半球状に閉塞された円筒体の縦断面図
、第２図は本発明に係るＣＶＤ装置の概要図である。 １・・・反応炉容器、２・・・第１の原料ガス導入口。 ４・・・原料ガス導出口、６・・・ノズル、８・・・め
つき母材、１０・・・めっき母（Ａ支持部材。 １２・・ガス導入管、１４・・・開口部。 １８・・・加熱装置、 ２０．２６・・・三方切琲弁。 ２２．２８・・・原料ガス供給装置。 ２４・・・不活性ガス又は水素ガス供給装置代理人 鵜
沼 辰 之 （（・丘か１名） 第１図
、第２図は本発明に係るＣＶＤ装置の概要図である。 １・・・反応炉容器、２・・・第１の原料ガス導入口。 ４・・・原料ガス導出口、６・・・ノズル、８・・・め
つき母材、１０・・・めっき母（Ａ支持部材。 １２・・ガス導入管、１４・・・開口部。 １８・・・加熱装置、 ２０．２６・・・三方切琲弁。 ２２．２８・・・原料ガス供給装置。 ２４・・・不活性ガス又は水素ガス供給装置代理人 鵜
沼 辰 之 （（・丘か１名） 第１図
Claims (1)
- （１）原料ガス導入口および導出口が形成された反応炉
容器を備えてなり、その反応炉容器内にめつき母材を支
持するだめの支持部材が突設されているＣ Ｖ Ｉ）装
置において、前記支持部材はバイブ形状に形成され、こ
の支持部材内に第２の原料ガス導入用の導入管が配設さ
れていることを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP516684A JPS60149771A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP516684A JPS60149771A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149771A true JPS60149771A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11603648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP516684A Pending JPS60149771A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149771A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06311276A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Murata Mach Ltd | ファクシミリ装置のフレーム構造及びカバーフレーム |
| WO1997032054A1 (de) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION MüNCHEN GMBH | Vorrichtung und verfahren zur präparation und/oder beschichtung der oberflächen von hohlbauteilen |
| NL1036234C (nl) * | 2007-11-30 | 2010-04-16 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Diffusie-oven en werkwijze voor het produceren van een gasstroming. |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP516684A patent/JPS60149771A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06311276A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Murata Mach Ltd | ファクシミリ装置のフレーム構造及びカバーフレーム |
| WO1997032054A1 (de) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION MüNCHEN GMBH | Vorrichtung und verfahren zur präparation und/oder beschichtung der oberflächen von hohlbauteilen |
| US6180170B1 (en) | 1996-02-29 | 2001-01-30 | Mtu Motoren- Und Turbinen-Union Muenchen Gmbh | Device and method for preparing and/or coating the surfaces of hollow construction elements |
| NL1036234C (nl) * | 2007-11-30 | 2010-04-16 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Diffusie-oven en werkwijze voor het produceren van een gasstroming. |
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