JPS60149768A - 高密着性メタライズ膜 - Google Patents
高密着性メタライズ膜Info
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- JPS60149768A JPS60149768A JP197884A JP197884A JPS60149768A JP S60149768 A JPS60149768 A JP S60149768A JP 197884 A JP197884 A JP 197884A JP 197884 A JP197884 A JP 197884A JP S60149768 A JPS60149768 A JP S60149768A
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- JP
- Japan
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- pulse
- voltage
- discharge
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- glow
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパルスエネルギーを利用したスパッタメタライ
ズ法に係り、特に高着密性の膜が得られ・かつ、高能率
なメタライズ法に関するものである。
ズ法に係り、特に高着密性の膜が得られ・かつ、高能率
なメタライズ法に関するものである。
スパッタメタライズ法は加速されたイオンがターゲット
に衝突し・そのエネルギーによりターゲット表面の原子
や分子が外部に放出される現象を利用したものである。
に衝突し・そのエネルギーによりターゲット表面の原子
や分子が外部に放出される現象を利用したものである。
第１図に一般的な直流二極スパッタ法の原理を示す。直
流高圧電源１．陽極２、基板３、陰（愼４、チャンバー
５から構成されている。一般にチャンバー５の雰囲気ば
Ａｒガス雰囲気で行われ、その圧力は１０−’〜１０−
３Ｔｏｒｒでスパッタされる。雰囲気圧力を一定にし電
圧を上げて行くと、ターゲット４からの蒸発１増加して
行く、さらに増加させるとグロー放電からアーク放電に
移行し、電流は突起物などの電流の流れ易すいところに
集中しターゲットや基板を損傷し使用できなくなる。ま
た、電圧の増加と共に基板の温度が増加するため・一般
に直流二極スパッタ法では３ＫＶ前後、マグネトロンス
パッタでは０．６ＫＶ前後でスパッタ蒸着が行われてい
る。そのため・高能率で密着性の良い膜が得られないな
どの欠点がある。また、上記の変形として放電を間歇的
にして膜を形成する方式がある。これは。
流高圧電源１．陽極２、基板３、陰（愼４、チャンバー
５から構成されている。一般にチャンバー５の雰囲気ば
Ａｒガス雰囲気で行われ、その圧力は１０−’〜１０−
３Ｔｏｒｒでスパッタされる。雰囲気圧力を一定にし電
圧を上げて行くと、ターゲット４からの蒸発１増加して
行く、さらに増加させるとグロー放電からアーク放電に
移行し、電流は突起物などの電流の流れ易すいところに
集中しターゲットや基板を損傷し使用できなくなる。ま
た、電圧の増加と共に基板の温度が増加するため・一般
に直流二極スパッタ法では３ＫＶ前後、マグネトロンス
パッタでは０．６ＫＶ前後でスパッタ蒸着が行われてい
る。そのため・高能率で密着性の良い膜が得られないな
どの欠点がある。また、上記の変形として放電を間歇的
にして膜を形成する方式がある。これは。
間歇的に放電することにより基板の温度上昇を軽減しプ
ラスチックにメタライズすることを目的としている。膜
質を向上させるには低厚中で放電した方が良いことが知
られている。しかし、間歇的に放電するため低圧中の放
電が不安定とがる。また、間歇的に放電するため能率が
悪いなどの欠点がある。
ラスチックにメタライズすることを目的としている。膜
質を向上させるには低厚中で放電した方が良いことが知
られている。しかし、間歇的に放電するため低圧中の放
電が不安定とがる。また、間歇的に放電するため能率が
悪いなどの欠点がある。
本発明の目的Ｉ″ｉと記した間順を解決し、高能率高密
着性の膜が得られ、低圧中でも安定した放電が得られる
パルスメタライズ法全提供するにある。
着性の膜が得られ、低圧中でも安定した放電が得られる
パルスメタライズ法全提供するにある。
本発明は低圧中の放電現象が第２図に示す宵、圧、ル流
曲線を示すことに注目した。一般にスパッタメタライズ
法は正視クロー放電、異常クロー放電域で行われている
。本発明は加速電圧をパルス化［７、このパルス７［圧
を異常グロー放電の最高値付近、またはグロー・アーク
域にし高能率化すると共に・高周波パルスを変調して低
パルス化するたｄ）・低圧中でも容易にパルス放電、が
できるようにＩ〜て高品質化すること全特徴とする。第
３図に本発明のパルス放１．波形の模式図を示す。［２
１のように高周波パルスを変調し低パルス化している。
曲線を示すことに注目した。一般にスパッタメタライズ
法は正視クロー放電、異常クロー放電域で行われている
。本発明は加速電圧をパルス化［７、このパルス７［圧
を異常グロー放電の最高値付近、またはグロー・アーク
域にし高能率化すると共に・高周波パルスを変調して低
パルス化するたｄ）・低圧中でも容易にパルス放電、が
できるようにＩ〜て高品質化すること全特徴とする。第
３図に本発明のパルス放１．波形の模式図を示す。［２
１のように高周波パルスを変調し低パルス化している。
電圧Ｖ４ｉま高周波パルスのピーク電圧、ｖ３は時間゛
ｒ１における高周波パルス爾、圧の平均値で、これを低
周波に訃けるピーク電圧とする。また・■１け時間Ｔ
２における高周波パルスのパルス幅を小さくし平均詐圧
を下げて低周波に２けるベース電圧としている。ｖ２は
低周波に訃ける平均用土で周波におけるピーク電圧、ベ
ース電圧の設定は高周波のパルス幅を変えることにより
行っているため低圧雰囲気での低パルス放電が容鴇とな
る。
ｒ１における高周波パルス爾、圧の平均値で、これを低
周波に訃けるピーク電圧とする。また・■１け時間Ｔ
２における高周波パルスのパルス幅を小さくし平均詐圧
を下げて低周波に２けるベース電圧としている。ｖ２は
低周波に訃ける平均用土で周波におけるピーク電圧、ベ
ース電圧の設定は高周波のパルス幅を変えることにより
行っているため低圧雰囲気での低パルス放電が容鴇とな
る。
以下、実施例を第４〜第７図を用いて説明する。
２代４図は本発明の模式図である。トランス１により昇
圧された交流電、圧を繋、７肛スタツク７で直流にし、
直流にされた電圧をパルス化するため、パルス発掘回路
１０でピークパルス値とベース値に設定され、さらに高
周波に変調される。設定された値は電流検出器９で検出
された値と差動増幅器１１で比較増幅され、１鳩差信号
により電力制御トランジスタ８を制御し設定されたパル
スが圧になるよう高周波のパルス幅を調整している。な
お、異常グロー放電域では電圧と電流は比例関係にある
ので電流で制御した。定電圧制御にすると、なんらかの
原因でアーク放電域に入ると大電流が流れトランジスタ
を破壊するためである。また、スパッタ方式はマグネト
ロン方式とした。磁石１２をターゲット４の裏面に取付
けＡｒイオンがターゲットに効率良くあたるようにした
。熱電対１３は幕板の温度全測定するものである。
圧された交流電、圧を繋、７肛スタツク７で直流にし、
直流にされた電圧をパルス化するため、パルス発掘回路
１０でピークパルス値とベース値に設定され、さらに高
周波に変調される。設定された値は電流検出器９で検出
された値と差動増幅器１１で比較増幅され、１鳩差信号
により電力制御トランジスタ８を制御し設定されたパル
スが圧になるよう高周波のパルス幅を調整している。な
お、異常グロー放電域では電圧と電流は比例関係にある
ので電流で制御した。定電圧制御にすると、なんらかの
原因でアーク放電域に入ると大電流が流れトランジスタ
を破壊するためである。また、スパッタ方式はマグネト
ロン方式とした。磁石１２をターゲット４の裏面に取付
けＡｒイオンがターゲットに効率良くあたるようにした
。熱電対１３は幕板の温度全測定するものである。
スパッタ条件は、ターゲット：銅（１５０Ｘ５０Ｘ１ｔ
）、基板−刀うス、ターゲットから基板オでの距離：３
５ｍｍ、雰囲気圧力ニ ８ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ （
Ａ、ｒ ） 、ペースＴＡＲ： ０． Ｌ Ａ一定、ピ
ーク放電１時間（Ｔ １ ）十ベース放屯時間（Ｔ２）
＝１０ｍＳｅＣ一定、高周波パルス周波数： ５００
ＫＨｚ。
）、基板−刀うス、ターゲットから基板オでの距離：３
５ｍｍ、雰囲気圧力ニ ８ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ （
Ａ、ｒ ） 、ペースＴＡＲ： ０． Ｌ Ａ一定、ピ
ーク放電１時間（Ｔ １ ）十ベース放屯時間（Ｔ２）
＝１０ｍＳｅＣ一定、高周波パルス周波数： ５００
ＫＨｚ。
平均電流：０．５Ａ一定にし、パルスピーク電流（電圧
）全変化（平均電流が０．５ Ａ一定の条件であるため
ピーク値を変えるとパルス幅も変わる）させて１・膜厚
とビークル流（電圧）との関係を第５図に示す。平均′
電流を０，５Ａ一定にし、ピーク電流を増加させると、
それに供って膜厚は増加し、１２Ａで直流方式（直流方
式は直流マグネトロン方式）Ｑ、５Ａの１，７倍となっ
た。１２Ａの放電域はグローアーク移行域で電流が増加
し電圧が異常グロー・アーク域での最大ｍ流６Ａ時の電
圧１８００Ｖより５００Ｖ低下している。しかし、アー
クが集中することなく、はぼ、ターゲット全域で放電し
、ターゲットを破］１↓させることはなかった。しかし
、３０Ａになるとアークの集中がｈ３められた。すなわ
ち、パルスピークＩ直ｉ−を異常グロー族πの最大値か
、り゛ローアーク移行城の初）υ］段階が望ましい。一
方、３０分放電後の基板温度は直流方式は９６′Ｃ・本
発明はパルスピーク“Ｒ流６Ａで１００ ’ｃ、１２Ａ
で１０３ ’Ｃで直流方式と大差ない。しかし、本発明
は膜厚が１．７倍になっている。また、膜厚を直流方式
の膜厚１．３μｍ １ｍ ｉ ｎと同じにするため本発
明でＶｉ６Ａ、３０分放電を１５分にし、はぼ直流方式
の膜厚にした場合について調べた。その結果、４５℃と
なり、同じｊＩＱ厚であれば基板温度を１／２にするこ
とがでへた。
）全変化（平均電流が０．５ Ａ一定の条件であるため
ピーク値を変えるとパルス幅も変わる）させて１・膜厚
とビークル流（電圧）との関係を第５図に示す。平均′
電流を０，５Ａ一定にし、ピーク電流を増加させると、
それに供って膜厚は増加し、１２Ａで直流方式（直流方
式は直流マグネトロン方式）Ｑ、５Ａの１，７倍となっ
た。１２Ａの放電域はグローアーク移行域で電流が増加
し電圧が異常グロー・アーク域での最大ｍ流６Ａ時の電
圧１８００Ｖより５００Ｖ低下している。しかし、アー
クが集中することなく、はぼ、ターゲット全域で放電し
、ターゲットを破］１↓させることはなかった。しかし
、３０Ａになるとアークの集中がｈ３められた。すなわ
ち、パルスピークＩ直ｉ−を異常グロー族πの最大値か
、り゛ローアーク移行城の初）υ］段階が望ましい。一
方、３０分放電後の基板温度は直流方式は９６′Ｃ・本
発明はパルスピーク“Ｒ流６Ａで１００ ’ｃ、１２Ａ
で１０３ ’Ｃで直流方式と大差ない。しかし、本発明
は膜厚が１．７倍になっている。また、膜厚を直流方式
の膜厚１．３μｍ １ｍ ｉ ｎと同じにするため本発
明でＶｉ６Ａ、３０分放電を１５分にし、はぼ直流方式
の膜厚にした場合について調べた。その結果、４５℃と
なり、同じｊＩＱ厚であれば基板温度を１／２にするこ
とがでへた。
また、上記の条件で密着強度を調べた。試験方法は薄嘆
の上にエポキシ接着剤で円筒ロットを接着しロットを引
張って倒し付着強度を調べた。その結果、本発明は５５
ｇ／ｗ’−直流方式は３６ｇ／ｍｍ２で、従来法より本
発明は４０係と増加した。
の上にエポキシ接着剤で円筒ロットを接着しロットを引
張って倒し付着強度を調べた。その結果、本発明は５５
ｇ／ｗ’−直流方式は３６ｇ／ｍｍ２で、従来法より本
発明は４０係と増加した。
これに、平均電流（電圧）が直流方式と同じでもピーク
エネルギーが大きいため密着強度が増加したものと考え
られる。上記の結果からパルスピーク値は異常グロー放
電の最高値、またはグロー・アーク初１υ１段階にする
ことが有効であることが明らかとなったので、ピーク値
ｔ−Ｉ３異常グローの最向値付近の６への一定値にし、
また、ベース電流、［１： （］、 Ｉ Ａ （一定）
、Ｔ１＋Ｔ２＝１０ｍ５ｅｃ （一定）として、ピーク
電流のパルス幅比：を変化させ膜厚と電流（電圧）との
関係を直流方式と比較した、結果を図６に示す。変均電
流が０．５〜３Ａの範囲では直流方式に比べ１．４〜１
．８倍の膜厚が得られる。しかし・３Ａ以上では平均電
流の増加と共に差は少なくなり約５Ａで同じ値となる。
エネルギーが大きいため密着強度が増加したものと考え
られる。上記の結果からパルスピーク値は異常グロー放
電の最高値、またはグロー・アーク初１υ１段階にする
ことが有効であることが明らかとなったので、ピーク値
ｔ−Ｉ３異常グローの最向値付近の６への一定値にし、
また、ベース電流、［１： （］、 Ｉ Ａ （一定）
、Ｔ１＋Ｔ２＝１０ｍ５ｅｃ （一定）として、ピーク
電流のパルス幅比：を変化させ膜厚と電流（電圧）との
関係を直流方式と比較した、結果を図６に示す。変均電
流が０．５〜３Ａの範囲では直流方式に比べ１．４〜１
．８倍の膜厚が得られる。しかし・３Ａ以上では平均電
流の増加と共に差は少なくなり約５Ａで同じ値となる。
すなわち、ピーク電流のパルス幅Ｔ１は’１’ｌ＋’Ｉ
’２の８０％以下であることが望ましい。
’２の８０％以下であることが望ましい。
これらの傾向はＡｔ、ＡＨなどの金属にも見られた。
また、第７図に拡散接合などのインサート材などに用い
られる３、ｃ＋Ｂｔ−Ｎｒ金合金例である。直流方式は
電流が３Ａ、本発明は３．５Ａになると３．９Ｂｒ−Ｎ
＋金合金ターゲットは熱歪により割れが生じそれ以上の
実験はできなかった。しかし５本発明は０．５〜３への
範囲で直流方式の１．６〜２倍の膜厚が得られる。この
ように特に脆いターゲットに対し本発明が有効であるこ
とが明らかである。
られる３、ｃ＋Ｂｔ−Ｎｒ金合金例である。直流方式は
電流が３Ａ、本発明は３．５Ａになると３．９Ｂｒ−Ｎ
＋金合金ターゲットは熱歪により割れが生じそれ以上の
実験はできなかった。しかし５本発明は０．５〜３への
範囲で直流方式の１．６〜２倍の膜厚が得られる。この
ように特に脆いターゲットに対し本発明が有効であるこ
とが明らかである。
また、従来法のパルス放電式で同様な実験をしたが、雰
囲気圧力９ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ以下でのパルス放雷
、は安定せず良好な膜を形成で微ず密着強度などの評価
ができなかった。しかし、本発明は３×１０−”ｌ’ｏ
ｒｒまで安定したパルス放心が得られ、密度が高く密着
性の良い膜が形成された。また、本発明は直流パルスば
かりでなく高周波交流にすれば不導体ターゲット高速高
品質でメタライズでき４）。さらにターゲット部をウェ
ハに変えることによりドライエツチングに利用で久高速
ドライエツチングが可能となる。
囲気圧力９ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ以下でのパルス放雷
、は安定せず良好な膜を形成で微ず密着強度などの評価
ができなかった。しかし、本発明は３×１０−”ｌ’ｏ
ｒｒまで安定したパルス放心が得られ、密度が高く密着
性の良い膜が形成された。また、本発明は直流パルスば
かりでなく高周波交流にすれば不導体ターゲット高速高
品質でメタライズでき４）。さらにターゲット部をウェ
ハに変えることによりドライエツチングに利用で久高速
ドライエツチングが可能となる。
以上の実施例から明らかなように、パルス放電電圧を異
常クロー放電の最高電圧あるいはグロー・アーク移行［
或にすることにより、平均電圧が低くても、パルス放電
時のイオンエネルギーが大微いため密着性が良く、従来
直流法（直流マグネトロン方式）より密着強度が４０係
増加する。また、低パルス放電でも高周波パルスを変調
し低パルス化しているので低圧中の放電が容易となり、
膜にガスの吸着が少々く密度の高い膜が得られる。一方
、上記の理由などにより膜厚速度は従来法に比べ１．５
〜２倍の膜厚速度が得られる。直流法と膜厚を同じにす
れば基板の温度を１７２にすることができるので基板の
損傷やターゲットの破損を防止できる。
常クロー放電の最高電圧あるいはグロー・アーク移行［
或にすることにより、平均電圧が低くても、パルス放電
時のイオンエネルギーが大微いため密着性が良く、従来
直流法（直流マグネトロン方式）より密着強度が４０係
増加する。また、低パルス放電でも高周波パルスを変調
し低パルス化しているので低圧中の放電が容易となり、
膜にガスの吸着が少々く密度の高い膜が得られる。一方
、上記の理由などにより膜厚速度は従来法に比べ１．５
〜２倍の膜厚速度が得られる。直流法と膜厚を同じにす
れば基板の温度を１７２にすることができるので基板の
損傷やターゲットの破損を防止できる。
第１図は従来法の直流二極スパッタ法の原理図、第２図
は低圧雰囲気における放電現象を示す線図、第３図は本
発明と従来法の放電波形の比較図、第４図は本発明の原
理図、第５図は本発明の効果の一例でビーク喧と膜厚と
の関係の説明図、第６゜第７図は本発明の効果の一例で
ピーク値を異常グロー放電の備高値にしピーク値のパル
ス幅ヲ変工た場合の膜厚との関係の線図である。 ２・・・陽極、３・・・基板、４・・・ターゲット、６
・・・昇圧トランス、９・・・電流検出器、１０・・・
パルス発振器、第１図 第４区 八０ルズビ−２零圧電：ｔ／
は低圧雰囲気における放電現象を示す線図、第３図は本
発明と従来法の放電波形の比較図、第４図は本発明の原
理図、第５図は本発明の効果の一例でビーク喧と膜厚と
の関係の説明図、第６゜第７図は本発明の効果の一例で
ピーク値を異常グロー放電の備高値にしピーク値のパル
ス幅ヲ変工た場合の膜厚との関係の線図である。 ２・・・陽極、３・・・基板、４・・・ターゲット、６
・・・昇圧トランス、９・・・電流検出器、１０・・・
パルス発振器、第１図 第４区 八０ルズビ−２零圧電：ｔ／
Claims (1)
- １、パルスピーク値を異常グロー放電域又はグロー・ア
ーク移行域としてメタライズされたことを特徴とする高
密着性メタライズ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP197884A JPS60149768A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 高密着性メタライズ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP197884A JPS60149768A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 高密着性メタライズ膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149768A true JPS60149768A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11516624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP197884A Pending JPS60149768A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 高密着性メタライズ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149768A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199672A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-17 | ラモツト・ユニヴア−シテイ・オ−ソリテイ−・フオ−・アプライド・リサ−チ・エンド・インダストリアル・デイヴエロプメント・リミテツド | 被加工物の表面処理方法 |
| JPH07126889A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-16 | Honda Motor Co Ltd | 摺動部構成体 |
| JPH0824809B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1996-03-13 | スパークラー フィルターズ インコーポレーテッド | ヌッチェ処理フィルタの駆動装置 |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP197884A patent/JPS60149768A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199672A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-17 | ラモツト・ユニヴア−シテイ・オ−ソリテイ−・フオ−・アプライド・リサ−チ・エンド・インダストリアル・デイヴエロプメント・リミテツド | 被加工物の表面処理方法 |
| JPH0824809B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1996-03-13 | スパークラー フィルターズ インコーポレーテッド | ヌッチェ処理フィルタの駆動装置 |
| JPH07126889A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-16 | Honda Motor Co Ltd | 摺動部構成体 |
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