JPS60149266A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS60149266A JPS60149266A JP59005059A JP505984A JPS60149266A JP S60149266 A JPS60149266 A JP S60149266A JP 59005059 A JP59005059 A JP 59005059A JP 505984 A JP505984 A JP 505984A JP S60149266 A JPS60149266 A JP S60149266A
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- electrode
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板の受光領域につくり込まれたスイ
ッチ回路上に光導電膜を積層してなる積層型の固体撮像
装置に関する。
ッチ回路上に光導電膜を積層してなる積層型の固体撮像
装置に関する。
従来例の構成とその問題点
積層型の固体撮像装置では、受光領域に形成されたスイ
ッチ回路上に光導電膜が設けられるので、スイッチ回路
部材によって受光部面積が小さくなるということはなく
、良好な感度を得ることができる。しかし、かかる型式
の固体撮像装置であっても、実効的な水平解像度は水平
絵素数をｎ、ケル係数をｋとすると、ｎｘｋｘ％しか得
られない。
ッチ回路上に光導電膜が設けられるので、スイッチ回路
部材によって受光部面積が小さくなるということはなく
、良好な感度を得ることができる。しかし、かかる型式
の固体撮像装置であっても、実効的な水平解像度は水平
絵素数をｎ、ケル係数をｋとすると、ｎｘｋｘ％しか得
られない。
そこで、水平絵素数を増すべく受光領域のスイッチ素子
数を増すことが考えられるが、このようにすると製造歩
留に低下をきだす。また、受光領域のスイッチ素子群の
配列を垂直方向１行おきに水平方向へ半周期分ずらし、
垂直２行の信号を同時に読み出すとともに、ずらした半
周期分に相当する時間幅だけ一方の信号を回路的に遅延
させると、実効的な水平解像度を２×ｎＸｋｘ：！１４
となし得るものの、スイッチ素子群の配列がいわゆる千
鳥配列となるので、垂直信号母線の配列が複雑化して製
造が困難になる。
数を増すことが考えられるが、このようにすると製造歩
留に低下をきだす。また、受光領域のスイッチ素子群の
配列を垂直方向１行おきに水平方向へ半周期分ずらし、
垂直２行の信号を同時に読み出すとともに、ずらした半
周期分に相当する時間幅だけ一方の信号を回路的に遅延
させると、実効的な水平解像度を２×ｎＸｋｘ：！１４
となし得るものの、スイッチ素子群の配列がいわゆる千
鳥配列となるので、垂直信号母線の配列が複雑化して製
造が困難になる。
発明の目的
したがって本発明の目的とするところは、受光領域スイ
ッチ回路のスイッチ素子が占める位置を前述のようにず
らすことなく高い解像度の得られる固体撮像装置を提供
することにある。
ッチ回路のスイッチ素子が占める位置を前述のようにず
らすことなく高い解像度の得られる固体撮像装置を提供
することにある。
発明の構成
本発明の固体撮像装置によると、受光領域スイッチ回路
の各スイッチ素子から光導電膜に通じる導電膜めうち、
光導電膜コンタクト電極の占める位置のみを前述のよう
にずらすのであって、これを以下図面に示した実施例と
ともに詳しく説明する。
の各スイッチ素子から光導電膜に通じる導電膜めうち、
光導電膜コンタクト電極の占める位置のみを前述のよう
にずらすのであって、これを以下図面に示した実施例と
ともに詳しく説明する。
実施例の説明
第１図においてシリコン半導体基板１の受光領域につく
り込まれた多数のスイッチ素子は水平方向および垂直方
向へ一定周期で配列されたＭＯＳトランジスタからなり
、各トランジスタはソース領域２．ドレイン領域３およ
びゲート領域４を有している。そしてかかるスイッチ素
子上・に積層配置された光導電膜６は、千鳥配列された
光導電膜コンタクト電極６および埋め込み電極７によっ
てソース電極８に接続されている。なお、９は透明導電
膜、１０はドレイン電極、１１．１２．１３は絶縁層、
１４はロコス法によって形成された絵素間分離用絶縁膜
を示す。
り込まれた多数のスイッチ素子は水平方向および垂直方
向へ一定周期で配列されたＭＯＳトランジスタからなり
、各トランジスタはソース領域２．ドレイン領域３およ
びゲート領域４を有している。そしてかかるスイッチ素
子上・に積層配置された光導電膜６は、千鳥配列された
光導電膜コンタクト電極６および埋め込み電極７によっ
てソース電極８に接続されている。なお、９は透明導電
膜、１０はドレイン電極、１１．１２．１３は絶縁層、
１４はロコス法によって形成された絵素間分離用絶縁膜
を示す。
第１の絶縁層１１はＣＶＤ法によって形成された５ｉ０
２からなり、ソース電極８およびドレイン電極１０はそ
れぞれポリシリコンとＡｅ との二層配線構造となって
いる。両′電極８，１ｏを覆う第２の絶縁層１２は５ｉ
ｎ２ｔたはリンガラス（ＰＳＧ）からなり、この絶縁層
１２にコンタクトホールがフォトエツチングにより形成
される。そして、Ａｅ、Ｍｏ、ＮｂまたはＺｒ等からな
る埋め込み電極７が前記コンタクトホールに埋め込まれ
るのであり、埋め込み電極７が蒸着により形成されたの
ち、ｐｓｅからなる第３の絶縁層１３が蒸着により形成
され、その表面が平坦化される。次いでＡｌ単体または
人ｌ とポリシリコンとからなる光導電膜コンタクト電
極６が形成され、しかるのち光導電膜コンタク）％極６
上に光導電膜５が形成される。
２からなり、ソース電極８およびドレイン電極１０はそ
れぞれポリシリコンとＡｅ との二層配線構造となって
いる。両′電極８，１ｏを覆う第２の絶縁層１２は５ｉ
ｎ２ｔたはリンガラス（ＰＳＧ）からなり、この絶縁層
１２にコンタクトホールがフォトエツチングにより形成
される。そして、Ａｅ、Ｍｏ、ＮｂまたはＺｒ等からな
る埋め込み電極７が前記コンタクトホールに埋め込まれ
るのであり、埋め込み電極７が蒸着により形成されたの
ち、ｐｓｅからなる第３の絶縁層１３が蒸着により形成
され、その表面が平坦化される。次いでＡｌ単体または
人ｌ とポリシリコンとからなる光導電膜コンタクト電
極６が形成され、しかるのち光導電膜コンタク）％極６
上に光導電膜５が形成される。
そしてその表面上に透明導電膜９が形成される。
絶縁層１１の表面を平坦化する場合、まず、絶縁層１３
０表面上にレジスト等の有機物質をスピナーコートし、
焼きしめを行なったのち、絶縁層１３と前記有機物質と
のエツチング速度かほぼ等しい条件下でプラズマエツチ
ングを施す。このドライエツチングは、平行平板型プラ
ズマエツチング装置を用いてＣＦ４＋０２ガス中で１〜
３回行なわれ、これにより表面の平坦化が進行する。次
いで前記有機物質を除去し、絶縁層１３０表面を機械的
に研摩する。このような二段階研摩を行なうと、４２０
″Ｃ以下の低温下で非常に良好な平坦化効果を得ること
ができる。なお、前記有機物質としては、たとえば東京
応化工業（株）製のポジ型しジス）ＯＦＰＲ−ｓｏｏを
用いることができ、スピナー回転速度は２０００〜３６
００ｒｐｍに設定できる。丑だ、光導電膜５の材質とし
ては、撮像管用のものを用いることができ、その代表的
なものに、Ｚｎ５ｅ−（ＣｄＴｅｘ） （（ＺｎＴｅ
）ｙ （Ｉｎ、、Ｔｅ ３ ） １−ｙ） １−ＸＩＳ
ｅ−人５−Ｔｅｉたはアモルファス８１等がある。
０表面上にレジスト等の有機物質をスピナーコートし、
焼きしめを行なったのち、絶縁層１３と前記有機物質と
のエツチング速度かほぼ等しい条件下でプラズマエツチ
ングを施す。このドライエツチングは、平行平板型プラ
ズマエツチング装置を用いてＣＦ４＋０２ガス中で１〜
３回行なわれ、これにより表面の平坦化が進行する。次
いで前記有機物質を除去し、絶縁層１３０表面を機械的
に研摩する。このような二段階研摩を行なうと、４２０
″Ｃ以下の低温下で非常に良好な平坦化効果を得ること
ができる。なお、前記有機物質としては、たとえば東京
応化工業（株）製のポジ型しジス）ＯＦＰＲ−ｓｏｏを
用いることができ、スピナー回転速度は２０００〜３６
００ｒｐｍに設定できる。丑だ、光導電膜５の材質とし
ては、撮像管用のものを用いることができ、その代表的
なものに、Ｚｎ５ｅ−（ＣｄＴｅｘ） （（ＺｎＴｅ
）ｙ （Ｉｎ、、Ｔｅ ３ ） １−ｙ） １−ＸＩＳ
ｅ−人５−Ｔｅｉたはアモルファス８１等がある。
光導電膜コンタクト電極６は、第２図に示すように垂直
方向１行おきに水平方向へ半周期外ずつずらした千鳥配
列となされ、それぞれはできるだけ大きく形成される。
方向１行おきに水平方向へ半周期外ずつずらした千鳥配
列となされ、それぞれはできるだけ大きく形成される。
壕だ、光導電膜コンタクト７民極６の形状は正方形に限
られず、長方形や円形等であってもよい。
られず、長方形や円形等であってもよい。
受光領域におけるＭＯＳ）ランジスタの各電極は、第２
図に示すように結線される。ただし、１５は水平シフト
レジスタ、１６は垂直シフトレジスタ、１７はインター
レース、１８はプートストラップ、１ ｇａ 、 １９
ｂはプリアンプ、２０は前記半周期のずれに相当する時
間幅だけ信号を遅延させるだめの遅延線、２１は加算回
路を示す。
図に示すように結線される。ただし、１５は水平シフト
レジスタ、１６は垂直シフトレジスタ、１７はインター
レース、１８はプートストラップ、１ ｇａ 、 １９
ｂはプリアンプ、２０は前記半周期のずれに相当する時
間幅だけ信号を遅延させるだめの遅延線、２１は加算回
路を示す。
受光領域のＭＯＳ１．ランジスタはそれ自体、水平方向
−直線上および垂直方向−直線上に一定周期で配列され
るので、それぞれのドレイン電極１０をつなぐ多数の垂
直信号母線２２は直線状に配列することができる。そし
て、プリアンプ１９ａ。
−直線上および垂直方向−直線上に一定周期で配列され
るので、それぞれのドレイン電極１０をつなぐ多数の垂
直信号母線２２は直線状に配列することができる。そし
て、プリアンプ１９ａ。
１９ｂから同時にとり出された垂直２行の信号の一方は
、遅延線２ｏによって半周期分相当時間幅だけ遅延され
るので、実効的な水平解像度を２×ｎｘｋｘ％となすこ
とがでる。
、遅延線２ｏによって半周期分相当時間幅だけ遅延され
るので、実効的な水平解像度を２×ｎｘｋｘ％となすこ
とがでる。
なお、前述の実施例ではスイッチ素子群をＭＯＳトラン
ジスタで構成したが、これはＣＯＤやＣＰＤでもって構
成することができる。
ジスタで構成したが、これはＣＯＤやＣＰＤでもって構
成することができる。
発明の効果
本発明の固体撮像装置は前述のように構成されるので、
受光領域スイッチ回路のスイッチ素子が占める位置をず
らすことなく高解像度特性を得ることができ乙。
受光領域スイッチ回路のスイッチ素子が占める位置をず
らすことなく高解像度特性を得ることができ乙。
第１図は本発明を実施した固体撮像装置の友部の断面図
、第２図は同装置の電気的結線と光導電膜コンタクト電
極の配列とを示す図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ソース領域
、３・・・・・・ドレイン領域、４・・・・・・ゲート
領域、５・・・・・・光導電膜、６・・・・・・光導電
膜コンタクト電性。 代理人の氏名 弁理士 中 尾、敏 男 ほか１名第１
図 （２） ５ ２２ ンど
、第２図は同装置の電気的結線と光導電膜コンタクト電
極の配列とを示す図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ソース領域
、３・・・・・・ドレイン領域、４・・・・・・ゲート
領域、５・・・・・・光導電膜、６・・・・・・光導電
膜コンタクト電性。 代理人の氏名 弁理士 中 尾、敏 男 ほか１名第１
図 （２） ５ ２２ ンど
Claims (1)
- 半導体基板の受光領域につくり込捷れたスイッチ回路が
水平方向および垂直方向へ周期的に配列を介して前記ス
イッチ素子に接続され、前記光導電膜コンタクト電極は
垂直方向１行おきに水平方向へ半周期分ずらして配列さ
れていることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005059A JPS60149266A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005059A JPS60149266A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149266A true JPS60149266A (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=11600822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005059A Pending JPS60149266A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149266A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152382A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
| JPS57193184A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Solid-state image pickup device |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59005059A patent/JPS60149266A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152382A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
| JPS57193184A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Solid-state image pickup device |
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