JPS60144982A - ホトダイオ−ド - Google Patents
ホトダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS60144982A JPS60144982A JP59000607A JP60784A JPS60144982A JP S60144982 A JPS60144982 A JP S60144982A JP 59000607 A JP59000607 A JP 59000607A JP 60784 A JP60784 A JP 60784A JP S60144982 A JPS60144982 A JP S60144982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- depletion layer
- semiconductor region
- type semiconductor
- photodiode
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、特にホトダイオードの特性
改善に関するものである。
改善に関するものである。
従来のホトダイオードの応答速度は無バイアスまたは低
バイアスで使用するとき遅くなシ問題と・ なっている
。特に量子効率を上げるため動作層を厚くしたとき、ホ
トダイオードの応答速度は遅くなる欠点がめっ友。
バイアスで使用するとき遅くなシ問題と・ なっている
。特に量子効率を上げるため動作層を厚くしたとき、ホ
トダイオードの応答速度は遅くなる欠点がめっ友。
本発明の目的は、量子効率が高く、且つ応答速度の速い
ホトダイオードを提供することである。
ホトダイオードを提供することである。
本発明Ｖｃよればベレットの裏面に反射物を設けた構造
のホトダイオードを得る。以下図面を用い。
のホトダイオードを得る。以下図面を用い。
て不発明會よ９詳ｉＫ説明する。
第１図は従来のホトダイオードの１例を示す断面図であ
る。不純物濃度の高いｎ生型半導体領域ｌの上に不純物
濃度の低いｎ−型半導体領域２があり、そのｎ−型半導
体領域２にＰ型の不純物を拡散等により導入してＰ生型
半導体領域３が形成されている。ｎ−型半導体領域２は
光が入射しキャリアを発生させる動作層である。ホトダ
イオードは一般にＰ壓半導体領域側に負のバイアス電圧
を印加するかまたは無バイアスで使用さルる。
る。不純物濃度の高いｎ生型半導体領域ｌの上に不純物
濃度の低いｎ−型半導体領域２があり、そのｎ−型半導
体領域２にＰ型の不純物を拡散等により導入してＰ生型
半導体領域３が形成されている。ｎ−型半導体領域２は
光が入射しキャリアを発生させる動作層である。ホトダ
イオードは一般にＰ壓半導体領域側に負のバイアス電圧
を印加するかまたは無バイアスで使用さルる。
このｎｆｉのホトダイオードｖｃｇバイアスかまたは低
バイアスが印加されたとき、電界が存在する空乏層４は
動作層２の深さ方向には広がらず、空乏層４の広がって
いない動作層５は無電界となる。
バイアスが印加されたとき、電界が存在する空乏層４は
動作層２の深さ方向には広がらず、空乏層４の広がって
いない動作層５は無電界となる。
このホトダイオードに光６が入射したとき動作層２内に
キャリア７を発生する。発生したキャリアのうち空乏層
４で発生したキャリア８は電界によシ加速されて速く流
れる。しかし、空乏）＠４以外の動作層５で発生したキ
ャリア９は拡散によって流れるので走行時間は遅くなる
。このため無バイアスまたは低バイアスで使用されるホ
トダイオードの応答速度は遅くなる。
キャリア７を発生する。発生したキャリアのうち空乏層
４で発生したキャリア８は電界によシ加速されて速く流
れる。しかし、空乏）＠４以外の動作層５で発生したキ
ャリア９は拡散によって流れるので走行時間は遅くなる
。このため無バイアスまたは低バイアスで使用されるホ
トダイオードの応答速度は遅くなる。
第２図は本発明に↓るホトダイオードの一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
本実施例によるホトダイオードではｎ−型半導体領域１
２のうち空乏層以外の動作領域１５に相当する部分だけ
ペレット厚會薄くしてｎ十聾半導体領域１１の下にホト
ダイオードの使用波長の入射光１６を反射させる物）Ｊ
Ｋ２１たとえば電極金属とじてＡｕ’ｆｒ用いた反射物
を設けることにより入射光１６を反射させる。このホト
ダイオードでは空乏１−以外の動作領域１５を除い７Ｃ
７’Ｃめ、ｎ−型半導体領域１２全体に空乏層１４が広
がって２りさらには反射板２１にエフ入射光１６は反射
光２６として再び空乏層１４内に入射される。
２のうち空乏層以外の動作領域１５に相当する部分だけ
ペレット厚會薄くしてｎ十聾半導体領域１１の下にホト
ダイオードの使用波長の入射光１６を反射させる物）Ｊ
Ｋ２１たとえば電極金属とじてＡｕ’ｆｒ用いた反射物
を設けることにより入射光１６を反射させる。このホト
ダイオードでは空乏１−以外の動作領域１５を除い７Ｃ
７’Ｃめ、ｎ−型半導体領域１２全体に空乏層１４が広
がって２りさらには反射板２１にエフ入射光１６は反射
光２６として再び空乏層１４内に入射される。
このため、無バイアスｉたは低バイアスでも実効的に空
乏層がｎ−型半導体領域１２全体に広がった状態となり
従来のホトダイオードと比較して量子効率、応答速度の
向上が見込まれる。
乏層がｎ−型半導体領域１２全体に広がった状態となり
従来のホトダイオードと比較して量子効率、応答速度の
向上が見込まれる。
以上説明したように不発ＢＡｖｃよシホトダイオードペ
レットの裏面に反射物を設けることによジ。
レットの裏面に反射物を設けることによジ。
無バイアス、または低バイアスでも量子効率が高く、応
答速度の速いホトダイオードが得られる。
答速度の速いホトダイオードが得られる。
以上ｎｉホトダイオードについて説明してきたが領域１
．２，３，１１．１２．１３の伝導型が逆であるＰｉの
ホトダイオードでも同様に適用できるものである。
．２，３，１１．１２．１３の伝導型が逆であるＰｉの
ホトダイオードでも同様に適用できるものである。
第１図は従来のホトダイオードの１例の断面図でおり、
第２図は本発明によるホトダイオードの一実施例の断面
図である。 Ｌ、１１・・・・・・ｎ＋ｉ半導体領域、２．１２−・
・・・・ｎ−型半導体領域（動作層）、３，１３・・・
・・・Ｐ＋型半導体領域、４．１４・−・・・・空乏層
、５．１５・−・・・・空乏層以外の動作領域、６．１
６・・・・・・入射光、７・−・・・・発生しにキャリ
ア、８．１８・・・・・・空乏層で発生したキャリア、
９・・・−・・空乏層以外の動作領域で発生し九キャリ
ア、１０．２０・・・・・・Ｐｎ［合％２１・・・・・
・反射面、２６・・・・・・反射ｔ。
第２図は本発明によるホトダイオードの一実施例の断面
図である。 Ｌ、１１・・・・・・ｎ＋ｉ半導体領域、２．１２−・
・・・・ｎ−型半導体領域（動作層）、３，１３・・・
・・・Ｐ＋型半導体領域、４．１４・−・・・・空乏層
、５．１５・−・・・・空乏層以外の動作領域、６．１
６・・・・・・入射光、７・−・・・・発生しにキャリ
ア、８．１８・・・・・・空乏層で発生したキャリア、
９・・・−・・空乏層以外の動作領域で発生し九キャリ
ア、１０．２０・・・・・・Ｐｎ［合％２１・・・・・
・反射面、２６・・・・・・反射ｔ。
Claims (1)
- ペレットの裏面に反射物を設けたことを特徴とするホト
ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000607A JPS60144982A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | ホトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000607A JPS60144982A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | ホトダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144982A true JPS60144982A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11478417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000607A Pending JPS60144982A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | ホトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144982A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204666A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-24 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 放射感知半導体デバイス |
-
1984
- 1984-01-06 JP JP59000607A patent/JPS60144982A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204666A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-24 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 放射感知半導体デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0338887A (ja) | 半導体受光素子 | |
| US4984032A (en) | Semiconductor photodiode | |
| FR2371776A1 (fr) | Structure semi-conductrice a heterojonctions | |
| EP0229040A2 (en) | Metal-semiconductor-metal photodiode | |
| US3278814A (en) | High-gain photon-coupled semiconductor device | |
| JPS59205774A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH04111478A (ja) | 受光素子 | |
| JPS60144982A (ja) | ホトダイオ−ド | |
| US5272364A (en) | Semiconductor photodetector device with short lifetime region | |
| JPH0327577A (ja) | 発光ダイオ―ドアレイ | |
| JPS59161082A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JP2670557B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPS63211686A (ja) | アバランシエフオトダイオ−ド | |
| JPH0254591A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH03285360A (ja) | 太陽電池 | |
| JPH01264273A (ja) | 半導体受光素子 | |
| US4974047A (en) | Light triggered thyristor | |
| JPS60198786A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS5898989A (ja) | フオトダイオ−ド | |
| JPH0273676A (ja) | アバランシフォトダイオード | |
| JPH0373576A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR950013436B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2002141547A (ja) | 半導体光検出器 | |
| JPS6132582A (ja) | 光透過形半導体光検出装置 | |
| SU660508A1 (ru) | Поверхностно-барьерный фотоприемник |