JPS6014457A - 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用セラミツクパツケ−ジ

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JPS6014457A
JPS6014457A JP58122590A JP12259083A JPS6014457A JP S6014457 A JPS6014457 A JP S6014457A JP 58122590 A JP58122590 A JP 58122590A JP 12259083 A JP12259083 A JP 12259083A JP S6014457 A JPS6014457 A JP S6014457A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、微細化さ第１た内部型面を持つ半導体装６１
用セラミツクパツケージであって、高度に災積化された
回路素子を高信頼度に搭載することを可屍にした半導体
装置用セラミツクツくツケージに関する。
近年、半導体素子（以下素子という）の飛躍的な集積度
向上に伴って、微細な金属剛線接続部（以下内部電極と
いう）を有し、多くの外部導出出金Ｌ・北ピンを有する
半導体装ｔ：を用ノ（ツケージが望まれ−その１種とし
てピン・グリッド・アレイ　（ｐｉｎ　Ｇｒｉｄ　Ａｒ
ｒａｙ　）と称する数十本〜数σ本の外部導出用電極と
して金属ピンを植設した半導体装置が出現している。
従来のか＼る半導体装１ｆ４を第１図、第２図。
第３図に示す。第１図は部分破断平面図であり。
第２図は第１図のＡ−Ａ線によって切断した断面図であ
り、第３図は第２図の要部拡大図である。従来か＼る半
導体装置の’ｔｉｌｊ成は第１図から第３囚に見られる
とおり、セラミック生テープ上にスクリーン印刷技法を
用いてタングステン等のペーストにより導体金属層５を
形成し＋　ｉｒ：ｊ＝いてスルーホール４０Ｈφ通をと
り、公知皮法により積層し、焼結一体化したセラミック
誘体１をベースとし、該栽ｊＡ　１の外表面上の導体金
属１１つ５に、ニッケルメッキ６を施した後、該基体１
の裏面における所定！ｇ、置に外部心出用金１．Ａピン
８をロー付法により植設し１次にこのロー付Ｆ’；ＩＩ
分及び金属部にニッケルメッキを、ツした後金メッキ法
により金）￥Ｊ７で腎っている。その１系外１′帛１１
の外端部を露出させた状態で低融点ガラス９１こより封
止さイするのが通常である。
しかるに、最近集猿度が高（なるにっねてＶｊ部配線１
１合及び外部み出用金ｊ山ピン８の致が増加し、特に内
部自己４；；ｉ　１１の一乳゛Ｉｉ恥である内部１ｊ３
４包３は−１ｆｉｉｆｉＤ化さ１１．ソ０）巾１；！　
５０−＝、１５０μ、又ヒツチは０，１〜０．４　”ｒ
ｔｖｎ　請求められスクリーン印刷技法の限度寸法を、
広えようとしている。そのうえ微拙（ヒされた内部電極
をスクリーン印刷により形成した場合は、その断面が半
円形となり平担部が得ら第１ない状態となリー　ワイヤ
ボンディング作業を困難にしている。一方安価な半導体
装置の要求によって貴金１．・４等の使用を必要最小限
にとどめたい意向があり、それらの欠点や要求を解決ず
べ（内部電極及び半導体素子搭載部を共にアルミニウム
系金属のＲ＾着又はスパッタリングによって形成する方
法が提案さ第１た。
しかし、この提案は、アルミニウム系金属表面がｈ＝化
する問題点があり特に半桿体素子搭載部における素子長
着に有効な低融点合金ができにりく、接着強度の低下を
（Ｂき天川に供することが難しいという欠点をもってい
る。
不発明はか＼る欠点を除去し、素子接着に関する高い信
頼性を付与し、又内部電極の微；；４０化を実現して高
信頼度のワイヤポンディング性を兼ね備えた半導体装置
を提供することを目的としている。
即ち、前記半導体素子搭載部の素子接着ｊｒ４を蒸着法
又はスパッタ法を用いた金又は銀の薄層に形成し、又Ｂ
ｉｊ記内部電栓を一端呂４ｊとする内部配線をアルミニ
ウム系金属の薄層に形成し、１１ｎ記搭載部及び内部配
線の全部を内包するようにセラミック製キャップを封止
したことを特徴とする半博体ＨＰＩＩ用セラミックパッ
ケージを提供するものである。
以下に本発明の４１Ｍ成を図面を用いて実施例に基づき
説明する。
実施例１゜ 第４図１は本発明の一実施例のうち、キャビティを有す
る半導体装置用セラミックパッケージ断面の要部拡大図
である。セラミック基体１３は個々のセラミック生ソー
トにタングステン′９得体金属をスクリーン印刷シ、こ
ｔｌｙ、２公知の漬層法により積層し、スルーホール１
４を第１９成し、後焼結一体化したものである。前記ス
ルーホール１４の両輪部にはニッケルメッキ層１５．１
６が施されており、外部九℃出用金属ビン１７かニッケ
ルメッキｉ；；　１５を介してロー付法により植設さ第
１ている。力）５る偕造のパッケージを用意し、素子搭
載部の素子（ジ看層１８は蒸着によりｊ、１↓の〆☆膜
を形成する。その厚みは４〜８μの、厄囲にあればよい
。
即ち４μではＡＬＩ　Ｓｉプリフォームのｔｎ　Ｑ　ｉ
こより溶ｆ１４２時に銀の扱着層を溶蝕するため素子の
接着性を悪くし又８μ以上ある場合は勿論接２Δは可能
であるが必要以上の厚みを施すことになりコスト増とな
る。なお必要に応じ銀の下ｔ１４　トしてクロム・チタ
ン等の１μ以下の薄層を蒸着する場合もある。次にｌり
都電極１９を一１！１「ｌｉ部とする内部配線２０を同
時に蒸着（スパッタ法も含む）によってアルミニウム系
釜居薄膜を約４μの厚みに一体に形成し、スルーホール
１４との導辿・２とるため、その−ｉ扁にｉｊ２　Ｌ／
たニッケル層１６を榎うようにする。
素子搭載後に取りつけらオ］るセラミックキャップ２１
は内部゛電極１９及び内部配線２０のアルミニウム系金
属膜の融化を防ぐため、そオ］らが完全に内包さ第１る
ように封止部２２を低融点ガラスによって形成さ１１て
いる。
実施例２ 本実施例は、第５図に示したごとく、キャビティーを有
しない平担な半導体装置用セラミックバツケーユノに関
するものであり、生セラミツクシートにタングステンペ
ーストをスクリーン印刷法によりカ也し公）、口の技法
により積層焼結−Ｖ・化してスルーホール部２４をイー
するセラミック基体２３を得る。次にニッケルメッキに
よりスルーホールの両端をニッケル層２５．２６で°、
衰う、タト部導出用ピン２７がニッケル層２５を介して
ロー付法により取り付けらイする。次の段階で素子搭載
部の素子接着ＩＪ　２８は蒸着又はスパッタ法により釡
の薄層を形成する。その厚みは１〜５ｉＬの範すであれ
ばよく、限定理由は実施例１と同様である。次に内部１
Ｄ゛極２９を一端部とする内Ｈ１＋配線３０を実施例１
と同様にアルミニウム系金属の蒸着によって形成し、ス
ルーホール部と接続させるためニッケル層２６を）夏う
ようにする。セラミツクキ丁ツブ３１は封止部３２を樹
ｊ后接着剤を利用して前記内部配線を覆うように封止す
る。
実施例３ 不実５通例は４３６図に示したごと（、素子搭載部の他
は実施例２と全く同様な構造である。
本実施例では、アルミニウム系釜鵬を蒸着又はスパッタ
法により、素子ｊＦｒ・戒１７１１の下地ａ−１（３２
及び内部市檻２９７ｉ−含む内部配線３０をスルーホー
ル端部２６をｉｄうようにして、厚さ２〜６ＪＬの薄層
を形成する。次に前記ド地層３２の上に金を蒸着又はス
パッタ法により厚さ０．５〜１μの薄′ｉうを波層させ
てズる子ｊ妾着層３３を形成する。
なオ、前記芙施例において、セラミック漬体上にアルミ
ニウム県会）山の薄層を蒸ン１ｑ形我ｒる場合、必要に
応じチタン又はクロム１μ２以下を下地蒸＜ゾすること
ができる。
以上説明したように本発明の（４４成による半）、゛１
体装置用セラミックパッケージは一半ｊ！メ鉢系子搭戦
ふ；の包着層を霊又は銀の薄層とすることによって、接
着強１度が得られ信頼１生の高い素子搭載を可能とし、
又アルミニウム系金属の蒸着又はスパッタ法昏こよって
従来のシルクスクリーン法では実施国う］でめった内部
電極の微９（１ｊ化を可能にし、又平担化すること１こ
より高度に集漬された半導体素子からの金属ズ田線の＋
ｆ、ｔ＝ｌεをも容易にしたものである。更には干ヤッ
プンールを低融点ガラス又は憫ｔｊＦ　４’＆若剤で行
い、シール後に酸化、腐蝕し易いアルミニウム系金属が
外部に露出しないように被覆封止することを可能とした
。
又外部導出用ビンへの金メッキを除くことができコスト
低減に効来が、３）る。
【図面の簡単な説明】
第１は１は従来の半導体装１６用セラミックパッケージ
の部分破断平面図、第２区ｊは第１図のへ−Ａ部で切断
した断面図−ｄ１３は１は第２図の要部拡大園、第４図
、第５図、’ｉ４’＋６図は木光男の笑、溜例によるパ
ッケージ断面の要部拡大区１である。 １．１３．２３・・・セラミック基体、２・・−メロ子
搭載ｒ：ｉＬ　３．　１９．２９・・・内１）：ｉ電極
−４，１４゜２４・・・スルーホール＋　６．１５，１
６，２５゜２６・・・ニッケルメッキハ＋　８．１７．
２７・・・外部導出用ビンピン、９．２２．３２・・・
封止ｉ７：；　−１０，２１，３１・・・ソールｍセラ
ミックキャップ、１１，２０．３０・・・内部１記線、
１８，２１３゜３３・・・蟲子接着層 出　、願　人　鳴海製陶沫式会社 第１図 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子搭載部と、半導体素子の電極かう金属細
    線によって接続されるべき内部電極と。 該内部電極を一端部とする内部配線と、該内部配線と電
    気的に接続するスルーホール部とを有し、該スルーホー
    ル部の他端にはロー付により外部導出用金属ピンが植設
    されてなる半導体装置用セラミックパッケージにおいて
    　＠　２半導体素子搭載部の素子接着層を蒸着法又はス
    パッタ法を用いた金又は銀の薄層に形成し、又前記内部
    電極を一９１１１部とする内部配線をアルミニウム系金
    属の薄層に形成し、前記搭載部及び内部配線の全部を内
    包するようにセラミック製干ヤツプを刺止したことを特
    徴とする半導体装置用セラミックパッケージ。
JP58122590A 1983-07-06 1983-07-06 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ Granted JPS6014457A (ja)

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