JPS60143689A - 絶縁板上の回路形成法 - Google Patents
絶縁板上の回路形成法Info
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- JPS60143689A JPS60143689A JP24798083A JP24798083A JPS60143689A JP S60143689 A JPS60143689 A JP S60143689A JP 24798083 A JP24798083 A JP 24798083A JP 24798083 A JP24798083 A JP 24798083A JP S60143689 A JPS60143689 A JP S60143689A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は絶縁板上の回路形成方法に係り、特にセミアデ
ィティブ方式によるパターン化学めっき法に基づく回路
形成方法に関する。
ィティブ方式によるパターン化学めっき法に基づく回路
形成方法に関する。
絶縁基板上に銅配線を形成する方法としては大別すると
エツチング法、セミアディティブ法、フルアディティブ
法が考えられる。これらの方法のうち、現在上として用
いられているのはエツチング法である。しかし、半導体
素子のより高い実装密度がめられるに伴なって絶縁基板
上の銅配線密度も一段と高精細なものがめられるように
なって来たため、エツチング法によ石調配線の形成技術
はもはや限界に来ている。そこで、エツチング法よシも
高精細な銅配線の・母ターン′形成が期待できるセミア
ディティブ法が一部で実施されている。
エツチング法、セミアディティブ法、フルアディティブ
法が考えられる。これらの方法のうち、現在上として用
いられているのはエツチング法である。しかし、半導体
素子のより高い実装密度がめられるに伴なって絶縁基板
上の銅配線密度も一段と高精細なものがめられるように
なって来たため、エツチング法によ石調配線の形成技術
はもはや限界に来ている。そこで、エツチング法よシも
高精細な銅配線の・母ターン′形成が期待できるセミア
ディティブ法が一部で実施されている。
先行技術によるセミアディティブ法は第１図（、）ない
しくｆ）に示すような順次のプロセスによるものである
。すなわち、絶縁基板１の片面又は両面（図では両面）
全面に銅箔２を熱圧着しくＩＬ）、その表面を酸化処理
して銅酸化膜３を形成しくｂ）、その後レジスト４で非
回路部をマスクＬ （ｅ） 、次に酸により回路部上の
銅酸化膜３を除去した上で化学めっきによ）回路部に銅
５を厚づけしくｄ）、その後、非回路部上のレゾスＩｆ
除去しくｅ）、その後、非回路部の銅箔と銅酸化膜をエ
ツチングにより除去して銅配線を形成する（ｆ）。
しくｆ）に示すような順次のプロセスによるものである
。すなわち、絶縁基板１の片面又は両面（図では両面）
全面に銅箔２を熱圧着しくＩＬ）、その表面を酸化処理
して銅酸化膜３を形成しくｂ）、その後レジスト４で非
回路部をマスクＬ （ｅ） 、次に酸により回路部上の
銅酸化膜３を除去した上で化学めっきによ）回路部に銅
５を厚づけしくｄ）、その後、非回路部上のレゾスＩｆ
除去しくｅ）、その後、非回路部の銅箔と銅酸化膜をエ
ツチングにより除去して銅配線を形成する（ｆ）。
この方法において、有機絶縁基板１上に銅配線を形成す
るに当って銅箔２を酸化処理するのはルジストと銅箔２
との密着性を高めるためである。
るに当って銅箔２を酸化処理するのはルジストと銅箔２
との密着性を高めるためである。
しρ・シ、それにも左づく下記の問題が派生する。
すなわち、化学めっきで銅５を厚づけする際、銅酸化膜
３が化学めっき液に接すると、化学めっき液中の還元剤
によυ銅酸化膜３中の銅プオンも金。
３が化学めっき液に接すると、化学めっき液中の還元剤
によυ銅酸化膜３中の銅プオンも金。
属として還元析出するが、その際、化学めっき液に接し
ている回路部上の銅酸化・膜だけでなく、レジストによ
りマスクされている銅酸化膜に対してもめつき液が浸透
し、そこでの銅酸化膜中の銅イオンも同様にして還元析
出する結果、レジストの一部が剥離し、非回路部に相当
する部分にも銅がめ・門されるようになυ、（ｆ）の工
程で非回路部の銅をエツチングによシ除去する際、パタ
ーン精度の低下を招くという問題が生じる。
ている回路部上の銅酸化・膜だけでなく、レジストによ
りマスクされている銅酸化膜に対してもめつき液が浸透
し、そこでの銅酸化膜中の銅イオンも同様にして還元析
出する結果、レジストの一部が剥離し、非回路部に相当
する部分にも銅がめ・門されるようになυ、（ｆ）の工
程で非回路部の銅をエツチングによシ除去する際、パタ
ーン精度の低下を招くという問題が生じる。
本発明の目的は、絶縁板上の薄い銅層（例えば銅箔）と
その上に形成するレジスト／ぐターンとの高い密着性を
確保しつつ、該銅層の表面酸化処理膜が化学めっき液に
対して安定であるようにしたセミアディティブ方式によ
る絶縁板上の回路形成法を提供することにある。
その上に形成するレジスト／ぐターンとの高い密着性を
確保しつつ、該銅層の表面酸化処理膜が化学めっき液に
対して安定であるようにしたセミアディティブ方式によ
る絶縁板上の回路形成法を提供することにある。
前述の先行技術によるセミアディティブ方式による絶縁
板上の回路形成法”では、回路導体を化学めっきする際
、前記のように銅酸化膜中の銅イオンの一部がめつき液
中の還元剤によυ金属銅に還元される結果、銅配線の微
細な・アターン精度の点で十分満足できるようなものが
得られない。
板上の回路形成法”では、回路導体を化学めっきする際
、前記のように銅酸化膜中の銅イオンの一部がめつき液
中の還元剤によυ金属銅に還元される結果、銅配線の微
細な・アターン精度の点で十分満足できるようなものが
得られない。
本発明は、この事実に鑑み、前記の回路形成法において
、化学めっきの際に化学めっき液の浸み込みによシ銅醒
化膜中の銅イオンが還元されず、かつレジストと薄金属
銅層との密着性が低下しない程度に、化学めっきの前に
、予め銅酸化膜を電気的に還元処理することを特徴とす
るものであり、これにより、回路部分にのみ化学めっき
によシ金属銅を還元析出させ、もって後の工程で非回路
部の銅をエツチング除去するのを容易にし、有機絶縁板
上に微細で、かつ精度の高い銅配線・母ターンを形成す
ることが可能である。
、化学めっきの際に化学めっき液の浸み込みによシ銅醒
化膜中の銅イオンが還元されず、かつレジストと薄金属
銅層との密着性が低下しない程度に、化学めっきの前に
、予め銅酸化膜を電気的に還元処理することを特徴とす
るものであり、これにより、回路部分にのみ化学めっき
によシ金属銅を還元析出させ、もって後の工程で非回路
部の銅をエツチング除去するのを容易にし、有機絶縁板
上に微細で、かつ精度の高い銅配線・母ターンを形成す
ることが可能である。
実施例１
本発明の一界施例を第２図を用いて以下に説明する。ガ
ラス繊維強化エポキシ樹脂板１の両面に銅箔２を熱圧着
したもの（Ａ）の表面を以下に示すような組成 ＮａＯＨ５１１／Ｉ！ Ｎａ３ＰＯ４−２Ｈ２０１０１１／Ｉ Ｎ−ａｃ、ＺＯ２，、３０Ｊｉ’／ ｌ ・を有するリ
ン酸系の水溶液によシ処理して銅箔２の表面に銅酸化膜
３を形成した（Ｂ）。次いで、水洗後、後記レジストと
の密着性を損わない程度に銅酸化膜３を電解還元した（
Ｃ）。
ラス繊維強化エポキシ樹脂板１の両面に銅箔２を熱圧着
したもの（Ａ）の表面を以下に示すような組成 ＮａＯＨ５１１／Ｉ！ Ｎａ３ＰＯ４−２Ｈ２０１０１１／Ｉ Ｎ−ａｃ、ＺＯ２，、３０Ｊｉ’／ ｌ ・を有するリ
ン酸系の水溶液によシ処理して銅箔２の表面に銅酸化膜
３を形成した（Ｂ）。次いで、水洗後、後記レジストと
の密着性を損わない程度に銅酸化膜３を電解還元した（
Ｃ）。
との電解還元は、電解還元用の液としてＮａＯＨにより
−１２，０に調整した液を用い、液温を２５℃とし、還
元電流密度ｆ：１．２５ ｍＡ／（−とし、対極に哄ス
テンレス板を用いて、前記鋼の表面上に形成した酸化膜
を還元処理した。
−１２，０に調整した液を用い、液温を２５℃とし、還
元電流密度ｆ：１．２５ ｍＡ／（−とし、対極に哄ス
テンレス板を用いて、前記鋼の表面上に形成した酸化膜
を還元処理した。
次に、この還元処理膜に付着した電解液を水洗した後、
十分乾燥し、その上にドライフィルムによシレジス）４
ターンを形成し０）、次に以下に示すよう、な成分 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０７Ｉ！ エチレンジアミン４酢酸 、３０１９ ３７ヂＨＣＨ０３プ ＮａＯＨ、ｐＨが１２．５になるように添加ポリエチレ
ングリコール パ ２０プ （平均分子量４５０） ２．２′ジピリジル４０Ｔｎ９” 。
十分乾燥し、その上にドライフィルムによシレジス）４
ターンを形成し０）、次に以下に示すよう、な成分 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０７Ｉ！ エチレンジアミン４酢酸 、３０１９ ３７ヂＨＣＨ０３プ ＮａＯＨ、ｐＨが１２．５になるように添加ポリエチレ
ングリコール パ ２０プ （平均分子量４５０） ２．２′ジピリジル４０Ｔｎ９” 。
ｋｌｌの水に溶解して得られる濃度に調整しためりき液
を用いて回路部上に銅５を回路導体として必要な厚さに
化学めっきした＠）。その結果、化学めっき液のしみ込
みに基づく非回路部への銅の析出はなかった。
を用いて回路部上に銅５を回路導体として必要な厚さに
化学めっきした＠）。その結果、化学めっき液のしみ込
みに基づく非回路部への銅の析出はなかった。
次ニ、ドライフィルムのレジストパターン４を除去しＣ
）、その後、次に示すような組成ＦａＣｔ３４０１／Ｉ Ｃｏｎｅ 、ＨＣＬ −２０’ｍｌ／１を有するエツチ
ング液によシ、非回路部の銅箔２をエツチング除去して
ガラス繊維強化ニーキシ樹脂基板１上に銅配線５を完成
した０）。
）、その後、次に示すような組成ＦａＣｔ３４０１／Ｉ Ｃｏｎｅ 、ＨＣＬ −２０’ｍｌ／１を有するエツチ
ング液によシ、非回路部の銅箔２をエツチング除去して
ガラス繊維強化ニーキシ樹脂基板１上に銅配線５を完成
した０）。
得られた銅配線の・リーンは銅導体幅（μｍ）／導体間
隔（μｍ）が４９１５１であり、これは、使用したレジ
ストパターン形状のこれに対応する比５０１５０に近く
、良好な所期の７ヤタ一ン精度を有することがわかった
。
隔（μｍ）が４９１５１であり、これは、使用したレジ
ストパターン形状のこれに対応する比５０１５０に近く
、良好な所期の７ヤタ一ン精度を有することがわかった
。
実施例２
実施例１におけるガラス繊維強化工ｌキシ樹脂板１の代
りに？リイミド板を用いた以外は実施例１と同じ方法、
条件により実施した。その結果、得られた銅配線のノや
ターンの前記の比は４９１５１であシ、これは、使用し
たレジストパターン形状のこれに対応する比５０１５０
に近く、良好な・母ターン精度を有することがわかった
。
りに？リイミド板を用いた以外は実施例１と同じ方法、
条件により実施した。その結果、得られた銅配線のノや
ターンの前記の比は４９１５１であシ、これは、使用し
たレジストパターン形状のこれに対応する比５０１５０
に近く、良好な・母ターン精度を有することがわかった
。
実施例３
実施例１においてドライフィルムのレジストの代りに液
状のレジストを用い且つ電解液のＰＩ−１に６、０とし
、それ以外は実施例１と同じ方法によシ実施した。その
結果、得られた銅配線のノぞターンの前記の比は４８１
５２であシ、これは、使用し；レジストパターン形状の
これに対応する比５０１５０に近く、良好な・ぐターン
精度を有することがわかった。
状のレジストを用い且つ電解液のＰＩ−１に６、０とし
、それ以外は実施例１と同じ方法によシ実施した。その
結果、得られた銅配線のノぞターンの前記の比は４８１
５２であシ、これは、使用し；レジストパターン形状の
これに対応する比５０１５０に近く、良好な・ぐターン
精度を有することがわかった。
実施例４
実施例１において銅箔表面の酸化処理用の液として、リ
ン酸系の水溶液の代シに ＫＭｎＯ１０９／１ ＮａＯＨ１０１１／１ なる組成を有する水溶液を用いて銅箔表面を処理した以
外は実施例１と同じ方法、条件によシ実施した。その結
果、得られた銅配線のパターンの前記の比は４９１５１
であり、これは、使用したレジストパターン形状のこれ
に対応する比５０１５０に近く、良好なパターン精度を
有することがわかった。
ン酸系の水溶液の代シに ＫＭｎＯ１０９／１ ＮａＯＨ１０１１／１ なる組成を有する水溶液を用いて銅箔表面を処理した以
外は実施例１と同じ方法、条件によシ実施した。その結
果、得られた銅配線のパターンの前記の比は４９１５１
であり、これは、使用したレジストパターン形状のこれ
に対応する比５０１５０に近く、良好なパターン精度を
有することがわかった。
第３図は、以上の実施例において電解還元に用断面図を
示す。
示す。
電解還元時における銅酸化膜の電解還元反応は下記の如
くである。すなわち主反応として以下や反応機構が考え
られる。
くである。すなわち主反応として以下や反応機構が考え
られる。
ＣｕＯ２Ｃｕ（ＯＨ）→Ｃｏ” ＋ ２０１−電解還元
液の−としては、Ｐ）１６以上が好ましい。
液の−としては、Ｐ）１６以上が好ましい。
その理由は、−が約５．５以下では、
＋Ｈ２Ｏ
ＣｕＯ−一→Ｃｕ （ＯＨ）２→Ｃｕ ＋ ２０Ｈ−／
ＱＮ のような反応が速やかに進行し、銅箔上に酸化膜を形成
した基板金電解液に浸漬した場合、所望の形状の電解還
元膜が得られＫくいからである。
ＱＮ のような反応が速やかに進行し、銅箔上に酸化膜を形成
した基板金電解液に浸漬した場合、所望の形状の電解還
元膜が得られＫくいからである。
なお、以上の各実施例により得られた銅配線板は、電解
還元された後の銅酸化膜中に、その形成時に用いた前記
の酸化処理用液に応じリン、マンガンもしくは塩素また
は酸素を含んでいることが見出さ、れた。
還元された後の銅酸化膜中に、その形成時に用いた前記
の酸化処理用液に応じリン、マンガンもしくは塩素また
は酸素を含んでいることが見出さ、れた。
前記の各→雄側は絶縁性基板１の両面に回路を形成する
ものとして説明したが、片面のみに回路”を形成￥る場
合にも本発明、は適用可能であることは勿論である。ま
た基板１は銅箔２を熱圧着したものとして説明したが、
これに代えて、化学めっきによシ銅の薄層を表面に施し
た絶縁基板を用いることもできる。
ものとして説明したが、片面のみに回路”を形成￥る場
合にも本発明、は適用可能であることは勿論である。ま
た基板１は銅箔２を熱圧着したものとして説明したが、
これに代えて、化学めっきによシ銅の薄層を表面に施し
た絶縁基板を用いることもできる。
比較例１
比較のため、実施例１の電解還元のプロセス（Ｃ）を行
わなかった以外は実施例１と同じ条件で、第１図に示し
た先行例のプロセスによシ、ガラス繊維強化エポキシ樹
脂板上に銅配線を形成したととｒｌｏ） ろ、化学めっきの際、銅箔上に形成した酸化膜中の銅イ
オンの一部が還元され、以後引きつづき非回路部上にめ
っき液中の銅イオンが還元析出するようになった。その
結果、銅配線の７４ターンの前記の比は４３１５７であ
り、これは、使用したレジストノ臂ターン形状のこれに
対応する比５０１５０とは大きく相違しており、ノ母タ
ーン精度が不良であったＯ 〔発明の効果〕 本発明によれば、絶縁基板上の薄い銅層（例えば銅箔）
とレジスト・母ターンとの密着性を高めるために銅箔上
に形成した銅酸化物層を、回路導体としての銅の化学め
っきに先立って予め電気的に還元処理するので、化学め
っきの際に非回路部上にまで銅が還元析出することを防
ぐことができ、従うて非回路部上の銅をエツチングで溶
解除去することが容易であるから、微細で且つ高精度の
銅配線を形成することができ、他方、該薄銅層とレジス
トとの密着性も確保することができる。
わなかった以外は実施例１と同じ条件で、第１図に示し
た先行例のプロセスによシ、ガラス繊維強化エポキシ樹
脂板上に銅配線を形成したととｒｌｏ） ろ、化学めっきの際、銅箔上に形成した酸化膜中の銅イ
オンの一部が還元され、以後引きつづき非回路部上にめ
っき液中の銅イオンが還元析出するようになった。その
結果、銅配線の７４ターンの前記の比は４３１５７であ
り、これは、使用したレジストノ臂ターン形状のこれに
対応する比５０１５０とは大きく相違しており、ノ母タ
ーン精度が不良であったＯ 〔発明の効果〕 本発明によれば、絶縁基板上の薄い銅層（例えば銅箔）
とレジスト・母ターンとの密着性を高めるために銅箔上
に形成した銅酸化物層を、回路導体としての銅の化学め
っきに先立って予め電気的に還元処理するので、化学め
っきの際に非回路部上にまで銅が還元析出することを防
ぐことができ、従うて非回路部上の銅をエツチングで溶
解除去することが容易であるから、微細で且つ高精度の
銅配線を形成することができ、他方、該薄銅層とレジス
トとの密着性も確保することができる。
第１図（ａ）ないしくｆ）は先行技術のパターン化学め
っき法によるプリント回路形成方法の各プロセスを示す
断面図、 第２図（Ａ）ないしくＧ）は本発明の実施例に係るノ臂
ターン化学めっき法によるプリント回路形成方法の各プ
ロセスを示す断面図、 第３図は電解還元装置の概要図、 第４図は電解還元の前後の断面模式図である。 １・・・絶縁板 ２・・・銅箔 ３・・・銅酸化膜 ４・・・レジスト ５・・・化学めりき銅膜 ６・・・銅酸化膜を電気的に還元した処理膜第３図
っき法によるプリント回路形成方法の各プロセスを示す
断面図、 第２図（Ａ）ないしくＧ）は本発明の実施例に係るノ臂
ターン化学めっき法によるプリント回路形成方法の各プ
ロセスを示す断面図、 第３図は電解還元装置の概要図、 第４図は電解還元の前後の断面模式図である。 １・・・絶縁板 ２・・・銅箔 ３・・・銅酸化膜 ４・・・レジスト ５・・・化学めりき銅膜 ６・・・銅酸化膜を電気的に還元した処理膜第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄い金属銅層を表面に有する絶縁板の該金属銅層の
表面を酸化処理して該表面に銅酸化膜を形成する工程、
レジストとの密着性が低下しない程度に該銅酸化膜を電
解還元する工程、該電解還元された銅酸化膜を非回路部
分についてのみレジストで覆う工程、上記電解還元され
た銅酸化膜のレジストで覆われていない回路部分に回路
導体として必要な厚さに銅を化学めっきにより付着させ
る工程、その後、レジスＩｆ除去し非回路部分の上記金
属銅層および上記電解還元された銅酸化膜をエツチング
により除去する工程よシなること全特徴とする絶縁板上
の回路形成法。 ２ 銅酸化膜の電解還元に用いる電解還元液は−が６以
上である特許請求の範囲第１項記載の絶縁板上の回路形
成法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24798083A JPS60143689A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 絶縁板上の回路形成法 |
| KR1019840008470A KR920003400B1 (ko) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | 금속과 수지와의 복합체 및 그 제조방법 |
| DE19843447669 DE3447669A1 (de) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Verbundstruktur aus metall und kunstharz sowie verfahren zu deren herstellung |
| US06/687,754 US4661417A (en) | 1983-12-29 | 1984-12-31 | Composite of metal and resin having electrolytically reduced metal layer and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24798083A JPS60143689A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 絶縁板上の回路形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143689A true JPS60143689A (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=17171403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24798083A Pending JPS60143689A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 絶縁板上の回路形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981560A (en) * | 1988-03-25 | 1991-01-01 | Fukuda Metal Foil & Powder Industrial Co., Ltd. | Method of surface treatment of copper foil or a copper clad laminate for internal layer |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24798083A patent/JPS60143689A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981560A (en) * | 1988-03-25 | 1991-01-01 | Fukuda Metal Foil & Powder Industrial Co., Ltd. | Method of surface treatment of copper foil or a copper clad laminate for internal layer |
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