JPS60139764A - シリコン系熱硬化性樹脂のキユア−方法 - Google Patents
シリコン系熱硬化性樹脂のキユア−方法Info
- Publication number
- JPS60139764A JPS60139764A JP58249339A JP24933983A JPS60139764A JP S60139764 A JPS60139764 A JP S60139764A JP 58249339 A JP58249339 A JP 58249339A JP 24933983 A JP24933983 A JP 24933983A JP S60139764 A JPS60139764 A JP S60139764A
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- Japan
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- silicone resin
- temp
- kick
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は塗付したシリコン系熱硬化性樹脂をキュアーさ
ゼる方法の改良に関する。 □（ｂ） 技術の背景 第１図は磁気バブルメモリ素子を破断した一部分の側面
図であり−ＩＶｉＧＧＧ基板、２は基板１の上面に液相
エピタキシャル成長させたガーネット膜、３は被看した
絶Ｈ層（Ｓｉｎ２層〕、４はその上面にパターン形成さ
せた導体層、５はガーネット膜２の上面及び導体層３の
上面に形成さゼたシリコン系熱硬化性樹脂の絶縁層間膜
、６はその上面に形成さゼた絶縁層（Ｓｉ０２１裔）、
７はＳｉ０また絶縁層（Ｓｉ Ｏ，’層又はシリコン系
熱硬化性樹脂層）であ谷。
ゼる方法の改良に関する。 □（ｂ） 技術の背景 第１図は磁気バブルメモリ素子を破断した一部分の側面
図であり−ＩＶｉＧＧＧ基板、２は基板１の上面に液相
エピタキシャル成長させたガーネット膜、３は被看した
絶Ｈ層（Ｓｉｎ２層〕、４はその上面にパターン形成さ
せた導体層、５はガーネット膜２の上面及び導体層３の
上面に形成さゼたシリコン系熱硬化性樹脂の絶縁層間膜
、６はその上面に形成さゼた絶縁層（Ｓｉ０２１裔）、
７はＳｉ０また絶縁層（Ｓｉ Ｏ，’層又はシリコン系
熱硬化性樹脂層）であ谷。
このような素子において層間膜５は、導体層４を絶縁被
覆するとともに二導体層４の段差を均して磁性体層７の
形成用下地面になるため、シリコン系熱硬化性樹脂（ポ
リラダーオルガノシロキサン系樹脂）が使用されている
。
覆するとともに二導体層４の段差を均して磁性体層７の
形成用下地面になるため、シリコン系熱硬化性樹脂（ポ
リラダーオルガノシロキサン系樹脂）が使用されている
。
（Ｃ） 従来□技術と問題点
そこで従来の層間膜５は一湿度２０チ以下のＮ！ガス雰
囲気中で導体層４・を埋める厚さく例えば３０００λ）
にスピンコードしたのち、Ｎ、ガス雰囲気中で８０℃〜
２００℃に約６０分間加熱しコート樹脂液のガス抜きを
主目的としたプレキュアーを施し、次いでＮ、ガス雰囲
気中で２７５℃〜４５０℃に約６０分間加熱にし硬化さ
せていた。
囲気中で導体層４・を埋める厚さく例えば３０００λ）
にスピンコードしたのち、Ｎ、ガス雰囲気中で８０℃〜
２００℃に約６０分間加熱しコート樹脂液のガス抜きを
主目的としたプレキュアーを施し、次いでＮ、ガス雰囲
気中で２７５℃〜４５０℃に約６０分間加熱にし硬化さ
せていた。
第２図は層間膜５をキュアーする装置の主要構成を示す
ｌ１ｌｌ断面図、第３図はＡｌｌ ｉｉ２装置に挿入し
複数枚のキュアーされる基ｆｉ（ウェーハ）を同時に支
持するホルダーの従来構成を示す斜視図である。
ｌ１ｌｌ断面図、第３図はＡｌｌ ｉｉ２装置に挿入し
複数枚のキュアーされる基ｆｉ（ウェーハ）を同時に支
持するホルダーの従来構成を示す斜視図である。
第２図において、１１はその外側に配設さｎたヒータ（
図示せず）によシ加熱される筒状炉心管。
図示せず）によシ加熱される筒状炉心管。
１２は炉心管１１の開口端を塞ぐ蓋、１３はシリコン系
熱硬化性樹脂液をスピンコードしたウェーハ、１４ｔｌ
；を炉心管１１に挿入される複数枚のウェーハ１３を支
持するホルダーである。そしてホルダー１４は、第３図
に示す如く石英ガラス棒（又は金属棒）を溶接、即ち３
本の直棒１５．１６゜１７をＶ字形にした１棒１８等を
介して溶接し。
熱硬化性樹脂液をスピンコードしたウェーハ、１４ｔｌ
；を炉心管１１に挿入される複数枚のウェーハ１３を支
持するホルダーである。そしてホルダー１４は、第３図
に示す如く石英ガラス棒（又は金属棒）を溶接、即ち３
本の直棒１５．１６゜１７をＶ字形にした１棒１８等を
介して溶接し。
直棒１５．１６にはウェーハ１３の外縁部を嵌挿する複
数の＃１１９が対向形成されている。
数の＃１１９が対向形成されている。
このような装置を用いた樹脂液のキュアーは横にした炉
心管１１の一方の開口部１１ａから送入し他方の開口部
１１ｂから送出するＮ、ガスが流ｎる雰囲気中で、該ガ
ス流とほぼ直交するようにウェーハ１３を支持していた
が、キュアーされた夕 樹脂層（〆）の表面にシリコン原素が析出する突で測定
した拡大図であシ、大きな突起２０は高さが０．３μｍ
以上である。そして、このような突起２０が第１図の・
層間膜５に形成されると、絶縁層６の厚さがたかだか１
００ＯＡ程度であるため。
心管１１の一方の開口部１１ａから送入し他方の開口部
１１ｂから送出するＮ、ガスが流ｎる雰囲気中で、該ガ
ス流とほぼ直交するようにウェーハ１３を支持していた
が、キュアーされた夕 樹脂層（〆）の表面にシリコン原素が析出する突で測定
した拡大図であシ、大きな突起２０は高さが０．３μｍ
以上である。そして、このような突起２０が第１図の・
層間膜５に形成されると、絶縁層６の厚さがたかだか１
００ＯＡ程度であるため。
磁気バブルメモ１７％子の機能を損うことになる。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は、上記問題点を除去して樹脂膜の品位を
高め、磁気バブルメモリ素子等の不良率を低減しその機
能を安定化さゼることである。
高め、磁気バブルメモリ素子等の不良率を低減しその機
能を安定化さゼることである。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は、所望の基板にシリコン系熱硬化性樹脂液を
塗付したのち、立上り温度勾配が５０℃／分以下で所定
の温度に加熱することを特徴とするシリコン系熱硬化性
樹脂のキュア一方法によシ４成される。
塗付したのち、立上り温度勾配が５０℃／分以下で所定
の温度に加熱することを特徴とするシリコン系熱硬化性
樹脂のキュア一方法によシ４成される。
（ｆ） 発明の実施例
本発明は、キュアー後の突起を無くすため樹脂液の塗付
方法及びキュア一方法について詳細に制置・検討したと
ころ、特に高温で加熱するポストキュアーの方法か大き
く影響することが明らかであり、その結果に基づ〈実施
例を図面を用いて説明する。
方法及びキュア一方法について詳細に制置・検討したと
ころ、特に高温で加熱するポストキュアーの方法か大き
く影響することが明らかであり、その結果に基づ〈実施
例を図面を用いて説明する。
第５図は３５０℃で約６０分間加熱するホストキュアー
の立上多温度勾配を説明するための図である。
の立上多温度勾配を説明するための図である。
第５図において、横軸は経過時間（分）、縦軸は基板温
度（Ｃ）、Ａ−Ｄは立上多温度勾配が異なる基板温度特
性でめシ、従来方法で加熱した特性Ａの立上り温度勾配
が１７６℃／分であるのに対し、試行例になる特性Ｂ、
Ｃ，Ｄのそれはそれぞれ４８℃／分、３６℃／分、３０
℃／分になっている。そして、特性Ａの基板には高さ０
．１μｍ以上のシリコン原素突起が多数個形成されたの
・に対し、特性Ｂの基板には高さ０．１μｍ以下のシリ
コン原素突起が散発形成され、特性Ｃ及びＤの基板には
シリコン原素突起が形成さｒｔなかった。
度（Ｃ）、Ａ−Ｄは立上多温度勾配が異なる基板温度特
性でめシ、従来方法で加熱した特性Ａの立上り温度勾配
が１７６℃／分であるのに対し、試行例になる特性Ｂ、
Ｃ，Ｄのそれはそれぞれ４８℃／分、３６℃／分、３０
℃／分になっている。そして、特性Ａの基板には高さ０
．１μｍ以上のシリコン原素突起が多数個形成されたの
・に対し、特性Ｂの基板には高さ０．１μｍ以下のシリ
コン原素突起が散発形成され、特性Ｃ及びＤの基板には
シリコン原素突起が形成さｒｔなかった。
従って、硝１図に示した１磁気バブルメモリ素子の作成
に際し１層間膜５のホストキュアーは立上り温度勾配を
５０℃／分以下にすることによシ、シリコンｉ累突起の
影響を皆無にすることができた。
に際し１層間膜５のホストキュアーは立上り温度勾配を
５０℃／分以下にすることによシ、シリコンｉ累突起の
影響を皆無にすることができた。
第６図は本発明の一実施例に係わる基板ホルダーの斜視
図、第７図は前記ホルダーの４板搭載川棚叡の平面図で
ある。
図、第７図は前記ホルダーの４板搭載川棚叡の平面図で
ある。
第６図において、シリコン系熱硬化性樹脂液をスピンコ
ードした複数板の基板（ウェーハ）を搭載するホルダー
２１は石英ガラス（又は金属棒）にてなる複数本の支柱
２５．２６を介して取扱い用把手２７に溶接されたもの
である。そして、棚、板２３．２４の上面には第７図に
も示す如く、複数枚のウェーハ３０を３方でほぼ位置決
めする突起２８が設けである。
ードした複数板の基板（ウェーハ）を搭載するホルダー
２１は石英ガラス（又は金属棒）にてなる複数本の支柱
２５．２６を介して取扱い用把手２７に溶接されたもの
である。そして、棚、板２３．２４の上面には第７図に
も示す如く、複数枚のウェーハ３０を３方でほぼ位置決
めする突起２８が設けである。
このようなホルダ２１は、従来構成になる横型炉心！（
１１）に挿入すると、樹脂液塗付面を上にして搭載され
た各ウェーハ３０は、Ｎ、ガス流と平行になるため基板
温度の上昇速度（立上シ温度勾配）か低下する。その結
果、炉心管加熱用ヒータを制御しないで、第５凶に示す
如き立上り温度勾配の制御が実現する。
１１）に挿入すると、樹脂液塗付面を上にして搭載され
た各ウェーハ３０は、Ｎ、ガス流と平行になるため基板
温度の上昇速度（立上シ温度勾配）か低下する。その結
果、炉心管加熱用ヒータを制御しないで、第５凶に示す
如き立上り温度勾配の制御が実現する。
即ち、第５図は特性Ａが第２図及び第３図に示すホルダ
１４を使用しているのに対し、特性Ｃ及びＤは第６図に
示す構成のホルダを使用し、特性Ａ、Ｃ，Ｄの炉心管加
熱条件を同一にしたが、特性Ｃに使用したホルダの棚板
は厚さが約１．８ｍであるのに対し、特性りのそれは厚
さが約３ｍである。
１４を使用しているのに対し、特性Ｃ及びＤは第６図に
示す構成のホルダを使用し、特性Ａ、Ｃ，Ｄの炉心管加
熱条件を同一にしたが、特性Ｃに使用したホルダの棚板
は厚さが約１．８ｍであるのに対し、特性りのそれは厚
さが約３ｍである。
億） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれは、キュアーさゼるための
立上り温度勾配を５０℃／分以下としざらにはＷ鞘液を
塗付した基板の支持方法を変えることにより前記５０℃
／分以下を実現せしめ、シリコン原素の析出による突起
が形成されないようになってシリコン系熱硬化性樹脂膜
の品位が向上し、該樹脂膜を用いて構成される磁気バブ
ルメモリ素子等の製造歩留シが向上し性能が安定化され
た効果は極めて大きい。
立上り温度勾配を５０℃／分以下としざらにはＷ鞘液を
塗付した基板の支持方法を変えることにより前記５０℃
／分以下を実現せしめ、シリコン原素の析出による突起
が形成されないようになってシリコン系熱硬化性樹脂膜
の品位が向上し、該樹脂膜を用いて構成される磁気バブ
ルメモリ素子等の製造歩留シが向上し性能が安定化され
た効果は極めて大きい。
ｍ１図は磁気バブルメモリ素子を破断した一部分分の側
断面図、第２図はシリコン系熱硬化性樹脂にてなる前記
菓子の層間膜をキュアーする装置の主ＪＭ！構成を示す
側−１面図、第３図は前記装置される基板ホルダーの従
来構成を示す斜視図、第４図は従来のキエア一方法で形
成され突起を示す拡大図、第５図はぎストキュアーの立
上り温度勾配を説明するための図、第６図は本発明の一
実施例に係わる基板ホルダーを示す斜視図、第７図は第
６図に示す棚板の平面図である。 図中において、５はシリコン系熱硬化性樹脂膜、１３．
３０は基板、１４．２Ｈｊ：基板ホルダー、２３．２４
は棚板を示す。 外ｌ閃 峯２叫 １ｂ ｌＰ−３唄 厖４０ 本７呵
断面図、第２図はシリコン系熱硬化性樹脂にてなる前記
菓子の層間膜をキュアーする装置の主ＪＭ！構成を示す
側−１面図、第３図は前記装置される基板ホルダーの従
来構成を示す斜視図、第４図は従来のキエア一方法で形
成され突起を示す拡大図、第５図はぎストキュアーの立
上り温度勾配を説明するための図、第６図は本発明の一
実施例に係わる基板ホルダーを示す斜視図、第７図は第
６図に示す棚板の平面図である。 図中において、５はシリコン系熱硬化性樹脂膜、１３．
３０は基板、１４．２Ｈｊ：基板ホルダー、２３．２４
は棚板を示す。 外ｌ閃 峯２叫 １ｂ ｌＰ−３唄 厖４０ 本７呵
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋ｌ”ｌ 所望の４板にシリコン系熱硬化性樹脂付した
のち、立上シ温度勾配が５０℃／分以下で／３１［定の
温度に加熱することを特徴とするシリコン系熱硬化性樹
脂のキュア一方法。 （２）前記樹脂を塗付した前記基板を基板ホルダーの棚
板の上に寝せて載直し前記温度勾配にしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載したシリコン系熱硬化
性樹脂のキュア一方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249339A JPS60139764A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | シリコン系熱硬化性樹脂のキユア−方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249339A JPS60139764A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | シリコン系熱硬化性樹脂のキユア−方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60139764A true JPS60139764A (ja) | 1985-07-24 |
Family
ID=17191543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58249339A Pending JPS60139764A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | シリコン系熱硬化性樹脂のキユア−方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60139764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611795U (ja) * | 1991-07-02 | 1994-02-15 | 株式会社十和田技研 | 玩具用給電装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56827A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Production of block copolymer |
| JPS563494A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Defect remedying system for bubble memory |
| JPS5649540A (en) * | 1979-06-21 | 1981-05-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS56100447A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Fujitsu Ltd | Lamination structure body |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58249339A patent/JPS60139764A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56827A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Production of block copolymer |
| JPS5649540A (en) * | 1979-06-21 | 1981-05-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS563494A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Defect remedying system for bubble memory |
| JPS56100447A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Fujitsu Ltd | Lamination structure body |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611795U (ja) * | 1991-07-02 | 1994-02-15 | 株式会社十和田技研 | 玩具用給電装置 |
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