JPS60138938A - 誘電体分離基板の製造方法 - Google Patents
誘電体分離基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60138938A JPS60138938A JP24751583A JP24751583A JPS60138938A JP S60138938 A JPS60138938 A JP S60138938A JP 24751583 A JP24751583 A JP 24751583A JP 24751583 A JP24751583 A JP 24751583A JP S60138938 A JPS60138938 A JP S60138938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- type
- porous
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化物によシ囲まれた単結晶シリコンの島を
具えた誘電体分離基板の製造方法に関するものである。
具えた誘電体分離基板の製造方法に関するものである。
半導体集積回路装置における種々の特性の向上のために
、誘電体分離による素子の分離方法が考えられている。
、誘電体分離による素子の分離方法が考えられている。
この誘電体分離には種々あるが、最も一般的なものは、
異方性エツチング−多結晶シリコン堆積−研磨によって
製造されるものである。しかし、このような製法による
と工数が大となってコストが上昇するだけでなく、基板
の反りを生じたりして歩留の面でも問題がある。そこで
、多孔質シリコンの酸化によって絶縁分離領域を形成す
る方法が考えられている。これは、単結晶シリコイを陽
極化成処理して多孔質シリコンとし。
異方性エツチング−多結晶シリコン堆積−研磨によって
製造されるものである。しかし、このような製法による
と工数が大となってコストが上昇するだけでなく、基板
の反りを生じたりして歩留の面でも問題がある。そこで
、多孔質シリコンの酸化によって絶縁分離領域を形成す
る方法が考えられている。これは、単結晶シリコイを陽
極化成処理して多孔質シリコンとし。
これを酸化することによって単結晶シリコンの島を取−
む誘電′体分離領域を形成するものである。
む誘電′体分離領域を形成するものである。
本発明は、多孔質シリコンの酸化による誘電体分離基板
の蒙造方法に関するものであシ、結晶性の良好な単結晶
シリコンの島を得るとともに、工数の低減を計り、信頼
性の高い誘電体分離基板を得ることを目的とする。
の蒙造方法に関するものであシ、結晶性の良好な単結晶
シリコンの島を得るとともに、工数の低減を計り、信頼
性の高い誘電体分離基板を得ることを目的とする。
本発明は、Ｐ型シリコン基板にＮ型の拡散領域を形成し
た後にその周囲と下面を陽極化成処理して多孔質化し、
その上に単結晶シリコンと多結晶シリコンをエピタキシ
アル成長させ、多結晶シリコンを陽極化成処理して多孔
質し、二つの多孔質シリコンを酸化することによって、
上記の目的を達成するものである。
た後にその周囲と下面を陽極化成処理して多孔質化し、
その上に単結晶シリコンと多結晶シリコンをエピタキシ
アル成長させ、多結晶シリコンを陽極化成処理して多孔
質し、二つの多孔質シリコンを酸化することによって、
上記の目的を達成するものである。
以Ｆ１図面に従って、本発明の実施列について説明する
。
。
第１図〜第６図は本発明の実施例を示す正面断面図であ
る。第１図のように、Ｐ型のシリコン基板ｌＯの表面に
アンチモン、ヒ素などの不純物を拡散してＮ型頭域ｉｔ
を形成する。このＮ型の領域１１は、基板１００表面に
任意の形状に形成できるが、分離した矩形のものを規則
的に配置するようにすると良い。後に形成される単結晶
シリコンの島内に複数個形成するようにすると、次の陽
極化成処理が容易となる。
る。第１図のように、Ｐ型のシリコン基板ｌＯの表面に
アンチモン、ヒ素などの不純物を拡散してＮ型頭域ｉｔ
を形成する。このＮ型の領域１１は、基板１００表面に
任意の形状に形成できるが、分離した矩形のものを規則
的に配置するようにすると良い。後に形成される単結晶
シリコンの島内に複数個形成するようにすると、次の陽
極化成処理が容易となる。
次に、第２図のように、Ｐ型のシリコン基板１０の一部
を陽極化成処理によって多孔質シリコン層１２とする。
を陽極化成処理によって多孔質シリコン層１２とする。
Ｎ型の領域１１の周囲と下面に多孔質シリコン層１２が
形成されるものである。陽極化成処理はフッ化水素溶液
中で行うが、Ｐ型の領ｊｄＦｉＮ型の領域に比較して多
孔質化され易いので。
形成されるものである。陽極化成処理はフッ化水素溶液
中で行うが、Ｐ型の領ｊｄＦｉＮ型の領域に比較して多
孔質化され易いので。
Ｎ型の領域１１ははソそのまま単結晶として残るが、Ｐ
型の領域は多孔質化が進みＮ型の領域の下面Ｋまで伸び
るような形となる。なお、基板ｌＯの表面のうち陽極化
成処理によって多孔質化させない部分にはシリコン窒化
嗅１３を形成しておく。
型の領域は多孔質化が進みＮ型の領域の下面Ｋまで伸び
るような形となる。なお、基板ｌＯの表面のうち陽極化
成処理によって多孔質化させない部分にはシリコン窒化
嗅１３を形成しておく。
シリコン窒化１１１１３を除去して、第３図のように、
多孔質シリコン層１２の一部の上にシリコン酸化＠１４
を形成する。このとき、シリコン酸化嘆のパターンは、
多孔質シリコン層１２の周囲の上に、単結晶シリコンの
島１１を取シ囲むように形成する。
多孔質シリコン層１２の一部の上にシリコン酸化＠１４
を形成する。このとき、シリコン酸化嘆のパターンは、
多孔質シリコン層１２の周囲の上に、単結晶シリコンの
島１１を取シ囲むように形成する。
次に％第４図のよう罠、基板１００表面にＮ型の単結晶
シリコン１５をエピタキシアル成長させる。多孔質シリ
コンも単結晶であるので霧出表面のエピタキシアル層は
単結晶となる。エピタキシアル成長によるＮ型の単結晶
シリコン１５の厚みは、後に形成する素子の種類によっ
て異なるが数μから２０μ程度に形成される。一方、シ
リコン酸化膜１４の表面のエピタキシアル成長させたシ
リコンは多結晶シリコン１６となる。なお、シリコン酸
化１１１１４にＰ型の不純物をドープしておくと、エピ
タキシアル成長の際に多結晶シリコン１６内に拡散され
、後の陽極化成処理が容易となる。
シリコン１５をエピタキシアル成長させる。多孔質シリ
コンも単結晶であるので霧出表面のエピタキシアル層は
単結晶となる。エピタキシアル成長によるＮ型の単結晶
シリコン１５の厚みは、後に形成する素子の種類によっ
て異なるが数μから２０μ程度に形成される。一方、シ
リコン酸化膜１４の表面のエピタキシアル成長させたシ
リコンは多結晶シリコン１６となる。なお、シリコン酸
化１１１１４にＰ型の不純物をドープしておくと、エピ
タキシアル成長の際に多結晶シリコン１６内に拡散され
、後の陽極化成処理が容易となる。
続いて、必要に応じて、多結晶シリコン１６丙にＰ型の
不純物を拡散し、第５図のように陽極化成処理によって
多結晶シリコンを多孔質シリコシ１７とする。多結晶シ
リコンは多孔質化し易く、１短時間で深い部分まで多孔
質化される。また、Ｐｉ型の不純物がドープされていれ
ばなお一層容易どなる。なお、この陽極化成処理によっ
て、シリコン酸化膜１４は溶かされて空洞ができる。
１次Ｋ、酸化雰囲気中で基板を酸化させると、第６図の
ように二つの多孔質シリ・ン鳩はいずれも１酸化されて
二酸化シリコン１８となる。多孔質シ＋Ｉ コツｂ＋
ｌｈｋ鮭旦、ソ＋Ｉ −ｙ ｙＶｕ−ａｌｐ ｌ −ｒ
Ｈｚ、−Ａ、Ｖｎｌｌｒ化され易（、Ｎ型の単結晶シリ
コン１５：ｒ）表面が僅かに酸化される間に、基板の内
部まで酸化が進む。また、酸化されると体積が増加する
ので、穴の部分も二酸化シリコンによって充填された形
どなる。
不純物を拡散し、第５図のように陽極化成処理によって
多結晶シリコンを多孔質シリコシ１７とする。多結晶シ
リコンは多孔質化し易く、１短時間で深い部分まで多孔
質化される。また、Ｐｉ型の不純物がドープされていれ
ばなお一層容易どなる。なお、この陽極化成処理によっ
て、シリコン酸化膜１４は溶かされて空洞ができる。
１次Ｋ、酸化雰囲気中で基板を酸化させると、第６図の
ように二つの多孔質シリ・ン鳩はいずれも１酸化されて
二酸化シリコン１８となる。多孔質シ＋Ｉ コツｂ＋
ｌｈｋ鮭旦、ソ＋Ｉ −ｙ ｙＶｕ−ａｌｐ ｌ −ｒ
Ｈｚ、−Ａ、Ｖｎｌｌｒ化され易（、Ｎ型の単結晶シリ
コン１５：ｒ）表面が僅かに酸化される間に、基板の内
部まで酸化が進む。また、酸化されると体積が増加する
ので、穴の部分も二酸化シリコンによって充填された形
どなる。
以上のようにして、二酸化シリコンによって取シ囲まれ
た単結晶シリコンの島が形成された誘電体分離基板が得
られる。
た単結晶シリコンの島が形成された誘電体分離基板が得
られる。
本発明においては、Ｐ型のシリコン基板にＮ型の領域を
形成した後に陽極化成処理を行なって多孔質化させるこ
とに特徴を有する。したかつ−Ｃ１基板表面には多孔質
化された部分と多孔質化されない部分が形成されてでい
ることになる。そのため、エピタキシアル成長によって
形成される曵結晶シリコンは、多孔質化されていない部
分によ？いて結晶性を良好にしたまま成長させることが
でき。
形成した後に陽極化成処理を行なって多孔質化させるこ
とに特徴を有する。したかつ−Ｃ１基板表面には多孔質
化された部分と多孔質化されない部分が形成されてでい
ることになる。そのため、エピタキシアル成長によって
形成される曵結晶シリコンは、多孔質化されていない部
分によ？いて結晶性を良好にしたまま成長させることが
でき。
全体としても膜質が良好となる。従来、多孔質シリコン
上に成長した単結晶シリコンにおいて結晶性の良い嘆が
得られにくかったのに対して、本発明によれば、多孔質
化されていない結晶を核として成長させることができる
ので、結晶性の良好な単結晶シリコンが得られる。
上に成長した単結晶シリコンにおいて結晶性の良い嘆が
得られにくかったのに対して、本発明によれば、多孔質
化されていない結晶を核として成長させることができる
ので、結晶性の良好な単結晶シリコンが得られる。
また、最初に多孔質シリコン層を形成しであるので、］
、程も簡略化できる。従来はＰ型の単結晶の上にＮ型の
単結晶層を形成した後に、陽極化成処理、酸化を行うの
が一般でおった。この場合。
、程も簡略化できる。従来はＰ型の単結晶の上にＮ型の
単結晶層を形成した後に、陽極化成処理、酸化を行うの
が一般でおった。この場合。
横方向に陽極化成処理するために時間を要するなどとい
った点が問題となるのに対して、本発明では陽極化成処
理が短時間ででき、そのため、多孔質化する領域の広さ
、深さの制御も容易となる。
った点が問題となるのに対して、本発明では陽極化成処
理が短時間ででき、そのため、多孔質化する領域の広さ
、深さの制御も容易となる。
なお、Ｐ型の基板に最初に形成されるＮ型の拡散１」域
は、トランジスタの埋込層などとしても利用できる。そ
の場合には不純物濃度を特に大きくしておくと良い。
は、トランジスタの埋込層などとしても利用できる。そ
の場合には不純物濃度を特に大きくしておくと良い。
上記のように、本発明には、結晶性の改善、工数の低減
、歩留の向上などの利点があ郵、きわめて実用的なもの
である。 、
、歩留の向上などの利点があ郵、きわめて実用的なもの
である。 、
第１し１乃至第６（財）は本発明の実施列を示す正面断
面図である。 １２・１７・・・・・・多孔質シリコン層。 １５・・・・・・単結晶シリコン（Ｎ型エピタキシアル
層）、１４・１８・・・・・・二酸化シリコン特許出願
人 東光株式会社
面図である。 １２・１７・・・・・・多孔質シリコン層。 １５・・・・・・単結晶シリコン（Ｎ型エピタキシアル
層）、１４・１８・・・・・・二酸化シリコン特許出願
人 東光株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐ型単結晶シリコン基板の一表面にＮ型不純物を拡散し
た一つまたはそれ以上の島状領域を形成し、該島状領域
の少くとも一つの周囲及び下面に接して取シ囲む多孔質
シリコン領域を陽極化成によシ形成し、該表面の多孔質
シリコン領域の一部 。 Ｋシリコン酸化膜を形成し、該表面の露出部分に 。 単結晶シリコンを、該シリコン酸化膜上に単結晶シリコ
ンを取シ囲む多結晶シリコンをエピタキシアル成長させ
、該多結晶シリコンを陽極化成によシ多孔質化した後、
該単結晶シリコン基板内の多孔質シリコン領域と該エピ
タキシアル成長させ九 ゛多孔質シリコンをそれぞれ酸
化し、単結晶シリコンの島の周囲及び下面をシリコン酸
化物によシ絶縁分離することを特徴とする誘電体分離基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24751583A JPS60138938A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 誘電体分離基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24751583A JPS60138938A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 誘電体分離基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138938A true JPS60138938A (ja) | 1985-07-23 |
| JPS6343889B2 JPS6343889B2 (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=17164626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24751583A Granted JPS60138938A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 誘電体分離基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138938A (ja) |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24751583A patent/JPS60138938A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6343889B2 (ja) | 1988-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4888300A (en) | Submerged wall isolation of silicon islands | |
| US4824795A (en) | Method for obtaining regions of dielectrically isolated single crystal silicon | |
| EP0501119B1 (en) | Method of producing semiconductor substrate | |
| EP0449589A1 (en) | Method of producing a SOI structure | |
| JP2000133703A (ja) | 絶縁されたウェルをシリコン・ウェハ中に形成する方法 | |
| KR100353174B1 (ko) | 절연체 상 실리콘 기판 제조 방법 | |
| JP2699359B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS60138938A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| US4268348A (en) | Method for making semiconductor structure | |
| US4006045A (en) | Method for producing high power semiconductor device using anodic treatment and enhanced diffusion | |
| JPS62108539A (ja) | Ｓｏｉ構造半導体装置の製造方法 | |
| JPS6343888B2 (ja) | ||
| JPS61174736A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JPH07183372A (ja) | 半導体基板の作成方法 | |
| JPS59186341A (ja) | 相補形誘電体分離基板の製造方法 | |
| JP2595564B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0227523A2 (en) | Method for obtaining regions of dielectrically isolated single crystal silicon | |
| JP3143188B2 (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPH01238033A (ja) | 誘電体分離型半導体基板及びその製造方法 | |
| JPS61285754A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01181569A (ja) | Ｓｏｉ型の電界郊果トランジスタ | |
| JPS5928052B2 (ja) | 半導体集積回路用基体の製造方法 | |
| JPS60164333A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JPH0462952A (ja) | 誘電体分離半導体基板の製造方法 | |
| JPH03167824A (ja) | 半導体装置の製造方法 |