JPS6013245B2 - 酸化インジウム透明導電膜のパタ−ン化方法 - Google Patents
酸化インジウム透明導電膜のパタ−ン化方法Info
- Publication number
- JPS6013245B2 JPS6013245B2 JP11714577A JP11714577A JPS6013245B2 JP S6013245 B2 JPS6013245 B2 JP S6013245B2 JP 11714577 A JP11714577 A JP 11714577A JP 11714577 A JP11714577 A JP 11714577A JP S6013245 B2 JPS6013245 B2 JP S6013245B2
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- JP
- Japan
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- indium oxide
- conductive film
- resist agent
- transparent conductive
- oxide transparent
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板（ガラス基板等）上に形成された酸化イ
ンジウム透明導電膜（数％程度の酸化スズ等が混合され
た酸化インジウム透明導電膜等も含む。
ンジウム透明導電膜（数％程度の酸化スズ等が混合され
た酸化インジウム透明導電膜等も含む。
）を所定の形状にパターン化する、パターン化方法に関
するものである。ガラス基板等の基板の面上全面に、酸
化インジウム透明導電膜を形成し、その後該酸化インジ
ウム透明導電膜を所定の電極形状にパターン化する方法
として、従来は、印刷レジスト又はフオトレジストを上
記所定の形状にコーティングし、非コーティング部分の
酸化インジウム透明導電膜をケミカルエッチングする方
法がとられていた。
するものである。ガラス基板等の基板の面上全面に、酸
化インジウム透明導電膜を形成し、その後該酸化インジ
ウム透明導電膜を所定の電極形状にパターン化する方法
として、従来は、印刷レジスト又はフオトレジストを上
記所定の形状にコーティングし、非コーティング部分の
酸化インジウム透明導電膜をケミカルエッチングする方
法がとられていた。
しかし、この従来の方法には、ケミカルエッチングの為
のエッチング槽が必要であり、液管理、廃液処理、工程
の複雑さ等問題点が多かった。本発明は、従来の酸化イ
ンジウム透明導電膜パターン化方法に於ける上記問題点
を解決できる、パターン化方法を得ることを目的として
なされたものであり、従来のようなケミカルエッチング
の工程を全く必要としない、全く新規なパターン化方法
を提供するものである。即ち、本発明のパターン化方法
に於いては、まず基板上に形成された酸化インジウム透
明導電膜の除去すべき部分の面上にレジスト剤を印刷す
る。
のエッチング槽が必要であり、液管理、廃液処理、工程
の複雑さ等問題点が多かった。本発明は、従来の酸化イ
ンジウム透明導電膜パターン化方法に於ける上記問題点
を解決できる、パターン化方法を得ることを目的として
なされたものであり、従来のようなケミカルエッチング
の工程を全く必要としない、全く新規なパターン化方法
を提供するものである。即ち、本発明のパターン化方法
に於いては、まず基板上に形成された酸化インジウム透
明導電膜の除去すべき部分の面上にレジスト剤を印刷す
る。
即ち、レジスト剤の印刷の仕方に関しては、従来と全く
逆である。このレジスト剤は、苛性シリカ樹脂粉末、有
機溶剤をその成分として含有するものである。次に、酸
化インジウム透明導電膜、レジスト剤が形成された基板
を、適当な条件のもとで加熱する。この加熱によって、
上記しジスト剤中の成分苛性シリカと、レジスト剤の下
の酸化インジウムとを反応させる。この加熱後、レジス
ト剤剥離の工程に移り、基板を剥離液の中に浸す。この
時、′レジスト剤が除去されるとともに、レジスト剤に
より覆われていた部分の膜も除去される。これは、上記
の加熱によって、引き起された化学反応によってレジス
ト剤の下の酸化ィンジゥム透明導電膜が、レジスト剤剥
離液に溶解しやすい性質の物質に変化したためである。
以下、図面を参照しながら本発明のパターン化方法を更
に詳細に説明する。第１図、第２図は、ガラス基板の面
上全面に形成された酸化インジウム透明導電膜上に、レ
ジスト剤を印刷した時の状態を示す図であり、第１図は
平面図、第２図は第１図に於けるＡ−Ａ′線断面を示す
断面図である。図に於て、１はガラス基板、２はガラス
基板１の面上全面に真空蒸着法等によって形成された酸
化インジウム透明導電膜、３は酸化インジウム透明導電
膜２の除去すべき部分の面上にスクリ−ン印刷法によっ
て印刷されたレジスト剤である。
逆である。このレジスト剤は、苛性シリカ樹脂粉末、有
機溶剤をその成分として含有するものである。次に、酸
化インジウム透明導電膜、レジスト剤が形成された基板
を、適当な条件のもとで加熱する。この加熱によって、
上記しジスト剤中の成分苛性シリカと、レジスト剤の下
の酸化インジウムとを反応させる。この加熱後、レジス
ト剤剥離の工程に移り、基板を剥離液の中に浸す。この
時、′レジスト剤が除去されるとともに、レジスト剤に
より覆われていた部分の膜も除去される。これは、上記
の加熱によって、引き起された化学反応によってレジス
ト剤の下の酸化ィンジゥム透明導電膜が、レジスト剤剥
離液に溶解しやすい性質の物質に変化したためである。
以下、図面を参照しながら本発明のパターン化方法を更
に詳細に説明する。第１図、第２図は、ガラス基板の面
上全面に形成された酸化インジウム透明導電膜上に、レ
ジスト剤を印刷した時の状態を示す図であり、第１図は
平面図、第２図は第１図に於けるＡ−Ａ′線断面を示す
断面図である。図に於て、１はガラス基板、２はガラス
基板１の面上全面に真空蒸着法等によって形成された酸
化インジウム透明導電膜、３は酸化インジウム透明導電
膜２の除去すべき部分の面上にスクリ−ン印刷法によっ
て印刷されたレジスト剤である。
このレジスト剤は、上記した如く、苛性シリカ、樹脂粉
末、有機溶剤をその成分として含有するものである。樹
脂粉末としては、ェポキシ樹脂粉末、ポリアミド樹脂粉
末、ウレタン樹脂粉末等、従釆からある印刷レジストの
成分として用いられているものであればよい。以後、上
記した加熱工程、剥離工程を経ることによって、酸化イ
ンジウム透明導電膜が所定の形状にパ夕−ン化される。
末、有機溶剤をその成分として含有するものである。樹
脂粉末としては、ェポキシ樹脂粉末、ポリアミド樹脂粉
末、ウレタン樹脂粉末等、従釆からある印刷レジストの
成分として用いられているものであればよい。以後、上
記した加熱工程、剥離工程を経ることによって、酸化イ
ンジウム透明導電膜が所定の形状にパ夕−ン化される。
次に実施例を説明する。
上記の成分（苛性シリカ、樹脂粉末、有機溶剤）を含有
するレジスト剤として、市販されているＥ．日．Ｃ．株
式会社製のレジスト剤ＴＣＰＲ−２０００（商品名）を
使用し、加熱を２００午０で約３０分間（空気雰囲気中
）行った後、レジスト剤剥離液である塩化メチレン又は
メタィソブチルケトン（ＭＢＫ）中に基板を浸すことに
よって、酸化インジウム透明導電腰を所定の形状にパタ
ーン化することができた。
するレジスト剤として、市販されているＥ．日．Ｃ．株
式会社製のレジスト剤ＴＣＰＲ−２０００（商品名）を
使用し、加熱を２００午０で約３０分間（空気雰囲気中
）行った後、レジスト剤剥離液である塩化メチレン又は
メタィソブチルケトン（ＭＢＫ）中に基板を浸すことに
よって、酸化インジウム透明導電腰を所定の形状にパタ
ーン化することができた。
レジスト剤剥離時に、該レジストの下の膜も同時に除去
されるが、基板をレジスト剤剥離液に浸すだけでは除去
が完全になされない場合がある。
されるが、基板をレジスト剤剥離液に浸すだけでは除去
が完全になされない場合がある。
この場合には、除去されないで残っている部分はブラシ
等によってこすり落してやるか、布等でふきとるように
すればよい。剥離時に基板を剥離液に浸すとともに、液
に超音波振動を与えるようにしてもよい。以上詳細に説
明した本発明の酸化インジウム透明導電膜パターン化方
法によれば、従来の方法に於けるようなケミカルエッチ
ング処理は全く不要となり、代って基板を加熱するだけ
の簡単な処理だけでよいので、パターン化の工程に必要
な装置をきわめて簡略化できるとともに、ケミカルエッ
チングに伴う工程の複雑さも解消されて、工程もきわめ
て簡略化することができるという効果を奏する。
等によってこすり落してやるか、布等でふきとるように
すればよい。剥離時に基板を剥離液に浸すとともに、液
に超音波振動を与えるようにしてもよい。以上詳細に説
明した本発明の酸化インジウム透明導電膜パターン化方
法によれば、従来の方法に於けるようなケミカルエッチ
ング処理は全く不要となり、代って基板を加熱するだけ
の簡単な処理だけでよいので、パターン化の工程に必要
な装置をきわめて簡略化できるとともに、ケミカルエッ
チングに伴う工程の複雑さも解消されて、工程もきわめ
て簡略化することができるという効果を奏する。
第１図は平面図、第２図は断面図である。
符号、１：ガラス基板、２：酸化インジウム透明導電膜
、３：レジスト剤。 第／図 第２図
、３：レジスト剤。 第／図 第２図
Claims (1)
- １ 基板上に形成された酸化インジウム透明導電膜を所
定の形状にパターン化する方法に於て、上記所定の形状
に対応する領域を除いた領域の上記酸化インジウム透明
導電膜上に、苛性シリカ、樹脂粉末、有機溶剤をその成
分として含有するレジスト剤を印刷する工程と、上記レ
ジスト剤、酸化インジウム透明導電膜が形成された基板
を加熱することによって、上記レジスト剤中の成分苛性
シリカと、上記レジスト剤により覆われた部分の酸化イ
ンジウム導電膜とを反応させ、該レジスト剤により覆わ
れた部分の酸化インジウム導電膜をレジスト剤剥離液に
溶解しやすい性質の物質に変化させる工程と、レジスト
剤剥離液中に基板を浸すことによって、上記レジスト剤
及び該レジスト剤下の膜部分を剥離する工程とから成る
ことを特徴とする、酸化インジウム透明導電膜のパター
ン化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11714577A JPS6013245B2 (ja) | 1977-09-28 | 1977-09-28 | 酸化インジウム透明導電膜のパタ−ン化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11714577A JPS6013245B2 (ja) | 1977-09-28 | 1977-09-28 | 酸化インジウム透明導電膜のパタ−ン化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5450898A JPS5450898A (en) | 1979-04-21 |
| JPS6013245B2 true JPS6013245B2 (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=14704566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11714577A Expired JPS6013245B2 (ja) | 1977-09-28 | 1977-09-28 | 酸化インジウム透明導電膜のパタ−ン化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013245B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105975126A (zh) | 2013-09-29 | 2016-09-28 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板及其制作方法 |
-
1977
- 1977-09-28 JP JP11714577A patent/JPS6013245B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5450898A (en) | 1979-04-21 |
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