JPS60122956A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、ｘｍ、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電部材としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事８機としてオフィスで使用さｈる電子写真装置内に組
込寸れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１ｇ号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

しかし乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有
する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境
特性の点、更には経時的安定性の点において、結合的な
特性向上を計る必要があるという更に改良される可き点
が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰シ返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現像を発する様になる、或いは、
高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の
不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８１は可視光頭載の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングｒＣ於いて、また通常使用されているハロゲンラ
ングや発光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に
使用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余
地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに支持体に到達する光の−Ｍ：が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過しで来る光に対する反射率
が高い、１局合には・、光導電層内に於いて多重反射に
よる干渉が起って、画像の「がケ」が生ずる一要因とな
る。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で、光導電部材を設計する際に１上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれが一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロダン化
アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ　
ａ−８１（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕がら構成され、光
導電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様に特定化して設計され作成された光導
電部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく
、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において
凌罵していること、殊に電子写真用の光導電部材として
著しく優れた特性を有していること、及び長波長側に於
ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点
に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導ｉｔ的特性が常時安定し
ていて、殆んど使用環境に制限を受け々い全環境型であ
シ、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著
しく長け、ル■返し使用に際しても劣化現象を起さず、
残胃酸位が全く又は殆んど観測されない光導電部４４を
提供することを主たる目白りとする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光ノｊ寥電部月を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ特
性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ダル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成され先導領域（Ｇ
）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す層領域（Ｓ）とが前記支持体側よシ順に設けられ
だ層構成の第一の層、および、シリコン原子と炭素原子
とを含む非晶質材料で構成された第二の層から成る光受
容層とを有し、前記第一の層は、酸素原子を含有し、そ
の層厚方向に於ける分布濃度が夫々、Ｃ（１）　、　Ｃ
（３）　、　Ｃ（２）々る第１の層領域（１）、第３の
層領域（３）、第２の層領域（２）を支持体側よシこの
順で有する事を特徴とする（但し、Ｃ（３）は単独では
最大になることばない。Ｃ（１）　、　Ｃ（２）　、の
いずれか１つが０になる場合は、他の２つは０ではなく
且つ等しくはない。

Ｃ（３）が０の場合は、他の２つはＯではない）。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明のｇＰ、ｌの実施態様例の光導電部材
の層構成を説明するために模式的に示しだ模式的構成図
である。

第１図に示す光寺霜１部材１００は、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、第一の層（１）１０２と第二
〇層叩１０３とを有し、前記第二の層（ＩＩ）　１０３
は自由表面１０６を一方の端面に有している。

第一の層（１）　１０２は、支持体１０１側よシダルマ
ニウム原子を含有するａ−８１（Ｈ，Ｘ）　（以稜ｒ　
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された
層領域（Ｇ）　１０４と、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ、光導電性を有する層領域（Ｓ）　１０５とが順に積
層され先導構造を有する。

層領域（Ｇ）　１０４中に含有されるゲルマニウム原子
は、該層領域（Ｇ）　１０４の層厚方向には連続的であ
って且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反対
の側（第一の層（１）　１０２の第二の層（ＩＩ）　１
０３側）の方に対して前記支持体１０１側の方に多く分
布した状態となる様に前記層領域（Ｇ）１０４中に含有
されるか又は、この逆の分布状態となる様に含有される
か、或いは層領域（Ｇ）　１０４中シこ均一に万偏無く
含有される。

本発明の光導電部材においては、層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の分布状態が不均一である場合
には、層厚方向においては、前記の様な分布状態を取り
、支持体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態と
されるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（Ｇ）上に設けられる層領域
（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておらず、
この様な層構造に第一０層（１）を形成することによっ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長
迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光導
電部材とし得るものである。

又、ダルマニウム原子が不均一に分布する系の場合の好
適な例に於いては、層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は全層領域４Ｃダルマニウム原子が連
続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度
Ｃが支持体側よυ層領域（Ｓ）に向って減少する変化が
与えられているので、層領域（Ｇ）と）ｖＩ層領域Ｓ）
との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に１支持
体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端
に大きくすることによシ、半導体レーデ等を使用した場
合の、層領域（８）では殆んど吸収し切れない長波長側
の光を層領域（Ｇ）に持体面からの反射による干渉を防
止することが出来る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｇ）中に含有されるダルマニウム原子の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１−０図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（Ｇ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、ｔＴ
は支持体側とは反対側の層領域（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される層領域（Ｇ）
はｔＢ側よシｔτ側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域（Ｇ）が形成される支持体の表面と該層領域（
Ｇ）の表面とが接する界面位置ｔＢよシｔ！の位Ｎまで
は、ダルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値
を取り乍らゲルマニウム原子が形成される層領域（Ｇ）
に含有され、位置ｔ１よシは濃度Ｃコよシ界面位置ｔＴ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
ｙｌｃおいではゲルマニウム原子の分布＃度ＣけＣ３と
される。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位ｉｔｓよ多位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐りに連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ６となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ！まではゲルマ
ニウム原子の分布必′越度ＣＦ！、濃度Ｃ６と一定値と
され、位置ｔ２と位（ｆ４．　ｔｔとの間において、除
徐に連続的に減少され、位置を丁において、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出
限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔｓよ多位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８よシ連続的に
徐々に減少され、位置ｔｔにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔｌと位置１３間においては、濃度Ｃ＠と
一定値であシ、位ｇＩｔｔにおいては濃度Ｃ１６とされ
る。位置ｔ３　と位置ｔＴとの間では、分布濃度ｃＦｉ
−次関数的に位置ｔ３よ多位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よ多位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取シ、位置ｔ
４よ多位置ｔＴまでは濃度Ｃ１ｇよシ濃度Ｃ１３まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔｍよ多位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
シ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔｍよ多位置ｔｌに至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１８よシ濃度
Ｃ１１ｌまで一次関数的に減少され、位Ｍｔｓと位置１
１との間においては、濃度ＣＩＳの一定値とされた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であシ、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７よ′シ初めはゆっ〈シ
と減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１ａとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度ＣＩＩＪとなり、位置ｔ７　と位置ｔ＠との間では
、極めてゆつ〈シと徐々に減少されて位置ｔ８において
、濃度Ｃ２０に至る。位置ｔｌｌ　と位置ｔＴの間にお
いては、濃度Ｃｏｏよシ実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１Ｏ図によシ、層領域（Ｇ）＝中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に本発明においては、支持体
側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面１１側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に較べて可成シ低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が層領域（Ｇ）に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する非晶質層を構成す
る層領域（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
如ダルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている局
在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよ＃）
５μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置１
．よシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ　）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される第一の層（１）に要求され
る特性に従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるダルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてダルマニウム原子の分布濃
度の最大値ｃｍａｘが、シリコン原子との和に対して、
好ましくは１０００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ　Ｋ払よシ
好適延け５０００　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ以上、最適に
はＩ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ以」二とされる
様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい
。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域ＣＧ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔ
ａから５μ厚の層領域）ｌｌ′ｃ分布濃度の最大値Ｃｒ
１ａｚが存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明に於いて、形成される第一の層（１）を構成する
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量、又は
ハロゲン原子ＣＸ）の歌、又は水素原子とノ・ログン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、よシ好適にＦｉ、５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
％、最適如け５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

本発明において、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜決められるが、シリコン
原子との和に対して好ましくは１〜１０　Ｘ　１０　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よシ好ましくは１００〜９．５　
Ｘ’ｌ　Ｑ５ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ、最適には５００〜
８　Ｘ４０　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍとされるのが望まし
い。

本発明に於いて層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）との層厚は
、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の
１つであるので、形成される光導電部材に所望の特性が
充分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分なる
注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、層領域（Ｇ）の層厚Ｔｌは、好ましく
は３０Ｘ〜５０μ、よシ好ましくは４０１〜４０μ、最
適には５０１〜３０μとされるのが−望ましい。

又、ノイ領域（Ｓ）のＭ）ｇ−Ｔは、好ましくは、０．
５〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

層領域（Ｇ）の層厚Ｔｌと層領域（Ｓ）の層厚Ｔの和（
Ｔｉ＋＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と第
一の層（１）全体に要求される特性との相互間の有機的
関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に従っ
て適宜決定さｉＬる。

本発明の光導電部拐に於いては、上記の（ＴＲ十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、よシ好ま
しくｕｉ〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望
ましい。

本発明のよυ好ましい実Ｍｌｉ態様例に於いては、上記
の層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくｔよＴＢ／Ｔ
≦１なる関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な
数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合における層厚Ｔｎ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｎ／Ｔ≦０．９、最適には
ＴＢ／Ｔ≦０，８なるＩｌｌ係が満足される様に層厚Ｔ
Ｂ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである
。

本発明に於いて、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有鼠がＩ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐ
ｍ以上の場合には、層領域ＣＧ＞の層厚ＴＢとしては、
可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下
、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とさ
れるのがＷ−ｔしい◇ 本発明において、必要に応じて第一の層（１）を構成す
る層領域（Ｇ）及び層領域（Ｓ）中に含有されるハロダ
ン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素。

塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−Ｓｉ　Ｇｅ　（１１ｒ　Ｘ　）
で構成される層領呟（Ｇ）　ｅ形成するには例えばグロ
ー放電性、ス・マツタリング法、或いはイオングレーテ
ィング法等の放亀現砿を利用する真空１ｉａ　、ｉｒｔ
法によって成される。例えば、グロー放′屯法によって
、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さｆＬる層＋Ｎｌ域（
Ｇ）’を形成するには、基本的にはシリコン原Ｔ−（Ｓ
ｔ　）を供給し１４ＪるＳｌｌ供用用原料ガスとデルマ
ユ１クム原子（Ｇ、）を供給し得るＧｅ供相和用原料ガ
スと、必要にルし、して水素原子（ｆ（）導入用の原料
ガス又は／及び・・ｒ−１ダン原子（Ｘ）導入用の原料
ガス金、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電食生起させ、予
めｊう１定位置に設置されである７Ｊｉ定の支持体表面
上に、■有さｆＬるゲルマニウム原子の分子５濃度をＪ
ツ［望の変化率曲線に鉱って制御し乍らａ　−Ｓ　ｓ　
Ｇｅ　（Ｈｇ　Ｘ）からなる層を形成させｉｔば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活１１トカ゛ス又はこｈ等のガスをペ
ースとした混合ガスの亦囲気中でＳｔで構成さＪしたタ
ーグットとＧｅで４１成されたターｒ２トの二枚を使用
して、又はＳｔとＧｅの混合されたターグットを使用し
てスパッタリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及び・・ロダン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入して一？れば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成υ
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６＋　５ｉ３）
Ｉ６　ｒｓｔ４Ｈ１（、等のガス状態の又はガス化し肖
る水系化硅累（７ラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
袷効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい
ものとして革げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、Ｇｅ１
（４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５ＫＢ　ｒ　Ｇｅ４Ｈ１Ｄ　ｒ
　Ｇｅ１５”１２　＋Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇ
ｅＢＨｌＢ　、　Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ
５１１Ｂが好ましいものとして挙げらｉＬる。

本発明において使用されるノ・ロダン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ九ロケ９ン化合物が挙
げられ、例えばノ・ロク°９ンガス、ノ・ロダン化物、
ハロダン間化合物、ノ１０グンで置換さｈたシラン誘導
体等のガス状態の又はがス化し得るノ・ロダン化合物が
好１しく４す“らり、る。

又、更には、シリコン原子とノ・ロダン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ノ・ロダン原子
をバむ水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用しｌｊるノ・ロダン化合物と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロダンガス、ＢｒＦ　、　ＣｔＦ　、　ＣＡ
Ｆｓ　。

ＢｒＦ５　、ＢｒＦ５　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、ＩＣ
Ｌ　、ＩＢｒ　’？？のノーロダン間化合物ヲ孕げるこ
とが出来る。

ハロダン原子を含む硅素化合物、１ヅ「副、ノ・ロケ０
ン原子で置換されたシランｔ、秀導体としては、具体的
には例えばＳｉＦ４　、　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣＡ４　
、　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとし
て挙げることが出来る。

してグロー放電法によって不発明の特徴的な光導電部材
を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｌ
’ｉｌ：供給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを
使用しなくとも、所望の支持体上にへロケ°ン原子を含
むａ−８ＬＧｏから成る層領域（Ｇ）を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ハロダンガスを含む層領域（Ｇ
）’を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロダン化硅素と、Ｇｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ダルマニウムト、Ａｒ。

Ｆ２　、　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とがス流量に
なる様にして層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって、所望の支持体上に層領域（Ｇ）
を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に図る為に、これ等のガスに更に水
素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混
合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオングレーティング法に
依ってａ−８ｉＧｅ（ＩＩ、Ｘ）から成る層領域（Ｇ）
を形成するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳ
ｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二枚
を、或はＳｔとＧｅから成るターゲットを使用して、こ
れを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、
イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ダルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸１５（ＴＩｅ　
）に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行
う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合には、形成される層中にノ・ロダン原子を導
入するには、前記のノ・ロダン化合物又は前記のノ・ロ
ダン原子を含む硅素化合物のガスを堆積家中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものであ
る。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をス・９ツタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロダン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロダン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣＬ　ｇ　ＨＢｒ　＃ＨＩ等のハ
ロダン化水素、５ＩＨ２Ｆ２　、５ＩＨ２Ｉ２　。

５ｉＨ２Ｃｔ２　、５ｉｕｃｚ３　、５ｔ）Ｉ２Ｂｒ２
　、　５ｉＨＢｒ３等のハＱダン置換水素化硅素、及び
Ｇｅ町５　、　ＧｅＦ２Ｆ２　。

ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣＬｓ　、　Ｇｅ）Ｉ２ＣＡｚ
　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３゜ＧｅＦ２Ｂｒ
２＋　、ＧｅＨＢｒ３ｒ　Ｇｅ）ＩＩ５　、　ＧｅＦ２
Ｉ２　ｒ　ＧｅＨ５Ｉ等の水素化・・ロダン化ゲルマニ
ウム、等の水素原子を構成要素の１つとするノ・ロダン
化物、ＧｅＦ４　ａＧｅＣ１４ｒ　ＧｅＢｒ４　、　Ｇ
ｅＩ４　ｒ　ＧｅＦ２　ｒ　ＧｅＣ４２ｒ　ＧｅＢｒ２
゜ＧｅＩ２等のハロダン化ダルマニウム、等々のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な層領域（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロダン化物は、層領
域（Ｇ）形成の際に層中にハロダン原子の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入さｉｌ、るので、本発明においては好適なハロダ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を層領域（Ｇ）中に構造的に導入するには、上
記の他ＫＨ２、或いはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６＊Ｂ１５Ｈ
Ｂ　、　５ｉ４Ｈｔｏ等の水素化硅素をＧｅ　ｆ供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物−と、或い
は％　ＧｅＨ４１Ｇｅ２Ｈ６１Ｇｅ３Ｈ８＋　Ｇｅ４Ｈ
１０ｒ　Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｏ６Ｉ１１４　、　Ｇｅ７Ｈ
１６，Ｇｅ５Ｈ１ａ　ｒ　Ｇｅ９Ｈ２０等の水素化グル
マニラふとＳｉミラ給−Ｊる為のシリコン又はシリコン
化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成されるＭｌ’−の層
（Ｉ）を構成する層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の倉、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又はましく
は０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よ）好ましくは０
．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５
ａｔｏｍｌｅ％とされるのが望ましい。

層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及ヒ
バロダン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロダン原子（
Ｘ）　を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層領
域（８）’ｅ影形成るには、前記した層領域（Ｇ）形成
用の出発物質（１）の中よＦ）、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔層領域（Ｓ）形成用
の出発物質（ＩＩ）　）を使用して、′”層領域（Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行う事が
出来る。

即ち、本発明において、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、ス
パッタリング法、或いはイオンデレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば
、グロー放電法によって、ａ　−８ｌ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される層領域（Ｓ）　を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓｉ　）を供給し得るＳｔ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｉ（）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置さり、で
あるＨ「定の支持体表面上にａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成さぜれば良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガス全ペースとした混合ガ゛スの雰囲気中で
８１で構成さｈだターゲットをス・Ｑツタリングする際
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４人用
のガスをスパッタリング用の囃桓室に導入しておけば良
い。

本発明の光導亀部拐に於い１は、ダルマニウム原子の含
有される層領域（Ｇ）又は／及びゲルマニウム原子の含
有されない層１貝域（８）には、伝導特性を制御する物
質を含有させることにょシ、該層領域（Ｇ）又は／及び
該層領域（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御す
ることが出来る。

この様な物質としては、ＰＪＴ副、半導体分野で云われ
る不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成
される物質（Ｃ）’を含有する層領域（ＰＮ）を構成す
るＳｉ又はＧｅに対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不
純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げるこ
とが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａｔ
　（アルミニウムー）　、　Ｇａ　（ガリウム）。

１、　（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム）等があ
ル、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）　、　８
ｂ　（アンチモン）　、　Ｂｔ　（ビスマス）等であシ
、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ　＊　ＡＩである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）に含有される伝４特性
を制御する物質の含有量は、該層領域（ＰＮ）に要求さ
ｉする伝導ＩＩ’か性、或いは該層領域（ＰＮ）に直に
接触して設けられる他の層領域の特性や、該他の層や支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、ｊ＞ｉＪ記の伝導特性を制御する物質を第一の層（
１）中に含有させるのに、該第−のＩｎ）の所望さｆす
る層領域に局在的に含有させる場合、殊に第一の層（１
）の支持体側端部層領域（Ｅ）に含有させる場合には、
該層填域（幻に直に候融して設けらｉする１屯の層領域
の特性や、該他の）Ｘ′４領域との接触界１ｍに於ける
特性との門脈も考慮されて、伝導時１生をａ制御する物
質のき壱址が適宜選択さｈる。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としてなよ、好ましく
は、０．０１〜５Ｘ１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、　
より好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｊｃ　
ｐｐｍ　、最適には１〜５　Ｘｉ　Ｏａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ　とさｉＬるの７５鷺望ましＩ／′鳥。

本発明に於いて、伝導Ｉｌｆ性を支配する（物質（Ｃ）
が含有される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含
有量が好ましくは３０　ａｔｏｍｌａ　ｐｐｍ以上、よ
シ好適には５　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適に
は、１０１００ａｔｏ　ＯＩ）Ｐｍ以上の場合には、前
記物質（Ｃ）は、第一の層（１）の一部の層領域に局所
的に含有させるのが望ましく、殊に第一の層（Ｉ）の支
持体側端部層領域（Ｅ）に偏在する様に含有させるのが
望ましい。

上記の中、第一の層（Ｉ）の支持体側端部層領域（Ｅ）
Ｋ前記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導特性を
支配する物質（Ｃ）　ｔ−含有させることによって、例
えば該含有させる物質＜Ｃ＞が前記のｐ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される電子の移動
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物
質が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面
がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容
層中へ注入される正孔の移動を効果的に阻止することが
出来る。

この様に、前記端部層領域（Ｅ）に一方の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させる場合には、第一の層（１
）の残シの層領域、即ち、前記端部層領域（Ｅ）　’に
除いた部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を
支配する１ｌｌｉ／Ｉ質を含有させても良いし、或いは
、同極性の伝導特性を支配する物質を、端部層領域（Ｅ
）に含有される実除の址よりも一般と少ない址にして含
有させても良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質ｃｃ）の含有量としては、端部層
領域（Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましく
は、０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、より
好適には０．Ｑ　り〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

上記した場合の他に、本発明に於いては、第一の層（ｉ
）中に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配す
る物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設けて
、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。つま
シ、例えば、第一の層（１）中に、前記のＰＭ不純物を
含有する層領域と前記のｎ［不純物を含有する層領域と
を直に接触する様に設けて所ｉ）％　ｐ　−ｎ接合を形
成して、空乏層を設けることが出来る。

第一の層（１）中に伝導特性を制御する物質（Ｃ）、例
えば第■族原子或いは第■族原子を構造的に導入するＫ
は、層形成の除に第■族ル（千尋入用の出発物質或いは
第Ｖ涙腺千尋入用の出発物質をガス状態で、堆積室中に
第２の層領域を形成する為の出発物質と共に導入してや
れば良い。この様な第■族原千尋入用の出発物質と成シ
得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくと
も層形成売件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。その様な第■族原千尋入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６＊　
Ｂ４Ｈ１ｏ　、Ｂ５Ｈ９＊　Ｂｓｆｈ１＊　ＢｂＨｌａ
　＋　Ｂ６Ｈ１２゜Ｂ６Ｈ＋４等の水素化硼素、Ｂｒ５
　、　ＢＣｌ２．　ｒ　ＢＢｒｓ　等のハロダン化硼素
等が挙けられる。この他、Ａ−ＩＣ１５゜ＧａＣＬ３．
Ｇａ（ＣＨ３）３＃　ＩｎＣｌ２　、　ＴＡＣｔ３　、
等も挙げることが出来る。

第Ｖ涙腺千尋入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＩ（５
、Ｐ２Ｈ４等の水素化腑、ＰＨ４！　＊　ＰＦ３　。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＢｒ３　
＋　ＰＢｒｓ　ａ　ＰＩ５等のハロダン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ３ｒ　ＡｓＦ３＋ＡｓＣＬ５ｅ　Ａ
ｓＢｒ３　＊　ＡｓＦ５　’＋　５ｂｉｔ４　、　Ｓｂ
Ｆ５　＊　５ｂＦｓ　＊５ｂＣ１５、８ｂＣ１５、Ｂｉ
Ｈ３、Ｂ＋Ｃ１５、ＨｉＢｒ、等も第■涙腺千尋入用の
出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導ｉｔ線部材於いては、高光感度化と品暗抵
抗比、更には、支持体と第一のｊｄ　（１）との間の密
着性の改良を図る目的の為に、第一の層（１）中には、
酸素原子が含有される層領域（０）が設けられる。第一
のｊ脅（υ中に含有される酸素原子は、第一の層（１）
の全層領域に万遍なく含有されても良いし、或いは、第
一の層（Ｄの一部の層領域のみに含有させて遍在させて
も良い。

本発明に於いては、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（
０）は、第一の層（１）全体としては、その層厚方向に
於いて階段状に不均一である。

第１１図に示される様に第１図に示される光導電部材１
００の第一の層（１）　１０２は、第１１図に示される
ように酸素原子が含有され、その層厚方向に於ける分布
濃度がｃ（１）なる値である第１の層領域（１）１０７
　、　Ｃ（３）なる値である第３の層領域（３）１０８
、Ｃ（２）なる値である第２の層領域（２）　１０９と
を有する。又、層領域（Ｇ）　１０４と層領域（Ｓ）１
０５の接触界面は、第１と第２と第３の層領域のいずれ
にあってもよい。

本発明においては、上記第１．第２．第３の各層領域は
、必ず上記３つの層領域のいずれの層領域中罠於いても
酸素原子が含有されている必要はないが、いずれか１つ
の層領域に酸素原子が含有されていない場合には、他の
２つの層領域には酸素原子が必ず含有されておシ、且つ
それ等の層領域に於ける酸素原子の層ノ９方向の分布濃
度は異っている必要がある。

りまシ分布濃度Ｃ（１）　、　Ｃ（２）　ｅ　Ｃ（３）
のいずれか１つが０になる場合には、他の２つは０でな
く且つ等しくならない様に各層領域を形成する必要があ
る。このようにすることによって帯電処理を受けた際に
第二の層（１１）１０３側あるいは支持体１（）１側か
ら第一の層（υ１０２中に電荷が注入されるのを効果的
に阻止することが出来ると同時に、ＥＩＳ−の層（１）
　Ｉ　Ｑ　２自体の暗抵抗の面上及び支持体１０１と第
一の層（１）　１０２との間の密着性の向上を計ること
が出来る。第一の層（１００２が実用的に充分な光感度
と暗抵抗を有し、且つ、第一の層（１）１０２中への電
荷の注入を充分阻止し得ると共に、第一の層（１）　１
０２中罠於いてｉ色土するフォトキャリアの輸送が効果
的に成される様にするには、第３の層領域（３）の酸素
原子の分布濃度Ｃ（３）は単独では最大とならない様に
第一の層（１）１０２’ｉｉ−設計する必要がある。

この場合、好ましくは第３の層領域（３）の層厚は他の
２つの層領域（す、（２）のノｇ厚よυも充分厚くなる
様に第一の層（１）１０２ｅ設計するのが望ましく、よ
シ好ましくは第３の層領域（３）の層厚は第一の層（ｉ
）　ｉ　０２の層厚の５分の１以上を占める様に第一の
層（Ｉ）　１０２を設計するのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（１）及び第２の層領域
（２）の層厚としては、好ましくは０．００３〜３０μ
、よシ好ましくは０．００４〜２０μ、最適にはｏ、ｏ
ｏｓ〜１０μとされるのが望ましい。

又、第３の層領域（３）のノー厚としては、好ましくは
１〜１００μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（す及び、第２の層領域（２）を、第一の
層（１）中への電荷の注入を阻止する所謂電荷注入阻止
層としての機能を主に持たせる様に第一の層（１）を設
計する場合には、第１の層領域（り及び２ｇ２０層領域
（２）の層厚は夫々最大１０μとするのが望ましい。

第３の層領域（３）に電荷発生層としての截能を主に持
たせる様に第一の層（１）　を設計する場合には、第３
の層領域（３）の層厚は使用さり、る光源の光の吸収係
俄に応じて適宜所望に従って決められる。この場合、通
常電子写真分野に於いて使用される光源を使用するので
あれば、第３の層領域（３ンの層厚は精々１０μ程度あ
れば良い。

第３の層領域（３）に主に亀荷暢送層としての機能を持
たせるにはその層厚は少なくとも５μあるのが望ましい
。

本発明に於いて酸素原子の富有分布濃度Ｃ（１）。

Ｃ（２）　、及びＣ（３）の最大値としては、シリコン
原子、ゲルマニウム原子及び酸素原子のオｌ（以後ｒ’
ｒ（ｓ亀Ｇｅ　Ｏ）Ｊと記ずうに対して、好−ましくは
６７ａｔｏｍｌｃ％、より好ましくは５０　ａｔｏｍｌ
ｃ％　、最適に＆：ｌ　４０　ａｔｏｍｌｃ％とされる
のが望ましい。

又、前記分布濃）隻Ｃ（１）　、　Ｃ（２）　、　ｃ　
（：３）力＄０でない場合の、、、！Ｊ、小値としては
、Ｔ（８％Ｇｅ　Ｏ）に対して好ましくは１　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ５　より好宜しくは５０　ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍ　ｓ最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｎｓ　と
されるのｉｒ：　負＋ましい。

本発明に於いて、酸素原子の分布状態はｔＢ−の層（Ｉ
）全体に於いては、前記した様に層厚方向に不均一であ
るが、第１．第２．第３の各層領域に於いては層厚方向
に均一である。

第１２図乃至第１６図には、第一の層（Ｄ全体としての
酸素原子の分布状態の典型的例が示される。

尚、これ等の図の説明に当って断わることなく使用され
る記号は、第２図乃至第１０図に於いて使用したのと同
様の怠味を持つ。

第１２図に示される例では、位置ｔｉよ多位置ｔ９筐で
は酸素原子の分布は濃度ＣＨと一定胆とされ位ＩＭＬｑ
から位置ｔＴまでは分布濃ＷＣｚと一定とされている。

第１３図に示される例では、位置ｔＢよす位置ｔ１ｏｔ
では分布濃度ｃ２３と一定値とされ、位置ｔｔｏよ多位
置ｔ１１までは分布１度０２４とされ、位置ｔｌｌから
位置ｔＴまでは分布濃度Ｃ２５とδれで３段階で酸素原
子の分布濃ＩＶＬ、を減少させている。

第１４図の例では、位置ｔＢより位置ｔ１２までは分布
濃度Ｃ２６とし位置ｔ１２から位置ｔＴまでは酸素原子
の分布濃度Ｃ２７とされている。

第１５図の例では、位置ｔｓよ多位置ｔ１ｓ　’ｌ：で
は濃度Ｃ２Ｂとし、位１ｊＬｔｉ＋から位置ｔ１４　ま
では濃度Ｃ２９とし、位置ｔ１４から位置ｔＴまでは改
変ＣＳａとして、３段階にステップ状に酸素原子の分布
濃度を増加している。

第１６図の例では、位置ｔｇよシ位ｔＪｉｉ、ｔ１５ま
で分布濃度Ｃ３１とし、位置ｔｌ！ｊから位置１１’６
までは分布濃度Ｃ５２とし、位ｔｉｆｈ６から位置１１
１で分布濃度ＣＳＳとしている。支持体側および第二の
層（ｉｆ）側で酸素原子の分布濃度が高くなるようにし
ている。

本発明に於いて、第一の層（１）に酸素原子のき有され
た層領域（０）全設けるには、々↓−の層（１）の形成
の際に、酸素原子導入用の出発物質を前記した第一の層
（ＩＪ形成用の出発物質と共に使用して、形成される層
中にその賛を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（０）　′ｆｔ形成するのにグロー放電法を用い
る場合には、前記した第一の層（１）形成用の出発物質
の中からＪ５１望に従って選択さり、たものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロダン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（ｓＢを構成原子とする
原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）ｔ−構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）ｋ構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（ｓｉ）、酸素原子（０
）及び水素原子（Ｈ）の３つを措成献子とする原料ガス
とを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（ｓｉ　）と水素原子ＣＩ（
）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良いＯ 具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０５）　＃
。

−液化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸イ
ヒ窒素（Ｎ２０　）−三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ　）　を
四二酸イヒ窒素（Ｎ２０４）Ｉ三二酸化窒素（Ｎ２０５
）　＊　三酸ｆヒ窒素（ＮＯ５）　、シリコン原子（Ｓ
ｔ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する、例えば、ジシロキサン（）１５８ＩＯ８ＩＨ５）
　、　）ジシロキサン（ｆ（５８１０８１に２０ＳＩＨ
ｓ　）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
（０）を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウェー
ッ・−又は５ｔｏ２ウェーッ・−１又はＳｉと５１０２
が混合されて含有されているウェーッ・−をターグット
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーッ・−ヲターｒットとして使Ｊ１４
すれば、酸素原子と必輩に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スノやツタ＝Ｊ慣の堆積室中に導入
し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｉと８１０２とは別々のターグットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターグットを
使用することによって、スＡ？ツター用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又
は／及びハロダン原子（Ｘ）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成され
る。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合には有効なガスとして
使用され得る。

本発明に於いて、第一の層（夏）の形成の際に、酸素原
子の含有される層領域（０）を設ける場合、該層領域（
０）に含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を層厚方
向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔ
ｈ　ｐｒｏｆｌｌｅ）を有する層領域（０）全形成する
には、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（０）を変化
させるべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、そのガ
ス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、
堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外１＄柩動モータ等の通常用いられ
ている何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けら
れた所定のニードル・々ルグの開口全ステップ状に変化
させる操作を行えば良い。

層領域（０）　ガス・ｆツタリング法によりて形成する
場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方
向で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状態
（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）　？ｉ”形成するＫは
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、酸素原
子導入用の出発物質をガス状態で使用し、ｈ亥ガスを堆
積室中へ導入する１ｌＪ１ｏｆス流量を７５１望に従っ
て適宜ステップ状に変化させることによって成される〇 第二には、スノ４　ｙタリング用のターグットを、例え
ばｓｉと５ｔｏ２との混合されたターグットを使用する
のであれば、８１と８１０２との混合比を、ター４”ッ
トの層厚方向に於いて、−Ｐめ変イヒさ一１Ｊ：ておく
ことによって成さＪする。

第１図に示される光導電部材１００、においては第一の
層（１）　１０２上に形成される第二の層（ＩＩ）　１
０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発
明の目的を達成する為に設けられる。

本発明における第二の層（ＩＩ）は、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と窒素原子（Ｎ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及びハロダン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後、ｒ　ａ−（８１１Ｎ１−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）１−ｙ　
Ｊ但し、０＜ｘｌｙ　＜　１　ｓと記す）で構成される
。

ａ−（ＳｉｚＮｌ−ｘｌｙ（ＬＸ）ｔ−ｙで構成される
第二の層（１）の形成はグロー故′亀法、スフ４ツタリ
シグ法、イオンノランテーク、ン法、イオンブレーティ
ング法、エレクトロンビーム法等によって成される。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作製される光４′亀部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造する為の作、！ｌ！条件
の制御が比較的容易である、またシリコン原子と共に窒
素原子及びノーロダン原子を、作製する第二の層（ＩＩ
）中に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放
＋ｉＬ法或いはスパッターリング法が好適に採用される
。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して２「５二の層（１）
　ｆ：形成しても良い。

グロー放電法によっ°〔第二の層（ｉｔ）を形成するに
は、ａ　−（Ｓ　ｉ　ｘＮ　１−Ｘ　）ｙ　（ＩＩ　、
Ｘ）１−ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
と所定吐の混合比で混合して、支持体の設置しである真
空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して、前記支持
体上に既に形成されである第一の／偕（１）上にａ−（
Ｓ　１ｘＮ１−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋　−ｙ　’ｅ堆４１
ｉ　＠せれば良い。

本発明において、ａ−（ＳｌｘＮｌ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）
１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｔ
）、窒素原子（Ｎ）、水素原子（■（）、ハロダン原子
（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが１吏用され得る。

Ｓｔ、Ｎ、Ｈ，Ｘの中の１つとしてｓｉを構成原子とす
る原料ガスを防用する場合は、例えば５ｉｔ−構成原子
とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又はｓｌを構成原子とする原料がスン、Ｎ及
びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構成原子
とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合す
るか、或いはＳｌを構成原子とする原料ガスと、ｓｉ。

Ｎ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、Ｓｉ、
Ｎ及びＩＩ　ｔ　４？（成原子とする或いはＮとＨとを
構成原子とする例えば窒素（Ｈ２）　、アンモニア（Ｎ
Ｈ３）。

ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＩ（２）　、アジ化水素（ＮＨ３
）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の
又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化
付物を挙げることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）
の導入に加えて、ハロダン原子（Ｘ）の導入も行えると
いう点から、三弗化窒素（ＦｓＮ）　、四弗化窒素（Ｆ
４Ｎ２）等のハロダン化窒素化合物を挙げることが出来
る。

ハロダン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発
物質としては、例えば、フ、素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハＣ１）ｆンガス、ＢｒＦ　ｒ　Ｃ１Ｆ　、　ＱＡｌ’
３　ｒＢＦＦ５　ｅ　ＢｒＦ５　＊　ＩＦ５　ｙ　ＩＦ
７　＊　ＩＣｔ＊　ＩＢｒ等のノ１０ｒン間化合物、Ｈ
Ｆ　、　ＨＣＬ　、　ＨＢｒ　、　）ＩＩ等の／’ｌ　
Ｃｌｌノン水素を挙げることが出来る。

これ等の第二の層（１１）形成物質は、形成される第二
の層（■）中に、所定の組成比でシリコン原子、窒素原
子及びハロダン原子と必要に応じて水素原子とが含有さ
れる様に、第二の層（ＩＩ）の形成の際に所望に従って
選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と窒素原子導入用の原料ガスと、
必俄に応じて水素原子導入用又は／及びハロダン原子導
入用の原料ガスを、堆積室内に導入して、グロー放電を
生起さぜることによってａ−（ＳｉｘＮｔ−ｘ）ｙ（Ｈ
＋Ｘ）１−３’から成る第二の１ｍ　（■）′ｆ：形成
することが出来る。

スノぐツタ−リング法によって第二のＪｉｉ　（ＩＩ）
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーッ九−
又は５ｉ５Ｎ４ウエーハー又はｓｔとＳ　ｉ　３Ｎ４が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等を必要に応・じてハロダン原子又は／及び水
素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でスパ
ッターリングすることによって行えば良い。

例えばＸＳｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、５ｉｓＮ４とＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、ス・やツタ−用
の堆積室中に導入し、これ等のガスの〃スグラズマを形
成して前記Ｓ１ウエーハーをスノ４　ｙターリングすれ
ば良い。

又、別には、ＳｉとＳ　ｉ　５Ｎ４とは別々のターゲッ
トとして、又は８１とＳ　ｌ　ｓＮ４の混合した一枚の
ターゲットを使用することによって、必要に応じて水素
原子又は／及びハロダン原子を含有するガス雰囲気中で
スパッターリングすることによって成される。ＮＳＨ及
びＸの導入用の原料ガスとなる物質としては先述したグ
ロー放電の例で示した第二の層ω）形成用の物質がス／
ＩＰツターリング法の場合にも有効な物質として使用さ
れ得る。

本発明において、第二の層（ｎ）をグロー放電法又はス
ノｆツターリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂・希ガス、例えばＨｓ　、Ｎｅ　。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明における紀二の層叩は、その要求される特性が所
望；＋’ｆｉ　’）　＆こ与えられる鴎に往行深く形成
される。

即ち、Ｓｉ、Ｎ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって４１ｖ’造的に
は結晶からアモルファスまでの形Ｌ”４　ｋ取り、電気
物性的には、導電性から半導体絶縁性までの間の性質を
、又光４屯的性質から非光導亀的住質までの間の性質を
、各々示すので本発明においては、目的に応じた所望の
特性を有する ａ−（Ｓ　ｉ　ＸＮＩ−Ｘ　）ｙ（’Ｌ　Ｘ）ｊ−ｙ’
−が形成される様に、所望に従ってその作成糸件の選択
が厳密に成される。例えば、弔二の層（ｌＩ）　ｆ、（
電気的耐圧性の向上を主な１」的として設けるＫ　ｉｄ
　ａ−（Ｓ　ｋｚＮｌ−ｘ）ｙｃ１■＊Ｘ）１−ｙは使
用環境において′ｍｍ気絶性性的挙動顕著な非晶質材料
として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（Ｉｆ）が設けられる場合には、上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質拐科として＆
−（ＳｉｘＮ１−ｘ）ｙ（ＨｙＸ）１−ｙが作成される
。

第一の層（１）の表面にａ−（ＳｉｚＮｌ−ｘ）ｙ（Ｈ
ｔＸ）１−ｙから成る第二のＪｉｉｉ　（ｎ）を形成す
る際、層形成中の支持体温度は、形成される層の４１４
造及び７１ケ性を左右する重要な因子であって、本発明
においては、目的とする特性を有するａ−（ＳｉｚＮｌ
−ｘ）ｙ（ＨｔＸ）１−ｙが所望通りに作成され得る様
に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。

本発明における、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の層（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適範ｌｕ（が
選択さＪして、第二の層叩の形成が実行されるが、好ま
しくは、２０〜４００　Ｃ，より好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい。

第二０層（１１）の形成には、層を構成する原子の組成
比の微妙な制御中層部の制御が他の方法に・咬べて比較
的容易である事等の為に、グロー放７ａ法やスノヤツタ
ーリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で
第二の層（ＩＩ）を形成する場合には、０；１記の支持
体温度と同様に層形成の際のＪＪｋ　’ｔ［ｊ　）ｆワ
ーが、作成されるＢ−、（Ｓｉｚｌ’ｈ−ｘ）ｙＸｌ−
ｙの特性を左右する重“従す因子の１つである。

本発明における目的がδｉ＋７ｉ−される為の特性を有
するａ−（ＳｉｚＮｈ−ｘ）ｙＸｆ−ｙが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー果汁としでｔま、好ま
しくは１０〜３００Ｗ１より好適には２０〜２５０　Ｗ
。

最適には５０〜２００Ｗとされるのが望ましいものであ
る。

堆積室内のガス圧は好１しくは０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒ
。

よシ好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ　４１度とさ
れるのが望ましい。

本発明においては第二０層（１）を作成する為の支持体
温度、放゛亀パワーの”（Ｌｉしい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ−（ＳｉＸＮ１−ｘ）ｙ（ｆＬＸ）１−３Ｆから
成る第二の）ｍ　（ＩＩ）が形成される様に相互的有機
的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決め
られるのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層（ＩＩ）に含有さ
ノ′シる窒素原子の量は、第二の層（ＩＩ）の作成条件
と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる
第二のｈｔ４　（ＩＩ）が形成される重１擾な因子であ
る。

本発明における第二の層（ＩＩ）に含有される窒素原子
のｆｉｌ　Ｉよ、第二の層（１）を構成する非晶質材料
のｆＩＭ類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決め
られるものである。

即ち、前記一般式ａ　−（Ｓ　ｌ　ｚＮ　１−ｘ　）ｙ
　（Ｈ＋　Ｘ）１−３’で示される非晶質材料は、大別
すると、シリコン原子と窒涜・；原子とで４１４成され
る非晶質材料（以後、ｒ　ａ−８ｉａＮ１−ａ　Ｊ　と
６己す。イ旦し、０（ａく１）、シリコン原子と４素原
子と水素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ
−（Ｓｉｌ）Ｎ１−ｂ）ｃＨｔ−ｅ　Ｊと記す。

但し、０（ｂ、ｃ（１）、シリコン原子上窒素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓ　ｉ　ｄＮｌ−ａ）ｅ　（
ＨｌＸ）＋−ｅＪと記す。但し０＜ｄ、ｓ（１）に分類
される。

本発明において、第二の層（１１）がａ−８ｉｌＮ１−
ａで構成される場合、第二の層（１１）に含有される窒
素原子の量は好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０−’　〜９０　
ａｔｏｍｉｃ　％、より好適には１〜８０　ａｔｏｍｉ
ｅ　％、最適にはｌＯ〜７５ａｔｏｍｉｃ％とされるの
が梁゛ましいものである。即ち、先のａ−８ｌＢＮ１〜
１のａの表示で行えば、ａが好′ましくはｏ、　ｉ〜０
．９９９９９、より好適には０．２〜０．９９、最適に
は０．２５〜０．９である。

本発明において、第二の層（ＩＩ）がａ−（ＳｉｂＮｌ
−ｂ）ａＩ（１−ｃで構成される場合、第二の層（１１
）に含有される窒素原子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　Ｉ
　ＴＪ−’　〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％とされ、よシ好
ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８
０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいものである
。水素原子の含−ｆ′ｉ’４Ｔｔとしては、好ましくは
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、よυ好ましくは２〜３５
ａｔｏｍｉｃ　％、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　
％とされるのが望ましく、これ等の４・ａ囲に水素含有
量がある場合に形成される光導電部４３は、実際面にお
いて優れたものとして充分適用させ得るものである。

が好ましくは０．１〜０．９９９９９よシ好適には０．
１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、Ｃが好まし
くは０．６〜０．９９、より好適には０．６５〜０．９
８、最適には０．７〜０．９５であるのが望ましい。

第二の層（ＩＩ）が、ａ−（８ｉｄＮ１−ｄ）ｅ（Ｈｌ
Ｘ）１−ｓで構成される場合には、第二の層（ＩＩ）中
に含有される窒素原子の含有量としては、好ましくはＩ
　Ｘ　１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃｑ６、よシ好適には
１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適にはｌＯ〜８０　ａ
ｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい。

ハロダン原子の含有量としては、好ましくは、１〜２０
　ａｔｏｍｉｃ　％、よシ好適には１〜１８　ａｔｏｍ
ｉａ％、最適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃチとされるの
が望ましく、これ等の範囲にハロダン原子含有量がある
場合に作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得
るものである。必要に応じて含有される水素原子の含有
量としては、好ましくは１９　ａｔｏｍｉｃ％以下、よ
υ好適にはｌ　３　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが
望ましいものである。

即ち、先の’−（””　ｄＮｌ−ｄ）ｅ　（ＨｌＸ）１
−６のｄ、ｅの表示で行えば、ｄがｔｊｆましくは０．
１〜０．９９９９９、より好適にはｏ、ｉ〜０．９９、
最適には０．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０
．９９、より好適には０．８２〜０．９９、最適には０
．８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明における第二の層（ＩＩ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成１−る為の重要な因子の１つ
であり、本発明の（１的を効果的に達成する様に所１１
Ｊの目的に応じでルζ宜所啜に従って決められる。

又、第二の層（ＩＩ）の層１９ば、該層（＋１）中に含
／ｌｊ式れる窒素原子のＨｊや第一の層（［）の層１ｑ
との間係４Ｃおいても、各々の層領域に安水される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決足さ
れる必要がある。

更に加え得るに、生産性やは産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本）れ明における第二の層（１１）の層厚としてｔよ、
好ましくは０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００
４〜２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが
望ましい。

また本発明においては、窒素原子で得られる効果を更に
助長させる為に、第二０ｍ　（ＩＩ）中に窒素原子と供
に炭素原子を含有させてもよい。炭素原子ｆ：第第二０
叩叩導入する為の炭素原子導入用の原料ガスとしては、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和
炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、Ｚ　ｌ’　：ｙ　（Ｃ２Ｈ６）　、　ｆ　ｏ　ノｅ
ン（ＣｓＨａ）　＋　ｎ−シタ７　（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）
　”；ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素と
しては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）・プロピレン（Ｃ３Ｉ（
６）　ｅブテン−１（Ｃ４Ｈ８ン、ブテン−２（Ｃ４Ｈ
８）。

インブチレン（Ｃ４１（６）　ｅペンテン（０５Ｈｔｏ
）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２
Ｈ２）＃メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）　ｌブテン（Ｃ
４Ｈ６）等が挙げられる。

これ等の他にＳｌとＣと■と會栴成原子とする原料ガス
として、８１（ＣＲ３）ａ　ｅ　８ｉ（Ｃ２１（５）４
等のケイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明において使用される支持体としては、導′亀性で
も′電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては
、例えば、ＮｉＣｒ　ｔステンレス、尼。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　、　Ａｕ　、Ｎｂ　、　Ｔａ　、Ｖ　
ｔ　、Ｔｉ　ｒ　Ｐｔ　ｒ　Ｐｄ等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、号？リエチ
レン、ぼりカービネート、セルローズアセテート　４？
リグロビレン、ｊｊ？り塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用され
る。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面
側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ＋Ａｔ
　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、Ａｕ　ｒ　Ｉｒ　、　Ｎｂ　
ｒ　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　ｊＰｔ　ｒ　Ｐｄ　＋　
Ｉｎ２Ｏ３ｒ　５ｎ０２　＊　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５
ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって導゛眠性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｉＣｒ　ｔ　ｋＡ　＃　Ａｇ　＊
　Ｐｂ　＊　ＺｎｔＮｌ　、Ａｕ　ｌ　Ｃｒ　＃　Ｍｏ
　＋　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ　、ＴＬ　＋ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を′重子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。

支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限シ薄くされる。しかし乍ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、好ましくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１７図に光導電部材の・４造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガス７！ｅンペには、本発
明の光導ｔハ部利を形成するための原料ガスが密封され
ておシ、その−例としてたとえば１１０２はＨｅで稀釈
されたＳｉＨ４，ｌｊ’ス（純度９９．９９９’４、以
下ＳｉＨ４／Ｈｅと略す。）づｆンペ、１１０３はＨｅ
で稀釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下
Ｇｅｔ１４／ｌｉｅと略す。）ボンベ、１１０４はＮＯ
ガラス純度９９．９９係、以下ＮＯと略す。）　＋１ξ
ンペ、１１０５はＨｅ　ガス（純ｒｆ９９．９９９チ）
ボンベ、１１０６はＨ２ガス（純度９９．９９９係）　
ｓｆンペである。

これらのガスを反応室１１０１に流入さぜるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜１１２６、
リークノぐルグ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１１
１７〜１１２１．補助パルプ１１３２．１１３３が開か
れていることを確認して、先づメイン・々ルグ１１３４
を開いて反応室１１０１１及び各ガス配・Ｕ内を排気す
る。次に真窒計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０’ｔｏ
ｒｒ　ＶＣなった時点で補助パルプ１１３２．１１３３
、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ名。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の一例をあげると、ガスボンベ１１０２より
　ＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスｙｌボンペ１１０３よｊ）
ＧｅＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０４よシＮＯガス
をパルプ−１１２２，１１２３，１１２４を開いて出口
圧ダージ１１２７．１１２８，１１２９の圧を１ｋｇ／
ｃＩｎ２に調整し、流入パルプ１１１２，１１１３．１
１１４を徐々に開けて、マス７０コントローラ１１０７
　、１１０８．１１０９内に夫々流入させる。引き続い
て流出パルプ１１１７゜１１１８．１１１９、補助バル
ブ１１３２ｆ、徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０
１に流入させる。このときのＳｉＨ４ΔＩｓガス流量と
ＧｅＨ４ガス（ｅガス流量とＮＯガラス量との比が所望
の値になるように流出パルプ１１１７．１１１８．１１
１９を゛調整し、又、反応室１ｔｏｉ内の圧力が所望の
値になるように真を計１１３６の読みを見ながらメイン
パルプ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７
の温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された後、電源
１１４０を所望のｔに力に設定して反応室１１０１内に
グロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変
化率曲線に従ってＧ＠Ｈ４／ＨｅガスおよびＮＯ，ガス
の流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によって
パルプ１１１８．パルプ１１２０の開口を適宜変化させ
る操作を行なって形成される層中に含有されるケ°ルマ
ニウム原子及び酸素原子の分布］［を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に層領域（Ｇ）を形成する。所
望層厚にＪｔｉ領域に）が形成された段階に於いて、流
出パルプ１１１８ｔｌ”元金に閉じること、及び必要に
応じて放電条件を変える以外は、同隊な条件と手順に従
って、所望時間グロー放電を維持することで層領域ＣＧ
）上にダルマニウム原子の実質的に含有されないノの領
域（Ｓ）を形成することが出来る。

層領域■および層領域（Ｓ）　ＩＩ’に、伝導性を支配
する物質を含有させるには、層碩域口）および層領域（
Ｓ）の形成の際に、例えばＢ２１（６＊　ＰＩ（５等の
ガスを堆積室１１０１の中に導入するガスに加えてやれ
ば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（１）上
に第二の層ω）を形成するには、第一の層（１）の形成
の際と同様なパルプ操作によって、例えばＳｉＨ４がス
、Ｎｉ１５ガスの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガス
で稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起さ
せることによって成される。

第二の１１１（■）中にハロゲン原子を含有させるには
、例えば８ｉＦ４ガスとＮＨ５ｉｆス、或いはこれにＳ
ｉＨ２ガスを加えて上記と同様にして第二の鳩山）を形
成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２．１１３３を開いてメインパルプ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

第二の層（ＩＩ）中に含有される窒素原子の量は例えば
、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと、ＮＨ４５ガ
スの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従っ
て変えるか、或いは、スパッターリングで層形成する場
合には、ターグットを形成する際シリコンウェハとＳ　
ｉ　ｓＮ４ウェハのスノ臂ツタ面積比率を変えるか、又
はシリコン粉末とＳ　ｉ　５Ｎ４粉末の混合比率を変え
てターグラトラ成型することによって所望に応じて制御
することが出来る。第二の層（１１）中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）の搬は、ハロダン原子導入用の原料ガ
ス、例えばＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に導入され
る１際の流ＭＬを−ｊ４槓することによって成される。

父、層形成を行っている間は層形成の均−比を鶴するた
め基体１１３７はモータ１１３９により一定車度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例についてｄ９明する。

実施例１ 第１７図に示した製造装置Ｖこより、シリンダー状のＡ
ｔ基体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材と
しての試料（試料Ａ１１−１〜１７−６　）を夫々作成
した（第２表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は、第
１８図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第１９図−に
示される。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置ａ
シ■５．　ＯｋＶで０，３就間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像はタングステンランプ光源を用
い、２１ｕｘ−就の光ｉ′ｆ、透過型のテストチャート
ラ通して照射させた。

その後直ちに、ＯＮ電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。虚形
成部拐上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、いずれの試料も解像力に曖れ、
階１４再現性のよいｊ峰明な高叡蓮度の画像が得られた
。

上記に於いて、光源全タングステンランプの代りに８１
０　ｎｍ０ＧａＡｓ系半導体レーデ（１０ｍＷ）を用い
て、静電像の形成を行った以外は、上記と同様のトナー
面識形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像の
画質ｉｆｆ’　ｆｌｌｌｉを行ったところ、いずれの試
料も解１象力に優れ、階調再現性の良い鮮明な品品位の
画像がイ捗られた。

実施例２ 第１７図に示した。装造装置ｆｆｊ：により、シリンダ
ー状のＡｔ基体上に第３表に示す条件で電子写真用像形
成部材としての試料（試料Ｊ１６．２１−１〜２７−６
　）を夫々作成した（第４表）。

各試料に於ける、ゲルマニウム原子の含有分布濃度は第
１８図に、又、酸素原子の含有分布？１！Ｊ度は第１９
図に示される。

これ等の試料の夫々に就いて、実施１＋ＩＪ　ｌと同様
の画像評価テストを行ったところ、いずれの試料も面品
質のトナー転写画像を与えた。又、各試料に就イテ３８
　Ｃ、８０％　ａｌｌ’Ｊ！ｉ境ＶＣ於イテ２０　万回
の繰返し使用テストヲ行ったところ、いずれの試料も画
鐵品質の低下は見られなかった。

実施例３ 第二の層ω）の作成条件を第５表に示す各条件（５−１
〜５−８）にした以外は、実施例１の試料Ａｌ１−１．
１２−１．１３−１と同様の条件と手順に従って、電子
写真用像形成部材の夫々（試料点１１−１−１〜１１−
１−８．１２−１−１〜１２−１−８．１３−１−１〜
１３−１−８の２４１１！！ｊの試料）′ｔ−作成した
。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設値し、各実施例に記載したのと同様の条
件によって、各実施例に対応した電子写真用像形成部材
の夫々について、転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果に第６表に示す。

実施例４ 第二のＭ山）の形成時、シリコンウェハとグラファイト
のターグツト面積比を変えて、第二の層ω）におけるシ
リコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、
実楢例１の試料Ａｌ１−１と全く同様な方法によって像
形＋ｉ’ｔ　ｒ；＋ｔ　Ｉｎの友々、（試料点１３０１
〜１３０７　）を作成した。こうして得られた像形成部
材の夫々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を約５万回繰シ返した後面１ｉ＋評
価を行ったところ第７表の如き結果を得た。

実施例５ 第二の層（ｉｔ）の層の形成ＩＩ、テ、ｓ　ｉ　ｉｔ４
ガスとＮＨ５）ガスの流量比を変えて、第二の層０１）
における７リコン原子と窒素原子の含有量比を変化させ
る以外り、実施例１の試料Ａ１２−１と全く同様な方法
によって像形成（ｆｉ％祠の夫々（試料点１４０１〜１
４０８　）を作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画１象計価葡行ったところ、第８表の如き結果を得た。

実施例６ 第二の層（Ｉｆ）の層の形成時、５ｉｌ１４ガス、Ｓｉ
Ｆ４ガス、ＮＨ，ガスの流通化を変えて、第二の層（Ｉ
Ｉ）におけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化
させる以外は、実施例１の試料Ａ　１３−１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々（試料Ａ　Ｉ　５０１
〜１５０８　）を作成した。こうして得られた各像形成
部材につき実施例１に述べた如き作像、現像、クリーニ
ングの工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行った
ところ第９表の如き結果を得た。

実施例７ 第二のＪａ　（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１
の試料Ａ　Ｉ　４−１と全く同様な方法によって像形成
部材の夫々（試料４１６０１〜１６０４　）を作成した
。

実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工
程を繰り返し第１０表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度５ダルマニウム原子（Ｇｏ）含有層・・・・・
・約２００℃ダルマニウム原子（Ｇｏ５）非含有層・・
・約２５０℃放’＋ｌｔ、周波数：　１３．５６　Ｍｒ
ｌｚ反応時反応室反応室内圧、　３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は木兄ゆ」の光導′屯部イ９の層構成′ｌｃ説Ｉ
ＪＩＪする為の模式的層構成図、第２図乃至第１０ｔｌ
は夫夫層領域＠）中のゲルマニウム原子の分布状態を説
明する為の説明図、第１１図は謁−の層（１）の構成を
説明する説明図、第１２図乃至第１６図は夫々第一の層
（１）中の１！＆累原子の分布状態を説明するための説
明図、ｗ、１７図は本発明で使用された装置の模式的説
明図で、第１８図、４１９図は夫々本発明の実施例に於
ける６原ｆの含有分布濃度状Ｑｊ４を示す分布状態図で
ある。 １００・・・光導電部材　１０．１・・・支持体１０２
・・・第一の層（１）　１０３・・・第二の層（ＩＩ）
１０４・・・叩頭”Ｊ！（Ｇ）　１０５・・・層領域（
Ｓ）１０６・・・自由表面　１０７・・・第１の層領域
１０Ｂ・・・第３の層領域　１０９・・・第２の層領域
１１０・・・光受容層 −一−−→−Ｃ −一−−→−Ｃ □Ｃ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上にダルマニ
   ウム原子を含む非晶質材で構成され九層領域（Ｇ）とシ
   リコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す
   層領域（Ｓ）とが前記支持体側よシ順に設けられた層構
   成の第一の層、およびシリコン原子と窒素原子とを含む
   非晶質材料で構成された第二の層から成る光受容層とを
   有し、前記第一の層は、酸素原子を含有し、その層厚方
   向に於ける分布ｐ度が夫々Ｃ（１）　、　Ｃ（３）　、
   　Ｃ（２）なる第１の層領域、ボ３の層領域、第２の層
   領域を支持体側よシこのＩｌＦ＜で有する事を特徴とす
   る光導電部材（但し、Ｃ（３）は単独では最大になるこ
   とはない。Ｃ（１）。 ｃ　（２）　ｒいずれか１つが０になる場合は、他の２
   つは０でなく具つ等しくはない。Ｃ（３）が０の場合は
   他の２つは０ではない）。 （２）層領域（Ｇ）及び層領域（Ｓ）の少なくともいず
   れか一方、に水素原子が含有されている特許請求の範囲
   ｇ１項に記載の光導電部材。 （３）層領域ＣＧ）及び層領域（Ｓ）の少なくともいず
   れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
   囲第２項に記載の光導電部材。 （４）層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が不均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。 （５）層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導電
   部材。 （６）第一の層中に伝導性を支配する物質が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 “（７）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第５項に記載の光導電部材
   。 （８）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第５項に記載の光導電部材。