JPS60118662A - 高温用ptc材料及びその製造方法 - Google Patents

高温用ptc材料及びその製造方法

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JPS60118662A
JPS60118662A JP58223325A JP22332583A JPS60118662A JP S60118662 A JPS60118662 A JP S60118662A JP 58223325 A JP58223325 A JP 58223325A JP 22332583 A JP22332583 A JP 22332583A JP S60118662 A JPS60118662 A JP S60118662A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
high temperature
ptc material
resistance
manufacture
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Pending
Application number
JP58223325A
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English (en)
Inventor
俊自 野村
芳野 久士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、正の抵抗温度特性(以下PTC特性と略す)
を有するサーミスタに関し、特に抵抗の変化点が高温域
にあるサーミスタ材料に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、 PTC特性を有するサーミスタとじてBaTi
OsにLa、Ce、5r6Pbその他の酸化物をドープ
し半導体化させたセラミックスが知られている。微量の
酸化物をドーグしたBaTiO3がPTC特性を示す理
由は、結晶粒界のショットキー障壁がキューリ一点以下
においては粒界の強誘電性のため低くなっているが、キ
ューリ一点以上においては誘電率が低下するためショッ
トキー障壁が高くなり抵抗の急増が起こると考えられて
いる。BaTiO3系サーミスタの場合、キューリ一点
は通常100〜120°0であるがこのキューリ一点は
添加する酸化物の種類によって変化し例えば添加物がp
b酸化物の場合高温側に変化し、又Sr酸化物の場合低
温側に変化する。そしてBaTiO3系サーミスタをよ
り高温域で使用するためにpb酸化物を添加することが
試みられているがキューリ一点は300〜400°Cが
限界であり更に高温域での使用は不可能であった。
又、大電力を得るためには固有抵抗(以下ρと略す)が
できるだけ小さい方が好ましいが、BaTi0a系サー
ミスタではI)−10〜10Ω11cm程度が限界であ
っだ。
このように従来のBaTiO3系PTCサーミスタでは
、ρの温度変化点が低く、かつρの十分低い値が得られ
ないため、高温域あるいは大電力での使用ができないと
いう欠点があった。
またBaTiO3系サーミスタは焼成温度が1100〜
1350°Cと高いという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の欠点に鑑みてなされたもので、その目的
はρが低くかつρの温度変化点が高温にある新しい高温
用PTC材料及びその製造方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
発明者らは、導電性に優れたセラミッタスを種々検討し
た結果、所定のBaPbO3にPbOを混合し焼成して
得た材料がρが低くかつρの温度変化点が約750’0
と高温にあることを見い出した。
即ち本発明における高温用PTC材料は、焼成後の組成
がBaPb 1+XO3+ ypbo(o <x <0
.2 、 O≦y<o、z>からなり800〜950℃
という比較的低い温度で焼成することを特徴とする高温
用PTC材料及びその製造法である。
ここでPbOの混合は、焼結性の向上に効果が′あり、
すなわち初期の抵抗率の低減に有効である。
X及びyの範囲はO<X<0.2.0<yく0.2が必
要であるが、Xは1000℃までの温度域で0.2を越
えることはない。従ってPbOの混合は、02まではX
の値を増加させ、0.2以上となるとyの値を増加させ
る。また過剰のPbOは初期の抵抗値を増加させ、yが
0.2を越えるとρの増加が大きくなり大電力を得るこ
とが困難となる。
〔発明の効果〕
本発明による高温用PTC材料はρの値が10−4〜1
0−3Ω・αと導電性に優れているため大電力の利用が
可能でかつρの温度変化点が約75 (1’Oにあるた
め、従来のBaTiO3系PTC材では不可能であった
高温域(750〜850℃)での使用が可能となる。
〔発明の実施例〕
以下本発明を実施例を挙げ詳細に説明する。
BaCO3とPb3O4粉末をモル比で1+173とe
るように秤量しボールミルで均一に混合した後、乾燥シ
てアルミナルツボに入れ約900°03時間酸素フロー
中で仮焼し更にボールミルで粉砕した後再び約900°
03時間酸素フロー中で仮焼する。その後、ボールミル
で粉砕混合し、乾燥して、BaPbO3粉末を得る。次
に実施例1〜10に示すようにPbOを加え、混合後I
くインダーを加え20φ×5の円柱状にプレス成形した
。これら成形した試料を白金板上にのせ、800〜95
0 ’03時間酸素フロー中で焼成した。
焼成後X線回折により混合したPbO量力に0.2を越
えるとBaPbO3+pboの混合相であり0.2以下
ではBaPbO3−相であることを確認した。またイヒ
学分析により焼成後のPb/Ba比はほぼ混合時のPb
/Ba比に等しいことを確認した。
次に焼結した試料を約2011II×5IIWxIII
II+!の形状に切り出しPtペーストを電極として焼
付けた後、室温から約850°Cまで4端子法でρの温
度変イヒを(lJtl定し、その結果を表に示す。
以下余白 次に第1図にBaPbr、203+0.lPbO(実施
例7)についてのρの温度変化を示す。約750’O〜
800°Cでρが急増する現象が認められる。表に示し
た実施例では、すべて室温での抵抗率が10 Ωα以下
と、従来のPTCサーミスタに比較して極めて低い個が
得られている。しかも電気抵抗の変化温度ぎ750”C
前後と十分高温にある。一方比較例1では抵抗の変化率
が小さく、また比較例2では室温抵抗率が大きくなりし
かも変化も小さい。比較例3は従来のBaTiO3系の
PTCサーミスタであり、変化温度が低く、室温抵抗も
大きい。また比較例4及び5はBaPbO3の出発原料
としてBaC0aとpb。
又はPbO2を用いた例で、抵抗の変化が不十分である
以上のように本発明における高温用PTC材料はρの値
が低く通電性が優れているため大電力を得ることができ
、しかも約750°Cの高温でPTC特性を示すため、
高温用の発熱体あるいは電流制御体として使用すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明高温用PTC材料の一実施例における抵
抗一温度特性を示す曲線図。 代理人 弁理士 則 近 惣 佑 (はか1名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)組成がBaPb ] +XO3+ yPbo (0
    < x≦0.2.0≦yく0.2)からなることを特徴
    とする高温用PTC材料。 2) BaCO3及びPb3O4を原料とし仮焼してB
    aPbO3粉末を得た後PbO粉末を混合し酸素雰囲気
    中で焼
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