JPS60117781A - 薄膜素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非晶質シリコン（以下ａ−８ｔ：Ｈを略す）
を用いた薄膜素子に関する。
を用いた薄膜素子に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、ａ−８ｉ：Ｈを用いた薄膜素子例えば電界効果型
トランジスタの構成は、ガラス等の絶縁基板上にゲート
電極となる金属、絶縁体、電界によって空乏層が発生す
るａ−８ｔ：Ｉ（薄膜を堆積させ、電極との接触部分に
オーミック接触を行なう、ため例えばｎ＋層をはさんで
いた。所定の電圧印加で所定の電導率を得るためにａ−
８１：Ｈ膜を選択的にエツチングしていた。しかし、暗
所で上記薄膜素子を使用しなければならないという欠点
があった。ｋぜならば、光が照射されるとａ−３ｉ：Ｈ
には光導電性がアシ、照射光量によってほぼ直線的−に
抵抗が減少する。使用環境によって活性領域であるａ−
３ｉ：Ｈの抵抗値が変化するため電圧を印加しなくても
電導率が減少していた。
トランジスタの構成は、ガラス等の絶縁基板上にゲート
電極となる金属、絶縁体、電界によって空乏層が発生す
るａ−８ｔ：Ｉ（薄膜を堆積させ、電極との接触部分に
オーミック接触を行なう、ため例えばｎ＋層をはさんで
いた。所定の電圧印加で所定の電導率を得るためにａ−
８１：Ｈ膜を選択的にエツチングしていた。しかし、暗
所で上記薄膜素子を使用しなければならないという欠点
があった。ｋぜならば、光が照射されるとａ−３ｉ：Ｈ
には光導電性がアシ、照射光量によってほぼ直線的−に
抵抗が減少する。使用環境によって活性領域であるａ−
３ｉ：Ｈの抵抗値が変化するため電圧を印加しなくても
電導率が減少していた。
発明の目的
本発明は、上記問題点を軽減することを目的とし、光が
照射されても、その電気的な特性が変化しない薄膜素子
を提供するものである。
照射されても、その電気的な特性が変化しない薄膜素子
を提供するものである。
発明の構成
本発明は！縁基板上に薄膜素子の活性領域となるａ−８
ｔ：Ｈ膜、光導電性が上記ａ−８ｔ：Ｈ膜の１／１００
以下で、しかも光学的禁止帯幅が上記ａ−８ｔ：Ｈ膜よ
りも小さな薄膜、例えば水素を含ま彦い非晶質シリ’：
ｙ ７ ａ−８ｉＧｅ ：Ｈ，ａ−８ｉ Ｓｎ：Ｈ等を
順次配し、薄膜素子外部から入射する光によって活性領
域であるａ−８ｉ：Ｈの抵抗の減少を抑制する。
ｔ：Ｈ膜、光導電性が上記ａ−８ｔ：Ｈ膜の１／１００
以下で、しかも光学的禁止帯幅が上記ａ−８ｔ：Ｈ膜よ
りも小さな薄膜、例えば水素を含ま彦い非晶質シリ’：
ｙ ７ ａ−８ｉＧｅ ：Ｈ，ａ−８ｉ Ｓｎ：Ｈ等を
順次配し、薄膜素子外部から入射する光によって活性領
域であるａ−８ｉ：Ｈの抵抗の減少を抑制する。
実施例の説明
以下、本発明の構成およびその製造法について図に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第１図（−）〜（ｄ）には、電界効果トランジスタ作成
の実施例を工程順に示した。１は絶縁体基板例えばガラ
ス基板であり、基板１が可視光を透過させる物質であれ
ば遮光する物質２例えば、Ａ１等の金属、イミド系の高
分子を配し、上記遮光物質２と反対側の面にゲート電極
３例えば、ＮｉＣｒ、Ｐｔ。
の実施例を工程順に示した。１は絶縁体基板例えばガラ
ス基板であり、基板１が可視光を透過させる物質であれ
ば遮光する物質２例えば、Ａ１等の金属、イミド系の高
分子を配し、上記遮光物質２と反対側の面にゲート電極
３例えば、ＮｉＣｒ、Ｐｔ。
Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等を蒸着し、ゲート部分のみに選択エ
ツチングする（第１図ａ）。次にグロー放電堆積装置（
図示せず）内に入れ、基板１を２００〜３００℃に加熱
した後、絶縁体例えばＳｉＮ層４を形成する。Ｓ Ｉ
Ｈ４とＮＨ３の混合ガスを導入させ、グロー放電により
分解しＳｉＮ を堆積させる。
ツチングする（第１図ａ）。次にグロー放電堆積装置（
図示せず）内に入れ、基板１を２００〜３００℃に加熱
した後、絶縁体例えばＳｉＮ層４を形成する。Ｓ Ｉ
Ｈ４とＮＨ３の混合ガスを導入させ、グロー放電により
分解しＳｉＮ を堆積させる。
さらにトランジスタの活性領域であるａ−８ｔ：Ｈ層６
を 第１図ｂ に示すように重ねて堆積する。
を 第１図ｂ に示すように重ねて堆積する。
ａ−３ｔ：Ｈ層６の堆積は、上記ＳｉＮ 層４とほぼ同
じ条件である。原料ガスはＳ ｉ Ｈ４を用い、ＮＨ３
は混入させない。その上に非晶質薄膜層６を形成させる
。本実施例ではａ−Ｇｅ：Ｈを用いた。堆積条件は、Ｓ
ｉＮ層４およびａ−３ｔ：Ｈ層６とほぼＳｉ：Ｈ層６は
１．７ｅＶ、それに対しａ−Ｇｅ：Ｈ層６は、１．１ｅ
Ｖ程度であった。原理的には、この上に、ソースとドレ
イン電極を付ければ良いが、ａ−Ｇｅ：Ｈ層６と電極と
のオーミック接触を確立させるためにｎ＋型ａ−３ｔ：
Ｈ層を堆積させなければならない。しかもｎ＋型ａ−８
ｉ：Ｈ層は、ゲート電極３上は除去しなければならない
。一般にａ−８ｉ：Ｈに比べａ−Ｇｏ：Ｈは、化学的に
不安定なため、選択エツチングを行なう際、ａ−８ｉ：
Ｈ層５をオーバーエツチングすると下のａ−Ｇｏ：Ｈ層
６をも除去されてしまう。通常のエツチング材料として
は、液相の場合はフッ硝酸系を用い、気相の場合はフッ
化炭素系ガスを用いている。いずれの場合もＧｏの方が
Ｓｉ よりエツチング速度が早い。
じ条件である。原料ガスはＳ ｉ Ｈ４を用い、ＮＨ３
は混入させない。その上に非晶質薄膜層６を形成させる
。本実施例ではａ−Ｇｅ：Ｈを用いた。堆積条件は、Ｓ
ｉＮ層４およびａ−３ｔ：Ｈ層６とほぼＳｉ：Ｈ層６は
１．７ｅＶ、それに対しａ−Ｇｅ：Ｈ層６は、１．１ｅ
Ｖ程度であった。原理的には、この上に、ソースとドレ
イン電極を付ければ良いが、ａ−Ｇｅ：Ｈ層６と電極と
のオーミック接触を確立させるためにｎ＋型ａ−３ｔ：
Ｈ層を堆積させなければならない。しかもｎ＋型ａ−８
ｉ：Ｈ層は、ゲート電極３上は除去しなければならない
。一般にａ−８ｉ：Ｈに比べａ−Ｇｏ：Ｈは、化学的に
不安定なため、選択エツチングを行なう際、ａ−８ｉ：
Ｈ層５をオーバーエツチングすると下のａ−Ｇｏ：Ｈ層
６をも除去されてしまう。通常のエツチング材料として
は、液相の場合はフッ硝酸系を用い、気相の場合はフッ
化炭素系ガスを用いている。いずれの場合もＧｏの方が
Ｓｉ よりエツチング速度が早い。
これを解決するためａ−Ｇｏ：Ｈ層６を、ｎ＋型ａ−３
ｉ：Ｈ層６の間にａ−８ｔ：Ｈより ｘ 、チング速度
の遅い物質で、しかも電気伝導を示す物質７をはさんで
やれば良い。７には例えばｎ型のａ−３ｉＣ：Ｈが用い
られる□ ａ Ｆ３ｘＣ：Ｈ層７の原料ガスとしてＳ
Ｉ Ｈ４とＣＨ４およびＰＨ３の混合ガスを用いた。
第１図Ｃに示すようにｎ型ａ −３ｉＣ：Ｈ層７および
ｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ層８をａ−Ｇｅ：Ｈ層６上に同様に
堆−積させる。膜厚はＳｉＮ層４が約３０００八、ａ−
８ｉ：Ｈ層６が約４０００人。
ｉ：Ｈ層６の間にａ−８ｔ：Ｈより ｘ 、チング速度
の遅い物質で、しかも電気伝導を示す物質７をはさんで
やれば良い。７には例えばｎ型のａ−３ｉＣ：Ｈが用い
られる□ ａ Ｆ３ｘＣ：Ｈ層７の原料ガスとしてＳ
Ｉ Ｈ４とＣＨ４およびＰＨ３の混合ガスを用いた。
第１図Ｃに示すようにｎ型ａ −３ｉＣ：Ｈ層７および
ｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ層８をａ−Ｇｅ：Ｈ層６上に同様に
堆−積させる。膜厚はＳｉＮ層４が約３０００八、ａ−
８ｉ：Ｈ層６が約４０００人。
ａ−Ｇｅ：Ｈ層６が約１０００八、ｎ型ａ−８ｉＣ：Ｈ
層７が約６００人、およびｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ層を約１
０００八とした。最後にｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ層８を選択
エッチし、ソース、ドレイン電極９，１ｏを蒸着し、電
界効果トランジスタが完成される。
層７が約６００人、およびｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ層を約１
０００八とした。最後にｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ層８を選択
エッチし、ソース、ドレイン電極９，１ｏを蒸着し、電
界効果トランジスタが完成される。
なお、第１図（−）において、ａ−３ｉ：Ｈを堆積前に
、遮光物質２を基板１に配したが、電界効果トランジス
タ完成後、または、その途中で配しても良い。さらに、
第１図で示した実施例では、電界効果型トランジスタに
ついてのみ示したが、第２図で示すように、ダイオード
（第２図ａ）の場合でも抵抗素子（第２図ｂ）の場合で
も、同様の主旨で、本発明は実施される。
、遮光物質２を基板１に配したが、電界効果トランジス
タ完成後、または、その途中で配しても良い。さらに、
第１図で示した実施例では、電界効果型トランジスタに
ついてのみ示したが、第２図で示すように、ダイオード
（第２図ａ）の場合でも抵抗素子（第２図ｂ）の場合で
も、同様の主旨で、本発明は実施される。
第２図（−）において２１は表面を酸化させＳ ｚ ０
２２２とした単結晶シリコン、２３は電極、２４はｐ型
、２６はｉ型、２６はｎ型のａ−８ｔ：Ｈ層、２７は例
えばａ−８ｉＳｎ：Ｈからなる薄膜であり、２８は電極
である。この図では電極２３を共通としたａ−８ｉ ：
Ｈｐ ｉ ｎ ダイオードアレイを示している。
２２２とした単結晶シリコン、２３は電極、２４はｐ型
、２６はｉ型、２６はｎ型のａ−８ｔ：Ｈ層、２７は例
えばａ−８ｉＳｎ：Ｈからなる薄膜であり、２８は電極
である。この図では電極２３を共通としたａ−８ｉ ：
Ｈｐ ｉ ｎ ダイオードアレイを示している。
第２図（ｂ）において３１は曲げの自由な絶縁基板例え
ば、ステンレス薄膜に絶縁体を配したものまたは耐熱性
高分子膜、３２は所定の比抵抗を持つａ−８ｉ：Ｈ，３
３は本発明による薄膜で例えば水素を含まない非晶質シ
リコン、３４はｎ型ａ−８ｉ：Ｈ層、３５は電極である
。ｎ型ａ−８ｔ：Ｈ層３４の選択エツチングが難しけれ
ば、第１図で説明したようにａ−８ｉＣ：Ｈ等をａＬｓ
ｉＧｅ：Ｈ層３３を、ｎ型ａ−８ｔ：Ｈ層３４の間には
さんでも良い。第２図（ａ）でも同様である。
ば、ステンレス薄膜に絶縁体を配したものまたは耐熱性
高分子膜、３２は所定の比抵抗を持つａ−８ｉ：Ｈ，３
３は本発明による薄膜で例えば水素を含まない非晶質シ
リコン、３４はｎ型ａ−８ｉ：Ｈ層、３５は電極である
。ｎ型ａ−８ｔ：Ｈ層３４の選択エツチングが難しけれ
ば、第１図で説明したようにａ−８ｉＣ：Ｈ等をａＬｓ
ｉＧｅ：Ｈ層３３を、ｎ型ａ−８ｔ：Ｈ層３４の間には
さんでも良い。第２図（ａ）でも同様である。
ソース、ドレイン間隔１００μｍ１ゲート幅１ｃｍの電
界効果トランジスタ （Ｆ Ｅ Ｔ）のゲート電圧に対
するドレイン電流の値を図示しだのが第３図中の（実線
）である。ソースはアース電位で、ドレイン電圧６ｖで
ある。この素子にＡＭｌの光を照射するとｉ型ａ−８ｉ
：Ｈ（Ｄ比抵抗はｌＸ１０’ΩＣＩｎ程度になる。ＦＥ
Ｔのｉ型ａ−８ｉ：Ｈの膜厚は５ｏｏｏ八程度へあるの
で、ソース、ドレイン間に６ｖの電圧をかけると光導電
性で流れる電流は、これを第３図中に示しだのが４２
（一点鎖線）である。この場合、ゲート電圧が２ｖ以下
では、光導電性による電流がＦＥＴのＯＮ電流に比べて
大きくなる。
界効果トランジスタ （Ｆ Ｅ Ｔ）のゲート電圧に対
するドレイン電流の値を図示しだのが第３図中の（実線
）である。ソースはアース電位で、ドレイン電圧６ｖで
ある。この素子にＡＭｌの光を照射するとｉ型ａ−８ｉ
：Ｈ（Ｄ比抵抗はｌＸ１０’ΩＣＩｎ程度になる。ＦＥ
Ｔのｉ型ａ−８ｉ：Ｈの膜厚は５ｏｏｏ八程度へあるの
で、ソース、ドレイン間に６ｖの電圧をかけると光導電
性で流れる電流は、これを第３図中に示しだのが４２
（一点鎖線）である。この場合、ゲート電圧が２ｖ以下
では、光導電性による電流がＦＥＴのＯＮ電流に比べて
大きくなる。
本発明による薄膜を用いた場合について次に述べる。例
えば光学的禁止帯幅（Ｅｃｔ） １．５ｅＶ、暗時導電
率６Ｘ１０５．Ｑｌｌ’ｌ１１、光ＡＭ１に対する光導
電率が同程度の１×１０６Ωｍのａ−３ｉＧｅ：Ｈを用
いる。
えば光学的禁止帯幅（Ｅｃｔ） １．５ｅＶ、暗時導電
率６Ｘ１０５．Ｑｌｌ’ｌ１１、光ＡＭ１に対する光導
電率が同程度の１×１０６Ωｍのａ−３ｉＧｅ：Ｈを用
いる。
このａ−３ｉＧｅ は、基板温度２ｏｏ℃、８１ Ｈａ
”。
”。
ＧｅＨ４＝ １：ｏ、 １ｔｓの原料ガス混合比で得ら
れる。
れる。
このａ−３ｉＧｅ：Ｈを１０００人ａ−３ｉ層上に堆積
させ、上述したＦＥＴ構造をとってその光ＡＭ１におけ
るリーク電流値をめる。まずａ−８ｉ：Ｈの光導電率を
見積る。ＥＣ１＝１．５ｅＶで、膜厚が１０００人のａ
−８ｉＧｅ：Ｈを介して光ＡＭ１をａ−８ｔ：Ｈに照射
すると光導電率は１１５０以下になる。すなわち６Ｘ１
０”−８Ａ以下の電流値となる。ゲート電圧３ｖで２桁
のＯＮ１０ Ｆ Ｆ 比が得られる。次にａ−３ｉＧｅ
：Ｈの電気伝導率がａ−５ｔ：Ｈに比べ／Ｊ％さいため
、ソース、ドレイン間の絶縁抵抗が減少する。この抵抗
減少によるリーク電流を見積る。
させ、上述したＦＥＴ構造をとってその光ＡＭ１におけ
るリーク電流値をめる。まずａ−８ｉ：Ｈの光導電率を
見積る。ＥＣ１＝１．５ｅＶで、膜厚が１０００人のａ
−８ｉＧｅ：Ｈを介して光ＡＭ１をａ−８ｔ：Ｈに照射
すると光導電率は１１５０以下になる。すなわち６Ｘ１
０”−８Ａ以下の電流値となる。ゲート電圧３ｖで２桁
のＯＮ１０ Ｆ Ｆ 比が得られる。次にａ−３ｉＧｅ
：Ｈの電気伝導率がａ−５ｔ：Ｈに比べ／Ｊ％さいため
、ソース、ドレイン間の絶縁抵抗が減少する。この抵抗
減少によるリーク電流を見積る。
、−８ｉ：Ｈの光導電性による電流をａ−３ｉＧｅ：Ｈ
の抵抗化による電流の合計は高々ｌＸ１０ Ａ である
。第３図に破線４３として示した。ゲート電圧４■でＦ
ＥＴのｏＮ１０ＦＦ比が２桁程度と大きく改善される。
の抵抗化による電流の合計は高々ｌＸ１０ Ａ である
。第３図に破線４３として示した。ゲート電圧４■でＦ
ＥＴのｏＮ１０ＦＦ比が２桁程度と大きく改善される。
なお、本発明はＦＥＴ素子に限らず第２図の実施例で示
したダイオードや抵抗でも上述した設計思想に基づいて
本発明を実施することができる。
したダイオードや抵抗でも上述した設計思想に基づいて
本発明を実施することができる。
発明の効果
このように本発明によれば、少なくとも光の照射される
部分に光学的禁止帯幅が小さく光導電特性が１７１００
以下である非晶質薄膜をａ−８ｉ：Ｈ薄膜素子に重ねて
堆積することにより、外部から入射する光に関係のない
薄膜素子を得ることができる。しかもａ−８ｉ：Ｈ堆積
装置内で堆積条件の大幅な変更なく、連続して作成でき
るため工業的にも非常に有意義である。
部分に光学的禁止帯幅が小さく光導電特性が１７１００
以下である非晶質薄膜をａ−８ｉ：Ｈ薄膜素子に重ねて
堆積することにより、外部から入射する光に関係のない
薄膜素子を得ることができる。しかもａ−８ｉ：Ｈ堆積
装置内で堆積条件の大幅な変更なく、連続して作成でき
るため工業的にも非常に有意義である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例であるａ
−３ｉ：Ｈ電界効果トランジスタの作成工程を示した図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は各々本発明の一実施例の
ｐｉｎダイオードおよび抵抗素子を示す図、第３図は本
発明が実施された素子の効果を説明した図である。 １・・・・・絶縁体基板、２・・・・・・遮光物質、３
・・・・・・ゲート電極、４・・・・絶縁薄膜、５．２
４，２５，２６゜３２＝−ａ−３ｔ：Ｈ，６、２７、３
３・・・・一本発明による光学的禁止帯幅がａ−３ｉ：
Ｈより小さく光導電性がａ−３ｔ：Ｈの１／１００以下
である薄膜、７・・・・・・ｎ型ａ−８ｉＣ：Ｈ，８、
３４＝−ｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ，９，１０・・・・・・ソ
ース、ドレイン電極、些１・・・・・・Ｓｔ単結晶、２
２・・・・・Ｓ ｉ０２．２３ 。 ２８．３６・・・・・・電極、３１・・・・・・フレキ
シブル絶縁基板。
−３ｉ：Ｈ電界効果トランジスタの作成工程を示した図
、第２図（ａ） 、 （ｂ）は各々本発明の一実施例の
ｐｉｎダイオードおよび抵抗素子を示す図、第３図は本
発明が実施された素子の効果を説明した図である。 １・・・・・絶縁体基板、２・・・・・・遮光物質、３
・・・・・・ゲート電極、４・・・・絶縁薄膜、５．２
４，２５，２６゜３２＝−ａ−３ｔ：Ｈ，６、２７、３
３・・・・一本発明による光学的禁止帯幅がａ−３ｉ：
Ｈより小さく光導電性がａ−３ｔ：Ｈの１／１００以下
である薄膜、７・・・・・・ｎ型ａ−８ｉＣ：Ｈ，８、
３４＝−ｎ＋型ａ−８ｉ：Ｈ，９，１０・・・・・・ソ
ース、ドレイン電極、些１・・・・・・Ｓｔ単結晶、２
２・・・・・Ｓ ｉ０２．２３ 。 ２８．３６・・・・・・電極、３１・・・・・・フレキ
シブル絶縁基板。
Claims (1)
- 少なくとも光が入射する面上に非晶質シリコンよりなる
活性領域より光学的禁止帯幅が小さく、かつ光導電性が
前記活性領域の１／１００以下である 非晶質膜を配す
ることを特徴とする薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22590283A JPS60117781A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22590283A JPS60117781A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117781A true JPS60117781A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16836671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22590283A Pending JPS60117781A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117781A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107067A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US4979006A (en) * | 1988-05-30 | 1990-12-18 | Seikosha Co., Ltd. | Reverse staggered type silicon thin film transistor |
| US5221631A (en) * | 1989-02-17 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a thin film transistor having a silicon carbide buffer layer |
| US7351043B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-04-01 | Tecumseh Products Company | Horizontal compressor end cap |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22590283A patent/JPS60117781A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107067A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US4979006A (en) * | 1988-05-30 | 1990-12-18 | Seikosha Co., Ltd. | Reverse staggered type silicon thin film transistor |
| US5221631A (en) * | 1989-02-17 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a thin film transistor having a silicon carbide buffer layer |
| US7351043B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-04-01 | Tecumseh Products Company | Horizontal compressor end cap |
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