JPS60116234U - イオン注入用半導体基板保持装置 - Google Patents

イオン注入用半導体基板保持装置

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JPS60116234U
JPS60116234U JP278684U JP278684U JPS60116234U JP S60116234 U JPS60116234 U JP S60116234U JP 278684 U JP278684 U JP 278684U JP 278684 U JP278684 U JP 278684U JP S60116234 U JPS60116234 U JP S60116234U
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JP
Japan
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semiconductor substrate
holding device
substrate holding
ion implantation
elastic support
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Application number
JP278684U
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English (en)
Inventor
渡瀬　繁行
吉川　純三
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はイオン注入装置の概略図、第２図は従来の半導
体基板保持装置の平面図、第３図は第２図２９−２９’
線裁断正面図、第４図は本考案装置の１例の平面図、第
５図は第４図の正面図、第６図は第４図の斜視図。 主な図の説明、３０：半導体基板保持装置、３１：回転
ストップ用切込み、３２：支持基板、３３：半導体基板
、３４：固定部、３５：バネ部、３６：可動押え部、３
７：穴。 ２１　　　　ろ 第５−図 第４図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 板状の支持基板３２と前記支持基板３２面上の周謁部に
    設けた固定部３４、バネ部３５、可動押え部３６とより
    成る複数個の弾性支持装置と、前記支持基板３２面上で
    かつ前記弾性支持装置でその周辺を押えられる半導体基
    板３３とを具備することを特徴とするイオン注入用半導
    体基板保持装置。
JP278684U 1984-01-12 1984-01-12 イオン注入用半導体基板保持装置 Pending JPS60116234U (ja)

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JP278684U JPS60116234U (ja) 1984-01-12 1984-01-12 イオン注入用半導体基板保持装置

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JPS60116234U true JPS60116234U (ja) 1985-08-06

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