JPS60116229U - 半導体ウエ−ハの発熱担体 - Google Patents

半導体ウエ−ハの発熱担体

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JPS60116229U
JPS60116229U JP162584U JP162584U JPS60116229U JP S60116229 U JPS60116229 U JP S60116229U JP 162584 U JP162584 U JP 162584U JP 162584 U JP162584 U JP 162584U JP S60116229 U JPS60116229 U JP S60116229U
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JP
Japan
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semiconductor wafer
heat generating
generating carrier
carrier
temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP162584U
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English (en)
Inventor
洋 熊本
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図及び第３図は従来の発熱担体の断面図、
第４図は縦型気相エピタキシャル成長装置の断面図、第
５図は本考案の一実施例の断面図、第６図ａ、　ｂ、　
ｃはそれぞれ、第３図における、昇温、定温、降温時の
発熱担体の温度分布を示すグラフ、第７図ａ、　ｂ、　
ｃはそれぞれ、第５図における、昇温、定温、降温時の
発熱担体の温度分布を示すグラフである。 １・・・・・・発熱担体、１ａ・・・・・・発熱担体中
央部表面、１ｂ・・・・・・発熱担体周辺部表面、１ｃ
・・・・・・発熱担体表面でｌａ、ｌｂの中間点、２・
・・・・・半導体ウェーハ、１３・・・・・・コイル、
！４・・・・・・反応ガス導入管、２３・・・・・・発
墜担体の半導体ウェーハ支持面と反対側の面に形成され
た凹型曲面、２４・・・・・・反応ガス導入用空間。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハ支持面と反対側の面を曲面で凹型に形成
    したことを特徴とする半導体ウェハーの発熱担体。
JP162584U 1984-01-10 1984-01-10 半導体ウエ−ハの発熱担体 Pending JPS60116229U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945681A (ja) * 1972-07-01 1974-05-01
JPS5271171A (en) * 1975-12-10 1977-06-14 Matsushita Electronics Corp Production of epitaxial wafer
JPS54144868A (en) * 1978-05-04 1979-11-12 Mitsubishi Electric Corp Heat treatment unit
JPS57149727A (en) * 1981-03-11 1982-09-16 Toshiba Corp Heating base of a vapor growth semiconductor

Patent Citations (4)

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