JPS60116163A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60116163A JPS60116163A JP58224815A JP22481583A JPS60116163A JP S60116163 A JPS60116163 A JP S60116163A JP 58224815 A JP58224815 A JP 58224815A JP 22481583 A JP22481583 A JP 22481583A JP S60116163 A JPS60116163 A JP S60116163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- injector
- region
- iil
- semiconductor device
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241001655798 Taku Species 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
- H01L27/0229—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L of bipolar structures
- H01L27/0233—Integrated injection logic structures [I2L]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に、ＩＩＬとして知られ
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
従来より、バイポーラトランジスタを用いて、アナログ
回路とデジタル回路を同一基板上に同時に作る事ができ
るものとしてＩＩＩ、が知られている。第１図はこの装
置の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’の部分の断面積
である。第１図にｊ６い℃ｐ領賊であるインジェクタ１
からｎ領域２へ注入されたホールはコレクタ領域４．ベ
ース領域３１エミツタ領域２を有する逆トランジスタの
ベース領域３に到達し、このいわゆるインジェクタ電流
は逆トランジスタのベース電流になる。
回路とデジタル回路を同一基板上に同時に作る事ができ
るものとしてＩＩＩ、が知られている。第１図はこの装
置の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’の部分の断面積
である。第１図にｊ６い℃ｐ領賊であるインジェクタ１
からｎ領域２へ注入されたホールはコレクタ領域４．ベ
ース領域３１エミツタ領域２を有する逆トランジスタの
ベース領域３に到達し、このいわゆるインジェクタ電流
は逆トランジスタのベース電流になる。
第３図にこのＩＩＬｌ路をいくつか並べたガを示すが、
この例におい１、）シンジスタＱｌ 、Ｑ−の対及びト
ランジスタＱｓ 、 Ｑ、の対が同一構造をもつｉ畏り
、同一インジェクタからの電流を受りるつまりインジェ
クタ電Ｈ，Ｉｔ ＝ ｉｔである。今ここで同一形状の
ゲートを使用してインジェクタ電流を変えたい、−汗を
考えると、トランジスタＱ−、ＱａのようにＱ１〜Ｑ４
とは別叫にバイアス回路及びインジェクタへの自己線を
用いなければなりず、ベレット面積の増大を招くという
欠点があった。特にインジェクタ電流の輝頑が多い場合
には、ベレット面積の増大は無視できない割付になる争
があった。
この例におい１、）シンジスタＱｌ 、Ｑ−の対及びト
ランジスタＱｓ 、 Ｑ、の対が同一構造をもつｉ畏り
、同一インジェクタからの電流を受りるつまりインジェ
クタ電Ｈ，Ｉｔ ＝ ｉｔである。今ここで同一形状の
ゲートを使用してインジェクタ電流を変えたい、−汗を
考えると、トランジスタＱ−、ＱａのようにＱ１〜Ｑ４
とは別叫にバイアス回路及びインジェクタへの自己線を
用いなければなりず、ベレット面積の増大を招くという
欠点があった。特にインジェクタ電流の輝頑が多い場合
には、ベレット面積の増大は無視できない割付になる争
があった。
また他の方法として第４図に示す妹に、同一のバイアス
回路及びインジェクタの配線を用いて単に対向するイン
ジェクタと逆トランジスタのベースの長さを変える半も
できる。この場合、インジェクタ電流はこの対応長に比
例した値を得る半が出来る。ＩＩＬに使用するトランジ
スタには大きなトランジスタを用いる必要があり、ペレ
ット面、積の増大を招くという欠点があった。
回路及びインジェクタの配線を用いて単に対向するイン
ジェクタと逆トランジスタのベースの長さを変える半も
できる。この場合、インジェクタ電流はこの対応長に比
例した値を得る半が出来る。ＩＩＬに使用するトランジ
スタには大きなトランジスタを用いる必要があり、ペレ
ット面、積の増大を招くという欠点があった。
本発明の目的は以上の欠点を解決したＩＩＬ半導体装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明によるＩＩＬ半導体装置はインジェクタ及び逆ト
ランジスタからなるＩＩＬ回路において上記インジェク
タ及び前記逆トランジスタの間の半導体領域の不純物一
度をインジェクタの場所に応じて変化させたことを特徴
とする。
ランジスタからなるＩＩＬ回路において上記インジェク
タ及び前記逆トランジスタの間の半導体領域の不純物一
度をインジェクタの場所に応じて変化させたことを特徴
とする。
第５図は本発明の実施例である。本発明において第５図
及びそのＢ−Ｂ’における断面図である第６図において
Ｄによって示す様に、インジェクタ１と逆トランジスタ
のベース３０間に濃度の謎い計領域りを設ける。この発
明におけるｎ−１−型の濃度の濃い部分と接合を接する
対応するインジェクタ１においてはホールの注入が押え
られその分だけ逆トランジスタのベース電流が小さくな
る。
及びそのＢ−Ｂ’における断面図である第６図において
Ｄによって示す様に、インジェクタ１と逆トランジスタ
のベース３０間に濃度の謎い計領域りを設ける。この発
明におけるｎ−１−型の濃度の濃い部分と接合を接する
対応するインジェクタ１においてはホールの注入が押え
られその分だけ逆トランジスタのベース電流が小さくな
る。
この回路においては、各ＩＩＬのバイアス回路及びイン
ジェクタへの配線は全べて共通にする事ができ、また濃
度の幽いｎ＋領領域設ける他は本ＩＬＬゲートは回路中
の他の■■Ｌゲートとｌｌ１ｌ −であってもよいため
、ペレット面積の増加を必ずしも招かない。この１１＋
領域であるＤ領域は逆トランジスタと同一工程で作る争
も出来るがこれに固執することなく、より浅いか、又は
よ５り深い接合をもっていてもよい。このＩＩＬ回路の
インジェクタ電流は、Ｄ領域に接ｒるインジェクタの対
向面積及び濃度をかえる早により変える事ができる。
ジェクタへの配線は全べて共通にする事ができ、また濃
度の幽いｎ＋領領域設ける他は本ＩＬＬゲートは回路中
の他の■■Ｌゲートとｌｌ１ｌ −であってもよいため
、ペレット面積の増加を必ずしも招かない。この１１＋
領域であるＤ領域は逆トランジスタと同一工程で作る争
も出来るがこれに固執することなく、より浅いか、又は
よ５り深い接合をもっていてもよい。このＩＩＬ回路の
インジェクタ電流は、Ｄ領域に接ｒるインジェクタの対
向面積及び濃度をかえる早により変える事ができる。
以上の様に本発明の装置を用いる手により、ペレット面
積の増大を招く事なく簡単にインジェクタ電流を変える
事ができる。
積の増大を招く事なく簡単にインジェクタ電流を変える
事ができる。
第１図は従来の装置を示す平面図、第２図は第１図のＡ
Ａ／における断面図、第３図及び第４図は従来の装置
を説明するための図、第５図は本発明の装置を示す平面
図、第６図は第５図のＢ−Ｂ’における断面図である。 １・・・・・・インジェクタ、３・・・・・・ベース領
域。 拓 ２ 閃 ｙ！５３圀 躬 ４ ｍ 躬 ５ 関 「 第 ６ 圀
Ａ／における断面図、第３図及び第４図は従来の装置
を説明するための図、第５図は本発明の装置を示す平面
図、第６図は第５図のＢ−Ｂ’における断面図である。 １・・・・・・インジェクタ、３・・・・・・ベース領
域。 拓 ２ 閃 ｙ！５３圀 躬 ４ ｍ 躬 ５ 関 「 第 ６ 圀
Claims (1)
- インジェクタ及び逆トランジスタからなるＩＬＬ手導体
鉄置装おいて、前記インジェクタ及び前記逆トランジス
タの闇の半２４体領域の不純物蹟度をインジェクタの場
所に応じて変化さセた争をＩｆ！ｆＩａとする千尋体装
置首。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224815A JPS60116163A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224815A JPS60116163A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116163A true JPS60116163A (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=16819631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224815A Pending JPS60116163A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116163A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964903B2 (en) | 1998-09-01 | 2005-11-15 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a transistor on a substrate to operate as a fully depleted structure |
| US9518754B2 (en) | 2012-01-24 | 2016-12-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Air-conditioning apparatus |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58224815A patent/JPS60116163A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964903B2 (en) | 1998-09-01 | 2005-11-15 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a transistor on a substrate to operate as a fully depleted structure |
| US9518754B2 (en) | 2012-01-24 | 2016-12-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Air-conditioning apparatus |
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