JPS60115279A - 光パラメトリツク光源 - Google Patents
光パラメトリツク光源Info
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- JPS60115279A JPS60115279A JP22202883A JP22202883A JPS60115279A JP S60115279 A JPS60115279 A JP S60115279A JP 22202883 A JP22202883 A JP 22202883A JP 22202883 A JP22202883 A JP 22202883A JP S60115279 A JPS60115279 A JP S60115279A
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- nonlinear
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007998 ZrF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrafluoride Chemical compound F[Zr](F)(F)F OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/39—Non-linear optics for parametric generation or amplification of light, infrared or ultraviolet waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のオリ用分野〕
本発明は、光パラメトリツク効果によって、半導体レー
ザの光から、より広い波長範囲の光を得る方法に関する
。
ザの光から、より広い波長範囲の光を得る方法に関する
。
本発明の基礎原理は、光パラメ） ＩＪソック振であり
、従来は、異った波長域において、ガスレーザ、同体レ
ーザ等を用いた大型の装置によって実験研究がなされて
いた。たとえば「レーザハンドブック」朝倉書店（１９
８１） ｐ、ｐ、４２７〜４３３゜ｐ、ｐ、５４１〜５
４８等がある。
、従来は、異った波長域において、ガスレーザ、同体レ
ーザ等を用いた大型の装置によって実験研究がなされて
いた。たとえば「レーザハンドブック」朝倉書店（１９
８１） ｐ、ｐ、４２７〜４３３゜ｐ、ｐ、５４１〜５
４８等がある。
本発明の１つの目的は、非石英光ファイバーのために、
長波長の光源を実現させ、現行のものより、１桁以上伝
送損失を低減させる事にある。
長波長の光源を実現させ、現行のものより、１桁以上伝
送損失を低減させる事にある。
また他の目的は、可視緑色光に至るあらゆる波長の光を
目的に応じて小型の装置で発生させる事にある。
目的に応じて小型の装置で発生させる事にある。
現行の石英ファイバーによる光伝送の光源としては、半
導体レーザが最も簡便で重宝であるが、その波長は限定
され、例えば非石英ファイバーにそのまま適用する事は
出来ない。そこで非線形媒質を導入し、光パラメトリツ
ク発振の原理を利用する事によって、半導体レーザの光
から、全く新たな長波長の光を発生する事を考えた。
導体レーザが最も簡便で重宝であるが、その波長は限定
され、例えば非石英ファイバーにそのまま適用する事は
出来ない。そこで非線形媒質を導入し、光パラメトリツ
ク発振の原理を利用する事によって、半導体レーザの光
から、全く新たな長波長の光を発生する事を考えた。
１ｉｌＩＪち、複数個の半導体レーザと非線形光学媒質
とが同一基板上に配置され、これら半導体レーザが非線
形光学媒質の励起光源として月１いるものである。
とが同一基板上に配置され、これら半導体レーザが非線
形光学媒質の励起光源として月１いるものである。
本発明の実施例を第１図に即して説明する。
１．２．３は発振波長がそれぞれ、１．３μｍ。
１．５μｍ１及び０．８２５μｍの半導体レーザであり
、基板９の上に、エピタキシャルあるいは単なる接着に
よって、図に示すような放射角の関係を持って固定され
ている。４は光パラメトリツク効果を起す非線形媒質で
、例えば、ＨｇＳ、Ｓｅ。
、基板９の上に、エピタキシャルあるいは単なる接着に
よって、図に示すような放射角の関係を持って固定され
ている。４は光パラメトリツク効果を起す非線形媒質で
、例えば、ＨｇＳ、Ｓｅ。
Ｂａ２ＮａＮｂ５０１５ ｒ Ａｇ５ＡＳＳ３＊ Ｌ！
ＩＯｉ ｌＡｇＧａ８ｚ＋ＬｊＮｂＯｓ 等を、基板に
固定しである。半導体レーザ１，２．３からの角周波数
をそれぞれ０重。
ＩＯｉ ｌＡｇＧａ８ｚ＋ＬｊＮｂＯｓ 等を、基板に
固定しである。半導体レーザ１，２．３からの角周波数
をそれぞれ０重。
ω２．ω３とする入射光５，６．７は、非線形媒質４内
部で混合され、光パラメトリツク発振の原理によって、
新たな、角周波数ω４の光線８を発生する。この間、 ωｌ十ω２＝ω３＋ω４ 、・・川・・・・（１）及び ｋｓ ＋に２ ＝ｋａ、＋に４ ・・・・・・・・・（
２）の関係が保れる。但し、ｋｌ ＊ ｋｓ ＋ ｋｌ
＊ ｋ４はそれぞれ光線５，６，７．８の波数ベクト
ルである。
部で混合され、光パラメトリツク発振の原理によって、
新たな、角周波数ω４の光線８を発生する。この間、 ωｌ十ω２＝ω３＋ω４ 、・・川・・・・（１）及び ｋｓ ＋に２ ＝ｋａ、＋に４ ・・・・・・・・・（
２）の関係が保れる。但し、ｋｌ ＊ ｋｓ ＋ ｋｌ
＊ ｋ４はそれぞれ光線５，６，７．８の波数ベクト
ルである。
関係式（１）より、ω４＝ωｌ＋ω２−ω３であるので
、当該実施例の場合、ω４＝４．２８Ｘ １０Ｉ４ｒａ
ｄ／ Ｓ即ち、ＡＳ２Ｓ３によって作られる非石英ファ
イバーに適した波長４．４μｍの長波長光が発生する。
、当該実施例の場合、ω４＝４．２８Ｘ １０Ｉ４ｒａ
ｄ／ Ｓ即ち、ＡＳ２Ｓ３によって作られる非石英ファ
イバーに適した波長４．４μｍの長波長光が発生する。
また関係式（２）は、半導体レーザ１，２゜３の相互の
配置を第１図の様にする事によって、満足され、所定の
方向に、光線８を取り出す事が出来る。
配置を第１図の様にする事によって、満足され、所定の
方向に、光線８を取り出す事が出来る。
なお、例えば、基板９はＧａＡ３を用い、半導体３は、
Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｔＡ ｓ を用いで
、直接基板にエピタキシャル法によって作り付け、半導
体１゜２はＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰによるものを用い、
非線形媒質４と共に金属ソルダあるいは接着剤によって
基板９に貼り付ける。
Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｔＡ ｓ を用いで
、直接基板にエピタキシャル法によって作り付け、半導
体１゜２はＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰによるものを用い、
非線形媒質４と共に金属ソルダあるいは接着剤によって
基板９に貼り付ける。
非線形媒質４の形状は、第１図に示す如く、入射光線５
，６．７及び発生した光線８が、１０゜１１．１２．１
３で示す部分において無用な反射を受けないような角度
を持たせておく。さらに入射光が、１４．１５．１６の
部分で有害な反射を起し、非線形媒質内に戻らないよう
な形状に作る。
，６．７及び発生した光線８が、１０゜１１．１２．１
３で示す部分において無用な反射を受けないような角度
を持たせておく。さらに入射光が、１４．１５．１６の
部分で有害な反射を起し、非線形媒質内に戻らないよう
な形状に作る。
半導体レーザ１，２の固定に当っては、光パラメトリツ
ク効果が鳴動に起シ、光線８の強度が最大ｒ（なるよう
に、その入射角を調整する。
ク効果が鳴動に起シ、光線８の強度が最大ｒ（なるよう
に、その入射角を調整する。
同様の構成で他の波長の光源も実現できる。例えば、半
導体レーザ１，２．３に、それぞれ波長１．２５μｍ、
１．５μｍ１及び０．８５８μｍを用いる事によって、
（１）式の関係から、波長３．３μｍのＺｒＦ４によっ
て作られた非石英ファイバーに適した新たな光線を得る
事が出来る。
導体レーザ１，２．３に、それぞれ波長１．２５μｍ、
１．５μｍ１及び０．８５８μｍを用いる事によって、
（１）式の関係から、波長３．３μｍのＺｒＦ４によっ
て作られた非石英ファイバーに適した新たな光線を得る
事が出来る。
発掘波長がさらに異るレーザダイオードを組合わせる事
によって、波長０．５μｍの緑色光に至るあらゆる波長
の光をも発生させることができる。
によって、波長０．５μｍの緑色光に至るあらゆる波長
の光をも発生させることができる。
〔発明の効果〕 〜
本発明によれば、波長域がそれぞれ０．７７μｍ〜０．
８８μｍ、１．２５μｍ〜１．６０μｍの範囲にあるＧ
ａ Ａ ｓ、 ／ Ｇ ａ Ａ ｔｋ ｓあるいはＩ
ｎ Ｐ ／ ＩｎＧａＡ８Ｆで出来た半導体レーザを
、Ｈｇ８１ Ｓｅ。
８８μｍ、１．２５μｍ〜１．６０μｍの範囲にあるＧ
ａ Ａ ｓ、 ／ Ｇ ａ Ａ ｔｋ ｓあるいはＩ
ｎ Ｐ ／ ＩｎＧａＡ８Ｆで出来た半導体レーザを
、Ｈｇ８１ Ｓｅ。
Ｂａ２ＮａＮｂＳＯ１１！ ＋ Ａｇａ Ａｓ５ｓ ＋
Ｌ ｊ ＩＯｓ ｌＡｇＧａ５ｚ＋ＬｊＮｂＯｓ 等
非線形媒質と組み合わせる事によって、非石英光ファイ
バーに適した長波長光の小型光源が実現される。原理的
にはこの組合わせによって、０．５０６μｍ以上のいか
なる波長も合成し得る。従って、単に長波長光源として
だけでなく、緑色に、至る可視光の光源としても、当該
発明の原理が拡張できる。
Ｌ ｊ ＩＯｓ ｌＡｇＧａ５ｚ＋ＬｊＮｂＯｓ 等
非線形媒質と組み合わせる事によって、非石英光ファイ
バーに適した長波長光の小型光源が実現される。原理的
にはこの組合わせによって、０．５０６μｍ以上のいか
なる波長も合成し得る。従って、単に長波長光源として
だけでなく、緑色に、至る可視光の光源としても、当該
発明の原理が拡張できる。
第１図は当該発明による光パラメトリックＩ（波長光源
の平面配置を示す図である。 １．２．３・・・半導体レーザ、４・・・非線形媒質、
５゜６．７・・・入射光、８・・・合成光、９・・・基
板、１０゜１１．１２，１３，１４，１５．１６・・・
光の反射を避ける必要のある部分。 代理人 弁理士 高橋明夫 ゝ〜 −
の平面配置を示す図である。 １．２．３・・・半導体レーザ、４・・・非線形媒質、
５゜６．７・・・入射光、８・・・合成光、９・・・基
板、１０゜１１．１２，１３，１４，１５．１６・・・
光の反射を避ける必要のある部分。 代理人 弁理士 高橋明夫 ゝ〜 −
Claims (1)
- 複数個の半導体レーザと非線形光学媒質とが同一基板上
に配置固定され、これら半導体レーザが非線形光学媒質
の励起光源として用いられる事を！特徴とする光パラメ
トリツク光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22202883A JPS60115279A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光パラメトリツク光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22202883A JPS60115279A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光パラメトリツク光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115279A true JPS60115279A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16775957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22202883A Pending JPS60115279A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光パラメトリツク光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115279A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01222234A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-09-05 | Amoco Corp | 光混合によるコヒーレント光放射の生成方法及び装置 |
| JPH035137U (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-18 | ||
| EP0813098A2 (de) * | 1996-06-12 | 1997-12-17 | Wallenstein, Richard, Prof. Dr. | Optischer parametrischer Oszillator |
| FR2811149A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-04 | Thomson Csf | Source laser couplant colineairement plusieurs sources laser elementaires entres elles |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP22202883A patent/JPS60115279A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01222234A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-09-05 | Amoco Corp | 光混合によるコヒーレント光放射の生成方法及び装置 |
| JP2707122B2 (ja) * | 1987-11-25 | 1998-01-28 | エイティーエックス・テレコム・システムズ・インコーポレイテド | 光混合によるコヒーレント光放射の生成方法及び装置 |
| JPH035137U (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-18 | ||
| EP0813098A2 (de) * | 1996-06-12 | 1997-12-17 | Wallenstein, Richard, Prof. Dr. | Optischer parametrischer Oszillator |
| EP0813098A3 (de) * | 1996-06-12 | 1998-05-20 | Wallenstein, Richard, Prof. Dr. | Optischer parametrischer Oszillator |
| FR2811149A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-04 | Thomson Csf | Source laser couplant colineairement plusieurs sources laser elementaires entres elles |
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