JPS60115098A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPS60115098A JPS60115098A JP58223715A JP22371583A JPS60115098A JP S60115098 A JPS60115098 A JP S60115098A JP 58223715 A JP58223715 A JP 58223715A JP 22371583 A JP22371583 A JP 22371583A JP S60115098 A JPS60115098 A JP S60115098A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- circuit
- input
- signal
- output
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
Landscapes
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体記憶装置に関し、特にマスク書込み式の
読出し専用半導体記憶装置に関する。
読出し専用半導体記憶装置に関する。
従来の半導体記憶装置は、入力さルるアドレス信号本数
と1アドレス番地に出力さルるデータ出力本数によシそ
の半導体記憶装置の記1.ハ容量は自ずから決定さルて
いた。例えば、入力アドレス信号数二」4ビツト、デー
タ、出力数=8ピットとす庇ば、その半導体記憶装置の
記憶容量は214番地X8=131.072 ビットと
なる。この様に、アドレス番地数は入力アドレス信号数
14ビットのバイナリ編合せ214=16,384であ
りすべての維合せを有している。
と1アドレス番地に出力さルるデータ出力本数によシそ
の半導体記憶装置の記1.ハ容量は自ずから決定さルて
いた。例えば、入力アドレス信号数二」4ビツト、デー
タ、出力数=8ピットとす庇ば、その半導体記憶装置の
記憶容量は214番地X8=131.072 ビットと
なる。この様に、アドレス番地数は入力アドレス信号数
14ビットのバイナリ編合せ214=16,384であ
りすべての維合せを有している。
しかし、半導体記憶装置の大容量化により半導体記憶装
置は漢字キャラクタ・ジェネレータ等に多く使用さルは
じめており、特に日本工業規格J l5−C−6226
には漢字文字のコード割当がなさnてお9、その漢字文
字コードが直接入力可能な半導体記憶装置が望ま几てい
るが、そtLt実現するには入力アドレス信号数のすべ
ての組合せアドレス番地数とデータ出力数の積(記憶容
量)は記憶装置が持つ記憶容量よシも多くなるので必ず
全番地が存在する様になる、このことをマスク書込み式
半辱体読出し専用メモリ(以下ROMと称す)の漢−字
キャツクタ・ジェネレータについてメJI8−C−62
26を用いて説明する。
置は漢字キャラクタ・ジェネレータ等に多く使用さルは
じめており、特に日本工業規格J l5−C−6226
には漢字文字のコード割当がなさnてお9、その漢字文
字コードが直接入力可能な半導体記憶装置が望ま几てい
るが、そtLt実現するには入力アドレス信号数のすべ
ての組合せアドレス番地数とデータ出力数の積(記憶容
量)は記憶装置が持つ記憶容量よシも多くなるので必ず
全番地が存在する様になる、このことをマスク書込み式
半辱体読出し専用メモリ(以下ROMと称す)の漢−字
キャツクタ・ジェネレータについてメJI8−C−62
26を用いて説明する。
JIS−C−6226において、漢字文字コードは第1
バイト7ビツト(区)、第2ノくイト7ピツト(幻で表
わさnている。しかし、この14ビツトによって表わせ
るすべての漢字文字コード数は第1 /(イト128区
、第2バイト128点の128X12B=2”=163
84文字であるが、JIS−C−6226において定義
さ几ている文字は76区×94点=7144文字だけで
必シ、残りの9240文字は定義さ扛てなく全番地にな
っている。
バイト7ビツト(区)、第2ノくイト7ピツト(幻で表
わさnている。しかし、この14ビツトによって表わせ
るすべての漢字文字コード数は第1 /(イト128区
、第2バイト128点の128X12B=2”=163
84文字であるが、JIS−C−6226において定義
さ几ている文字は76区×94点=7144文字だけで
必シ、残りの9240文字は定義さ扛てなく全番地にな
っている。
第1図はJIS−C−6226の漢字コード座標を説明
する図である。
する図である。
第1図において、lはJIS−C−6226の漢字文字
コード表にない領域、2は漢字文字コード表にあり文字
が定義さ庇ている文字領域、3は漢字文字コード表には
あるが文字が定義さ几ていない領域でおる。
コード表にない領域、2は漢字文字コード表にあり文字
が定義さ庇ている文字領域、3は漢字文字コード表には
あるが文字が定義さ几ていない領域でおる。
JIS−C−6226用の倶字用キャラクタジェネレー
タを、入力アドレス信号数すべての組甘せを持つ従来の
l(OMで実現した場合、入力アドレス信号数が多く、
全番地が多くなるので、全番地を有効に使用するために
漢字文字群を分割する方式が採用さnている。この方式
を採用するとJIS−C−6226の漢字文字コードの
直接入力が不可能になる。そこでJ 18−C−622
6の漢字文字コードが直接入手可能なだけ入力アドレス
信号を持ちかつJIS−C−6226で定義さ扛、た番
地だけの記憶容量を持つi(、OMが要求さルる。そう
した場合、第1図に示さ扛た1、3の領域すなわち几U
Mの内部で選択さルない番地が入力さ扛るとデータ出力
は10′、11”のいず庇かが出力さILるだけである
。つま先文字にならない信号が出力さnるだけである。
タを、入力アドレス信号数すべての組甘せを持つ従来の
l(OMで実現した場合、入力アドレス信号数が多く、
全番地が多くなるので、全番地を有効に使用するために
漢字文字群を分割する方式が採用さnている。この方式
を採用するとJIS−C−6226の漢字文字コードの
直接入力が不可能になる。そこでJ 18−C−622
6の漢字文字コードが直接入手可能なだけ入力アドレス
信号を持ちかつJIS−C−6226で定義さ扛、た番
地だけの記憶容量を持つi(、OMが要求さルる。そう
した場合、第1図に示さ扛た1、3の領域すなわち几U
Mの内部で選択さルない番地が入力さ扛るとデータ出力
は10′、11”のいず庇かが出力さILるだけである
。つま先文字にならない信号が出力さnるだけである。
第2図は従来の半導体記憶装置の一例のブロック図であ
る。
る。
アドレス入力回路7には、漢字文字の長さを表わすトッ
ドラインアドレス信号4.JIS−C−6226の漢字
文字コードで第1及び第2ノ(イトをそ几ぞr′L表わ
すアドレス信号5,6が入力さ几る。
ドラインアドレス信号4.JIS−C−6226の漢字
文字コードで第1及び第2ノ(イトをそ几ぞr′L表わ
すアドレス信号5,6が入力さ几る。
Y及びXデコーダ8,9は各々に入力さするアドレス4
ざ号ft解読し、そルぞrtYセレクタ11及び几0M
12に送9、センスアンプを含む出力回路10から出力
端O6,0□、・・・・・・011−1,00ヘデータ
を出力する。
ざ号ft解読し、そルぞrtYセレクタ11及び几0M
12に送9、センスアンプを含む出力回路10から出力
端O6,0□、・・・・・・011−1,00ヘデータ
を出力する。
この記憶装置に一一いて、JI8−C−6226で文字
が定義さ扛ていない領域l、30番地を指定するアドレ
ス入力信号が入力さ扛ても几OMI 2の内部では選択
さルない番地であるので出力端子00〜Ooから出力さ
几るデータは0″、″″l#のいず几かが出力さ■るだ
けで、文字にならないデータが出力さする。
が定義さ扛ていない領域l、30番地を指定するアドレ
ス入力信号が入力さ扛ても几OMI 2の内部では選択
さルない番地であるので出力端子00〜Ooから出力さ
几るデータは0″、″″l#のいず几かが出力さ■るだ
けで、文字にならないデータが出力さする。
このように、従来のJIS−C−6226に準拠した几
(JMを有する半導体記憶装置においては、全番地の有
効利用ができないという欠点があった。
(JMを有する半導体記憶装置においては、全番地の有
効利用ができないという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、JIS−C−62
26に準拠した領域を有するIL OMを備えた半導体
記憶装置において全番地を有効利用できるようにした半
導体記憶装置を提供することにある。
26に準拠した領域を有するIL OMを備えた半導体
記憶装置において全番地を有効利用できるようにした半
導体記憶装置を提供することにある。
本発明の半導体記憶装置は、内部記憶素子と、該内部記
憶素子を選択することができる実効アドレス番地数が入
力さnているアトシス信号数のすべての組付せ番地数よ
りも少ないアドレス信号を入力するアドレス入力回路と
、前記実効アドレス番地以外のアドレス番地が人力され
たことを検出する空番地検出回路と、該空番地検出回路
からの全番地検出結果信号の入力により外部[全番地が
入力さAたことを知りせる信号とIIIIJf卸1J号
を出力する全番地検出出力回路と 該制御信号の入力に
より出力端子が0”、′l# あるいは商インビーダン
スのいず几か一つのレベルに固定する出力回路と、前記
空番地検小出力回路に接続し外部に全番地が入力さ肛た
ことを知らせる全番地検出結果出力端子とを含んで溝成
さnる。
憶素子を選択することができる実効アドレス番地数が入
力さnているアトシス信号数のすべての組付せ番地数よ
りも少ないアドレス信号を入力するアドレス入力回路と
、前記実効アドレス番地以外のアドレス番地が人力され
たことを検出する空番地検出回路と、該空番地検出回路
からの全番地検出結果信号の入力により外部[全番地が
入力さAたことを知りせる信号とIIIIJf卸1J号
を出力する全番地検出出力回路と 該制御信号の入力に
より出力端子が0”、′l# あるいは商インビーダン
スのいず几か一つのレベルに固定する出力回路と、前記
空番地検小出力回路に接続し外部に全番地が入力さ肛た
ことを知らせる全番地検出結果出力端子とを含んで溝成
さnる。
次に5本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第3図は本発明の一実施例のブロック図である。
この実施例は、内部記憶素子としてのROM12と、こ
の几UM12を選択することができる実効アドレス番地
数が入力さルているアドレス信号数のすべての組合せ番
地数よりも少ないアドレス信号を入力するアドレス入力
回路7と、前記実効アドレス番地以外のアドレス番地が
入力さルたことを検出する空番地検出回路13と、この
空番地検出回路13からの全番地検出結果信号15の入
力により外部に全番地が人力さびたことを知らせる信号
と制御信号16を出力する空番地検小出力回路14と、
制御信号16の入力によシ出力端子Oo。
の几UM12を選択することができる実効アドレス番地
数が入力さルているアドレス信号数のすべての組合せ番
地数よりも少ないアドレス信号を入力するアドレス入力
回路7と、前記実効アドレス番地以外のアドレス番地が
入力さルたことを検出する空番地検出回路13と、この
空番地検出回路13からの全番地検出結果信号15の入
力により外部に全番地が人力さびたことを知らせる信号
と制御信号16を出力する空番地検小出力回路14と、
制御信号16の入力によシ出力端子Oo。
0□・・−・on、、 onが′O”、@1腰あるいは
高インピーダンスのいす■か一つのレベルに固定する出
力回路10と、空番地検小出力回路14に接続し外部に
全番地が人力さnたことを知らせる全番地検出結果出力
端子EXTとを含んで構成さ几る。
高インピーダンスのいす■か一つのレベルに固定する出
力回路10と、空番地検小出力回路14に接続し外部に
全番地が人力さnたことを知らせる全番地検出結果出力
端子EXTとを含んで構成さ几る。
つまシ、第1図に示した領域1.3の番地が入力さ扛た
場合、空番地検出回路13がら全番地検出結果信号15
が出力さル、この信号15により空番地検小出力回路1
4は制御信号16′(ll−出力して出力回路lOを制
御し、出力端子0.〜On番″″0 ’、 @l”るる
いは高インピーダンスのいずnか一つのレベルに固定す
る。この出力端子のレベルの固定により領域1.3から
データが読出さ几て出力嘔ルることかない。このと@、
半導体記憶装置はJIS−C−6226によシ定義さル
るl(OMとして動作する。空番地検出回路13が全番
地を検出しないときは几0M12め内存が出力さ扛る。
場合、空番地検出回路13がら全番地検出結果信号15
が出力さル、この信号15により空番地検小出力回路1
4は制御信号16′(ll−出力して出力回路lOを制
御し、出力端子0.〜On番″″0 ’、 @l”るる
いは高インピーダンスのいずnか一つのレベルに固定す
る。この出力端子のレベルの固定により領域1.3から
データが読出さ几て出力嘔ルることかない。このと@、
半導体記憶装置はJIS−C−6226によシ定義さル
るl(OMとして動作する。空番地検出回路13が全番
地を検出しないときは几0M12め内存が出力さ扛る。
次に、本発明の半導体記憶装置の応用例について説明す
る。
る。
第4図は本発明の応用例のブロック図である。
m4図において、17は本発明の半導体記憶装置で、空
番地検出結果出カ端子EXTt−有する。
番地検出結果出カ端子EXTt−有する。
18は外部半導体記憶装置でチップレレクト端子C3−
i有する。19はドツトアドレスを含む漢字コードアド
レス信号バス、20はデータバスである。
i有する。19はドツトアドレスを含む漢字コードアド
レス信号バス、20はデータバスである。
今、記憶装置17にROMの全番地でない番地を指定す
るアドレス16号がバス19から入力さルると、全番地
検出結果出力端子EXTにデータが出なく、記憶装置1
7は選択状態になシ、出力端子からデータバス20にデ
ータが出方さ牡る。このとき外部記憶装置18は非選択
状態であハ出力端子は高インピーダンスである。
るアドレス16号がバス19から入力さルると、全番地
検出結果出力端子EXTにデータが出なく、記憶装置1
7は選択状態になシ、出力端子からデータバス20にデ
ータが出方さ牡る。このとき外部記憶装置18は非選択
状態であハ出力端子は高インピーダンスである。
逆に、ROMの全番地を指定するアドレス信号が入力さ
扛ると全番地検出結果出力端子EXTにデータが出力さ
几、そルが外部記憶装置18のテラグセレフト端子C8
に入力さルて外部記憶装置18が選択状態になり外部記
憶装置18の出力端子からデータバス20ヘデータが出
力さ肛る。この時記憶装置17は全番地が入力さ庇た為
、空番地検出回路が動作しているので出力は高インピー
ダンスになっておりデータバス20でのデータの重なり
はない。
扛ると全番地検出結果出力端子EXTにデータが出力さ
几、そルが外部記憶装置18のテラグセレフト端子C8
に入力さルて外部記憶装置18が選択状態になり外部記
憶装置18の出力端子からデータバス20ヘデータが出
力さ肛る。この時記憶装置17は全番地が入力さ庇た為
、空番地検出回路が動作しているので出力は高インピー
ダンスになっておりデータバス20でのデータの重なり
はない。
以上詳細に説明した様に本発明によルば、JIS−C−
6226の漢字コードが面接人力出来、かつ全番地が入
力さ扛た場せ外部記憶装置が容易に選択される事が可能
になシ、全番地を有効利用できる半導体記憶装置が得ら
扛る。
6226の漢字コードが面接人力出来、かつ全番地が入
力さ扛た場せ外部記憶装置が容易に選択される事が可能
になシ、全番地を有効利用できる半導体記憶装置が得ら
扛る。
第1図はJIS−C−6226の漢字コード座標を説明
する図、第2図は従来の半導体記憶装置の一例のブロッ
ク図、第3図は本発明の一実施例のブロック図、第4図
は本発明の応用例のブロック図である。 l・・・・・・JIS漢字文字コード表にない領域、2
・・・・・・JIS漢字文字コード表にあり文字が定義
さルている文字領域、3・・・・・・J186字又字ニ
ード表にあるか文字が定義さ扛ていない領域、4・・・
・・・ドツトラインアドレス信号、5・・・・・・、r
is漢−f−文字コード第1バイトを表わすアドレス信
号、6・・・・・・JIS漢字文字コード第2バイトを
表わすアドレス信号、7・・・・・・アドレス入力回路
、8・・・・・・Yデコーダ、9・・・・−・Xデコー
ダ、10・・・・・・出力回路、11・・・・・・Yセ
レクタ、12・・・・・・ROM% 13・・・・・・
空番地検出回路、14・・・・・・空番地検小出力回路
、15・・・・・・空番地検出結果信号、16・・・・
・・制御信号、17・・・・−・本発明の半導体記憶装
置、18・・・・・・外部記憶装置、19・・・・・・
漢字文字コードアドレス信号パス、20・・・・・・デ
ータバス、C8・・・・・・チップセレクト端子、EX
T・・・・・・空番地検出結果出力端子、Oo〜On・
・・・・・出力端子。 代理人 弁理士 内 原 晋<H”:’、、、r、、、
’:::;’、(>)華1図 字4図 ≠Z 口
する図、第2図は従来の半導体記憶装置の一例のブロッ
ク図、第3図は本発明の一実施例のブロック図、第4図
は本発明の応用例のブロック図である。 l・・・・・・JIS漢字文字コード表にない領域、2
・・・・・・JIS漢字文字コード表にあり文字が定義
さルている文字領域、3・・・・・・J186字又字ニ
ード表にあるか文字が定義さ扛ていない領域、4・・・
・・・ドツトラインアドレス信号、5・・・・・・、r
is漢−f−文字コード第1バイトを表わすアドレス信
号、6・・・・・・JIS漢字文字コード第2バイトを
表わすアドレス信号、7・・・・・・アドレス入力回路
、8・・・・・・Yデコーダ、9・・・・−・Xデコー
ダ、10・・・・・・出力回路、11・・・・・・Yセ
レクタ、12・・・・・・ROM% 13・・・・・・
空番地検出回路、14・・・・・・空番地検小出力回路
、15・・・・・・空番地検出結果信号、16・・・・
・・制御信号、17・・・・−・本発明の半導体記憶装
置、18・・・・・・外部記憶装置、19・・・・・・
漢字文字コードアドレス信号パス、20・・・・・・デ
ータバス、C8・・・・・・チップセレクト端子、EX
T・・・・・・空番地検出結果出力端子、Oo〜On・
・・・・・出力端子。 代理人 弁理士 内 原 晋<H”:’、、、r、、、
’:::;’、(>)華1図 字4図 ≠Z 口
Claims (1)
- 内部記憶素子と、該内部記憶素子を選択することができ
る実効アドレス番地数が入力さルているアドレス信号数
のすべての組合せ番地数よりも少ないアドレス信号を人
力するアドレス入力回路と、前記実効アドレス番地以外
のアドレス番地が入力さルたことを検出する空番地検出
回路と、該空番地検出回路からの空番地検出結果信号の
入力により外部に空番地が入力さ几たことを知らせる信
号と制御信号を出力する空番地検出回路と、該制御信号
の入力により出力端子が“O”、 ” l ’#るいハ
高インピーダンスのいスルか一つのレベルに固定する出
力回路と、前記空番地検小出力回路に接続し外部に空番
地が入力さ扛たことを知らせる空番地検出結果出力端子
とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58223715A JPS60115098A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58223715A JPS60115098A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60115098A true JPS60115098A (ja) | 1985-06-21 |
JPS645397B2 JPS645397B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=16802531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58223715A Granted JPS60115098A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60115098A (ja) |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58223715A patent/JPS60115098A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS645397B2 (ja) | 1989-01-30 |
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