JPS60112739A - シクロヘキシルベンゼン誘導体およびシクロヘキシルビフエニル誘導体 - Google Patents
シクロヘキシルベンゼン誘導体およびシクロヘキシルビフエニル誘導体Info
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- JPS60112739A JPS60112739A JP22600784A JP22600784A JPS60112739A JP S60112739 A JPS60112739 A JP S60112739A JP 22600784 A JP22600784 A JP 22600784A JP 22600784 A JP22600784 A JP 22600784A JP S60112739 A JPS60112739 A JP S60112739A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
式中、nは数1を表わし、そしてXは
3−coo−、−ooc−tたは
一CH2CH2−を表わすか、或いは
nは数Oを表わし、そして又は
基−CH2CH2−を表わし:環Aは
p−フェニレンマタハトランスー1。
4−シクロヘキシレンを表わし,R2
はシアン、p−シアノフェニル或い
は,Xが一COO一またはーOOC−
を表わす限りにおいて、またp−R3
一フェニルもしくはトランス−4−
R3−シクロヘキシルを表わし:
そしてR1及びR3は直鎖状のC1〜
CIO−アルキルを表わす、
の4’−()ランスー4−アルキルシクロヘキシル)−
4−ビフェニリル誘導体及び4−(トランス−4−フル
キルシクロヘキシル)フェニル.A導体に関する。
4−ビフェニリル誘導体及び4−(トランス−4−フル
キルシクロヘキシル)フェニル.A導体に関する。
また本発明は上記式Iの化合物の製造、上記式Iの化合
物を含有する液晶混合物並びに電子−光学(e lec
t ro−opt ical)及びクロマトグラフィー
の目的に対するその用途に関する。
物を含有する液晶混合物並びに電子−光学(e lec
t ro−opt ical)及びクロマトグラフィー
の目的に対するその用途に関する。
液晶は表示装置における誘電体として主に有用であり,
その理由はかかる物質の光学的特性が電場によって影響
され得るためである。液晶に基ずく・市子一光学装置は
当該分野に精通せる者にとってはよく知られており,そ
して種々な効果、例えば動的散乱(dynmie sc
atteri −ng)、整列した相の変形(DAPタ
イプ)、シー? ントーヘルフリッヒ(Schadt−
He 1−frich)効果(回転セル)、ゲスト/ホ
スト(guest/host)効果(「ゲスト/ホスト
セル」)またはコレステリックーネマティク(cho
lesteric−nematic)相転移に基ずくこ
とができる。
その理由はかかる物質の光学的特性が電場によって影響
され得るためである。液晶に基ずく・市子一光学装置は
当該分野に精通せる者にとってはよく知られており,そ
して種々な効果、例えば動的散乱(dynmie sc
atteri −ng)、整列した相の変形(DAPタ
イプ)、シー? ントーヘルフリッヒ(Schadt−
He 1−frich)効果(回転セル)、ゲスト/ホ
スト(guest/host)効果(「ゲスト/ホスト
セル」)またはコレステリックーネマティク(cho
lesteric−nematic)相転移に基ずくこ
とができる。
一般に栄−化合物によって全ての所望の特性、例えば高
度の化学的及び光化学的安定性、低粘度、大きなネマテ
ィクまたはコレステリック中間相(mesophase
)!囲、短い応答時間等を達成することが不可能である
ために、通常、数種の化合物の混合物が用いられる。一
般にかかる混合物は主に低粘度を有する化合物を含むが
、しかしこれらの化合物は一方では、また通常低連明点
を有している。この理由のために、透明点を増加させる
物質を混合物に加えなければならない。
度の化学的及び光化学的安定性、低粘度、大きなネマテ
ィクまたはコレステリック中間相(mesophase
)!囲、短い応答時間等を達成することが不可能である
ために、通常、数種の化合物の混合物が用いられる。一
般にかかる混合物は主に低粘度を有する化合物を含むが
、しかしこれらの化合物は一方では、また通常低連明点
を有している。この理由のために、透明点を増加させる
物質を混合物に加えなければならない。
また従来、液晶がガスクロマトグラフィーにおける固定
相として用いられていた。しかしながら、一般に従来公
知の液晶固定相はこれらが約180℃の温度までしか使
用できないと言う欠点がある。
相として用いられていた。しかしながら、一般に従来公
知の液晶固定相はこれらが約180℃の温度までしか使
用できないと言う欠点がある。
本発明における化合物は高い透明点と共に極めて大きな
中間相範囲を生じ、そして本化合物は一般に全体の液晶
範囲において、または少なくともその範囲の大部分にお
いてネマティク中間相を示すことが見出された。本化合
物は良好な化学的及び光化学的安定性を有し几つ無色で
ある。高い透明点を考慮すれば、粘度の値は比較的低い
。R2がシアノまたはp−シアノフェニルを表わす式1
の化合物は正の誘電異方性を有している:式1の残りの
化合物(即ちR2がp−アルキルフェニルまたはトラン
ス−4−アルキルシクロへキシルを表わす化合物)は誘
電異方性の小さな絶対値を有している。
中間相範囲を生じ、そして本化合物は一般に全体の液晶
範囲において、または少なくともその範囲の大部分にお
いてネマティク中間相を示すことが見出された。本化合
物は良好な化学的及び光化学的安定性を有し几つ無色で
ある。高い透明点を考慮すれば、粘度の値は比較的低い
。R2がシアノまたはp−シアノフェニルを表わす式1
の化合物は正の誘電異方性を有している:式1の残りの
化合物(即ちR2がp−アルキルフェニルまたはトラン
ス−4−アルキルシクロへキシルを表わす化合物)は誘
電異方性の小さな絶対値を有している。
その極めて良好な分離能力並びにその高い透明点及び琲
点に基づき、本発明における化合物はガスクロマトグラ
フィーにおける固定相に或いは該固定相として極めて適
しており、そしてまた極めて高い操作温度で用いること
ができる。本発明における化合物は、普通の固定相を用
いて分離することができないか、或いは分離困難な異性
体混合物、例えばシス/トランス−異性シクロペンタン
類及びシクロヘキサン類(例えば1,4−二置換された
シクロヘキサン類)、異性体芳香族炭化水素(例えば0
−lm−及びp−二置換されたベンゼン類、アントラセ
ン/フェナントレン類)、二重結合異性体(例えば不飽
和脂肪酸エステル類)等の分離に特に適している。また
本発明における化合物はキャピラリーカラムに使用する
ために特に適している。更に、またXが基−CH2CH
2−を表わす式1の化合物はシリル化された試料の分離
に対して特に適している。シリル誘導体(例えばトリメ
チルシリル誘導体)のかかる試料は、度々分離を促進さ
せるために酸性水素原子を有する化合物の混合物(例え
ば酸類、アルコール類、フェノール類、アミン類、アミ
ド類)が存在する場合に製造される。
点に基づき、本発明における化合物はガスクロマトグラ
フィーにおける固定相に或いは該固定相として極めて適
しており、そしてまた極めて高い操作温度で用いること
ができる。本発明における化合物は、普通の固定相を用
いて分離することができないか、或いは分離困難な異性
体混合物、例えばシス/トランス−異性シクロペンタン
類及びシクロヘキサン類(例えば1,4−二置換された
シクロヘキサン類)、異性体芳香族炭化水素(例えば0
−lm−及びp−二置換されたベンゼン類、アントラセ
ン/フェナントレン類)、二重結合異性体(例えば不飽
和脂肪酸エステル類)等の分離に特に適している。また
本発明における化合物はキャピラリーカラムに使用する
ために特に適している。更に、またXが基−CH2CH
2−を表わす式1の化合物はシリル化された試料の分離
に対して特に適している。シリル誘導体(例えばトリメ
チルシリル誘導体)のかかる試料は、度々分離を促進さ
せるために酸性水素原子を有する化合物の混合物(例え
ば酸類、アルコール類、フェノール類、アミン類、アミ
ド類)が存在する場合に製造される。
更に、本発明における化合物は液晶誘電体に対する透明
点上昇物質として適している。この場合、本化合物は主
に、極めて大きな透明点−上昇を達成させ得るか、或い
は一方、特定の透明点」二昇を達成するために比較的少
量のみを加えればよく、かくして、混合物の残りの特性
がほとんど変わらぬと言う利点を有している。
点上昇物質として適している。この場合、本化合物は主
に、極めて大きな透明点−上昇を達成させ得るか、或い
は一方、特定の透明点」二昇を達成するために比較的少
量のみを加えればよく、かくして、混合物の残りの特性
がほとんど変わらぬと言う利点を有している。
本発明における化合物は、1個または2個の有極性基、
即ちエステル基及び/またはシアノ基を有する4環式、
5環式または6環式化合物である。アルキル基R1及び
R3は相互に独立して、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル及びデシルを表わす。
即ちエステル基及び/またはシアノ基を有する4環式、
5環式または6環式化合物である。アルキル基R1及び
R3は相互に独立して、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル及びデシルを表わす。
上記式1における基R2は好ましくは、環Aがトランス
−1,4−シクロヘキシレンを表わす場合には、シアノ
、p−シアノフェニルまたはp−R3−フェニル、そし
て項八がp−フェこレンを表わす場合には、トランス−
4−R3−シクロヘキシルを表わす。Xは好ましくは基
−COO−または−CH2CH2−を表わす。アルキル
基R1及びR3は好ましくは相互に独立して、直鎖状の
C7〜C7−アルキル、特にプロピル、ブチルまたはペ
ンチルを表わす。好ましくは、nは数1を表わす。
−1,4−シクロヘキシレンを表わす場合には、シアノ
、p−シアノフェニルまたはp−R3−フェニル、そし
て項八がp−フェこレンを表わす場合には、トランス−
4−R3−シクロヘキシルを表わす。Xは好ましくは基
−COO−または−CH2CH2−を表わす。アルキル
基R1及びR3は好ましくは相互に独立して、直鎖状の
C7〜C7−アルキル、特にプロピル、ブチルまたはペ
ンチルを表わす。好ましくは、nは数1を表わす。
本発明における好ましい化合物の例はR1、X、環A及
びR2が第1表に示した意味を有しくC6H4−はp−
フェニレンを表わし、そして−C8H10−はトランス
−1,4−シクロヘキシルンを表わす)、モしてnが数
1を表わす式1の化合物、並びに後記の詳細に述べた実
施例において命名した式1の化合物である。
びR2が第1表に示した意味を有しくC6H4−はp−
フェニレンを表わし、そして−C8H10−はトランス
−1,4−シクロヘキシルンを表わす)、モしてnが数
1を表わす式1の化合物、並びに後記の詳細に述べた実
施例において命名した式1の化合物である。
工 閃 0: 工 閃 工 = 工 エ 工 =22、
υ ■ 曽 啼 −I め 膿 □ 00 υ υ υ
υ C)(J υ υ Oυ υ 01111111
111111 Z Z @I め Φ 〜 め 萄 ・ 値 −・ め
幹 eQ υ ○ ○ υ 0 υ uuuuuu
ω ω111111111111111 11 1 11111 ・1111111111111
111111111 1 1 .1 1 1 1 1−1.、l+、+1.−11.、l −UL)UC)
Q(J(J(J(J(J(J(JOω 0工 ヱ エ
工 工 工 工 工 エ エ =χ Z 0 。 、l
、 い い い 。
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L)CJU υ ○ Q OOυ Oυ ○ 0111
1 111111111 エ エ エ 閃 大 工 大 工 工 工 工 工 工
I1.s s s χ Z、。 、。 ・ 。 。 。
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。
υ Oυ υ υ Q υ υ Oυ ○ Oυ υ
0111111111111111 111111111111111 工 工 0: 工 工 工 頴 工 工 工 工 工
工 工 工UCJ(J υ (J(JC)(J(J(J
C)OL)CJ01111111111+111ビ 1111111111111.11 oooouooooouoouu oooooooooooooo。
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ououoooooooooo。
1 1 唱 !111111111111 II l1
1 1 +l l + 、、l 、、、l 1 −1 、−
1 。
1 1 +l l + 、、l 、、、l 1 −1 、−
1 。
= エ ヱ 0: 工 匡 エ エ = エ エ エ
エ エ エ○ υ ○ 0(JO(J υ OO○ O
○ C)L)式Iの化合物は、本発明に従えば、 a)xが基−coo−tたは−ooc−を表ワス式Iの
化合物を製造するために、一般式の化合物及び一般式 式中、基Zl及びZ2の一方はカルボ キシル基を表わし、そして他方はヒド ロキシ基を表わし、そしてHt、R2 及び環Aは式1に示した意味を有す る、 の化合物またはこれらの化合物の反応性誘導体をエステ
ル化するか、或いは b)xが基−〇H,C)12−を表わす式1の化合物を
製造するために、一般式 式中、R4はシアノまたはp−シアノ フェニルを表わし、そしてR1,n及 び環Aは式Iに示した意味を有する、 の化合物を触媒的に水素添加する ことによって製造することができる。
エ エ エ○ υ ○ 0(JO(J υ OO○ O
○ C)L)式Iの化合物は、本発明に従えば、 a)xが基−coo−tたは−ooc−を表ワス式Iの
化合物を製造するために、一般式の化合物及び一般式 式中、基Zl及びZ2の一方はカルボ キシル基を表わし、そして他方はヒド ロキシ基を表わし、そしてHt、R2 及び環Aは式1に示した意味を有す る、 の化合物またはこれらの化合物の反応性誘導体をエステ
ル化するか、或いは b)xが基−〇H,C)12−を表わす式1の化合物を
製造するために、一般式 式中、R4はシアノまたはp−シアノ フェニルを表わし、そしてR1,n及 び環Aは式Iに示した意味を有する、 の化合物を触媒的に水素添加する ことによって製造することができる。
式II及び■の化合物のエステル化はそれ自体公知の方
法において、該カルボン酸またはその反応性誘導体(例
えば酸塩化物、酸臭化物または無水物)をヒドロキシ化
合物またはその適当な塩(例えばナトリウム1tりでエ
ステル化することによって行うことができる。好ましい
方法は酸塩化物(このものはカルボン酸から、例えば塩
化チオニルと共に加熱して得られる)をヒドロキシ化合
物と反応させることからなる。この反応は有利には不活
性有機溶媒、例えばエーテル(例えばジエチルエーテル
もしくはテトラヒドロフラン)またはジメチルホルムア
ミド、ベンゼン、シクロヘキサン、四塩化炭素等中で行
われる。遊離する塩化水素を酸結合剤(例えば第三アミ
ンまたはピリジン)で採りLげることができる。また酸
結合剤は同時に溶媒としての役割を果すこともできる。
法において、該カルボン酸またはその反応性誘導体(例
えば酸塩化物、酸臭化物または無水物)をヒドロキシ化
合物またはその適当な塩(例えばナトリウム1tりでエ
ステル化することによって行うことができる。好ましい
方法は酸塩化物(このものはカルボン酸から、例えば塩
化チオニルと共に加熱して得られる)をヒドロキシ化合
物と反応させることからなる。この反応は有利には不活
性有機溶媒、例えばエーテル(例えばジエチルエーテル
もしくはテトラヒドロフラン)またはジメチルホルムア
ミド、ベンゼン、シクロヘキサン、四塩化炭素等中で行
われる。遊離する塩化水素を酸結合剤(例えば第三アミ
ンまたはピリジン)で採りLげることができる。また酸
結合剤は同時に溶媒としての役割を果すこともできる。
他の好ましい方法は該カルボン酸を4−(ジメチルアミ
ノ)ピリジン及びジシクロへキシルカルボジイミドの存
在下において、或いは塩化オキザリル及びジメチルホル
ムアミドの存在下においてヒドロキシ化合物と反応させ
ることからなる。上記のエステル化を行う際の温度及び
圧力は臨界的ではない。しかしながら、このエステル化
は一般に大気圧及び約−30℃乃至反応混合物の沸点間
の温度で行われる。
ノ)ピリジン及びジシクロへキシルカルボジイミドの存
在下において、或いは塩化オキザリル及びジメチルホル
ムアミドの存在下においてヒドロキシ化合物と反応させ
ることからなる。上記のエステル化を行う際の温度及び
圧力は臨界的ではない。しかしながら、このエステル化
は一般に大気圧及び約−30℃乃至反応混合物の沸点間
の温度で行われる。
式■の化合物の触媒的水素添加はそれ自体公知の方法に
おいて且つ普通の水素添加触媒、例えばパラジウム、白
金、ラネーニッケル等、好まし?はパラジウJ、を用い
て行うことができる。溶媒として全ての不活性有機溶媒
、例えば飽和アルコール類、エーテル類、エステル類、
カルボン酸類、炭化水素類等、例えばエタノール、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、氷酢酸、ト
ルエンまたはヘキサンを用いることができる。温度及び
圧力は臨界的ではない。しかしながら、この触媒的水素
添加は一般に室温乃至反応混合物の沸点間の温度及び約
1〜約5気圧の圧力下で行われる。
おいて且つ普通の水素添加触媒、例えばパラジウム、白
金、ラネーニッケル等、好まし?はパラジウJ、を用い
て行うことができる。溶媒として全ての不活性有機溶媒
、例えば飽和アルコール類、エーテル類、エステル類、
カルボン酸類、炭化水素類等、例えばエタノール、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、氷酢酸、ト
ルエンまたはヘキサンを用いることができる。温度及び
圧力は臨界的ではない。しかしながら、この触媒的水素
添加は一般に室温乃至反応混合物の沸点間の温度及び約
1〜約5気圧の圧力下で行われる。
式■の化合物は新規のものであり、そしてまた本発明の
−目的である。式■の化合物のトランス−W性体(即ち
トランス二重結合を有する化合物)は極めて大きな中間
相範囲をもつ液晶化合物である。
−目的である。式■の化合物のトランス−W性体(即ち
トランス二重結合を有する化合物)は極めて大きな中間
相範囲をもつ液晶化合物である。
式■の化合物はビッテイヒ(Wi t t i g)反
応に対するそれ自体公知の方法において、[(4°−(
トランス−4−アルギルシクロへキシル)−4−ビフェ
ニリル)メチル]トリフェニルホスホニウムプロブイド
または[p−0ランス−4−アルキルシクロへキシル)
ベンジル]トリフェニルホスホニウムブロマイド及び一
般式式中、卵入はp−フェニレンまたはト ラニ/スー1.4−シクロヘキシレンを表わし、モして
R4はシアノまたは p−シアノフェニルを表わす、 のアルデヒドから得ることができる。
応に対するそれ自体公知の方法において、[(4°−(
トランス−4−アルギルシクロへキシル)−4−ビフェ
ニリル)メチル]トリフェニルホスホニウムプロブイド
または[p−0ランス−4−アルキルシクロへキシル)
ベンジル]トリフェニルホスホニウムブロマイド及び一
般式式中、卵入はp−フェニレンまたはト ラニ/スー1.4−シクロヘキシレンを表わし、モして
R4はシアノまたは p−シアノフェニルを表わす、 のアルデヒドから得ることができる。
一式■のアルデヒドは新規のものであり、そしてまた本
発明の一目的である。
発明の一目的である。
環Aがp−フェニレンを表わす式Vの化合物は、例えば
ビフェニル−4,4゛−ジカルボン触またはp−ターフ
ェニル−4,4”−ジカルボン酸をモノエステルに転化
しく例えばジアゾメタン1二よって)、このモノエステ
ルを塩化チオニJし、アンモニア及びオキシ塩化リンに
よって、S塩化物及びアミドを経てシアノエステルに転
化し、このシアノエステルを水酸化ナトリウムでケン化
し、そしてこのシアン酸を塩化チオニルとの反応及びロ
ーゼンムント(Rosenmund)ii1元によって
シアノアルデヒドに転化して得ることができる。
ビフェニル−4,4゛−ジカルボン触またはp−ターフ
ェニル−4,4”−ジカルボン酸をモノエステルに転化
しく例えばジアゾメタン1二よって)、このモノエステ
ルを塩化チオニJし、アンモニア及びオキシ塩化リンに
よって、S塩化物及びアミドを経てシアノエステルに転
化し、このシアノエステルを水酸化ナトリウムでケン化
し、そしてこのシアン酸を塩化チオニルとの反応及びロ
ーゼンムント(Rosenmund)ii1元によって
シアノアルデヒドに転化して得ることができる。
ff1Aカ)ランス−1,4−シクロヘキシレンを表わ
す式Vの化合物は、例えばトリフェこルーメトキシ−メ
チルホスホニウムクロライドによる4−(p−シアノフ
ェニル)シクロヘキサノンまたは4−(4’−シアノ−
4−ビフェニリル)シクロヘキサノンのビッテイヒ反応
及び続いて該エノールエーテルの加水分解によって得る
ことができる。
す式Vの化合物は、例えばトリフェこルーメトキシ−メ
チルホスホニウムクロライドによる4−(p−シアノフ
ェニル)シクロヘキサノンまたは4−(4’−シアノ−
4−ビフェニリル)シクロヘキサノンのビッテイヒ反応
及び続いて該エノールエーテルの加水分解によって得る
ことができる。
Z2がカルボキシル基を表わし、モしてR2がシアノま
たはp−シアノフェニルを表わす弐mの化合物は1例え
ば式Vの化合物からジョウンズ(Jones’)酸化或
いはジクロム酸ピリジニウムによる醇化によって得るこ
とができる Z2がヒドロキシ基を表わし、そしてR2
がシアノまたはp−シアノフェニルを表わす式■の化合
物は、例えば4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサ
ノンまたは4− (4°−シアノ−4−ビフェニリル)
シクロヘキサノンを水素化ホウ素ナトリウムで還元する
ことによって得ることができる。
たはp−シアノフェニルを表わす弐mの化合物は1例え
ば式Vの化合物からジョウンズ(Jones’)酸化或
いはジクロム酸ピリジニウムによる醇化によって得るこ
とができる Z2がヒドロキシ基を表わし、そしてR2
がシアノまたはp−シアノフェニルを表わす式■の化合
物は、例えば4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサ
ノンまたは4− (4°−シアノ−4−ビフェニリル)
シクロヘキサノンを水素化ホウ素ナトリウムで還元する
ことによって得ることができる。
式II及び■の残りの化合物は公知のものであるか、或
いは公知の化合物の同族体であり、公知の方法に従って
得ることができる。
いは公知の化合物の同族体であり、公知の方法に従って
得ることができる。
ガスクロマトグラフィーにおける液晶固定相に対する或
いは該固定相として本発明における化合物の利用はそれ
自体公知の方法において且;)通常の枦体物質について
行うことができる。本発明における化合物は純粋な型に
おいて、或いはまた式Iの2#もしくはそれ以上の化合
物の相互の混合物として、または式■の化合物の1種ま
たはそれ以−ヒと1種またはそれ以上の追加の適当な物
質との混合物として用いることができる。
いは該固定相として本発明における化合物の利用はそれ
自体公知の方法において且;)通常の枦体物質について
行うことができる。本発明における化合物は純粋な型に
おいて、或いはまた式Iの2#もしくはそれ以上の化合
物の相互の混合物として、または式■の化合物の1種ま
たはそれ以−ヒと1種またはそれ以上の追加の適当な物
質との混合物として用いることができる。
従ってまた本発明は少なくともl成分が上記式1の化合
物である少なくとも2成分を有する液晶混合物に関する
。
物である少なくとも2成分を有する液晶混合物に関する
。
クロマトグラフィーに適用する際に、長期間使用した場
合に組成の徐々の変化を避けるために。
合に組成の徐々の変化を避けるために。
好ましくは匹敵する低蒸気圧を有する化合物のみを混合
する。クロマトグラフィーの目的に対する液晶混合物中
の式Iの化合物の量は広い範囲に変えることができ、約
1−!00重量%の蛙であることができる。しかしなが
ら、−一般に式Iの化合物の量は少なくとも約50重量
%である。
する。クロマトグラフィーの目的に対する液晶混合物中
の式Iの化合物の量は広い範囲に変えることができ、約
1−!00重量%の蛙であることができる。しかしなが
ら、−一般に式Iの化合物の量は少なくとも約50重量
%である。
また本発明における化合物は電子−光学用途に適してお
り、そして液晶誘電体に適する他の物質、例えばシッフ
(Schiff’s)塩基、アゾベンゼン類、アゾキシ
ベンゼン類、フェニルベンゾエート類、シクロヘキサン
カルボン酸フェニルエステル類、シクロヘキサンカルボ
ン酸シアノヘキシルエステル類、ビフェニル類、ターフ
ェニル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシル
ビフェニル類、フェニルピリミジン類、フェニルジオキ
サン類、2−シクロヘキシル−1−フェニルエタン類、
ピリダジン類、2.3−ジシアノ−1,4−フェニレン
誘導体等の群からの物質との混合物の形態で用いること
ができる。かかる物質は当該分野に精通せる者にとって
は公知のものであり、更にこれらの物質の多くのものは
市販品である。電子−光学用途に対する液晶混合物中の
式Iの化合物の量は好ましくはめ1〜30重量%、殊に
約2〜15重量%である。
り、そして液晶誘電体に適する他の物質、例えばシッフ
(Schiff’s)塩基、アゾベンゼン類、アゾキシ
ベンゼン類、フェニルベンゾエート類、シクロヘキサン
カルボン酸フェニルエステル類、シクロヘキサンカルボ
ン酸シアノヘキシルエステル類、ビフェニル類、ターフ
ェニル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシル
ビフェニル類、フェニルピリミジン類、フェニルジオキ
サン類、2−シクロヘキシル−1−フェニルエタン類、
ピリダジン類、2.3−ジシアノ−1,4−フェニレン
誘導体等の群からの物質との混合物の形態で用いること
ができる。かかる物質は当該分野に精通せる者にとって
は公知のものであり、更にこれらの物質の多くのものは
市販品である。電子−光学用途に対する液晶混合物中の
式Iの化合物の量は好ましくはめ1〜30重量%、殊に
約2〜15重量%である。
本発明における化合物の強い透明点上昇作用のために、
本化合物は主として、比較的小さな中間相範囲を有する
物質またはモノトロピック(m −onotropic
)もしくは非液晶物質を含む液晶誘電体に対して適して
いる。1種またはそれ以−ヒの式Iの化合物及び1種ま
たはそれ以−ヒの次の一般式の化合物を含む混合物が特
に好まししにRs OQ−R8Xn CCM 式中、項八はp−7エニレンまたはト ランス−1,4−シクロヘキシレンを 表わし、R5及びR6は直鎖状のC8 〜C9−アルキルを表わし R?はシ アノ、直鎖状のC1〜C7−アルキル または直鎖状のC0〜C7−アルコキ シを表わし、そしてR8は直鎖状の C8〜C7−アルキルまたは直鎖状の C1〜C7−アルコキシを表わす。
本化合物は主として、比較的小さな中間相範囲を有する
物質またはモノトロピック(m −onotropic
)もしくは非液晶物質を含む液晶誘電体に対して適して
いる。1種またはそれ以−ヒの式Iの化合物及び1種ま
たはそれ以−ヒの次の一般式の化合物を含む混合物が特
に好まししにRs OQ−R8Xn CCM 式中、項八はp−7エニレンまたはト ランス−1,4−シクロヘキシレンを 表わし、R5及びR6は直鎖状のC8 〜C9−アルキルを表わし R?はシ アノ、直鎖状のC1〜C7−アルキル または直鎖状のC0〜C7−アルコキ シを表わし、そしてR8は直鎖状の C8〜C7−アルキルまたは直鎖状の C1〜C7−アルコキシを表わす。
また本発明における誘電体は適当な光学的活性化合物(
例えば光学的活性ビフェニル類)及び/または二色性(
dichrotc)着色物質(例えばアゾ、アゾキシま
たはアントラキノン着色物質)を含んでいてもよい、か
かる化合物の量は溶解度及び所望の色調(pitch)
、色、吸光等によって決定される。好ましくは光学的活
性化合物の量は多くとも約4重量%であり、そして二色
性着色物質の量は多くとも約10重量%である。
例えば光学的活性ビフェニル類)及び/または二色性(
dichrotc)着色物質(例えばアゾ、アゾキシま
たはアントラキノン着色物質)を含んでいてもよい、か
かる化合物の量は溶解度及び所望の色調(pitch)
、色、吸光等によって決定される。好ましくは光学的活
性化合物の量は多くとも約4重量%であり、そして二色
性着色物質の量は多くとも約10重量%である。
液晶混合物及び電子−光学装置の製造はそれ自体公知の
方法において行うことができる。
方法において行うことができる。
本発明における化合物の製造及びクロマトグラフィーに
おけるその用途を次の実施例によって更に詳細に説明す
る。Cは結晶相を表わし、SはスメクティクCsme
c t f c)相を表わし、Nはネマティク相を表わ
し、モしてIはイントロピック相を表わす。
おけるその用途を次の実施例によって更に詳細に説明す
る。Cは結晶相を表わし、SはスメクティクCsme
c t f c)相を表わし、Nはネマティク相を表わ
し、モしてIはイントロピック相を表わす。
実施例1
p−[トランス−1−[2−(4°−(トランス−4−
フェニルシクロヘキシル)−4−ビフェニリル)ビニル
コシクロへキシル]ベンゾニ) IJル2.029gを
トルエン/エタノール(容量比4: l)150mlに
溶解し、パラジウム/炭素(10%)0.3gで処理し
、室温で水素の吸収が11こるまで水素添加した0反応
混合物を続いて吸引濾過し、残渣をジクロロメタンです
すぎ、濾液を蒸発させた。得られた無色固体の粗製の生
成物をトルエンに溶解し、シリカゲル上でトルエンによ
ってクロマトグラフィーにかけた。かくして物質1.2
55gが単離され、このものをジクロロメタン/ヘキサ
ンから再結晶させ、五酸化リン上で高真空下にて20℃
で乾燥した。収!に:純粋なp−[トランス−4−[2
−(4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−4−ビフェニリル)エチル]シクロヘキシル〕ベンゾ
ニトリル0.894g: (C−C)134.5〜13
5℃、融点(C−3)147〜147.5℃、(S−N
)167.5〜169℃、透明点(N−1)370℃。
フェニルシクロヘキシル)−4−ビフェニリル)ビニル
コシクロへキシル]ベンゾニ) IJル2.029gを
トルエン/エタノール(容量比4: l)150mlに
溶解し、パラジウム/炭素(10%)0.3gで処理し
、室温で水素の吸収が11こるまで水素添加した0反応
混合物を続いて吸引濾過し、残渣をジクロロメタンです
すぎ、濾液を蒸発させた。得られた無色固体の粗製の生
成物をトルエンに溶解し、シリカゲル上でトルエンによ
ってクロマトグラフィーにかけた。かくして物質1.2
55gが単離され、このものをジクロロメタン/ヘキサ
ンから再結晶させ、五酸化リン上で高真空下にて20℃
で乾燥した。収!に:純粋なp−[トランス−4−[2
−(4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−4−ビフェニリル)エチル]シクロヘキシル〕ベンゾ
ニトリル0.894g: (C−C)134.5〜13
5℃、融点(C−3)147〜147.5℃、(S−N
)167.5〜169℃、透明点(N−1)370℃。
出発物質として用いたP−[トランス−4−[2−(4
’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニリル)ビニル]シクロヘキシル]ベンゾニトリ
ルは次の如くして製造した: at−ブチルメチルエーテル60m1中のトリフェニル
−メトキシメチル−ホスホニウムクロライドio、4g
の懸濁液を一10℃でアルゴンガス下に置き、固体のカ
リウムt−ブチレート3.6gで10分以内に処理した
。添加終了後、反応混治物を一り0℃〜θ℃で更に30
分間攪拌し、次の0℃にて無水テトラヒドロフラン50
m1中の4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサノン
4.2gの溶液で滴下処理した0次に反応混合物を室温
で更に2時間攪拌し1次にヘキサン500m1中に注ぎ
、そして濾過した。濃縮した残渣(7,1g)をシリカ
ゲル上で酢酸エチル/石油エーテル(容量比1:19)
によって低圧(0,5八−ル)クロマトグラフィーにか
け、無色の徐々に液晶する油(純度95%)としてp
−[4−(メトキシメチレン)シクロヘキシル〕ベンゾ
ニトリル4.5g(94%)を得た;Rf−値(酢酸エ
チル/石油エーテル1:19容量比=0.30)。
’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニリル)ビニル]シクロヘキシル]ベンゾニトリ
ルは次の如くして製造した: at−ブチルメチルエーテル60m1中のトリフェニル
−メトキシメチル−ホスホニウムクロライドio、4g
の懸濁液を一10℃でアルゴンガス下に置き、固体のカ
リウムt−ブチレート3.6gで10分以内に処理した
。添加終了後、反応混治物を一り0℃〜θ℃で更に30
分間攪拌し、次の0℃にて無水テトラヒドロフラン50
m1中の4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサノン
4.2gの溶液で滴下処理した0次に反応混合物を室温
で更に2時間攪拌し1次にヘキサン500m1中に注ぎ
、そして濾過した。濃縮した残渣(7,1g)をシリカ
ゲル上で酢酸エチル/石油エーテル(容量比1:19)
によって低圧(0,5八−ル)クロマトグラフィーにか
け、無色の徐々に液晶する油(純度95%)としてp
−[4−(メトキシメチレン)シクロヘキシル〕ベンゾ
ニトリル4.5g(94%)を得た;Rf−値(酢酸エ
チル/石油エーテル1:19容量比=0.30)。
b)p・−[4−(メトキシメチレン)シクロヘキサノ
ンベンゾこトリル(純度96.1%)14.25g及び
テトラヒドロフラン/2N#A酸(容量1t4: l)
200ml(7)混合物を還流下で30分間攪拌した0
次に反応混合物を水に注ぎ。
ンベンゾこトリル(純度96.1%)14.25g及び
テトラヒドロフラン/2N#A酸(容量1t4: l)
200ml(7)混合物を還流下で30分間攪拌した0
次に反応混合物を水に注ぎ。
ジエチルエーテル各200m1で3回抽出した。
有機相を水200m1で洗浄し、硫酸マグネシウム上で
乾燥し、そして濃縮した。かくして、無色の徐々に結晶
する油として4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサ
ンカルボキシアルデヒド(トランス/シス比約3:l)
の粗製の生成物13゜75g (103%)が得られた
。この物質をヘキサン1.31から再結晶させ、融点5
7.1”Cの長い無色の針状晶としてトランス−4−(
P−シアノフェニル)シクロヘキサンカルボキシアルデ
ヒド(純度99.5%)3.71g (29%)を得た
。母液を容量11に濃縮し、再び結晶化させるために取
って置き、トランス−アルデヒド97%及びシス−アル
デヒド3%を含む無色の針状晶として第2の晶出物1.
20gが得られた0分離、した母液を濃縮し、残液を再
びテトラヒドロフラン/2N塩酸(容量比4:1)10
0ml中にて還流下で30分間加熱し、次に混合物を最
初の場合と同様の方法で処理した。得られた粗製の生成
物を第二の晶出物(1,2g)と合わせ、ヘキサン90
0m1から再結晶させ、再び長い無色の!+状晶として
トランス−4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサン
カルボキシアルデヒド(純度99.7%)3.5sg
(28%)を単離することができた。母液(粗製の生成
物4.2gを含有する)はもはや処理しなかった。2回
の処理後の合計数fit:)ランス−4−(p−シアノ
フェニル)シクロヘキサンカルボキシアルデヒド7.2
7g(57%);融点57.1’C。
乾燥し、そして濃縮した。かくして、無色の徐々に結晶
する油として4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサ
ンカルボキシアルデヒド(トランス/シス比約3:l)
の粗製の生成物13゜75g (103%)が得られた
。この物質をヘキサン1.31から再結晶させ、融点5
7.1”Cの長い無色の針状晶としてトランス−4−(
P−シアノフェニル)シクロヘキサンカルボキシアルデ
ヒド(純度99.5%)3.71g (29%)を得た
。母液を容量11に濃縮し、再び結晶化させるために取
って置き、トランス−アルデヒド97%及びシス−アル
デヒド3%を含む無色の針状晶として第2の晶出物1.
20gが得られた0分離、した母液を濃縮し、残液を再
びテトラヒドロフラン/2N塩酸(容量比4:1)10
0ml中にて還流下で30分間加熱し、次に混合物を最
初の場合と同様の方法で処理した。得られた粗製の生成
物を第二の晶出物(1,2g)と合わせ、ヘキサン90
0m1から再結晶させ、再び長い無色の!+状晶として
トランス−4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサン
カルボキシアルデヒド(純度99.7%)3.5sg
(28%)を単離することができた。母液(粗製の生成
物4.2gを含有する)はもはや処理しなかった。2回
の処理後の合計数fit:)ランス−4−(p−シアノ
フェニル)シクロヘキサンカルボキシアルデヒド7.2
7g(57%);融点57.1’C。
c)[(4”()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−4−ビフェニリル)メチル]−トリフェニルホスホ
ニウムブロマイド4.652gを攪拌しながら且つ窒素
ガス下にて無水七−ブチルメチルエーテル40 m l
に懸濁させ、次に混合物をカリウムt−ブチシー)0.
789gで処理し、室温で更に1時間攪拌した。この橙
色懸濁液を一60℃に冷却し、無水t−ブチルメチルエ
ーテル8ml中のトランス−4−(p−シアノフェニル
)シクロヘキサンカルボキシアルデヒド1゜0gの溶液
で15分以内に滴下処理した0滴下ロートを無水t−ブ
チルメチルエーテル5mlですすぎ、次に反応混合物の
温度を放置して1.25時間以内に一25℃に上昇させ
た0次に反応混合物を水75m1に注ぎ、トルエンで3
回抽出した。有機抽出液を水で1回洗浄し、硫酸ナトリ
ウム七で乾燥し、真空下で蒸発させた。残った固体の無
色の生成物(5、Og)をヘキサンに懸濁させ、シリカ
ゲル上でクロマトグラフィーにかけた。ヘキサン及びヘ
キサン/トルエン(容Jii:比9:1)で溶離し、無
色の4−メチル−4°−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)ビフェニル[融点(C−N)98.9℃、
透明点(N−I)175.3℃]0.653gか得られ
、モしてヘキサン/トルエン(容it比1:1)、トル
エン及びトルエン/アセトン(アセトン1〜10容量%
含有)で溶離し、最終的に、無色乃至帯黄色の反応生成
物としてp−[)ランス−4−[2−(4’ −)ラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリル
)ビニル]シクロヘキシル]ベンゾニトリル2.029
gが得られ、このものを更に精製せずに、続いての水素
添加に用いた。
)−4−ビフェニリル)メチル]−トリフェニルホスホ
ニウムブロマイド4.652gを攪拌しながら且つ窒素
ガス下にて無水七−ブチルメチルエーテル40 m l
に懸濁させ、次に混合物をカリウムt−ブチシー)0.
789gで処理し、室温で更に1時間攪拌した。この橙
色懸濁液を一60℃に冷却し、無水t−ブチルメチルエ
ーテル8ml中のトランス−4−(p−シアノフェニル
)シクロヘキサンカルボキシアルデヒド1゜0gの溶液
で15分以内に滴下処理した0滴下ロートを無水t−ブ
チルメチルエーテル5mlですすぎ、次に反応混合物の
温度を放置して1.25時間以内に一25℃に上昇させ
た0次に反応混合物を水75m1に注ぎ、トルエンで3
回抽出した。有機抽出液を水で1回洗浄し、硫酸ナトリ
ウム七で乾燥し、真空下で蒸発させた。残った固体の無
色の生成物(5、Og)をヘキサンに懸濁させ、シリカ
ゲル上でクロマトグラフィーにかけた。ヘキサン及びヘ
キサン/トルエン(容Jii:比9:1)で溶離し、無
色の4−メチル−4°−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)ビフェニル[融点(C−N)98.9℃、
透明点(N−I)175.3℃]0.653gか得られ
、モしてヘキサン/トルエン(容it比1:1)、トル
エン及びトルエン/アセトン(アセトン1〜10容量%
含有)で溶離し、最終的に、無色乃至帯黄色の反応生成
物としてp−[)ランス−4−[2−(4’ −)ラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリル
)ビニル]シクロヘキシル]ベンゾニトリル2.029
gが得られ、このものを更に精製せずに、続いての水素
添加に用いた。
同様の方法において、次の化合物を製造した:p−[ト
ランス−4−[2−(4−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)フェニル)エチル]シクロヘキシル]ベ
ンゾニトリル;融点(C−N)99.6℃、(S−N)
76.5℃、透明点(N−I)265.0℃、 p−[トランス−4−[2−(4’ −()ランス−4
−ブチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリル)エチル
]シクロヘキシル]ベンゾニトリル:融点(C−N)1
74.6℃、透明点(N−I)378.5℃。
ランス−4−[2−(4−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)フェニル)エチル]シクロヘキシル]ベ
ンゾニトリル;融点(C−N)99.6℃、(S−N)
76.5℃、透明点(N−I)265.0℃、 p−[トランス−4−[2−(4’ −()ランス−4
−ブチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリル)エチル
]シクロヘキシル]ベンゾニトリル:融点(C−N)1
74.6℃、透明点(N−I)378.5℃。
実施例2
ジクロロメタン60n l 中a) )ランス−4−(
p−シアノフェニル)シクロヘキサノール1゜0g、4
’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニルカルボン酸1.75g、ジシクロへキシルカ
ルボジイミド1.2g及び4−(ジメチルアミノ)ピリ
ジン98 m gの混合物をアルゴンガス下にて室温で
18時間攪拌した0次に灰褐色の懸濁液を濾過しくジク
ロロメタンですすぎ)、モして濾液を濃縮した。残渣(
3,1g)をシリカゲル上でトルエンによって低圧(0
,5パール)クロマトグラフィーにかけ、純粋な4’−
()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフ
ェニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェニル
)シクロヘキシルエステル1.2g(45%)を得た。
p−シアノフェニル)シクロヘキサノール1゜0g、4
’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニルカルボン酸1.75g、ジシクロへキシルカ
ルボジイミド1.2g及び4−(ジメチルアミノ)ピリ
ジン98 m gの混合物をアルゴンガス下にて室温で
18時間攪拌した0次に灰褐色の懸濁液を濾過しくジク
ロロメタンですすぎ)、モして濾液を濃縮した。残渣(
3,1g)をシリカゲル上でトルエンによって低圧(0
,5パール)クロマトグラフィーにかけ、純粋な4’−
()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフ
ェニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェニル
)シクロヘキシルエステル1.2g(45%)を得た。
酢酸エチル/アセトン(容量比l:4)から再結晶させ
、融点(C−N)148.6℃及び透明点(N−I)3
47℃の白色結晶を得た;純度99.6%。
、融点(C−N)148.6℃及び透明点(N−I)3
47℃の白色結晶を得た;純度99.6%。
出発物質として用いたトランス−4−(p−シアノフェ
ニル)シアノヘキサノールは次の如くシて製造した: 4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサノン51.0
gをエタノ−5L//水(容量比4:l)1.51にほ
とんど完全に溶解させ1次に10分以内に水素化ホウ素
ナトリウム9.68gで処理した。この混合物を更に3
0分間攪拌し、次に一夜放置した0反応混合物を氷冷し
た希塩酸(濃塩酸1部:水4部)350mlで注意して
処理し、次に水21及びジエチルエーテル11で処理し
、そして振盪した。水相を分離し、ジェチル二一テル各
0.51で4回抽出した。合流した有機相を飽和炭酸水
素ナトリウム溶滴100m1及び飽和m化ナトリウム溶
液100m1で洗節し、硫酸ナトリウム−Eで乾燥し、
そして濃縮した。未だ水を含む粗製の生成物を、更にト
ルエン及びアセトンに溶解し、そして濃縮することによ
って乾燥した。灰褐色の固体残渣(48,9g)を熱ト
ルエン300m1に溶解し、混合物が熱いうちに、細か
い不溶性残渣を濾別した。濾液を一20℃に冷却し、得
られた結晶を吸引濾別し、トルエン/ヘキサン(容量比
9:1)で洗浄し、モして乾燥した。かくして、融点1
19.5〜122.4℃の淡灰褐色の純粋なトランス−
4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサノール31.
72g(61,6%)が得られた。更に母液から、−2
0℃でトノレニン60m1lCよって結晶させ、融点1
16.5〜122.1’Cのトランス−4−(p−シア
ノフェニル)シクロヘキサノール3.21g(6,2%
)が得られた。
ニル)シアノヘキサノールは次の如くシて製造した: 4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサノン51.0
gをエタノ−5L//水(容量比4:l)1.51にほ
とんど完全に溶解させ1次に10分以内に水素化ホウ素
ナトリウム9.68gで処理した。この混合物を更に3
0分間攪拌し、次に一夜放置した0反応混合物を氷冷し
た希塩酸(濃塩酸1部:水4部)350mlで注意して
処理し、次に水21及びジエチルエーテル11で処理し
、そして振盪した。水相を分離し、ジェチル二一テル各
0.51で4回抽出した。合流した有機相を飽和炭酸水
素ナトリウム溶滴100m1及び飽和m化ナトリウム溶
液100m1で洗節し、硫酸ナトリウム−Eで乾燥し、
そして濃縮した。未だ水を含む粗製の生成物を、更にト
ルエン及びアセトンに溶解し、そして濃縮することによ
って乾燥した。灰褐色の固体残渣(48,9g)を熱ト
ルエン300m1に溶解し、混合物が熱いうちに、細か
い不溶性残渣を濾別した。濾液を一20℃に冷却し、得
られた結晶を吸引濾別し、トルエン/ヘキサン(容量比
9:1)で洗浄し、モして乾燥した。かくして、融点1
19.5〜122.4℃の淡灰褐色の純粋なトランス−
4−(p−シアノフェニル)シクロヘキサノール31.
72g(61,6%)が得られた。更に母液から、−2
0℃でトノレニン60m1lCよって結晶させ、融点1
16.5〜122.1’Cのトランス−4−(p−シア
ノフェニル)シクロヘキサノール3.21g(6,2%
)が得られた。
同様の方法において、次の化合物を製造した:4’−(
)ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−ビフェ
ニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェニル)
シクロヘキシルエステル:融点(C−N)189.6℃
、透明点(N−I)350℃、 4°−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェ
ニル)シクロヘキシルエステル;融点(C−N)168
.6℃または169゜8℃(2変態)、透明点(N−I
)34B−5℃。
)ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−ビフェ
ニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェニル)
シクロヘキシルエステル:融点(C−N)189.6℃
、透明点(N−I)350℃、 4°−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェ
ニル)シクロヘキシルエステル;融点(C−N)168
.6℃または169゜8℃(2変態)、透明点(N−I
)34B−5℃。
実施例3
隻水ジクロロメタン125 m l中の4−ヒドロキシ
−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビ
フェニル2.40g及び4−(ジメチルアミノ)ピリジ
ンO,149gの溶液を攪拌しながら4’−()ランス
−4−プロピルシクロヘキシル)−4−ビフェニルカル
ボン酸2.40ffで処理した。この帯黄色の懸濁液を
無水ジクロロメタンで希釈し、固体のジシクロへキシル
カフレボジイミド1.843gで処理し、再び無水ジク
ロロメタン35m1で処理しくすすぎ)、次に室温で2
4時間攪拌し、続いて還流下で4時間加熱した。室温に
冷却した後、沈殿物を吸引濾別し、ジクロロメタンで洗
浄し、そして乾燥し、無色の固体生成物3.057gが
得られた。濾液を真空下で濃縮乾固させ、黄色固体物質
3.7gが得られ、このものをジクロロメタンに懸濁さ
せ、シリカゲル15gと共に真空下で蒸発させた。残液
をトルエンに懸濁させ、トルエン中のシリカゲルのカラ
ムに加えた。トルエン、トルエン/1%アセトン及びト
ルエン/2%アセトンで溶離し、粗製のエステル182
3gを得た。ジクロロメタン/ヘキサンからくり返し再
結晶させ、五塩化リンーヒで高真空下にて16時間乾燥
し、純粋な4°−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)−4−ビフェニルカルボン酸4’−(トランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリルエス
テル0.762gが得られた。(C−C)132℃、融
点(C−3)200℃、(S−3) 219℃、(S−
N)224℃、透明点(N−I)462℃。最初に得ら
れた無色の固体生成物(3゜o57g)を上記の再結晶
化において得られた母液と共にジクロロメタンに懸濁さ
せ、ジクロロメタン中のシリカゲル上でクロマトグラフ
ィーにかけた。ジクロロメタン及びジクロロメタン/2
%アセトンで溶離し、帯黄色の結晶性エステル2゜46
7gを得た。この粗製の生成物をジクロロメタン/ヘキ
サンからくり返し再結晶させ、五塩化リントで高真空下
にて乾燥し、純粋な生成物を更に1.916g及びやや
汚染された生成物0.502gを畳た。
−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビ
フェニル2.40g及び4−(ジメチルアミノ)ピリジ
ンO,149gの溶液を攪拌しながら4’−()ランス
−4−プロピルシクロヘキシル)−4−ビフェニルカル
ボン酸2.40ffで処理した。この帯黄色の懸濁液を
無水ジクロロメタンで希釈し、固体のジシクロへキシル
カフレボジイミド1.843gで処理し、再び無水ジク
ロロメタン35m1で処理しくすすぎ)、次に室温で2
4時間攪拌し、続いて還流下で4時間加熱した。室温に
冷却した後、沈殿物を吸引濾別し、ジクロロメタンで洗
浄し、そして乾燥し、無色の固体生成物3.057gが
得られた。濾液を真空下で濃縮乾固させ、黄色固体物質
3.7gが得られ、このものをジクロロメタンに懸濁さ
せ、シリカゲル15gと共に真空下で蒸発させた。残液
をトルエンに懸濁させ、トルエン中のシリカゲルのカラ
ムに加えた。トルエン、トルエン/1%アセトン及びト
ルエン/2%アセトンで溶離し、粗製のエステル182
3gを得た。ジクロロメタン/ヘキサンからくり返し再
結晶させ、五塩化リンーヒで高真空下にて16時間乾燥
し、純粋な4°−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)−4−ビフェニルカルボン酸4’−(トランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリルエス
テル0.762gが得られた。(C−C)132℃、融
点(C−3)200℃、(S−3) 219℃、(S−
N)224℃、透明点(N−I)462℃。最初に得ら
れた無色の固体生成物(3゜o57g)を上記の再結晶
化において得られた母液と共にジクロロメタンに懸濁さ
せ、ジクロロメタン中のシリカゲル上でクロマトグラフ
ィーにかけた。ジクロロメタン及びジクロロメタン/2
%アセトンで溶離し、帯黄色の結晶性エステル2゜46
7gを得た。この粗製の生成物をジクロロメタン/ヘキ
サンからくり返し再結晶させ、五塩化リントで高真空下
にて乾燥し、純粋な生成物を更に1.916g及びやや
汚染された生成物0.502gを畳た。
実施例4
a)1.2−ジクロロエタン10m1中の塩化アルミニ
ウム1.07gの懸濁液を室温でアルゴンガス下に置き
、1.2−ジクロロエタン10ml中の4−(4−ビフ
ェニリル)シクロヘキサノン2.0gの溶液で10分以
内に処理し、更に30分間攪拌した。生じた褐−紫色の
懸濁液を、前もって室温にて塩化オキザリル1.37m
1で処理した1、2−ジクロロエタン10m1中の塩化
アルミニウム1.07gの混合物に、室温で10分以内
に滴下した0反応混合物を室温で更に30分間攪拌し、
次に30%(重量/容量)塩化カリウム溶液30m1で
注意して処理しく強い発熱反応)、一方、25分以内に
約o℃に冷却した。
ウム1.07gの懸濁液を室温でアルゴンガス下に置き
、1.2−ジクロロエタン10ml中の4−(4−ビフ
ェニリル)シクロヘキサノン2.0gの溶液で10分以
内に処理し、更に30分間攪拌した。生じた褐−紫色の
懸濁液を、前もって室温にて塩化オキザリル1.37m
1で処理した1、2−ジクロロエタン10m1中の塩化
アルミニウム1.07gの混合物に、室温で10分以内
に滴下した0反応混合物を室温で更に30分間攪拌し、
次に30%(重量/容量)塩化カリウム溶液30m1で
注意して処理しく強い発熱反応)、一方、25分以内に
約o℃に冷却した。
生じた灰褐色の懸濁液を氷水200m1に注ぎ、塩化メ
チレン各200 m lで3回抽出した。有機相を氷水
容100m1で2回洗浄し、硫酸マグネシウムhで乾燥
し、濃縮して約35m1の容量にした。この溶液を、滴
下ロート及び機械的攪拌機を備えたスルホン化用フラス
コ中に約15℃で入れた25%(重量/容量)アンモニ
ア水4.5ml及び3mlの混合物に、10分以内に加
えた。この不均質反応混合物を室温で更に1.75時間
攪拌した。生じた灰褐色の沈殿物を濾別し、水で十分に
洗浄した。高真空下で乾燥した後、灰褐色の非晶質粉末
として4°−(4−オキソシクロヘキシル)−4−ビフ
ェニルカルボキシアミド1.66g(71%)が得られ
た:Rf−値(クロロホルム/メタノール容量比19
: 1) =0 。
チレン各200 m lで3回抽出した。有機相を氷水
容100m1で2回洗浄し、硫酸マグネシウムhで乾燥
し、濃縮して約35m1の容量にした。この溶液を、滴
下ロート及び機械的攪拌機を備えたスルホン化用フラス
コ中に約15℃で入れた25%(重量/容量)アンモニ
ア水4.5ml及び3mlの混合物に、10分以内に加
えた。この不均質反応混合物を室温で更に1.75時間
攪拌した。生じた灰褐色の沈殿物を濾別し、水で十分に
洗浄した。高真空下で乾燥した後、灰褐色の非晶質粉末
として4°−(4−オキソシクロヘキシル)−4−ビフ
ェニルカルボキシアミド1.66g(71%)が得られ
た:Rf−値(クロロホルム/メタノール容量比19
: 1) =0 。
36゜
b)4’−(4−オキソシクロヘキシル)−4−ビフェ
ニルカルボキシアミド1.50g及びピリジン20m1
の混合物を0℃でアルゴンガス下に置き、塩化メシル4
63g1で処理した。冷却浴を除去し、黄色懸濁液を室
温で19時間攪拌した。次にこの反応混合物に室温で更
に塩化メシル1.4mlを加え、混合物を60℃で67
時間攪拌し、冷却し、暗褐色の反応混合物を氷冷した2
5%(重量/容量)塩酸40m1で酸性にし、塩化メチ
レン各100m1で3回抽出した。有機相を水容50
m lで3回洗節し、硫酸マグネシウム−ヒで乾燥し、
モしてck縮した。赤−褐色の結晶性残渣(0,9g)
をシリカゲル上でクロロホルムによって低圧(0,5パ
ール)クロマトグラフィーにかけ、主流として生成物が
得られ、このものをクロロホルム中にて60℃で活性炭
によって更に処理した後、淡黄色結晶として4−(4″
−シアノ−4−ビフェニリル)シクロヘキサノン300
mg(21%)を得た。Rf−値(クロロホルム)=0
.43゜ c)4−(4’−シア/−4−ビフェニリル)シクロヘ
キサノンを実施例1と同様の方法において、トランス−
4−(4’−シアノ−4−ビフェニリル)−シクロヘキ
サンカルボ本ジアルデヒド及び4°−[トランス−4−
[2−(4′−(トランス−4−アルキルシクロヘキシ
ル)−4−ビフェニリル)エチルコシクロへキシル]−
4−ビフェニルカルボニトリルに転化した。更に実施例
2と同様の方法において、4−(4’−シアノ−4−ビ
フェニリル)シクロヘキサノンをトランス−4−(4’
−シアノビフェニリル)シクロヘキサ、′−ル及び4°
−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)−4−ビ
フェニルカルボン酎トランス−4−(4’−ジアノビフ
ェニリル)シクロヘキシルエステルに転化した。
ニルカルボキシアミド1.50g及びピリジン20m1
の混合物を0℃でアルゴンガス下に置き、塩化メシル4
63g1で処理した。冷却浴を除去し、黄色懸濁液を室
温で19時間攪拌した。次にこの反応混合物に室温で更
に塩化メシル1.4mlを加え、混合物を60℃で67
時間攪拌し、冷却し、暗褐色の反応混合物を氷冷した2
5%(重量/容量)塩酸40m1で酸性にし、塩化メチ
レン各100m1で3回抽出した。有機相を水容50
m lで3回洗節し、硫酸マグネシウム−ヒで乾燥し、
モしてck縮した。赤−褐色の結晶性残渣(0,9g)
をシリカゲル上でクロロホルムによって低圧(0,5パ
ール)クロマトグラフィーにかけ、主流として生成物が
得られ、このものをクロロホルム中にて60℃で活性炭
によって更に処理した後、淡黄色結晶として4−(4″
−シアノ−4−ビフェニリル)シクロヘキサノン300
mg(21%)を得た。Rf−値(クロロホルム)=0
.43゜ c)4−(4’−シア/−4−ビフェニリル)シクロヘ
キサノンを実施例1と同様の方法において、トランス−
4−(4’−シアノ−4−ビフェニリル)−シクロヘキ
サンカルボ本ジアルデヒド及び4°−[トランス−4−
[2−(4′−(トランス−4−アルキルシクロヘキシ
ル)−4−ビフェニリル)エチルコシクロへキシル]−
4−ビフェニルカルボニトリルに転化した。更に実施例
2と同様の方法において、4−(4’−シアノ−4−ビ
フェニリル)シクロヘキサノンをトランス−4−(4’
−シアノビフェニリル)シクロヘキサ、′−ル及び4°
−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)−4−ビ
フェニルカルボン酎トランス−4−(4’−ジアノビフ
ェニリル)シクロヘキシルエステルに転化した。
実施例5
テトラヒドロフラン200m1の4’−[)ランス−4
−[2−(4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−4−ビフェニリル)ビニル]シクロヘキシル
]−4−ビフェニルカルボニトリル0.214gの溶液
をパラジウl* / +に素(5%)52.5mgで処
理し、水素の吸収が11−るまで(1,75時間)、室
温で水素添加した。
−[2−(4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−4−ビフェニリル)ビニル]シクロヘキシル
]−4−ビフェニルカルボニトリル0.214gの溶液
をパラジウl* / +に素(5%)52.5mgで処
理し、水素の吸収が11−るまで(1,75時間)、室
温で水素添加した。
次に反応混合物に窒素を通気し、吸引濾過した(熱テト
ラヒドロフランですすいだ)。溶液を真空下でcKMし
、水垢ポンプによる真空下にて50℃で乾燥した後、無
色の固体、4′−[トランス−4−[2−(4’−(J
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニ
リル)エチル]シクロヘキシル]−4−ビフェニルカル
ポニトリル0.3101Hが得られ、このものは未だ溶
媒を含んでいた。テトラヒドロフランから占結晶させ、
(S−N)194.5℃及び透明点(N−I)440℃
を有する無色の針状晶を得た。
ラヒドロフランですすいだ)。溶液を真空下でcKMし
、水垢ポンプによる真空下にて50℃で乾燥した後、無
色の固体、4′−[トランス−4−[2−(4’−(J
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニ
リル)エチル]シクロヘキシル]−4−ビフェニルカル
ポニトリル0.3101Hが得られ、このものは未だ溶
媒を含んでいた。テトラヒドロフランから占結晶させ、
(S−N)194.5℃及び透明点(N−I)440℃
を有する無色の針状晶を得た。
出発物質として用いた4′−[トランス−4−C2−(
4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4
−ビフェニル)ビニルコシクロへキシル]−4−ビフェ
ニルカルボニトリルは次の如くして製造した: 乾燥テトラヒドロフラン35m1中のしく4゛−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリ
ル)メチル]トリフェニルホスホニウムブロマイド2.
337gの懸濁液を、窒素ガス下でスルホン化用フラス
コ中にて攪拌しながら、カリウムt−ブチレート0.3
94gで処理しく無水テトラヒドロフラン20m1です
すいだ)、この混合物を室温で更に1時間攪拌した。
4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4
−ビフェニル)ビニルコシクロへキシル]−4−ビフェ
ニルカルボニトリルは次の如くして製造した: 乾燥テトラヒドロフラン35m1中のしく4゛−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニリ
ル)メチル]トリフェニルホスホニウムブロマイド2.
337gの懸濁液を、窒素ガス下でスルホン化用フラス
コ中にて攪拌しながら、カリウムt−ブチレート0.3
94gで処理しく無水テトラヒドロフラン20m1です
すいだ)、この混合物を室温で更に1時間攪拌した。
−60’Cに冷却後、混合物を無水テトラヒドロフラン
50m1中のトランス−4−(4°−シアノ−4−ビフ
ェニリル)シクロヘキサンカルボキシアルデヒド[実施
例1a)及びb)と同様の方法において、4−(4’−
シアノ−4−ビフェニリル)シクロヘキサノンから製造
したもの]0.928gの溶液で25分以内に滴下処理
しく無水テトラヒドロフランlomlですすいだ)、次
にこの!l!!濁液を放置して3時間以内に7℃に過温
し、最後に室温で一夜攪拌した。その後、懸濁液を水1
00m1に注いだ6沈殿物を吸引濾別し、水で十分に洗
浄し、そして乾姪し、固体のほとんど無色の生成物1.
805gがfl)られた。濾液から、細かい沈殿物を分
離し、このものを水で500m1に希釈した後、再び吸
引濾別し、水で洗浄し、モして乾燥した(帯黄色の固体
物質0.222g)。2つの沈殿物(2,027g)を
室温で10分間ジエチルエーテル75m1と共に砕解し
、次に吸引濾別し、ジエチルエーテルで洗n1し、そし
て乾燥した。生じた無色の固体(1,074g)を塩化
メチレン75 m lに懸濁させ、次に沈殿物を愛車濾
別し、塩化メチレンで洗浄し、そして乾燥した。無色の
固体として粗製の4°−[トランス−4−[2−(4’
−0ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビ
フェニリル)ビニル]シクロヘキシル]−4−ビフェニ
ルカルボニトリル(Rf−値=0.46.)ルエン中)
0.871gが得られ、このものを更に精製せずに反応
させた。
50m1中のトランス−4−(4°−シアノ−4−ビフ
ェニリル)シクロヘキサンカルボキシアルデヒド[実施
例1a)及びb)と同様の方法において、4−(4’−
シアノ−4−ビフェニリル)シクロヘキサノンから製造
したもの]0.928gの溶液で25分以内に滴下処理
しく無水テトラヒドロフランlomlですすいだ)、次
にこの!l!!濁液を放置して3時間以内に7℃に過温
し、最後に室温で一夜攪拌した。その後、懸濁液を水1
00m1に注いだ6沈殿物を吸引濾別し、水で十分に洗
浄し、そして乾姪し、固体のほとんど無色の生成物1.
805gがfl)られた。濾液から、細かい沈殿物を分
離し、このものを水で500m1に希釈した後、再び吸
引濾別し、水で洗浄し、モして乾燥した(帯黄色の固体
物質0.222g)。2つの沈殿物(2,027g)を
室温で10分間ジエチルエーテル75m1と共に砕解し
、次に吸引濾別し、ジエチルエーテルで洗n1し、そし
て乾燥した。生じた無色の固体(1,074g)を塩化
メチレン75 m lに懸濁させ、次に沈殿物を愛車濾
別し、塩化メチレンで洗浄し、そして乾燥した。無色の
固体として粗製の4°−[トランス−4−[2−(4’
−0ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビ
フェニリル)ビニル]シクロヘキシル]−4−ビフェニ
ルカルボニトリル(Rf−値=0.46.)ルエン中)
0.871gが得られ、このものを更に精製せずに反応
させた。
実施例6
P C5−シス/トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−2−ピリミジニル]ベンゾニトリルの異性体混合
物を、290℃の分析温度で120/140メツシユの
ガスクロム(Gasch−rom)Q”(Applie
d 5cienceLabs)に4’−()ランス−4
−プロピルシクロヘキシル)−4−ビフェニルカルボン
酸4’−(+ランスー4−ペンチルシクロヘキシル)−
4−ビフ1ニリルエステル2屯量%で充填した良さ2m
の充填カラム(内直Pi2.2mm)で分離した。キャ
リアーガスとして窒素(30ml/分)を用いた。保持
時間はシス−異性体に対しては4.3分及びトランス−
異性体に対しては16分間であった。従ってトランス−
異性体に対する相対保持時間αは3.7であった(シス
−異性体に対してはα=1.0)。
ル)−2−ピリミジニル]ベンゾニトリルの異性体混合
物を、290℃の分析温度で120/140メツシユの
ガスクロム(Gasch−rom)Q”(Applie
d 5cienceLabs)に4’−()ランス−4
−プロピルシクロヘキシル)−4−ビフェニルカルボン
酸4’−(+ランスー4−ペンチルシクロヘキシル)−
4−ビフ1ニリルエステル2屯量%で充填した良さ2m
の充填カラム(内直Pi2.2mm)で分離した。キャ
リアーガスとして窒素(30ml/分)を用いた。保持
時間はシス−異性体に対しては4.3分及びトランス−
異性体に対しては16分間であった。従ってトランス−
異性体に対する相対保持時間αは3.7であった(シス
−異性体に対してはα=1.0)。
実施例7
オレイン酸メチル[(Z)−異性体]及びエライジン酸
メチル[(E)−異性体]の混合物を、150℃の分析
温度で120./140メツシュのガスクロムQ’!9
(Applied 5cien−ce Labs)に4
’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェ
ニル)シクロヘキシルエステル2爪早%で充填した長さ
2mの充填カラム(内直径2.2mm)で分離した。
メチル[(E)−異性体]の混合物を、150℃の分析
温度で120./140メツシュのガスクロムQ’!9
(Applied 5cien−ce Labs)に4
’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
ビフェニルカルボン酸トランス−4−(p−シアノフェ
ニル)シクロヘキシルエステル2爪早%で充填した長さ
2mの充填カラム(内直径2.2mm)で分離した。
キャリアーカスとして窒素(30ml/分)を用いた。
保持時間はオレイン酸メチルに対しては18.5分及び
エライジン酸メチルに対しては208分間であった。従
ってエライジン酸メチルに対する相対保持時間αは1.
13であった(オレイン酸メチルに対してはα= 1
、0)。
エライジン酸メチルに対しては208分間であった。従
ってエライジン酸メチルに対する相対保持時間αは1.
13であった(オレイン酸メチルに対してはα= 1
、0)。
実施例8
α−ナフトール及びβ−ナフトールの4昆合物を 18
0℃の分析温度で120/140メツシユのガスクロム
Q’応(Applied 5ete−nce Labs
)にp−[トランス−4−[2−(4’−()ランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニル)エチ
ルコシクロへキシル]ベンゾニトリル2重9%で充填し
た長さ2mの充tIF1カラム(内直径2.2mm)で
分離した。キャリアーガスとして窒素(30ml/分)
を用いた。保持時間はα−ナフトールに対しては5.2
分及びβ−ナフトールに対しては6.6分間であった。
0℃の分析温度で120/140メツシユのガスクロム
Q’応(Applied 5ete−nce Labs
)にp−[トランス−4−[2−(4’−()ランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)−4−ビフェニル)エチ
ルコシクロへキシル]ベンゾニトリル2重9%で充填し
た長さ2mの充tIF1カラム(内直径2.2mm)で
分離した。キャリアーガスとして窒素(30ml/分)
を用いた。保持時間はα−ナフトールに対しては5.2
分及びβ−ナフトールに対しては6.6分間であった。
従ってβ−ナフトールに対する相対保持時間αは1.2
であった(α−ナフトールに対してはα= 1 、0)
。
であった(α−ナフトールに対してはα= 1 、0)
。
′y施例9
フェナントレン(1)、アントラセン(2)。
フルオランセン(3)、ピレン(4)、バニンズ(a)
アントラセン(5)、クリセン(6)、ベンズ(b)フ
ルオランセン(7)、ベンズ(k)フルオランセン(8
)及びベンズ(a)ピレン(9)の混合物を、分析温度
230〜300℃及び加熱速度4℃/分で120/14
0メツシユのガスクロムQ’3 (App tied
5cience Labs)に4’−[トランス−4−
[2−(4’−0ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−4−ビフェニリル)エチルコシクロへキシルコー4
−ビフェニルカルボニトリル2重量%で充填した長さ2
mの充填カラム(内直径2.2mm)で分離した。キャ
リアーガスとして窒素(35ml/分)を用いた。この
クロマトグラムを第1図に示した。ベンズ(a)ピレン
に対する保持時間は28分であった。
アントラセン(5)、クリセン(6)、ベンズ(b)フ
ルオランセン(7)、ベンズ(k)フルオランセン(8
)及びベンズ(a)ピレン(9)の混合物を、分析温度
230〜300℃及び加熱速度4℃/分で120/14
0メツシユのガスクロムQ’3 (App tied
5cience Labs)に4’−[トランス−4−
[2−(4’−0ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−4−ビフェニリル)エチルコシクロへキシルコー4
−ビフェニルカルボニトリル2重量%で充填した長さ2
mの充填カラム(内直径2.2mm)で分離した。キャ
リアーガスとして窒素(35ml/分)を用いた。この
クロマトグラムを第1図に示した。ベンズ(a)ピレン
に対する保持時間は28分であった。
実施例10
オレイン酸メチル[(Z)−異性体]及びエライジン酸
メチル[(E)−異性体]を含む混合物を1分析温度1
70℃で120/l 40メツシユのカスクロムQ@(
A4plied 5afe −nCe LabS)にp
−[トランス−4−[2−(4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)フェニル)エチルコシクロへキシ
ルコベンゾニトリル2重量%で充填した長さ2mの充填
カラム(内直径2.2mm)で分離した。(この2種の
u骨体エステルに加えて、また混合物はステアリン酸メ
チルを含有していた)。キャリアーカスにして窒素(3
5ml/分)を用いた。保持時間はオレイン酸メチルに
対しては13.5分及びエライジン酸メチルに対しては
15分間であった。
メチル[(E)−異性体]を含む混合物を1分析温度1
70℃で120/l 40メツシユのカスクロムQ@(
A4plied 5afe −nCe LabS)にp
−[トランス−4−[2−(4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)フェニル)エチルコシクロへキシ
ルコベンゾニトリル2重量%で充填した長さ2mの充填
カラム(内直径2.2mm)で分離した。(この2種の
u骨体エステルに加えて、また混合物はステアリン酸メ
チルを含有していた)。キャリアーカスにして窒素(3
5ml/分)を用いた。保持時間はオレイン酸メチルに
対しては13.5分及びエライジン酸メチルに対しては
15分間であった。
彼って、エライジン酸に対する相対保持時間αは1.1
1であった(オレイン酸メチルに対してはα=1.0)
Il 実施例11 1−(p−トリル)−シス/トランス−4−プロピルシ
クロヘキサンの異性体混合物を分析温度160℃で12
0/140メツシユのガスクロムQ’j9(Appli
ed 5cience La−bs)にp−[トランス
−4,’−[2−(4−)ランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)フェニル)エチルコシクロへキシル]ベンゾ
ニトリル2ffii%で充填した長さ2mの充填カラム
(内直径2゜2mm)で分離した。キャリアーガスとし
て窒素(35ml/分)を用いた。保持時間はシス−異
性体に対しては6分及びトランス−異性体に対しては1
3.5分間であった。従って1− (p −)リル)−
トランス−4−プロピルシクロヘキサンに対する相対保
持時間αは2.4であった[1−(p−トリル)−シス
−4−プロピルシクロヘキサンに対してはα=1.0]
。
1であった(オレイン酸メチルに対してはα=1.0)
Il 実施例11 1−(p−トリル)−シス/トランス−4−プロピルシ
クロヘキサンの異性体混合物を分析温度160℃で12
0/140メツシユのガスクロムQ’j9(Appli
ed 5cience La−bs)にp−[トランス
−4,’−[2−(4−)ランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)フェニル)エチルコシクロへキシル]ベンゾ
ニトリル2ffii%で充填した長さ2mの充填カラム
(内直径2゜2mm)で分離した。キャリアーガスとし
て窒素(35ml/分)を用いた。保持時間はシス−異
性体に対しては6分及びトランス−異性体に対しては1
3.5分間であった。従って1− (p −)リル)−
トランス−4−プロピルシクロヘキサンに対する相対保
持時間αは2.4であった[1−(p−トリル)−シス
−4−プロピルシクロヘキサンに対してはα=1.0]
。
第1図は実施例9の混合物のクロマトグラフィー(芳香
族炭化水素の分離)を示す。
族炭化水素の分離)を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、−一般式 式中、Lは数1を表わし、そしてXは 基−COO−1−OOC−まタハ −CH2CH2−を表わすか、或いは nは数Oを表わし、モしてXは 基−CH2CI(2−を表わし:環AはP−フェニレン
またはトランス−1゜ 4−シクロヘキシレンを表わし、R2 はシアン、p−シアノフェニル或い は、Xが−coo−または一0OC− を表わす限りにおいて、またp Ha −フェニルもしくはトランス−4− R3−シクロヘキシルを表わし: そしてR1及びR3は直鎖状のC3〜 C1゜−アルキルを表わす、 の化合物。 2、nが数1を表わす特許請求の範囲第1項記載の化合
物。 3、iAがトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わ
し、モしてR2がシアノ、p−シアノフェニルまたはp
−R8−フェニルを表わすか、或いは環Aがp−フェニ
レンを表わし、モしてR2がトランス−4−R3−シク
ロヘキシルを表わす特許請求の範囲第1項または第2項
記載の化合物。 4、Xが基−COO−を表わす特許請求の範囲第1〜3
項のいずれかに記載の化合物。 5、Xが基−CH2CH2−を表わす特許請求の範囲第
1〜3項のいずれかに記載の化合物。 6、R2がp−Ra−フェニルまたはトランス−4−R
3−シクロヘキシルを表わし、モしてR3がプロピル、
ブチルまたはペンチルを表わす特許請求の範囲第1〜4
項のいずれかに記載の化合物。 7、少なくとも1種の成分が特許請求の範囲第1項に定
義した式1の化合物である、少なくとも2種の成分を有
する液晶混合物。 8、特許請求の範囲第1項に定義した式Iの化合物を#
A造するにあたり、 a)Xが基−coo−または一00〇−を表わす式1の
化合物を製造するために、一般式の化合物及び一般式 式中、ス(Zl及びZ2の一方はカルボキシル基を表わ
し、そして他方はヒド ロキシ基を表わし、そしてR1,R2 及び環Aは特許請求の範囲第1項記載 の意味を有する。 の化合物またはこれらの化合物の反応性誘導体をエステ
ル化するか、或いは b)Xが基−CH2CH2−を表わす式1の化合物を製
造するために、一般式 式中、R4はシアノまたはp−シアノ フェニルを表わし、そしてHl、n及 び環Aは特許請求の範囲第1項記載の 意味を有する、 の化合物を触媒的に水素添加する ことを特徴とする特許請)、@四節1項に定義した式I
の化合物の製造方法。 9、電子−光学目的のために特許請求の範囲第1Jr+
にフ1:゛義した式rの化合物の使用。 10、カスクロマトグラフィーにおける特許請求の範囲
第1項に定義した式Iの化合物の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH591283 | 1983-11-02 | ||
CH5912/83-6 | 1983-11-02 | ||
CH03970/84-6 | 1984-08-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60112739A true JPS60112739A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=4301412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22600784A Pending JPS60112739A (ja) | 1983-11-02 | 1984-10-29 | シクロヘキシルベンゼン誘導体およびシクロヘキシルビフエニル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60112739A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5959648A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-04-05 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | 液晶性化合物 |
JPS5962533A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-04-10 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | シクロヘキサン誘導体 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22600784A patent/JPS60112739A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5959648A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-04-05 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | 液晶性化合物 |
JPS5962533A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-04-10 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | シクロヘキサン誘導体 |
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