JPS60112689A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPS60112689A JPS60112689A JP21892883A JP21892883A JPS60112689A JP S60112689 A JPS60112689 A JP S60112689A JP 21892883 A JP21892883 A JP 21892883A JP 21892883 A JP21892883 A JP 21892883A JP S60112689 A JPS60112689 A JP S60112689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- substrate
- soln
- tank
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体結晶の単層もしくけ多層のエピタキシ
ャル成長に適した液相エピタキシャル成長装置に関する
ものである。
ャル成長に適した液相エピタキシャル成長装置に関する
ものである。
従来例の構成とその問題点
従来、結晶の液相エピタキシャル成長に用いているスラ
イド式ボートを第１図に示す。成長用溶液ホルダー１の
下に、被成長基板２を取りつけだスライダー３を有し、
スライダー３を矢印４の方向に引き出し、基板２を成長
用溶液に所望の成長時間浸す。１ａは溶液槽を示す。基
板２には上記の手順によって基板２上に所望のエピタキ
シャル成長層６が積層され、第２図に示すような基板が
得られるが基板２のスライド方向と平行な両端部の成長
用溶液と接していない部分との境には、成長層６の成長
の際の溶液内の対流、濃度分布に起因する成長速度の違
いから、エッヂグロース６が生じてし１う。上記エッヂ
グロース６は、基板内成長膜厚のバラツキをきたし、特
に基板周辺部では著しい。またエッヂグロース６が生じ
た状態で多層エピタキシャル成長をつづけると、ボート
の各成長用溶液間に傷をつけたり、溶液を次の溶液槽に
引き込んで組成を変えてしまい、基板表面に溶液を残し
だりする。さらに、エッチグロース６のある基板をデバ
イス化のためにプロセスに投入する際にも、マスク合せ
、露光に支障をきだすというような欠点があった。
イド式ボートを第１図に示す。成長用溶液ホルダー１の
下に、被成長基板２を取りつけだスライダー３を有し、
スライダー３を矢印４の方向に引き出し、基板２を成長
用溶液に所望の成長時間浸す。１ａは溶液槽を示す。基
板２には上記の手順によって基板２上に所望のエピタキ
シャル成長層６が積層され、第２図に示すような基板が
得られるが基板２のスライド方向と平行な両端部の成長
用溶液と接していない部分との境には、成長層６の成長
の際の溶液内の対流、濃度分布に起因する成長速度の違
いから、エッヂグロース６が生じてし１う。上記エッヂ
グロース６は、基板内成長膜厚のバラツキをきたし、特
に基板周辺部では著しい。またエッヂグロース６が生じ
た状態で多層エピタキシャル成長をつづけると、ボート
の各成長用溶液間に傷をつけたり、溶液を次の溶液槽に
引き込んで組成を変えてしまい、基板表面に溶液を残し
だりする。さらに、エッチグロース６のある基板をデバ
イス化のためにプロセスに投入する際にも、マスク合せ
、露光に支障をきだすというような欠点があった。
発明の目的
本発明は、液相エピタキシャル成長による基板上のエツ
ジグロースのみをメルトバックし、良好発明の構成 本発明は、液相エピタキシャル成長用スライド式ボート
の成長用溶液槽間に、スライド方向と平行な基板の両端
部分のみのメルトバック用溶液槽を少なくとも１つ以上
有し、エッヂグロースのみをメルトバックすることによ
り良好な表面状態のエピタキシャル成長基板を得ること
を可能とするものである。
ジグロースのみをメルトバックし、良好発明の構成 本発明は、液相エピタキシャル成長用スライド式ボート
の成長用溶液槽間に、スライド方向と平行な基板の両端
部分のみのメルトバック用溶液槽を少なくとも１つ以上
有し、エッヂグロースのみをメルトバックすることによ
り良好な表面状態のエピタキシャル成長基板を得ること
を可能とするものである。
実施例の説明
本発明を図にもとづいて説明する。第３図の液相エピタ
キシャル成長用スライド式ボートに、スタイゲータ上の
基板８のスライド方向９と平行な両端部のエッヂグロー
スのみをメルトバックする溶液槽１０を溶液ホルダー１
１に設ける。被成長基板８は成長温度までの昇温の間、
第１槽１２でカバーにより高温から保護されている。次
に、基板表面の欠陥、汚染物等の除去のだめメルトバン
ク用溶液槽１３にスライドし、所望の時間基板全面のメ
ルトバックを行ない、次の成長用溶液槽１４へ移動する
。成長用溶液槽１４内で所望の時間エピタキシャル成長
したのち、エッヂグロース部のみのメルトバック用溶液
槽１ｏを一定のスライド速度で通過させてエッヂグロー
スを除去する。上記手順により単層エピタキシャル成長
のエッヂグロースの除去が可能となっているが、多層の
場合も同様にエツジグロースメルトバック用溶液槽１゜
を各成長用溶液槽間に適当に設けることにより、同様な
良好な表面状態をもつ多層エヒリキシャル成長が可能と
なっている。
キシャル成長用スライド式ボートに、スタイゲータ上の
基板８のスライド方向９と平行な両端部のエッヂグロー
スのみをメルトバックする溶液槽１０を溶液ホルダー１
１に設ける。被成長基板８は成長温度までの昇温の間、
第１槽１２でカバーにより高温から保護されている。次
に、基板表面の欠陥、汚染物等の除去のだめメルトバン
ク用溶液槽１３にスライドし、所望の時間基板全面のメ
ルトバックを行ない、次の成長用溶液槽１４へ移動する
。成長用溶液槽１４内で所望の時間エピタキシャル成長
したのち、エッヂグロース部のみのメルトバック用溶液
槽１ｏを一定のスライド速度で通過させてエッヂグロー
スを除去する。上記手順により単層エピタキシャル成長
のエッヂグロースの除去が可能となっているが、多層の
場合も同様にエツジグロースメルトバック用溶液槽１゜
を各成長用溶液槽間に適当に設けることにより、同様な
良好な表面状態をもつ多層エヒリキシャル成長が可能と
なっている。
なお、エツジグロースメルトバック用溶液槽１０をエピ
タキシャル成長前に設け、基板のエッヂグロース発生部
分を前もってメルトバックしておいても有効である。
タキシャル成長前に設け、基板のエッヂグロース発生部
分を前もってメルトバックしておいても有効である。
発明の効果
以上のように本発明は、液相エピタキシャル成長のスラ
イド式ボートに、基板のスライド方向と平行な両端部の
みをメルトバックする溶液槽を設ける事により、エッヂ
グロース部をメルトバックするものである。従って本発
明によれば、エッヂグロース除去により、良好な表面状
態の液相エピタキシャル成長基板を得ることが可能であ
り、基板内膜厚分布の向上、ボート損傷の防止、デノく
イス作製の際のマスク合せ、露光等のプロセスに極めて
有利と々るものである。
イド式ボートに、基板のスライド方向と平行な両端部の
みをメルトバックする溶液槽を設ける事により、エッヂ
グロース部をメルトバックするものである。従って本発
明によれば、エッヂグロース除去により、良好な表面状
態の液相エピタキシャル成長基板を得ることが可能であ
り、基板内膜厚分布の向上、ボート損傷の防止、デノく
イス作製の際のマスク合せ、露光等のプロセスに極めて
有利と々るものである。
第１図は従来の液相エピタキシャル成長用スライド式ボ
ートの斜視図、第２図は従来の成長基板の斜視図、第３
図は本発明の一実施例のスライド式ボートの斜視図であ
る。 １・・・・・・溶液ホルダー、８・・・・・・基板、９
・・・・・・スライド方向、１０・・・・・・エツジグ
ロースメルトバック用溶液槽。
ートの斜視図、第２図は従来の成長基板の斜視図、第３
図は本発明の一実施例のスライド式ボートの斜視図であ
る。 １・・・・・・溶液ホルダー、８・・・・・・基板、９
・・・・・・スライド方向、１０・・・・・・エツジグ
ロースメルトバック用溶液槽。
Claims (1)
- 液相エピタキシャル成長のスライド式ボートの成長用溶
液槽間の少なくとも一つに、成長用基板の引き出し方向
と平行な基板の両端部のみをメルトバックするだめの溶
液槽を設けた液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21892883A JPS60112689A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21892883A JPS60112689A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112689A true JPS60112689A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16727511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21892883A Pending JPS60112689A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112689A (ja) |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP21892883A patent/JPS60112689A/ja active Pending
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