JPS5816524A - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS5816524A JPS5816524A JP11444681A JP11444681A JPS5816524A JP S5816524 A JPS5816524 A JP S5816524A JP 11444681 A JP11444681 A JP 11444681A JP 11444681 A JP11444681 A JP 11444681A JP S5816524 A JPS5816524 A JP S5816524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- layer
- solution
- liquid phase
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は液相エピタキシャル成長方法に関する。
スライディングボートを用いた液相エピタキシャル成長
方法に於いて成長後及び成長過程に於ける成長結晶の平
坦縦線重要な問題となっている。
方法に於いて成長後及び成長過程に於ける成長結晶の平
坦縦線重要な問題となっている。
通常液相エピタキシャル成長には第１図に示す様なスラ
イディングボートが用いられる。なシ図中１は溶液６を
収容する積数の溶液収容体、２は基板４を収容するため
の凹を有するスライダである。
イディングボートが用いられる。なシ図中１は溶液６を
収容する積数の溶液収容体、２は基板４を収容するため
の凹を有するスライダである。
このスライディングボート内が平坦な温度分布である場
合、第１番目の溶液及び第２査目の溶液を通過して出て
きた成長結晶はａｉｇ２図（１）に示した基板断面図の
様に基液中央部と端部に厚みの差のあるものが得られる
。この溶液が６〜７個ある場合、それを通過して出てき
た基板は場所によっては第２図（ｂ） Ｋ示すように〜
１０倍もの厚みの差が生じる。この端部に於いて成長層
が厚く成長する原因としては第３図（第１図人の部分の
拡大図）゛の様なモデルが考えられる。すなわち、第３
図に示したｉ、の部分の容液には冷却が進むにつれ過飽
和状態どなり、景短距離にあるす７点へ析出する事が考
えられる。同じく１鵞の部分の過飽和客演からはｂ１点
へ、ａ、は−へと析出すると考えると、ｂ１点へ厚く成
長する事になる。
合、第１番目の溶液及び第２査目の溶液を通過して出て
きた成長結晶はａｉｇ２図（１）に示した基板断面図の
様に基液中央部と端部に厚みの差のあるものが得られる
。この溶液が６〜７個ある場合、それを通過して出てき
た基板は場所によっては第２図（ｂ） Ｋ示すように〜
１０倍もの厚みの差が生じる。この端部に於いて成長層
が厚く成長する原因としては第３図（第１図人の部分の
拡大図）゛の様なモデルが考えられる。すなわち、第３
図に示したｉ、の部分の容液には冷却が進むにつれ過飽
和状態どなり、景短距離にあるす７点へ析出する事が考
えられる。同じく１鵞の部分の過飽和客演からはｂ１点
へ、ａ、は−へと析出すると考えると、ｂ１点へ厚く成
長する事になる。
通常使用されているスライドボートではとのす。
点への結晶の析出は幾層にも渡って行なわれる為前述し
た様に〜１０倍の厚みの差が生じてしまう。
た様に〜１０倍の厚みの差が生じてしまう。
この異状成長は結晶成長の過程及び成長基板の加工上で
種々な幣害を及ぼす。前者の場合を簡単に１Ｉ５２明す
ると１通常結晶成長Ｆｉ第１図に示した様なスライディ
ング方式のボートを用いて行なわれるが、結晶成長中及
び後に於ける基板スライドの際に基板表面を傷つける様
、基板とガイド部の間に一定の隔間が設けられている。
種々な幣害を及ぼす。前者の場合を簡単に１Ｉ５２明す
ると１通常結晶成長Ｆｉ第１図に示した様なスライディ
ング方式のボートを用いて行なわれるが、結晶成長中及
び後に於ける基板スライドの際に基板表面を傷つける様
、基板とガイド部の間に一定の隔間が設けられている。
この隔間の下限は理想的には結晶成長の厚みだけであれ
ば良い訳であるが実験的には傷のつか無くなるのは合計
〜５μの結晶成長を行なう場合で〜６０となっている。
ば良い訳であるが実験的には傷のつか無くなるのは合計
〜５μの結晶成長を行なう場合で〜６０となっている。
又上限は多層結晶成長の場合ｎ番目の溶液をｎ＋１番目
に持ち込む現象が起こる為下限に近い値をとる様にしで
ある。ここで前述した様な異常成長が起こると異常成長
の起った部分のクリアランスは実質的に減少しスライド
の際にボートによって削られ基板表面を汚染あるいはガ
イド部のカーボンを削する等の害を及ぼす。又スライド
面に対し、ガイド面が固定されてない場合はガイド部を
押し上げｎ番目の溶液をｎ＋１番目の溶液槽へ持ち込む
。いわゆる持ち込みが起こる。この持ち込みは４元の結
晶成長等では特にきられれる。
に持ち込む現象が起こる為下限に近い値をとる様にしで
ある。ここで前述した様な異常成長が起こると異常成長
の起った部分のクリアランスは実質的に減少しスライド
の際にボートによって削られ基板表面を汚染あるいはガ
イド部のカーボンを削する等の害を及ぼす。又スライド
面に対し、ガイド面が固定されてない場合はガイド部を
押し上げｎ番目の溶液をｎ＋１番目の溶液槽へ持ち込む
。いわゆる持ち込みが起こる。この持ち込みは４元の結
晶成長等では特にきられれる。
次に後者の場合ではこの異常成長によシ端部が中央部よ
り盛シ上がっているのであるから成長後の結晶を゛その
まま加工しようとした場合、密着型のマスク合わせ装置
等を使用する過程で割れを生じる等の幣害が起こる。
り盛シ上がっているのであるから成長後の結晶を゛その
まま加工しようとした場合、密着型のマスク合わせ装置
等を使用する過程で割れを生じる等の幣害が起こる。
本発明は上記の欠点に観みてなされたもので、異常成長
の程度を少なく、あるいはほとんど皆無に等しい程度に
押さ得る成長方法を提供するにあるＯ 本発明はｎ番目の溶液槽で生じた異常成長をｎ番目の滴
液槽よシ基板との接触面積が大なるｎ＋１番目の溶液槽
の溶液によるメルトバックを利用し、異常成長を低減す
る方法である。
の程度を少なく、あるいはほとんど皆無に等しい程度に
押さ得る成長方法を提供するにあるＯ 本発明はｎ番目の溶液槽で生じた異常成長をｎ番目の滴
液槽よシ基板との接触面積が大なるｎ＋１番目の溶液槽
の溶液によるメルトバックを利用し、異常成長を低減す
る方法である。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する本発明で用
いた結晶成長用ボートは、スライド式のボートであシ、
一層目成長用の滴液槽の床面積は２層目のそれより小さ
く３層目のそれよシはさらに小さくみである。つまり床
面積の大きさはｎ層目くｎ＋１層目として６る。その様
子を第４図（ａ）Φ）に示す。（！１）は断面図での）
は平面図である。
いた結晶成長用ボートは、スライド式のボートであシ、
一層目成長用の滴液槽の床面積は２層目のそれより小さ
く３層目のそれよシはさらに小さくみである。つまり床
面積の大きさはｎ層目くｎ＋１層目として６る。その様
子を第４図（ａ）Φ）に示す。（！１）は断面図での）
は平面図である。
通常行なわれている平衡冷却法の結晶成長に於いては溶
液中に挿入された基板に凹凸がある場合には凸の部分は
メルトバックがかかシやすい傾向にめる。従って第５図
の（１）に示し次様な第１層目の成長を終えた基板が第
２層の溶液中に挿入さ一奥ると、（ａ）でみられた異、
常成長部分３はメルトバックされ、１！４５図（ｂ）に
示すように第１層目の成長層は比較的均一な厚さとなる
。以下同様にして第５図（Ｃ） 、 （ｄ）に示す順に
第３層、第４層と成長が行なわれる。
液中に挿入された基板に凹凸がある場合には凸の部分は
メルトバックがかかシやすい傾向にめる。従って第５図
の（１）に示し次様な第１層目の成長を終えた基板が第
２層の溶液中に挿入さ一奥ると、（ａ）でみられた異、
常成長部分３はメルトバックされ、１！４５図（ｂ）に
示すように第１層目の成長層は比較的均一な厚さとなる
。以下同様にして第５図（Ｃ） 、 （ｄ）に示す順に
第３層、第４層と成長が行なわれる。
なお上記実施例の場合、異常成長の巾は約５０μ程度で
あり、その場合ｎ＋１番目の溶液槽の大きさは、ｎ番目
の滴液槽の兼さ及びＩＩＪ八に約ＨＯβ大きくした。
あり、その場合ｎ＋１番目の溶液槽の大きさは、ｎ番目
の滴液槽の兼さ及びＩＩＪ八に約ＨＯβ大きくした。
以上の様に本発明によれば結晶成長中の異常成長を低減
することができる訳であるがｎ＋１番目の滴液槽の大き
さはｎ番目よシも大きくすればこの効果は期待でき、又
溶液槽と基板の位置を交互に前後させ１層おきにメルト
バックがかかる様にしても同様な結果が得られることは
いうまでもない０
することができる訳であるがｎ＋１番目の滴液槽の大き
さはｎ番目よシも大きくすればこの効果は期待でき、又
溶液槽と基板の位置を交互に前後させ１層おきにメルト
バックがかかる様にしても同様な結果が得られることは
いうまでもない０
第１図は従来の液相エピタキシャル成長方法をは第１図
の成長装置で基板に液相エピタキシャル成長を行った状
態を示す図、第３図は従来の問題点を説明するために第
１図の人の部分を拡大して示し史断面図、＃Ｉ４図は本
発明の液相エピタキシ４図の成長装置で液相エピタキシ
ャル成長を行った場合の工程断面図である。 １：溶液収容体 ２ニスライダ ３；異状成長部分 ４：基板 ６：溶液
の成長装置で基板に液相エピタキシャル成長を行った状
態を示す図、第３図は従来の問題点を説明するために第
１図の人の部分を拡大して示し史断面図、＃Ｉ４図は本
発明の液相エピタキシ４図の成長装置で液相エピタキシ
ャル成長を行った場合の工程断面図である。 １：溶液収容体 ２ニスライダ ３；異状成長部分 ４：基板 ６：溶液
Claims (1)
- スライディングボートを用いた多層液相エピタキシャル
成長方法に於いて、結゛晶成長用溶液と結晶基板め接ｉ
する面積が第ｎ１１目よ）第ｎ −１番目を小とするこ
とを特徴とする液相工ルタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444681A JPS5816524A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444681A JPS5816524A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816524A true JPS5816524A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14637931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11444681A Pending JPS5816524A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445338U (ja) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 |
-
1981
- 1981-07-23 JP JP11444681A patent/JPS5816524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445338U (ja) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 |
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