JPS60111907A - 機械装置の角度位置検知装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は１機械装置の角度位置検知装置に関するもの
であって、該機械装置の構成部であるミラー、光源およ
び所定幅のスリットを通して該ミラーに照射させる手段
、感光性要素のアレイと電荷結合装置とを含み、該ミラ
ーによって反射されたスリットの像を受入れて、該機械
装置の角度位置をそれから導出させるように適合された
半導体受光器を含んでなる機械装置の角度位置検知装置
に関するものである。

回転軸の周囲を回転運動で駆動されるように適合された
機械装置の角度位置検知装置は既に知られている。

例えば、ポテンショメータ、増分コーダ、ディジタル絶
対値コーダ、容量性センサ、誘導性センサまたはレゾル
バが知られている。これら諸種のセンサは、いずれも５
回転軸ラインに対してより多くの慣性を付加させるとい
う不利益がある。そして、この慣性は、一般的には、正
確さと共に著るしく増大するものである。更に。

ポテンショメータは磨耗しやすく、スライド部分の摩擦
による抵抗トラックの磨耗をさけることはできない。容
量性センサは、極めて小さい角度的な動きに限定される
。

また、上述された形式の装置は、特に米国特許第％／コ
Ｉ’ｌｉＩ号からも知られている。

しかしながら、商用される電荷転送装置の動作について
考えると、許容されるミラーの最大角速度はこの検知技
術においては不充分なものであり、アレイのいくつかの
（ｎ個の）感光性要素が積分時間Δｔまたは電荷転送時
間の間に照射されることが頻繁に生起することになる。

更に、電荷転送装置のシフトレジスタまたはトランスフ
ァレジスタにおいては、その転送は常に同一の方向で行
なわれる。すなわち、配列Ｎから配列Ｎ−／　に至り、
以下同様にして、出力部に最も近い配列ｌに達するよう
にされる。

このようにして、シフトレジスタの出力部に詔いて検知
される初めての要素は、ミラーＭの動きに依存して、時
間Δｔの初めにおいて照射された要素か、または、この
時間の終りにおいて照射された要素かのいずれかである
。このミラーの動きはこの電荷転送に重ね合わされるも
のであることから、この転送はｎ個の照射された要素の
位置に依存して長かったり、または短かかったりするも
のであり、半導体受光器によって供給される計測による
結果は不確実なものになりがぢである。この位相おくれ
は１位置、速度およびミラーの運動方向につれて変動す
るものであることから、更に厄介なものである。

この発明は、これらの不利益を克服することを目的とし
ている。

このように、この発明は上述された形式の装置に関する
ものであり、以下の事項によって特徴づけられるもので
ある。ずなイっち、それには受光器によって供給される
計測の読出しを訂正するための手段が含まれ、該受光器
によって供給される２個のアドレスエおよびＪを記憶し
。

該受光器で規定された積分時間△ｔで分離された２個の
時点で照射される受光器の一個の要素。

および、記憶されたアドレスエおよびＪでアドレスする
ことができ、適正なパラメータの訂正をさせるためζこ
予備プログラムされているＲＯＭ（リード・オンリ・メ
モリ）に対応する手段をぎんでいるものである。

かくして、この発明の装置によれば、可動組立体の慣性
を著しく増大させることなく、秀れた正確性および直線
性が達成される。この発明は、磨耗を除去することを目
的としている。

この発明の更に別異の特徴は、添付図面と共に以下の説
明から明らかにされる。

第１ａ図に示されているものは、この発明による角度位
置検知装置の概略図である。ある機械装置Ｐがあって、
その角度位置を知りたいものとする。ミラーＭがこの機
械装置Ｐに対して固定的に配置されており、その動きを
写すようにされている。Ｓは白色光源または単色光源で
あって、スリットｌがこの光源の前方に配置されている
。その角度位置の検知が所望される機械装置Ｐは、スリ
ットｌからの透過光の経路内に配置されて、照射光を受
ける。機械装置Ｐによる反射光、より正確にはこの機械
装置Ｐによって支持されているミラーＭによる反射光は
。

受光装置コ上で集光される。この受光装置コとして好都
合に使用されるものは、感光要素アレイによって形成さ
れた半導体装置である。第１ｂ図に示されているものは
、この感光要素アレイの頂面図である。

感光性の検知装置は、当該技術分野においては既に知ら
れているものであり１例えば、電荷結合装置（ＣＩＣＤ
）が使用されている。このような検知装置は、半導体基
板、該基板上に形成された所定数ｎの検知表面または要
素、および。

その寸法が要素の数に依存し、掃引方向に配置されてい
るシフトレジスタから形成されており。

前記シフトレジスタは蓄積電荷を出力側に転送すること
ができるようにされている。光学的焦点装置１例えばレ
ンズは、感光要素アレイ上の光源スリットの像を結ぶた
めに使用される。こ＼で、スリットｌの幅がαであるも
のとする。

アレイは、その感光要素がαだけ離れるようにされて招
り、また、各要素の幅は２個の要素間のブラインド・ゾ
ーンより大きくされている。

スリットｌの幅はαに等しいことから：、単一の要素が
受光する（スリットの像がコイｉの要素の間に入るとき
には、隣接した２個の要素によるこさもある）。このよ
うにして、ミラー、ずなわち機械装置が固定されている
ときには、照射される要素の配列は、了内のミラーの位
置の指標にされる。光データに対応して各要素に蓄積さ
れた電荷は、規則的な時世インタバルΔｔでシフトレジ
スタに転送され、次いで、順次に出力部に送られて、電
圧に変換される。転送の時点において、半導体装置の全
要素によって表わされる状態を順次に読出すための出力
タイミングがｆ。であるものとすると、明らかに。

亙ｉΔｔが実現されねばならない。

このことは、以下の説明において、このようにされてい
るものとする。

したがって、照射された要素の配列は、照射された要素
を表わす電圧が出力部に現われるようにさせることを必
要とするシフト数をカウントすることによって知ること
ができる。このような計測の直線性は、アレイコを形成
する要素の数Ｎおよび中間位置に関して計測される最大
角’ｍａｘに依存している。アレイλにおける了のビー
ムの動きに対応する角度偏移ｄθの計算は、角度θ自体
、スリットの幅α、および、受光装置の熱点距離ｆの関
数として、第３ｂ図に示されているような次の関係によ
って表わされる。

ｔｇ　２ａｍａＸ　”　２　（ その直線性は次のように表わされる。

ｄθｍａｘ θ ａｘ すなわち。

ミラーの位置が知られる全体的な角度ゾーンは約９００
にわたるものであり、これはＦｊ’　以下のθｍａｘの
値に対応している。

しかしながら１機械装置Ｐ、したがってミラーＭが運動
しているときには、装置の位置間の相関、検知要素の中
の１個、および、その出力部から読出される電圧を、こ
のように簡単に設定することはできない。実際、半導体
受光装置ユによって許容される周波数ｆ０が高いもので
あるときには、積分時間Δを二号は充分短かいように選
択され１機械装置で生起する速度を考えに入れると、こ
の時間△ｔの間にｄｏｍａｘより大きい角度を通してビ
ームが動くことは不可能である。このような場合には、
動的操作は静的操作と同様に簡単なものである。そして
、ミラーのために許容される最大角速度は次のとおりで
ある。

不都合なことに、商用されている電荷転送回路の動作を
考えると、また、時間Δｔの間にミラーＭが動いている
ときにｎ個の要素が照射されることを考えると、この検
知技術は充分なものではない。

更に、電荷転送装置のジフトレジスフまたはトランスフ
ァレジスタにおいては、転送は同一−ノの方向に行われ
る。すなわち、配列Ｎから配列Ｎ−／に、以下同様にし
て、出力部に最も近い配列／に達するように転送される
。このために。

シフトレジスタの出力部において初めに検知された要素
は、ミラーＭの運動方向に依存して。

時間Δｔの初めに照射された要素、または、この時間の
終りに照射された要素のいずれかである。ミラーの運動
はこの電荷転送に重ね合わされているものであることか
ら、この転送はＮ個の照射された要素の位置に依存して
長かったり。

または短かかったりするものであり、半導体受光器によ
って支えられる計測は不確実な結果を生じ易いことにな
る。この位相おくれは、それがミラーの位置、速度およ
び運動方向につれて変動するものであることから、面倒
なものである。

この発明の目的は、このような欠点を克服することにあ
り、そのため、第二図に示されているような訂正装置が
提供される。

この訂正装置によれば、第１図における受光装置スのシ
フトレジスタからの出力（ｉ号が受入れられる。この訂
正装置に含まれている比較器３は、その一方の入力部で
スレッシュホールド制御信号を受入れ、また、その他方
の入力部でシフトレジスタからの出力信号を受入れて、
その出力部で、照射された要素のアドレスを表イつす信
号を電圧の形式で出力させる。比較器３からのこの信号
は、制御回路ｑの入力部に印加される。そして、この制
御回路ダは、ＲＡＭ５および乙に対して命令（ｏｒｄｅ
ｒ　）を送ると共に別異のＲＡＭ　７に対してもこれを
送る。ＲＡＭ　７には先行の計測工が記憶されており、
これに対し、ＲＡＭ　！および乙には最後に到来する計
測Ｊが記憶されている。こ＼に、計測Ｊはアレイλの最
後に照射された要素のアドレスであり、また。

計測工はアレイコの最後であるが１個の照射された要素
のアドレスである。

クロック信号発生器ｇは、レジスタに対する続出し信号
を受光装置コの入力部に供給し、また、並列ｇビットの
信号を供給することによりカウンタタを歩進させる。カ
ウンタタはダビット１．２グループの信号をＲＡＭ　ｊ
および乙の入力部に対して夫々に供給する。これらの信
号は、夫々に、上位アドレス・ビットおよび下位アドレ
ス・ビットを表わすものである。

ＲＡＭ　！；　、　Ａおよび７のアドレスの内容はＲＯ
Ｍ１０の入力部に印加される。したがって、このＲＯＭ
１０は、７２ビツトのアドレス・ビットを受入れ、訂正
された角度位置を表わすｇビットのデータ・ビットを出
力させる。より正確には、これらのｇビットはＤ／Ａ変
換器／／に印加されて、対応のアナログ信号が出力され
る。ＲＡＭ　７には、下位ダビットだけが記憶されてい
ることが注意される。実際１位置工と位置Ｊとの間を検
知する間は、アドレスの大幅な修正が行われることはな
く、そのために下位ビットを記憶していることで充分で
あり、また、その速度が充分に小さいものであることか
ら、Ｊを知り１才た。゛位置工の下位ダビットを知って
いれば、■およびＪを明瞭に知るととができる。

そして、検知の計測に対する全ての必要な訂正をするた
めには、予備プログラム・メモリであるＲＯＭ　／　０
で充分である。このＲＯＭ　／　０は。

例えば、工ｎｔｅ１社製造のメモリでありＫＰＲＯＭ２
７３コであってもよい。各計測の読出しに対して所望さ
れる主要な訂正の選択のためには、これで充分である。

速度の訂正、ペンシル状光ビームの焦点を合わせるため
の光学装置のしよう乱の訂正、および、正接効果による
非直線性の訂正については、好都合な問題である。この
明細書の終り（付録）において１本出願人により提案さ
れ、　ＦＯＲＴＲＡＮ形式で書かれた。　ＲＯＭｌ０の
ための好適形式のプログラムが記述されている。

速度の訂正に関する限りは、■およびＪの計測によって
適当な正確さが与えられる。実際。

時点１（、から時点ｔｏ十Δｔまで持続する光の積分の
ための時間を考えると、照射された要素の特徴を表わす
出力電圧は１時点ｔｏ十Δｔ　＋ｒ、で現われる。

照射された要素Ｊに対応するこの計測時間がｔｍである
ものとする。ｔｏ−Δｔからｔｏまでの。

先行する積分周期のためには、第１に照射された要素は
、計測時間ｔｏ”Ｇ　に対応する工番目のものであった
。Δｔが充分に短かくて、　１．）−ムｔ（ｌ！：ｔｏ
十△ｔとの間で速度が目立った変化をしないものである
ときには、■およびＪについての知識から、ミラーの正
確な位置は時点ｔｍにおいて知ることができる。実際、
時点ｔ。における角速度ＶＯは、　−個の位置工とＪと
の間に、ミラーＭに直交する光ビームの角度の関数とし
て１次のように表わされる。

θ（Ｊ）−〇（１） ｖＯ＝　−−； したがって、時間Δｔの間に照射される要素の数ｎはＩ
Ｊ−工１である。Ｊが工より小さいかこれに等しいとき
には、光ビ・−ムは出力部に近い要素に向って移動し、
このために１時点ｔ。

十Δｔ　において照射される要素はＪである。こ。

れに対して、Ｊが工より大きいときには１時点ｔｏ　に
おいて照射される要素はＪであり１時点ｔｏ＋△ｔにお
いて照射されるものはＪ＋ｌＪ−工１である。双方の場
合において、計測の時点ｔｍにおけるミラーの位置は次
のようにして評価される。

ミラーの速度に関する制限的な条件は１次いで、加速度
に関係する条件に代えられるが、これは実際にはその制
限ははるかにゆるやかなものである。実際、静的操作に
ついての確度を維持するためには、双方の場合において
、ムΔＶはｄθ、より小さくなければならないに＼に。

ΔＶは時間Δｔの間の角速度の変化）。最も不都合な場
合は、Ｎが検知要素の全数であるときに。

Ｊ＝Ｎであることに対応する場合、ずなわら次式のよう
な場合である。

半導体装置コの要素によって検知されうる最大角度θｍ
ａＸは、ｔａｎコθｍａｘ　＝−一　とされるも　ｆ のであり、こ＼に、ｆは第３ｂ図で示されているような
光学装置の焦点距離である。

一方、第３ａ図で示されているように、　ｄθはミラー
が回転する角度θの関数として表わされる。ミラーがθ
だけ回転するときには１反射ビームはλθだけ回転する
かり、−のビームのコ 動きに対応する半導体受光器コ上の角度ｄθは次式で表
わされる。

α　ｔａｎ　２０ｍａＸ とのｄθの式において、−は　、　で ｆ 置換され、ラジアンで次式のように表わされる。

ｄθはθに依存しており、θ＝０のときに最大であるこ
とが認められる。そして、次式がえられる。

ｄθは、””ｍａＸのときに最小であり、次式％式％ 角速度の変動に関係する条件は１次の式から引出される
。

そして、許容される力Ｗ速度に関して、制限な条件は次
の式から引出される。

または１次式にされる。

角度位置を検知するための、このような装置が構成され
た。Ｎ２２５６個の要素を含む半導体受光器コを用いて
、読出し周波数ｆ□　＝　／　ＯＭＨｚで、ミラーをそ
の中間位置の周囲でθ＝±１００を通して振動させるこ
とにより、１０！；　ラジアン／Ｓのオーダの速度およ
び！　７００θラジアン／　Ｂ　２のオーダの加速度と
いう満足な結果かえられた。

静的操作においてえられた直線性は次式によって表わさ
れる。

一方、動的操作においては、訂正は次のように必要であ
る。

ｔｇ　Ｊθｍａｘ Ｖｍａｘ”　、ｉ２　ｆ□＝λｇ　ｒａ／ｓこ＼で、ｉ
ｏｚラジアン／Ｓの速度に合致される。

同様にして、最大加速度γ。ａｘは０．９　Ｘ　／　ａ
ｌｌラジアン／　ｓ　”のオーダであるが、これはミラ
ーが追従されるＩＩ　’１０００ラジアン／ｓ２　より
相当に大きい。

この発明によってなされる訂正は、必要なものであり、
満足すべきものであることが明らかにされた。

実際には、、２Ｓｔ個の要素を有する受光器によると、
各計測サイクルにおいて照射される要素はＳビットのワ
ードによって検知される。２個の連続的な計測工および
Ｊの知識に基づく速度の訂正を適用するために、７６ビ
ツト・アドレスのメモリが必要とされる。このようなメ
モリはまだ存在しないことから、／コビット書アドレス
のメモリが用いられているが、先行のワードエの下位ダ
ビットのアドレス操作がなされるだけである。その速度
が、工の下位ダビットの知識をもって、メモリのプログ
ラムによって計算された所定の制限以下のものであると
きには、Ｊの全ビットを知ることにより、工の上位ビッ
トが確実に再構成される。こ＼に、工はこれらの上位ビ
ットを有する要素の数であり、要素Ｊに最も近いもので
ある。これはプログラムでなされる操作のひとつである
。このようにして導入された速度制限は、速度訂正がな
されないときに諜せられるものに比べて、はるかにゆる
やかな制限にされている。１６ビツト・アドレスのｌＰ
ＲＯＭが存在すれば、この制限は消滅する。

付碌：訂正プμグラム ｎｚ１１！Ｆ、ｒ＋５ｚｏｓ　ｘｃｏＦ（５）！ＩＹＴ
Ｅ　ｐ（４ｏ＋＋６）ｔＱ（４０９６）ＲＥＡＬｖｍＢ
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ＦＥＲＦＲＥＱＵＥＮＣＹ　？１、’Ｉｌｌ　ＭＩＩＺ
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　ＦＯ２０１ＷＲＩＴＥ　（７，２０２） ＲＥＡＩＩ　（７−、ＥＩＬＲ−２０１）　ＩＴｌＦ　
（ｌｉＴ、ＬＴ、２５（＋）　Ｇｏ　ＴＯ２０１３賛Ｒ
ＸτＥ　（７，２９） ２０　ＦＯＲＭＡＴ　（／ＩＸ、’ＷｌｔＡＴ　５ＴＩ
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Ｆ　ＴＩＩＥ　Ｐ、ＥＣＥＩＶＩｒｌＧｌ、’０１’Ｔ
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Ｆ　（ＮＬ）、１ｌＩ１．１）Ｇｏ　丁０５６　畦工藷
（７，５０） ５０　ＦＯＲ１４ＡＴ　（／ＬＸ、　’）ＩＩＬＡＴ　
ＡＲＥ　Ｔｌ（Ｅ　５　Ｃ０ＥＦＦＩＣＩＥＮＴＳ　Ｏ
Ｆ　ＴＩＬＥ　ＤＩＳＴＯＲＴＩＯＮｌ、’ＬＡ賢７１
′） ＤＯ８１１＝１，５ ８　に八〇　（７−、ＥＲＲ−６）　ＸＣ０Ｆ（１１）
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Ｉｓ　ＴＩＩＥ　ＷＡＶＩ！　ＩＪＮ（！ＴｌＩ　ＯＦ
　丁１１Ｅ　５ＯＵＲＣＩ！　１Ｎ！、’ＭＩＣＲＯ！
ｉｓ７：’、♀） ＲＥＡＤ　（７−、ＥＲＲ−７）　ＬＡｌ＋ＩＢＤＡｕ
ｉ＋−２，４４☆ＬＡＭＢＤＡ貴ＦＦ／ＡＬＰＩ込ＷＲ
ＩＴＥ　（７，７０）　ＤＰ、ＡＬＰｌｉＡ７０　ＦＯ
Ｒ）ｉＡＴ　（／ＬＸ、’ＴＨＩＥ　ＭＩＮＩＭＬＩＭ
　ＤｒｔＭＥｍｎ　ＯＦ　ＴＩＬＥ　ＰＵＰＩＬ　ｍ５
ｌｌ、ＦＢ、３１、’　５ｍ”、／ＬＸ、”　ＦＯＲＡ
　ＤＥＦＲＡＣｆｌＯＮ　５ＰＯＴ　ＯＦ　＋’、Ｆ５
．１．’　ＭＩＣＲＯＮＳ’）ＮＭＤ−ＮＤ−２ ＣＡＬＬ　ＤＩｓｔｏＲ（２５５，、ＡＡＫ、ｘｃＯＦ
、　ＮＭＤ、＾ＬＩ’ＨＡ、ＡＴ、ＦＦ）ＡＴ＞ＡＴ＾
５７．２９５７Ｂ！　ＡＴＤ−ＡＴ＊１８０．／ＰＩＷ
ＲＩＴＥ　（７，８０）　ＡＴＤ ｏｏ　ＦＯＲＭＡＴ　（／ＩＸ、’ＴＩＴＥ　ＴＯＴＡ
Ｌ　ＡＮＧＬＴＪ、ＭＥＡＳＵＲＥＤ　ＢＹ　ＴＩＬＥ
　５ＥＮＳＯＲＷＩＬＬ　ＩＣＥ　：’１、ＦＢ、３．
’　１）ＥＧＲＥＳ’）Ｖｌ−１ＡＸ−７，１６ＡＳＩ
Ｎ（ＡＴ）六ＦＯ／Ｃ０８（ＡＴ）１５１２．／ＦＬＯ
ΔＴ（ＮＴ）ＷＲＩＴＥ　（７，１１１）　ＶＩＩＡＸ
８１　１１０）ｔ）ＩＡＴ　（／ＬＸ、’　ＴＭ　ＳＩ
’ＥＥＤ　ＯＦ　ＴＩＬＥ　ＭＩＲＲＯＲ）ＩＵＳ’７
ＮＥＶＥＲＥＸＣＥｍＤ　＋’１、ＧｌＯ，３，’　Ｉ
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（ＡＴ）自Ｃ０３（ＡＴ）＊Ｆ０六ＦＯ／ＦＬＯＡＴ（
ＮＴ）負７６２９３９４．５３１賢ＲＩＴＥ　（７，９
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Ｄ　ＩＳ　＋’１、ＧｌＯ，３，’　ＲＡＤＩＡＮＳ／
５ＥＣＯＮＤ／＄ｎＣ０ａＳ’）２９９　１ＪＲＩＴＥ
　（７，３００）３００　ＦＯＩｕｉＡＴ　（／ｌｘ、
’　Ｄｏ　Ｙｏｕ　Ｄｕｇ工ｕ　Ｔｏ　Ｃ１ｌ八ＮＧＥ
　ＴＨＥ　ＰへＲへＭＥＴＥＰＳ　？’１、’　（１−
ＹＥ！ｉ、　０ｏｉｉＯ）　＋’ｓ９）旺ＡＤ　（７−
、Ｌ’Ｒ炉２９９）　ＮＮＣ１Ｆ　（ＮＮＣ，Ｅｌ）、
１）　Ｃｏ　ＴＯ２００ＩＰ　（ＮＮＣＪＩＥ、０）　
ＧＯＴＯ２９９３０１ＷＲＩＴＥ　（７，３０２） ３０２　ＦＯＩＬＩＩＡＴ　（／ＡＸ、’　ＤＯＹｏｕ
　ＤＥＳＩｆＬＥ　Ｔｏ　ＣＲＥＡＴＥ　ＴＩＩＥ　Ｆ
ＩＬＥ　？’１、’　（１−ＹＥ９．０−Ｎｏ）　！’
、！９）部＾Ｄ（７−、ＥＲＩｔ−３０１）ＮＦＩＩＦ
　（Ｉｆｆｌ、ＥＱ、０）　ＧＯＴＯ１０００ＸＩ’　
（ＮＦｌ、Ｎｇ、１　）　Ｇｏ　Ｔｏ　３０１ＤＯＩ工
１■０，１５ ＤＯＩ　Ｉ２−０．１５ ＤＯＬＤ叫０，１５ Ｎ−１ｆ＾２５６＋工２六１６＋Ｉ３＋１０−１３ ＬＤＫ−工２−ＩＯ ＩＦ　（ＬＤＫ、ＧＥ、８）　ＩＱ−１０＋１６１Ｆ　
（ＬＤＫ、Ｔ、Ｔ、−８）工０−１Ｏ−１６Ｉ−（ＩＩ
★１６）＋ＩＯ ”／Ｊ−Ｆｌ、０ＡＴ（Ｊ） ＣＡＬＬ　ｌｌｌ５ＴＯＲ（ＹＪ、ＴＥＴＡＯＪ、ＸＣ
０Ｆ、ｔｌＤ、ＡＬＰ）ＩＡ、＾Ｔ、ＩＩＦ）工Ｆ　（
ＬＬＩＫ、ＮＥ、Ｏ）　Ｇｏτ０１１ＣＡＬＬ　ＨＥＸ
Ａ　（ＴＥＴＡＯＪ、Ｐ（Ｎ）、Ｑ（ｌシ））ＧＯＴＯ
１ １１Ｙｌ−Ｆｌ、０ＡＴ（１） ＣＡＬＬ　ＤＩＳＴＯＲ（！１，７ＥＴＡＯＩ、ＸＣ０
Ｆ、ＮＬＩ、ＡＬＰＩＬＡ、ＡＴ、ｌ’ｌ’）ＣＯＲ−
ＹＪ＊（ＴＥＴＡＯＪ−ＴＫＴＡＯＩ）／ＦＬＯＡＴ（
ＮＹ）ＩＰ　（Ｌｌ）Ｋ、（、’Ｔ、Ｏ）　Ｇｏτ０１
２τＥＴＡ−τＥＴＡＯＪ＋Ｃ０Ｒ ｃＡｕ、　ａＸＡ（ｔｙ、ｔＡ、ｙ（＊）、ｑ（ｎ））
ＧＯτ０Ｘ １２　Ｙ−Ｆｌ、０ＡＴ（（２嚢Ｊ）−■）ＣＡＬＬ　
ＤＩＳＴＯＲ（Ｙ、ＴＪＥ：ｒＡｏ、ＸＣ０Ｆ、ＮＤ、
ＡＬＰＩＩＡ、ＡＴ、ＦＦ）τＥＴΔ−ＴＥＴＡＯ−Ｋ
ＯＲ ＣＡＬＬ　ｕＸＡ　（ＴＥｒＡ、Ｐ（Ｎ）、Ｑ（Ｎ））
ｌ　ＣＯ！ｒｒＩＮＩＪＥ Ｏ夏ｌＥＮ　（υＮｚＴ−１．ＮＡＭＥ−’ＤＸＯ＋Ｐ
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Ｊ’）叩２工１−１．６４ １２−（６４会（１１−１）＋１ １３−６４肯工１ ＩＪＩＩＩＴＥ　（１，１１）　（Ｐ（Ｎ）、Ｑ（Ｎ）
、Ｎ−Ｉ２．Ｉ３）２　Ｃ０ＮＴＩＮＬｌｒ： ＣＬＯＳＥ　（ＵＮＩＴ−１） １０００　ＣＡＬＬ　ＥＸＩＴ ｌ：１ｌＤ ＳＵＩＩＲＯＵＴＩ）Ｊ：　ＤＩＳＴＯＲ（Ｙ、ＴＥＴ
Ａ、ＸＣ０Ｆ、ＮＤ、ＡＬＰＨ＾、ＡＴ、ＦＦ）Ｄ’Ｌ
ｋＩｎＮＢＸＯＮ　ＸＣ０Ｆ　（５）ＹＡｍ（Ｙ−１２
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Ｑ、０）、ＱＲ，（ＮＤＪＱ、−２））　Ｇｏ　Ｔｏ　
２Ｙ８曽Ｙ４会Ｙ４ ＤＹ−ＸＣＯＦ（１）＋（ＸＣＯＦ（２）六Ｙ２）＋（
ＸＣＯＦ（３）会Ｙ４）−）（ＸＣＯＦ（４）”Ｙ６）
１＋（ＸＣＯＦ（５）六Ｙ８） ＹＯ−ＹＡ／　（１、＋ＩＪＹ） ＧＯＴＯ４ ２ＹＯ−ＹＡ ４１神ＹＩＪ／ＦＦ ’ｒ１：ＴＡ−ＡＴＡＮ（Ｒ） ＩＦ　（ＮＤ、ＬＴ、０）　Ｇｏ　Ｔｏ　３ＩＦ　（Ｔ
ＥＴＡ、ＬＴ、−ＡＴ）τＥＴＡ−−ΔＴＩＦ　（ＴＥ
ＴＡ、ＧＴ、ＡＴ）　ＴＥＴＡ−ＡＴＴＥＴＡ−（ＴＥ
ＴＡ＊１２７　、５／ＡＴ）＋１２７　、５１　旺ＴＵ
Ｐ、Ｎ ３　ＡＴ−ＴＥＴＡ Ｇｏ　Ｔｏ　Ｉ Ｅｌの ５ＬＩＢＲＯ１ｌＴＩＮＥ　ＩＩＥＸＡ　（ＴＥＴＡ、
Ｐ、Ｑ）１１ＹＴＥ　Ｐ、Ｑ 工Ａ−ＩＮＴ（ＴＥＴＡ） 工Ｆ　（ＩＡ、ＧＴ、２５５）　ＩＡ胃２５５工Ｆ　（
ＩＡ、ＬＴ、０）　ＩＡ−Ｏ −０ １Ｐ−工ＮＴ（（ｒＬＯＡＴ（ＩＡ）／ｘ６．）＋１．
１−３）Ｉ（１−ＩＡ−（ＩＰ会１６） Ｎ−ＩＰ＋１ １　Ｇｏ　’ｒＯ（２，３，４，５，６，７，８，９，
１０，１１，１２，１３，１，４，１５，１６，１７）
、Ｎ２　ｌｌ−４１３ ＧＯＴｏ　１８ ３　ｌｌ−４９ ＧＯＴＯｌｌ３ ４　Ｈ−５０ Ｇｏ　Ｔｏ　１ｆｌ１ ５　１ｌ−５１ Ｇｏ　Ｔｏ　１８ ６　Ｈ−５２ Ｇｏ　Ｔｏ　１Ｂ ７　Ｈイ５３ Ｇｏ　Ｔｏ　１８ ８　１］＝５４ ＧＯＴｏ　１Ｂ ９　ｌζ５５ ｃｏ　ＴＯ１８ １０ＩＩ鯉５６ ＧＯＴｏ　１８ １１　■−５７ ＧＯＴＯ１８ １２１１＝６５ Ｇｏ　Ｔｏ　１８ １３　Ｈ１Ｉ＋６６ ｃｏ　Ｔｏ　１Ｂ １４　）ｔ−６７ ＧＯＴｏ　１８ １５　Ｈ曜６８ ＧＯＴｏ　１８ １６　１ｌ−６９ ＧＯＴｏ　１８ １７　Ｈ四７０ １８　ＩＦ　（Ｋ、ＥＱ、Ｌ）　ＧＯＴＯ１９に−１ Ｐ団１１ ｊ沖１叶Ｉ ＧＯＴＯ１ １９Ｑｌｌ（ ＥＴＵＲＮ ＥＮＩ］

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は、この発明による検知装置の概略図、第１ｂ
図は、第１ａ図における装置の受信器の頂面図、第２図
は第１図の装置によって収集されたデータの処理装置の
ブロック図、第３ａ図は、第１ｂ図における受信器に対
して光ビームが感動したときの角度偏移ｄθの例示図、
第３ｂ図は、第７ｂ図における受信器によって検知され
うる光ビームによって掃引される最大角度の例示図であ
る。 コ・、・受光装置、３・・比較器、ダ・・制御回路、５
６７・・ＲＡＭ、Ｉｉ’・・クロック信号発生器、ヂ・
・カウンタ、／θ・・Ｒｏｚａ（リード・オンリ・メモ
リ）、ｌｌ・・入変換器。 特許出願人代理人　曽　我　道　照：′”　””ｌ’ｔ
第１頁の続き ０発　明　者　ジャック・ジャン・ロ ノイ フランス国、　７５６４５　パリ・セデツクス　１ふ　
リュー・デュ・ジャプロ　２７

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　機械装置の角度位置検知装置であって、該機械装置
   の構成部であるミラー、光源および所定幅のスリットを
   通して該ミラーを照射するための手段、感光性要素アレ
   イと電荷結合装置とを含み、該ミラーによって反射され
   たスリットの像を受入れて、それから該機械装置の角度
   位置を導出するように適合された半導体を含んでおり、
   該受光器によって供給された計測の読出しの訂正手段、
   該受光器によって供給された２個のアドレスエおよびＪ
   を記憶し、該受光器によって規定された積分時間Δｔζ
   こよって分離されたコ個の時点において照射される該受
   光器の２個の要素に対応するようにされた手段、および
   、該記憶されたアドレスエおよびＪによってアドレスす
   ることができ、適正なパラメータに対して訂正をさせる
   ように予備プログラムがなされているリード・オンリ・
   メモリを含んでいることを特徴とする機械装置の角度位
   置検知装置。 ユ　該受光器の感光性要素は前記スリットの幅に依存す
   る距離によって分離されていること、２　該リード・オ
   ンリ拳メモリは装置の光学的手段によって導入されるじ
   よう乱をやわらげるように適合されていることを特徴と
   する特許請求の範囲８１項または第一項の中のいずれか
   １項に記載の機械装置の角度位置検知装置。 侶　該リード・オンリ・メモリは前記受光器によって許
   容される最大角速度制限をやわらげるように適合されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
   項の中のいずれか１項ｌこ記載の機械装置の角度位置検
   知装置。 ぶ　該リード・オンリ・メモリは、正接効果による計測
   の非直線性をやわらげるように適合されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項の中のいず
   れか１項に記載の機械装置の角度位置検知装置。 ム　前記アドレスは５個の２進要素によってコード化さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲Ｍ１項ないし
   第５項の中のいずれか１項に記載の機械装置の角度位置
   検知装置。 ２　第７の計測のアドレスは下位弘ビットによって記憶
   され、第コおよび最後の計測のアドレスはそのｇビット
   によって記憶されることを特徴とする特許請求の範囲第
   ６項記載の機械装置の角度位置検知装置。