JPS60111240A - ポリノルボルネンネガ型フオトレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特に、所望によシ無極性基で置換された、テト
ラシクロドデセン（ｒＴＤＪ　）のような開環した四環
式のノルボルネン（ｒＮＢＪ　）が優位を占めるフィル
ム形成性光増感（ｒＰｓＪ　）ポリマー組成物から誘か
れたネガ型フォトレジストを指向する（今後「ポリノル
デルネン」という語を用いる）。

フォトレジストは、ＩＣの製造における特に重要な基準
、すなわち高性能のための高解像度を満たすものである
。

レジストは、基材上にコートされ、ノ母ターンマスクを
通して輻射線に暴露される輻射線に対して感受性のある
材料であシ、この暴露は暴露部分と暴露されていない部
分との間に異なった溶解性を生せしめ、これが溶剤現像
後、基材上に残されるレジストの薄いパターンとしてマ
スクの像を再生する。ＰＳポリマー組成物から形成され
たネガ型フォトレジストにおいて、暴露された部分は光
架橋し、一方暴露されていない部分は、光架橋しない。

レジストでカバーされた基材のその次の処理（例えば、
エツチング、ドーピング、イオンミリング等）は、開放
部分のみに影響を与え、一方パターンによって保護され
た部分は、処理されないまま残シ、それによシレジスト
の除去後、基材は処理された部分と処理されていない部
分を有する。

このＰＳポリマー組成物の薄いフィルムが、ライン及び
スペースのパターンを形成するために、コンタクト方式
で約２２０〜４５０　ｎｍの波長を有する紫外線（ｒｕ
−ｖＪ線）に暴露される時、パターンの解像度は約１μ
〜約２μの範囲にあシ、好ましくはフィルムの厚さが暴
露される前に１μの場合には、１μもしくはそれよシ良
好である。

組成物の光増感度が帰し得られるニトレン基を与えるた
めに、ビス−アジド架橋剤と反応することができる二重
結合（ここでは「アジド−反応性二重結合」という）を
含む多数めコポリマーが知られている。

アジド−反応性二重結合を含むそのようなポリマーの中
ニは、ノルボルネン（簡単化のためｒＮＢＪ）の開環ポ
リマー及びその誘導体がある。特に開環したＮＢ誘導体
のｐｓ組成物は、米国特許第第４１０６９４３号（’９
４３特許）において開示されている。ネガ型フォトレジ
スト用に用いられている先行技術の１，３−ジオレフィ
ンと同じ様に、開環ＮＢポリマーもまたオレフィン系の
不飽和を有する炭化水素であシ、一般にｐｓ組成物にお
けるように、それらが炭化水素主鎖に帰し得られる特別
の物理的及び化学的性質を有することは、もしそれらが
打ち勝つことができるならば、本質的なことである。主
鎖の構造において僅かな相異があるように思われること
は、性質において極めて大きな相異があることになる。

目下、ポリマー主鎖の構造におけるどんな変化が特定の
フォトレジスト性になるかを人が予言した真に迫ったも
しくは確かな方法はない。それ故に、適当なｐｓ組成物
の７オトレジスト性が、繰返し単位の特定の立体配置の
タイプに関して、研究され、生成されたポリマーにおけ
る結合形成のタイプは、十分に確立されている。

１９４３特許は開環ポリマーがいかに製造されるかにつ
いての例１における記載を含むけれども、本発明者は教
示されたように製造されるメチル−５−ノルがルネンー
２−カルボキシレートを得ることはできなかった。この
カルがキシレートポリマー及び極性置換基で置換された
ノルがルネンの他のポリマーを製造することができるけ
れども、そのようなポリマーに基づく感光性組成物は、
１μ厚のフィルムが２２０〜４５０　ｎｍの範囲にある
ｕ−ｖ線に暴露される時、１〜２μの範囲の解像度を与
えない。

さらに、製造されたこのカルボキシレートポリ→−は、
実質的な脂肪族炭化水素溶剤に不溶であシ、さらに特に
それはストッダード溶剤に本質的に不溶であシ、それ故
にＰＳフィルム上に像を形成するための輻射線への暴露
（「像状暴露」）の後、その中で現像ができない。「゛
実質的な脂肪族炭化水素溶剤」とは、１７７℃以上で少
なくとも５０チ、１９０℃以上で少なくとも９０チ沸騰
し、そして２１０℃よシも高くないエンドＩインドの精
製ナフサであるスト、ダート溶剤のような石油蒸留物と
して得られる脂肪族溶剤を意味する（Ｕ、Ｓ。

Ｂｕｒｅａｕ　ｏｆ　５ｔａｎｄａｒｄｓ及びＡＳＴＭ
　Ｄ−４８４−５２参照Ｉ典型的には、スト、ダート溶
剤は１０重量−以下、通常は５重量％よシ少ない芳香族
溶剤を含む。

「可溶性」という語は、未架橋ｐｓポリマー組成物のダ
ルのない溶液を形成する可能性を意味する（すなわち本
質的に１００％のポリマーが溶解される）。「現像可能
な」という語は、架橋ポリマーに実質的に影響を与えず
に、すなわち外形の膨潤劣化の形跡を与えずに、未架橋
ポリマーを選択的に溶解する現像液（「溶剤」）の能力
を意味する。それ故に、フィルムがキャストされる溶液
を形成する溶剤の要件が現像剤の要件とは異なるべきで
あることは、絶対的なことである。

典型的には、流延用溶剤は、約り１０℃〜約１４０℃の
範囲の沸点（ｂ　ｐｔ）を有すべきである。

前記よシもよシ低いｂ　ｐｔは、気泡の形成もしくはフ
ィルム上への大気水分の凝縮につながる。というのはフ
ィルムは周囲の部屋の状態下で基材上に高速度回転によ
って付着されるからである。前記よシもよシ高〜・ｂ　
ｐｔは、フィルム中の残留溶剤につながυ、フィルムを
軟化し、解像度を傷つけ、コンタクト方式でさらされた
時、マスクにおける欠点に潜在的につながる。現像剤の
要件は、現像剤が架橋されたフィルムを実質的に膨潤せ
ずに、未架橋のフィルムなゆりくシ溶解することでアシ
。

従って流延用溶剤に対する前記範囲のものよシもよシ高
いｂ　ｐｔの溶剤が好ましい。絶対的に、有機溶剤もし
くは水における溶解性の高いＰＳ組成物は、感受性及び
安定性にお〜・ては優れているけれども、やはシネ十分
な解像度、典型的には約３μ〜約６μ、を有するであろ
う。

満足なネカ屋フォトレジスト組成物に対する必須の基準
は、フィルムが付着される基剤に対する適当な接着力及
び適当なフォトレジスト溶液安定性である。接着力はそ
の次のエレチングの間、フィルムを基材に固定するだけ
十分なものでなければならないことは明白なことである
。また、°９４３特許のフィルムは、現像の時に強＼・
ショックによってさえもはげて落ちたシもしくは引きは
がされたシしないため、高い解像度がそのようなフィル
ムに帰着する。明らかに、解像度はフィルムの接着力に
は無関係である。もしフィルムが加工の間、はげて落ち
るならば、解像度の測定はできなく、もしはげて落ちな
ければ、解像度は不十分かもしくは優れたものであるか
も知れない。しかしこれはそのような付着性が強かろう
と弱かろうといずれにせよ、フィルムが基材に付着する
からではない。

ポリマー組成物の光増感性は、それと共に得られる解像
度には無関係である。優れた光増感性を有するポリマー
は、光架橋されて後、像の現像の間、容易に膨潤して、
装置の高密度を有する集積回路に対して不満足な低解像
度が結果として得られる。感受性、よシ正確には感光速
度は実現することができる解像度ではないが、前もって
選ばれた強度の紫外線で像を生じるのに必要とされる暴
露の長さを決定する。１０〜３０　ｍ　Ｊｏｕｌｅ／ｃ
ｒｎの典型的な暴露エネルギーは、環化ポリイソプレン
（例えば、Ｋｏｄａｋ　７４７＋　ＷａｙａｏａＬ　Ｉ
Ｃ）を基礎にするもののような相対的に感受性のあるフ
ィルムに対する特性値である；相対的により小さい感受
性のフィルムに対する時間を２倍にしたシ又は３倍にす
ることは、もし現像後フィルムがよシ高い解像度を与え
るならば、必らずしも不利益なことではない。

限界１μの解像度を与えるために膨潤がないという要件
が、そのように厳しいので、′９４３の組成物を基礎と
するいかなる単一のフォトレジストもこの要件を満たす
であろうという指摘がないということは明らかである。

コンタクト方−Ｋに対して規定されたような光学系の理
論的解像度は、フィルムが暴露される輻射線の波長及び
フィルムの厚さの関数であることが知られている。波長
は約２２０〜４５０　ｎｍの紫外線の範囲で前もって選
ばれ８゜最小のフィルム厚は、ピンホールを避けるため
に約０．７μであるので、最良の理論的解像度は、波長
に依存して、約０．４μ〜約０．６μの範囲に存在する
。

商業的なネガ型フォトレジストは、コンタクト・方式Ｉ
：で暴露された１μ厚のフィルムにおいて、約２．５μ
〜約３．０μの範囲の解像度を有する。この相対的に不
十分な解像度は、光架橋された組成物の膨潤によるもの
である。集積回路が同じ大きさのチップ上に大多数の装
置を組込むために小型化される時、フォトレジスト組成
物の解像度は重要になってくる。

これまでに得られていない極めて高解像度のネガ型フォ
トレジストを形成するＮＢポリマーの結果としての有効
性が、所望によシ多環式ノルボルネン（今後「ポリＮＢ
Ｊ）ポリマーにおける少ない方のもう一つのＮＢモノマ
ーと共に、多い方の（大部分の）モル量の開環した未置
換かもしくは無極性基で置換された四環式ＮＢの存在す
ることの必要性に対して断言できたという教示は先行技
術のいずれにもない。「高解像度」とい５語は、１μ〜
２μ、よシ好ましくは約１μの解像度を意味する。「も
う一つのＮＢ七ツマ−」という語は、４個よシ少ない融
合環を有するＮＢを意味し、このＮＢはアルキルノル？
ルネン、シクロアルキルノルボルネン、フェニルノル？
ルネン（ｒＰＮＢＪ）等のような脂環式もしくは環式（
スビ０）置換基を有してもよい開環された（ビシクｌ１
ｆｆ（２，２−１）−ヘア’トー２−エン）スなわち「
ノルデルネン」ヲ含む繰シ返し単位：又は置換されても
よい開環されたジシクロペンタジェン（ｒＤＣＰＤＪ）
を含む繰シ返し単位を与える。

これまでに記述されたポリＮＢポリマーの特定の構造を
有する未架橋のＮＢポリマーが、１５０℃以上のＴｇを
有するといういかなる示唆もまたない。

この温度以上のＴｇは、たまたまもしポリマーでキャス
トされた暴露ｐｓフィルムが実質的に脂肪族炭化水素溶
剤において現像可能ならば、解像度に関して所望の重要
な性能を生じる。高い性能のネガ型レゾストは、当業者
において長く後を追って探求されてきた（Ｅｌｌｉｏｔ
ｔ、Ｄａｖｉｄ　Ｊ、によるソリッドステート技術、１
９８３年７月、９．１３９参照）。

エチレンの製造から容易に入手可能な副産物である、シ
クロペンタジェンは、ＮＢモノマーの先駆物質であるが
、しかし、これらのモノマーはポリイソゾレンを基礎に
したＰＳ組成物に比較して相対的に不十分な解像度と高
価であることのため。

ＮＢポリマーからの７オトレジストの形成において適用
が限定されるに止まる。

ＮＢ及び置換されたＮＢは、シクロペンタジェン（ｒＣ
ＰＤＪ　）もしくはＤＣＰＤと１−オレフィン、２−オ
レフィン、３−オレフィン及ヒシクロペンテンを含む選
ばれた環式もしくは脂環式オレフィンとのディールス−
アルダ−反応によって製造されてよい。米国特許第３０
７４９１８号は、ＤＣＦＤ　、　ジヒドロＤＣＰＤ、Ｎ
Ｂもしくは置換されたＮＢのような、少なくとも１個の
置換されていない環二重結合及び各環においてせいぜい
１個の二重結合を有する環式オレフィンの重合を教示し
ている。米国特許第３５４６１８３号は、構造式におい
て、アルキル−５−ビシクロ（２，２，１）−ヘプト−
２−エンもしくはアルコキシ−５−ビシクロ（２，２，
１）へｆ）−２−エンの単位を有する、エラストマーポ
リマーもしくはエラストマー組成物に対して基礎材料と
して使用され得る／　ＩＪママ−記載している。米国特
許第４１７８４２４号は、環置換基を有してもよい融合
環モノマーであるテトラシクロドｙ”　セｙ　（ｒＴＤ
　Ｊ）　トＤＣＰＤとのコポリマーの製造を記載し、ま
たスピロ及び他の置換基を有してもよい置換された単環
式ＮＨについても記載している。

ＮＢもしくは置換されていないＮＢモノマーの開環に基
づく前記及び他の重合において、１−ヘキセンのよりな
α−オレフィンは分子量調節剤として使用され、α−オ
レフィンは連鎖停止剤として機能する。ＮＢタイプのポ
リマーを開示している他の米国特許は、米国特許第２７
２１１８９号、第２８３１０３７号、第２９３２６３０
号、第３３３０８１５号、第３３６７９２４号、第３４
６７６３３号、第３８３６５９３号、第３８７９３４３
号、第４０２００２１号、及び第４１３６２４鱈を含む
。

問題点を解決するための手段 本発明者らは、光増感（ｒｐｓＪ）　した多環式ノルボ
ルネン（今後は「ポリＮＢＪ）ポリマーの種類から誘導
された比較的少数のネガ型フォトレジストのみが、コン
タクト方式において、約１μ〜約２μ、好ましくは１μ
もしくはそれよシ良好な範囲の臨界的な解像度であって
、高密度の装置を有する集積回路の製造において非常に
望ましい解像度を与えることができることを見い出した
。ポリＮＢポリマーはそれらが多い方のモル量の開環さ
れた未置換のもしくは無極性基で置換された四環式ＮＢ
モノマー及びたとえあるとしても少ない方の量のもう一
つのＮＢモノマーを含むことを特徴としている。そのよ
うな開環されたポリＮＢポリマーは、それらが光架橋さ
れる前には、１５０℃より高いＴｇを有する。さらに、
像状暴露後、ｐｓポリマーは現像された画像特徴上の垂
直壁及びその壁に沿った定常波の存在によって明示され
るように、本質的に架橋ポリマーを膨潤せずに、ストッ
ダード溶剤において現像可能である。なおこの定常波は
、もし基材が反射するものであるならば、基材に対して
平行である。

光不溶化は、光架橋可能な（ｒＰＣＪ　）組成物が基材
上にコートされ、光に暴露される時、ポＩＪ　Ｎ　Ｂポ
リマーとビス−アジドとの反応によって行なわれる。暴
露されていないポリマーは、スト、ダート溶剤で洗浄さ
れ、残る暴露されたポリマーは好ましくは溶剤の痕跡を
除くためにベーキングされ、基材に対する接着性を改良
する。最も好ましい基材は、半導体装置を製造するのに
使用されるようなシリコンウェファ−である。

ポリＮＢ／リマーは構造式 ％式％（ 〔式中、ｍ　＋　ｑ　＝　ｌで、ｑは０であってもよく
；ｑは０．５よシも小さく、好ましくは０．２よシも小
さく；ｍは０．５よシも大きく、好ましくは０．８よシ
も大きく；ｎは約１０〜約１００００の範囲の数であシ
；Ｍは式 を有する開環されたモノマーを表わし、Ｑは式 を有する開環されたモノマーを表わす （ここで、Ｒ１及びＲ２は、Ｒ１及びＲ２に対する炭素
原子の合計数が２０よシも大きくないという条件で、そ
れぞれ独立に水素、１個〜約１０個の炭素原子を有する
アルキルもしくはアルキレンであるか；又は Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立にフェニルもしくはす７
チルであるか：又は Ｒ及びＲは、５個〜１０個の環の炭素原子を有するシク
ロアルキルもしくはシクロアルキレンを形成するために
結合されてもよく、このシクロアルキルモジくはシクロ
アルキレンのいずれかは、ベンゾ−もしくはナフト−置
換基を有してもよい。＼〕によって表わすことができる
。

アリールビス−アシドは、一般に使用されておシ、構造
式 （ここで、ｎ′は１〜５の範囲の整数であシ；Ｘ及びＹ
は水素、１個〜約２０個の炭素原子を肴するアルキルで
あってもよく、又はＸ及びＹは５個〜約８個の炭素原子
を有するオキソ−シクロアルキルを形成するために、所
望にょシ のような環置換基と結合されて本よい。）から選ばれた
基を表わす。〕 によって表わされるような通常のビスアジドであってよ
い。

従って本発明の一般の目的は、四環式ＮＢのホモポリマ
ーもしくはコポリマー；又は四環式ＮＢともう一つのＮ
Ｂとのコポリマー（そのいずれかは無極性基で置換され
ていてもよい）とアリールビス−アジドとから本質的に
なるｐｓ組成物（この組成物の適当な溶剤中の溶液は、
基材もしくは基材要素上にコートされ、予定された部分
の組成物が光に暴露される前に乾燥される）から誘導さ
れたネガ型フォトレジストを与えることである。

本発明の特定の目的は、前記ポリマー組成物から誘導さ
れた約０．７５μ〜約１．２５μの範囲の厚さを有する
高解像度ネガ型フォトレジストであって、このフィルム
がｕ−ｙ線によって光架橋される時、１０重量％以下の
キシレン、トルエン等のような芳香族溶剤を含むストッ
ダード溶剤に本質的に不溶性になシ、一方この溶剤は未
架橋ポリマーを溶解するようなフォトレジストでコート
されたシリコンウェファ−な与えることである。

また本発明の特定の目的は、Ｔｇが１５０℃以上〜約２
５０℃の範囲内に落ち着くように、ＴＤ／置換ＴＤと４
個以下の融合環を有するもう一つのＮＢとの共重合によ
って製造されることができるポリＮＢポリマーのＰＳ組
成物から誘導されたネガ型フォトレジストを与える仁と
である。

本発明のもう一つの特定の目的は、アリールビス−アジ
ドで光架橋後、スペースを分離する光架橋されたポリマ
ーのライン上の本質的に垂直な壁及びこの壁土の定常波
によって明示されるように、実質的に脂肪族の炭化水素
溶剤の吸収による膨潤が本質的にないｐｓ組成物から誘
導された高解像度、高性能ネガ型フォトレジスト′を与
えることである。

以下余白 作用 変化する鎖長及び環式性を有するいろいろな種類の開環
された多項式ノルボルネンポリマー（以後「ＩすＮＢポ
リマー」）を、適当な波長の適当な強度の光を用い、ｐ
ｓ組成物を適当な時間の間、光に暴露させることによっ
て、アリールビス−アジド光架橋剤（「増感剤」）で架
橋することができる。高解像度ネガ型フォトレジストを
与えるためのｐｓ組成物の効果は、少なくとも４個の融
合環を有する多い方のモル量の多項式ＮＢのポ！ＪＮＢ
Ｋおける無くてはならぬ存在に基すいている。この基準
は、高解像度が決定的に依存している有効で変りやすい
結果であるとは認められなくて、満足な薄いフィルムの
実際の限度は、２２０〜４５０ｎｍの範囲のｕ−ｙ線に
暴露されたｐｓ組成物に対して０．７５μであることを
認めている。

有用な光架橋可能な（ｒＰｃＪ）ポリＮＢポリマーの重
量平均分子量（グル透過クロマトグラフィーによシ測定
）は、約２５０００〜約２０００００．よシ好ましくは
約５００００〜約５ｏｏｏｏの範囲にわたっている。分
子量分布、すなわち重量平均分子量と数平均分子量との
比は、１．５〜約１０の広範囲、よシ好ましくは１．５
〜約４の範囲内にある。

ポＩＪＮＢポリマーと増感剤との相対比は、条件指図と
して変化してもよいが、乾燥したＰＳ組成物における増
感剤の比ｊ主、典型的には約１重量−〜約１０重量％の
ポＩＪ　ＮＢポリマーの範囲内にあｐ１好ましい範囲は
約３重量−〜約７重量％である。

増感剤の特定の濃度は、一般に広範囲にわたって変化し
てもよいが、しかし通常は使用される特定の増感剤、望
まれもしくは要求される２８層の厚さ、及び光不溶化層
の特定の最終用途に依存しよう。増感剤の含有量は、Ｐ
ＮＢポリマーに基ずくように指示されているけれども、
その配合は溶液自身に基づくものであってもよ〈ζその
ような環境では、これは約０．１重量％〜約２重量％の
一般的範囲、よシ好ましくは約０．３重量％〜約１．４
重量−の範囲内にあろう。それぞれ個々の場合に、最適
濃度は描業者によく知られた技術によって決定すること
ができる。

使用において、フィルム形成性ＰＳ組成物は、フォトレ
ジスト要素に対して通常使用される適当な基材上にポリ
マーをコートするために、当業者において一般に使用さ
れている適当な溶剤中の溶液として適用される。典型的
な溶剤は、ストッダード溶剤、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、クロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族化合
物、テトラヒドロフラン、デカリン及びそれらの混合物
、並びにＰＣｙＪｆ　！Ｊママ−得られる所望の解像度
に有害な影響を与えずに望ましく有効な現像剤を与える
ような他の溶剤を含む。

一般に、以前に記述された基準を満足するいかなる不活
性な溶剤も、その単独の機能を考慮して、基材要素上に
所望の約１μ厚の乾燥フィルムを得るようにＰＳ組成物
をコートするための単なるビヒクルとして使用すること
ができ、溶剤の選択は上に列挙されたものを含んでよい
。組成物の固形分含有量は、ただ基材要素上に所望のフ
ィルムの厚さを与えるのに十分なだけを必要とし、この
厚さは典型的には約０．７５μ〜約２μの範囲であって
よく、レジスト溶液巾約７５μ〜約２μ重量％の固形分
含有量がそのような厚さを与える。

最良の方式において、レジストは浸漬、噴霧、スピンコ
ード等を含むことができるフォトレジスト技術において
使用される通常の方法のいずれによってもシリコンウェ
ファ−上にコートされたフィルムから誘かれる。適用後
、コーチングからの溶剤を例えば蒸発によって飛ばし、
ウェファ−上にＰＳ組成物の薄い固体コーチングを残す
。例えば、ウェファ−を低温、例えば約５ｏ０ｃ〜約１
１０℃で、短時間の間、例えば約１０分〜約６０分、「
ン。

フトペーク」（最初のベーク）を行なって残留する溶剤
を蒸発させてもよい。典型的な基材は、表面が酸化され
るか又は窒化珪素、ガラス、紙、樹脂、含浸もしくは強
化された紙、゛固体の樹脂状シート、アルミニウム、亜
鉛、マグネシウム、銅、等のような金属シート等の層を
含むシリコンウェファ−のよりなｐｓ組成物が接着する
種々の通常の基材のいずれをも含む。

ＰＳ組成物の乾燥フィルムでコートされた基材は、次い
で所望の最終的なパターンに対応する前もって決められ
たツヤターンでｕ−ｖ線（２２０〜４５０ｎｍ）に暴露
される。一般にそのような暴露は、適当なマスク、ネガ
、ステンシル、型板等によって行なわれ、それらの暴露
部分においてコーチングの光不溶化を引き起す。１μ厚
のフィルムで１μ〜２μの範囲の所望の解像度を得るた
めに・コンタクト方式でマスクの「プリント」を行なう
ことが最も好ましい。しかしながら、最大の解像度が特
に重要でない場合には、近接もしくは投影プリントがま
た使用されてもよいということは明白であろう。次いで
暴露されたコーテングは、それをストッダード溶剤の中
で処理し、暴露されていないポリマーを溶解し洗浄する
こと姉よって現像することができ、光不溶化が引き起さ
れる暴露部分に対応する所望のレジスト画像（パターン
）を残し、最適な解像度を与える。

ｙＪ？！ｊＮＢポリマーの架橋による光不溶化は、２２
０〜４５０　ｎｍの範囲の十分な量（強度）の輻射線を
供給する限）、いかなる線源からの化学線及びいがなる
タイプの化学線の線源にも均質に混合されたポリマー及
び増感剤を暴露させることによって行危うことができ、
組成物の所望の不溶化を引き起すことができる。典型的
な朋射源は、商業的に入手可能であシ、カーざンアーク
、水銀灯等を含む。理解されるよう釦、増感剤の効果は
実質的な脂肪族炭化水素溶剤に関してｐｓ組成物を不溶
化することであシ、さもないとｐｃ線の不満足な膨潤が
起シ、得ようと努められた解像度を低下させること忙な
ろう。

そのように得られたレジストは、好ましくは架橋及び暴
露された部分におけるＰＣポリマーのシリコンウェファ
−に対する接着力を高めるためＶＣｌつもしくはそれ以
上の工程で加熱される。例えば、第二のベークにおいて
は、コーチ′ング及びウェファ−は、好ましくは、使用
される特定のポリマーに依存して、約り５０℃〜約２５
０℃で０．２５　ｈｒ〜約２ｈｒの範囲にわたるポリマ
ーのＴｇ付近もしくはそれ以上の温度で、しかしながら
シリコンウェファ−に対して有害な温度以下で、適当な
時間の間、ベークされる。

本発明のネガ型フォトレジストは、シリコンウェファ−
及びプリント回路−の製造に用いられる他の基材上に適
用することができ；化学的ミリングを必要とする用途並
びにオフセット印刷、スフリーフ印刷、マニホールドス
テンシルシートコーチング、平版グレート、凸版プレー
ト、グラビアプレート等のような写真製版法及び写真の
再生、平版印刷法、及び凹版印刷の種々の一般的な分野
に使用することができる。もりとも実際的な観点から、
高解像度が必須である場合には、これらのフォトレジス
トが使用されるだけであろうことは察知されようが。

開環されたＰＮＢポリマーは、好ましくは優位に開環し
たＴＤ／置換ＴＤ繰シ返し単位を含む線状の不飽和ポリ
マーであると思われるホモポリマーもしくはコポリマー
であシ、残シの繰シ返し単位は、もしあるとしたら、Ｄ
ＣＰＤ／置換ＤＣＰＤ、　ＮＢ／置換ＮＢ等のようなも
う一つの開環されたＮＢであシ、この繰シ返し単位は本
質的にランダムな順序にある。

構造（Ｉ）カＴＤ／［換ＴＤ（Ｉｌ）トモウーツノＮＢ
ａＩＩ）とのコポリマーを表わす時、ｑは正の端数、す
なわち０よシも大きく、Ｑは構造 （式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を有し、項二重
結合は示されたいずれかの位置に存在してよく；ｑ＝ｎ
″＋ｐであり；ｎ“又はｐのいずれかは０であってもよ
い。） を表わす。

構造（１）が四猿弐ＮＢモノマーω）のコポリマーを表
わす時、ｑ＝Ｏであり、コポリマー（１）は構造以下余
白 （式中、ｆＱ１＋　ｍ２　”　ｍであるが、しかしｍ２
は０，２ｍ、以下であシ； ｇ！及びＲ４の各々は、Ｒ３及びＲ４に対する炭素原子
の合計数が２０よシも大きくないという条件で、独立に
水素、１〜約１０個の炭素原子を有するアルキルもしく
はアルキレンであるか；又はＲ３及びＲ４は５個〜１０
個の環炭素原子を有するシクロアルキルもしくはシクロ
アルキレンを形成するために結合されてもよく、このシ
クロアルキルもしくはシクロアルキレンのいずれかは、
ベンゾ−もしくはナフト−置換基を有してもよ〈；そし
てＲ５及びＢは各々独立にフェニルもしくはナフチルで
ある。） を表わす。

シフ、ロベンタジエンとのディールスアルタ−反応にお
いて使用されるオレフィンに依存して、得られるＮＢは
モノアルキル、モノアリール、モノアルキレン、ジアル
キル、モノアルキル−モノアルキレン、ジアルキレン又
は単環式もしくは多環式誘導体であろう。ＣＰＤもしく
はＤＣＰＤが、好ましくは約り００℃〜約３００℃の範
囲の昇温下で、約５０ポンド／平方インチダージ（ｐｓ
ｉｇ）〜約２５００ｐｓ１ｇの範囲であるが、少なくと
も液相で反応を保持するの蹟は十分な圧力で、かつ塩素
化もしくは臭素化炭化水素溶剤の存在で、オレフィンと
反応する時、前記米国特許第４１６８２８２号によｐ詳
細に記載されているように、モノアルキルＮＢはα−オ
レフィンと共に得られ；モノアルキレンＮＢはα−不飽
和を有するジオレフィ′ンと共に得られ；ジアルキルＮ
Ｂはα−不飽和を有しない１．２−の二個の置換基をも
ったオレフィンと共に得られる０所望されるＮＢモノマ
ーのいかなるものも、画業者によく知られた技術によシ
製造″することができ、それは本発明のほんの一部をも
形成しない。種々のＮＢモノマーの多数のホモプリマー
及びコポリマーを、例えば米国特許第４１７８４２４号
に記載されたような通常の方法によって製造することが
でき、ポリＮＢポリマーを単純な試行錯誤によって製造
し、特定のレジストに対して望まれる特定の特性を与え
ることができる。

最も好ましいポリＮＢホモポリマー及び四環式ＮＨのコ
ポリマーは、ＴＤ／置換ＴＤ、メチルテトラシクロドデ
セン（ｒＭＴＤＪ）／置換ＭＴＤ、及びフェニルテトラ
シクロドデセン（ｒＰＴＤＪ）／置換ＰＴＤから選ばれ
る。但し、Ｐ、ＴＤが存在する時、ｙｆｆｌＪＮＢは、
ＰＴＤが前記構造（至）において示されたように、他の
四環式ＮＢのモル量の０．２倍よシ大きくないモル量で
存在する四環式ＮＢのコポリマーである。好ましい「も
う一つのＮＢモノマー」はメチルノルビルネン（ｒ　Ｍ
ＮＢ　Ｊ　）、フェニルノルデルネン（ｒＰＮＢＪ）Ｄ
ＣＰＤ等である。

ポリＮＢポリマーが、補助溶剤中の溶液からのフィルム
を乾燥した後相分離がないような割合で、いかなる先行
技術のＰＳ猥化ゴムとも混合されてもよいことは認めら
れようが、しがし解像度は犠牲になろう。もしこれがな
されるならば、Ｐｓ組成物は相溶性のあるポリＮＢと本
質的に透明なフィルムを形成する先行技術のＰｓポリマ
ーとを含んでなる。

一般に、ポリマーの不混和性による複数の相及び多くの
ガラス転移温度（Ｔｇ）によって証明される複数の、相
は好ましくない。もしポリＮＢポリマーが先行技術のＰ
Ｃポリマーと混合されるならば、Ｔｇは必然的に１５０
℃よりも大きく、さもないと１μ〜２μの範囲の所望の
高解像度は得られないであろう。

以下余白 いかなる光架橋剤も光に畢露後、光不溶化コポリマーを
与えるであろうが、前もって選ばれた波長の光を吸収す
ることができるビス−アジドが好ましく、アリールビス
−アジドが最も好ましい。

構造０１）を有するビス−アジドが都合のよいことには
製造され、多くは商業的に入手可能である。典型的に好
都合な光架橋剤は、４，４′−ビス−アジドスチルベン
；　４　、４／−ビス−アジドベンゾフェノン：　４１
４’−ビス−アゾペンデルアセトン；２゜６−ビス−（
４′−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサ
ノン；４，４／−ビス−アジドカルコン；１，２−ビス
−（４−アジドシンナモイルオキシ）−二タン等である
。

ＰＳ組成物がシリコンウェファ−上にコートされる最適
の厚さは、通常の方法に従って容易に決定されてよい。

ウェファ−上のポリマーフィルムが薄ければ薄−はど、
解像度は良くなる。フィルムの最小の厚さは、フィルム
中のピンホールの外観によって決定される。先行技術の
フィルムは、０゜１μ〜約０．６μの厚さでコートされ
ることが言われているけれども、そのようなフィルムは
ピンホールが一定に存在し、従って集積回路を製造する
のには不満足なものである。そのような薄いフィルム中
にピンホールが存在するこの傾向は、１μの解像度が必
要である場合に一般に使用される０、７５〜１μ厚のフ
ィルムに帰着した。本発明者が知っている一般に入手可
能で先行技術のネガ型フォトレジストは、いずれも１μ
厚もしくはそれ以上のフィルムで１μの解像度もしくは
それより高いものを生じることができない。

通常の開環重合によって製造されたＪ　υＮ　Ｂホモポ
リマー及びコポリマーの広い選択が行なわれてもよく、
各ポリマーの正確な性質は成分、その相対的比、ポリマ
ーの分子量、なかんずく散布度の関数であり、ポリマー
は特定の・最終用途を満たすために少しばかりの試行錯
誤で製造されてよいということは明白であろう。ネガ型
フォトレジストを製造する特定の目的のために、次の、
ｒ９１Ｊマーが有用である。あるものは１μより良好な
（約０．８μ〜０．９μ）の解像度を与え、他のものけ
約ｉ／ｊの解像度を与え、また他のものは１μより大き
い（約１．０μ〜約１．８μ）解像度を与える：メチル
テトラシクロドデセン及びメチルノルボルネン； メチルテトラシクロドデセン、メチルノルボルネン及び
ジシクロペンタジェン； メチルテトラシクロドデセン及びジシクロベンクジエン
； メチルテトラシクロドデセン及びフェニルノルぎルネン
； メチルテトラシクロドデセン及びフェニルテトラシクロ
ドデセン； テトラシクロドデセン及びメチルノルボルネン：テトラ
シクロドデセン、メチルノルボルネン及びジシクロ４ン
タジエン； テトラシクロドデセン及びジシクロペンタジェン；テト
ラシクロドデセン及びフェニルノルボルネン；テトラシ
フ〔ドデセン及びフェニルテトラシクロドデセン； ホモ（メチルテトラドデセン）； メチルテトラシクロドデセン、メチルノルボルネン及び
フェニルノルボルネン；並ヒニ テトラシクロドデ七ン、メチルノルデルネン及ヒフェニ
ルノルボルネン。

本発明者の７オトレジストが暴露されたフィルムを現像
するために使用される溶剤による膨潤が本質的にないと
いうことは、特に注目すべきかつ驚くべきことである。

膨潤がないという形跡は、定常波を有する垂直壁をもっ
たライン（ｒ筋」）を示す走査型電子顕微鏡（ｒｓＥＭ
Ｊ）写真において与えられる。エリオ、　ト（Ｅｌｌｌ
ｏｔ　）は「定常波の発生砿レジストのタイプ、暴露装
置、又は使用されるランプにかかわらずほとんど避けら
れないように思われるので、工程誘導方法がその効果を
最小限にするのに必要である」と言っているけれども（
Ｅｌｌｉｏｔ　Ｄａｖｉｄ　Ｊ、による集積回路製造技
術ｒ　Ｐ、　１８７　ｒ　ＭａＧｒａｗ　Ｈｌｌｌ　Ｂ
ｏｏｋ　Ｃｏｍｐａｎｙ１９８２参照）、本発明者は定
常波がネガ型フォトレジスト上のラインの壁において見
られたという報告は何も知らない。

この膨潤がないということは、ポリＮＢポリマーにおけ
る多い方のモル量のテトラシクロドデセンの存在のせい
であり、前記のように、先行技術のｐｃ組成物は、補助
溶剤中にそれと混合したＮＢポリマーを有することによ
って膨祠に対する感受性に関して改良されてもよい。

実施例 例１ 重量平均分子量（ＧＰＣによる）Ｍｗ＝６４８００を有
スる９０％のメチルテトラシクロドデセン（ｒＭＴＤＪ
）と１０％のメチルノルボルネン（ｒ　ＭＮＢ　Ｊ　）
とのコポリマーを、キシレン中のフォトレジスト溶液の
中へ配合した。この溶液は１２．７重量％のポリマーを
含む。この溶液に、ポリマーの約６重量％の量で２，６
−ビス（４−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロ
ヘキサノン（Ｐｏ１ｙｓｃｉｅｎｃｅｓ　Ｉｎｃ、から
得られ、エタノールから再結晶した）を添加した。ポリ
マー及びビス−アジドを含む溶液を、約１μ厚のフィル
ムを付着させるように毎分４８００回転（ｒｐｍ）で酸
化されたシリコンウェファ−上にスピンコードさせた。

このフィルムを約６８℃〜７４℃で１９分間ン７トベー
クし、コートされたウェファ−をＤｌｔｒｉｃ　０ｐｔ
１ｃｓから得られたシリーズ■の多密度解像度ターケ９
ット（可変透過率試験解像度マスクともいう）を通して
暴露した。暴露は、コンタクト方式により、３６５　ｎ
ｍの主波長（ｕ−ｖ）を有するＫａｓｐｅｒ　３００１
マスクアライメント装置で行なわれ、暴露の全時間は所
望のように変化してよく、約２０秒が好ましい。使用さ
れる可変透過率マスクにより、入射光の５％〜６０％の
範囲のものを使用した。すなわち１秒〜１２秒の暴露を
行なった。暴露後、フィルムの厚さをＴｅｎｃｏｒＡｌ
ｐｈａ　５ｔｅｐ装置で機械的に測定し、厚さは１μで
あることがわかった。フィルムの厚さの測定はソフトベ
ーク後直ちに行なわれてもよいが、しかし実際上は暴露
後それを行なうのが好ましく、暴露直後材料の損失は何
もなく、従って厚さが変ると思う何の理由もない〇 暴露後、ウェファ−を、ストッダード溶剤を含ムヒ−７
！７−の中で４５秒間の浸漬、次いで第二の１’ｆ１ｍ
なビーカーの中の新しいストッダード溶剤中さらに１５
秒間の浸漬によって現像した。次いでこのウェファ−を
、ｎ−ブチルアセテートを含む２個のビーカーの中で１
０＋５秒間すすぎ、過剰の溶剤を乾燥して分離した。

試験画像は、最も小さいものが１μより小さい十分に解
像されたライン及びスペースからなった。

解像度の測定は、光学顕微鏡及びＳＦＭの両方で現像さ
れた画像を写真で撮ることによって行なった。

ＳＥＮ写真の検定は、１μ厚のライン上の壁が垂直でか
つ平らであり、壁の垂直表面上に前記独特の定常波を表
示していることを示す。これらの定常波は、画像を現像
するのに使用される溶剤による光不溶化されたポリマー
の膨潤が本質的にないという明白な指摘である。先行技
術の画像との比較は、画像の中の線が現像の間膨潤した
ことを指摘している定常波のない丸くなった壁（そのラ
インは明らかな目に見える類似性のため「ホットドッグ
（ｈｏｔ　ｄｏｇ＋＋　）と呼ぶ）をそのような画像が
有するということを示す◇ 現像された画像を、ウェファ−に対する最適の接着力の
ために２０３℃で後ベークし、ウェファ−上の基材の酸
化物を緩衝弗化水素酸を用いてエツチングした。エツチ
ングされたウェファ−からポリマーを剥離した後、シリ
コン上の１μより小さい解像度の酸化珪素のラインが得
られたことがわかった。

例２ ＭＴＤとＰＮＢ　（９０重量部のＭＴＤと１０重量部の
ＰＮＢ　）とのコポリマーをシリコンウェファ−上にス
ピンコードし、１μ厚もしくはそれ以上の厚さのフィル
ムを与え、現像剤としてストッダード溶剤を用いて、前
記例１に記載されたものと類似の方法で処理した。

類似の方法で、次のコポリマーが適当な溶剤の中で現像
された光不溶化画像を生じるために使用され、解像度が
測定された。

以下余白 表！ ＴＤ／ＭＮＢ／Ｉ）ＣＰＤ　７５：２５：５　１．６Ｍ
ＴＤ／ＭＮＢ　９０　：１０　１．ＯＭＴＤ／ＰＮＢ／
ＤＣＰＤ　８５　：１０　：５　１．ＯＭＴＤ／ＰＮＢ
　９０：１０及び８０：２０　１．ＯＴＤ／ＰＮＢ　８
５：１５　１．２５ ＴＤ／ＰＮＢ／１）ＣＰＤ　８５：１５：１０　１．Ｏ
ＭＴＤ／ＰＴＤ　９０　：　１０　１．ＯＴＤ／ＰＴＤ
　９５　：５　１．０ 前記結果は、フィルムを暴露するために使用された装置
の仕様書から明らかでおるように、コンタクト方式で得
られた。類似の結果であるが、しかしより低い解像度は
、Ｐｅｒｋｉｎ　ＥｌｍｅｒＭｉｃｒａｌｉｇｎ　５０
０投影マスクアライメント装置及び近接アライメント装
置でも、投影プリントにおいて得られる。

当業者によく知られているように、抗酸化剤のような安
定剤が、ｐｓ組成物の寿命を改良するためにｐｓ組成物
に添加されてもよい。但し、この抗酸化剤はフィルムを
暴露するために使用される範囲のｕ−Ｖａを吸収しない
。典型的には、ヒンメードフェノール系抗酸化剤が、重
合反応を停止した直後、ポリマーのでき上る前に、ポリ
ＮＢに添加される。また従来のように、シランカップリ
ング剤がフィルムの基材、特にシリコンウェファ−に対
する接着力を改良するために使用されてもよい。

そのような添加剤が使用される時、それらの量はポリＮ
Ｂ／リマーの重量に対して０．１重量％以下に限定され
る。本発明者の組成物のいかなる厚さのフィルムで得ら
れた解像度も、それが膨潤しないので、わずかに露光不
足になりても改良することができるということは特に興
味のあることである。

対照的に、わずかな露光不足は、先行技術の組成物にお
いては、それらが膨潤するのでずつと悪い解像度を与え
ることになる。

以下余白

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １゜約１μ厚の光増感する開環された多環式ノルボルネ
   ン（［ポリＮＢＪ）ポリマー組成物を、約２２０〜４５
   ０　ｎｍの範囲の紫外線に暴露し、実質的な脂肪族炭化
   水素溶剤における現像によってライン及びスペースの７
   ９ターンを、コンタクト方式において、形成し、前記パ
   ターンにおいて約１μ〜約２μの範囲の解像度を与える
   ネガ型フォトレジストであって、前記ポリマー組成物は
   、必須成分として多い方のそル量の開環された置換され
   ていないかもしくは無極性基で置換された四環式のノル
   がルネン、及び少ない方σ量のもう一つのノルボルネン
   を有し、かつ前記ノ母ターンへ現像可能な光架橋された
   ポリマーを与えるのに十分な有効量のアリールビス−ア
   ジド増感剤を含む、ネガ型フォトレジスト。 ２、前記ポリＮＢポリマーが、構造 ［Ｍｍ　Ｑ　ｑ　）ｎ 〔式中、ｍ　＋　ｑ　＝　１であシ、ｑはＯであっても
   よく　； ｑは０．５よシ小さく、好ましくは０．２より小さく−
   ｍは０．５よシ大きく、好ましくは０．８よシ大きく：
   ｎは約１０〜約１００００の範囲の数であシ；Ｍは構造 を有する開環されたモノマーを表わし、Ｑは構造 を有する開環されたモノマーを表わす （ここで、Ｒ１及びＲ２は、Ｒ１及びＲ２に対する炭素
   原子の合計数が２０よシも大きくないという条件で、各
   々独立に水素、１個〜約１０個の炭素原子を有するアル
   キルもしくはアルキレンであるか；又は Ｒ１及びＲ２は、各々独立にフェニルもしくはナフチル
   であるか；又は Ｒ１及びＲ２は、結合して５個〜１０個の環炭素原子を
   有するシクロアルキルもしくはシクロアルケンを形成し
   てもよく、このシクロアルキルもしくはシクロアルキレ
   ンのいずれかは、ベンゾ−もしくはナフト−置換基を有
   してもよい。）。〕によって表わされる特許請求の範囲
   第１項記載のネガ凰フォトレジスト。 ３、架橋される前の前記ポ１３　ＮＢポリマーのＴｇが
   、１５０℃よシも高い特許請求の範囲第２項記載のネガ
   型フォトレジスト。 ４、前記現像が、本質的に垂直な壁及び実質的に膨潤さ
   れていない外形を有するラインを生じる特許請求の範囲
   第３項記載のネガ型フォトレジスト。 ５、前記ポＩＪＮＢ／ＩＪマーの分子量分布又は散布度
   が、約１．５〜約４の範囲にある特許請求の範囲第３項
   記載のネガ型フォトレジスト。 ６、前記アリールビス−アジドが、構造式（ここで、ｎ
   ／は１〜５の範囲の整数であシ；Ｘ及びＹは水素、１個
   〜約２０個の炭素原子を有するアルキルであってよいが
   、又はＸ及びＹは結合して、所望にょシ環置換基をもっ
   た５個〜約８個の炭素原子を有するシクロアルキルを形
   成してもよい。） からなる群から選ばれた成分を表わす。〕によって表わ
   される特許請求の範囲第３項記載のネガ型フォトレジス
   ト。 ７、　前記ポリＮＢ／リマーが、構造式「−一一一一一
   一ゴ 「１−−−］ １ 閃 （式中、ｎ“＋ｐ＝ｑであシ、ｎ”５１はｐのいずれか
   はＯであってもよく： Ｒ’　＊　Ｒ２Ｈｍ　Ｉ　ｎ及びｑは、前記のものと同
   じ意味を有する。） によって表わされる特許請求の範囲第６項記載のネガ型
   フォトレジスト。 ８、前記ポリＮＢが、四環式ノルボルネンそツマ−のコ
   ポリマーであシ、このコポリマーは構造（式中、ｍ１＋
   ｍ２＝ｍであるが、しかしｍ２は０−２　ｍ１以下であ
   シ； Ｒ３及びＲ４の各々は、Ｒ３及びＲ４に対する炭素原子
   の合計数が２０よシも大きくないことを条件として、独
   立に水素、１個〜約１０個の炭素原子を有するアルキル
   もしくはアルキレンであるか；又はＲ３及びＲ４は、結
   合して５個〜１０個の環炭素原子を有するシクロアルキ
   ルもしくはシクロアルキレンを形成してもよく、このシ
   クロアルキルもしくはシクロアルキレンのいずれかは、
   ベンゾ−もしくはナフト−置換基を有してもよく；そし
   てＲ５及びＲ６は、各々独立にフェニルもしくはナフチ
   ルである。） によって表わされる特許請求の範囲第６項記載のネガ型
   フォトレジスト。 ９、　前記ポリＮＢポリマーが、テトラシクロドデセン
   、メチルテトラシクロドデセンからなる群から選ばれた
   四環式のノルボルネンＭとノルボルネン、メチルノルが
   ルネン及びジシクロペンタジェンからなる群から選ばれ
   たもう一つのモノマーＱとのコポリマーである特許請求
   の範囲第７項記載のネガ型フォトレジスト。 １０、前記ポリＮＢポリマーが、テトラシクロドデセン
   とフェニルテトラシクロドデセンとのコポリマーか、又
   はメチルテトラシクロドデセンとフェニルテトランクロ
   ドデセンとのコポリマーである特許請求の範囲第８項記
   載のネガ型フォトレジスト。 １１、前記ポリＮＢポリマーが、 メチルテトラシクロドデセン及びメチルノル？ルネン；
   メチルテトラシクロドデセン、メチルノルがルネン及び
   ジシクロペンタジェン： メチルテトラシクロドデセン及びジシクロペンタジェン
   ；メチルテトラシクロドデセン及びフェニルノルがルネ
   ン；メチルテトラシクロドデセン及びシフ四ペンテン；
   テトラシクロドデセン及びメチルノルがルネンテトラシ
   クロドデセン、メチルノルデルネン及びジシクロペンタ
   ジェン； テトラシクロドデセン及びジシクロペンタジェン；テト
   ラシクロドデセン及びフェニルノルがルネン：ホモ（メ
   チルテトラシクロドデセン）；メチルテトラシクロドデ
   セン、メチルノルがルネン及び入ニルノルざルネン： テトラシクロドデセン及びフェニルテトラシクロドデセ
   ン；並びにメチルテトラシクロドデセン及びフェニルテ
   トラシクロドデセンのポリマーから選ばれる特許請求の
   範囲第７項記載のネガ型フォトレジスト。 １２、基材と下記を含むネガ型フォトレジストの基材上
   におけるコーチングとを含んでなる感光性写真材料： （、）式 ％式％） 〔式中、ｍ　＋　ｑ　＝１であシ、ｑは０であってもよ
   く； ｑは０．５よシ小さく、好ましくは０．２よシ小さく；
   ｍは０．５よシ大きく、好ましくは０．８より大きく；
   ｎは約１０〜約１００００の範囲の数でアシ；Ｍは四環
   式のノルボルネン構造を有する開環されたモノマーを表
   わし； Ｑは４個よシ少ない融合環をもったノルゲル犀ン構造を
   有するもう−りの開環されたモノマーを宍わし； ＭもしくはＱのいずれかは、独立に水素、１個〜約１０
   個の炭素原子を有するアルキルもしくはアルキレンであ
   る置換基を有する（但し、両置換基に対する炭素原子の
   合計数は、２０よシも大きくない）か：又は この置換基は各々独立にフェニルもしくはナフチルであ
   るか；又は この置換基は結合して、５個〜１０個の環炭素原子を有
   するシクロアルキルもしくはシクロアルキレンを形成し
   てもよく、このシクロアルキルもしくはシクロアルキレ
   ンのいずれかはベンゾ−もしくはナフト−置換基を有し
   てもよい。〕によって表わされる構造を有する開環され
   た多環式ノルボルネン（［ポリＮＢＪ）ポリマー（ｂ）
   　２２０〜４５０ｎｍの範囲の紫外線に暴露後、パター
   ンにおいて１μ〜約２μの範囲の解像度を与えるために
   、実質的に脂肪族炭化水素溶剤で前記パターンへ現像可
   能な光架橋ポリマーを与えるアリールビス−アジド増感
   剤