JPS6010733A - 半導体ウエハ−の製造装置 - Google Patents
半導体ウエハ−の製造装置Info
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- JPS6010733A JPS6010733A JP11914583A JP11914583A JPS6010733A JP S6010733 A JPS6010733 A JP S6010733A JP 11914583 A JP11914583 A JP 11914583A JP 11914583 A JP11914583 A JP 11914583A JP S6010733 A JPS6010733 A JP S6010733A
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- etching
- exhaust duct
- cooling
- cooling coil
- semiconductor wafer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハー（以下ウェハーという）を 製
造装置にかかり、とくにウェハーをエツチング処理する
半導体ウェハー製造装置に関する。
造装置にかかり、とくにウェハーをエツチング処理する
半導体ウェハー製造装置に関する。
ウェハーのエツチング処理工程は、薬品（酸、アルカリ
、有機溶剤など）によシ、ウェハーをエツチングした後
純水によりウェハーに付着した薬品を、水洗及び乾燥す
る工程である。
、有機溶剤など）によシ、ウェハーをエツチングした後
純水によりウェハーに付着した薬品を、水洗及び乾燥す
る工程である。
従来薬品を使用するエツチング装置として、第１図に示
すごとき、ドラフト付きエツチング装置が使用されてい
る。同図においてドラフト付きエツチング装置け、薬品
（酸、アルカリ、有機溶剤など）２の入ったエツチング
槽１、前記薬品２の液温を上昇させる為の石英ガラスヒ
ーター３、薬品２をエツチング槽ｌより排液配管５、エ
ツチング槽排液バルブ６、及び薬品２より発生し７だガ
ス又は蒸気を排気処理する為の排気ダクト４のように構
成されていた。したがって薬品２より発生した各種ガス
又は蒸気等が直接排気ダクト４内に多量に吸引されるこ
とにより、排気タクト４の途中で液化して溜っタシ、各
装置より吸引される別々の薬品（酸、アルカリ、有機溶
剤など）のガス又は蒸気がメインの排気ダクト内にて液
化して混り合ったり非常に危険であり、又排気ガス処理
自体も公害等の問題によシ、多量のガス又は蒸気の処理
には多大な経費がかかるなどの神々の問題があった。
すごとき、ドラフト付きエツチング装置が使用されてい
る。同図においてドラフト付きエツチング装置け、薬品
（酸、アルカリ、有機溶剤など）２の入ったエツチング
槽１、前記薬品２の液温を上昇させる為の石英ガラスヒ
ーター３、薬品２をエツチング槽ｌより排液配管５、エ
ツチング槽排液バルブ６、及び薬品２より発生し７だガ
ス又は蒸気を排気処理する為の排気ダクト４のように構
成されていた。したがって薬品２より発生した各種ガス
又は蒸気等が直接排気ダクト４内に多量に吸引されるこ
とにより、排気タクト４の途中で液化して溜っタシ、各
装置より吸引される別々の薬品（酸、アルカリ、有機溶
剤など）のガス又は蒸気がメインの排気ダクト内にて液
化して混り合ったり非常に危険であり、又排気ガス処理
自体も公害等の問題によシ、多量のガス又は蒸気の処理
には多大な経費がかかるなどの神々の問題があった。
本発明は前記問題点を解消するもので、ウェハ−を薬品
（酸、アルカリ、有機溶剤など）で、エツチング処理す
るウェハー製造装置において、排気ダクト内に温度コン
トロールされた冷却水が一定量流れる冷却コイルを備え
て置いて、排気ダクト内に吸引されたカス又は蒸気を沸
点以下に冷却して液化すること（よシ、これを排液回収
することを特徴とするものである。
（酸、アルカリ、有機溶剤など）で、エツチング処理す
るウェハー製造装置において、排気ダクト内に温度コン
トロールされた冷却水が一定量流れる冷却コイルを備え
て置いて、排気ダクト内に吸引されたカス又は蒸気を沸
点以下に冷却して液化すること（よシ、これを排液回収
することを特徴とするものである。
以下本発明の実施例を第２図によって説明する。
第２図に示すように、ウェハーをエツチング処理する半
導体ウェハー製造装置において、エツチング槽１内の薬
品２を石英ガラスヒーター３によって、液温を上昇させ
てエツチング処理するエツチング槽１が、ドラフト内に
設置さｎている。排気ダクト４内に冷却コイル１１を載
置して置き、前記冷却コイル１１内に貯水槽９の冷却水
１０を 。
導体ウェハー製造装置において、エツチング槽１内の薬
品２を石英ガラスヒーター３によって、液温を上昇させ
てエツチング処理するエツチング槽１が、ドラフト内に
設置さｎている。排気ダクト４内に冷却コイル１１を載
置して置き、前記冷却コイル１１内に貯水槽９の冷却水
１０を 。
冷熱器８にで常時冷却循環しておく。
液温の上昇又はエツチングの化学反応によって発生する
各種ガス及び蒸気は排気ダクト４内に吸引されて前記排
気ダクト４内に載置されている冷却コイル１１にて、沸
点以下に冷却されて、液化した状態にてダクト排液配管
７にて排液される。
各種ガス及び蒸気は排気ダクト４内に吸引されて前記排
気ダクト４内に載置されている冷却コイル１１にて、沸
点以下に冷却されて、液化した状態にてダクト排液配管
７にて排液される。
したがって本発明は従来エツチング処理中に発生した各
種ガス又は蒸気を直接排気ダクトにて排気処理していた
ものを、排気ダクト（ハ）に冷却コイルと設置すること
により、液化り、て排液回収するものであり、排気ダク
ト途中での液化による薬品の溜りや、それにともなう各
薬品の混合による危険性も防止でき、又液化回収により
、排気処理に対する経費も大幅に節約することができる
。以上のように本発明によれば安全面及び経費の節約等
に資する効果は犬である。
種ガス又は蒸気を直接排気ダクトにて排気処理していた
ものを、排気ダクト（ハ）に冷却コイルと設置すること
により、液化り、て排液回収するものであり、排気ダク
ト途中での液化による薬品の溜りや、それにともなう各
薬品の混合による危険性も防止でき、又液化回収により
、排気処理に対する経費も大幅に節約することができる
。以上のように本発明によれば安全面及び経費の節約等
に資する効果は犬である。
第１図は従来のドラフト付エツチング装置の断面図、第
２図は本発明によるドラフト付エツチング装置の断面図
である。 伺、図において １・・・・・・エツチング槽、２・・・・・・薬品、３
・・・・・・石英 １ガラスヒーター、４・・・・・・
排気ダクト、５・・・・・・エツチング槽排液配管、６
・・・・・・エツチング楢排液パルプ、７・・・・・・
排気ダクト排液配管、８−−−−−−冷熱器、９・・・
・・・貯水槽、１０・・・・−冷却水、１１・−・・・
・冷却コイルである。 ５−
２図は本発明によるドラフト付エツチング装置の断面図
である。 伺、図において １・・・・・・エツチング槽、２・・・・・・薬品、３
・・・・・・石英 １ガラスヒーター、４・・・・・・
排気ダクト、５・・・・・・エツチング槽排液配管、６
・・・・・・エツチング楢排液パルプ、７・・・・・・
排気ダクト排液配管、８−−−−−−冷熱器、９・・・
・・・貯水槽、１０・・・・−冷却水、１１・−・・・
・冷却コイルである。 ５−
Claims (1)
- 半導体ウェハーをエツチング処−する半導体ウェハーの
製造装置において、温度コントロール可能な冷却水が一
定量流れる冷却コイルを排気ダクト内に設置したことを
特徴とする半導体ウェハーの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11914583A JPS6010733A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体ウエハ−の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11914583A JPS6010733A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体ウエハ−の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010733A true JPS6010733A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14754029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11914583A Pending JPS6010733A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体ウエハ−の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010733A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636729U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-18 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509550A (ja) * | 1973-05-30 | 1975-01-31 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11914583A patent/JPS6010733A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509550A (ja) * | 1973-05-30 | 1975-01-31 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636729U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-18 |
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