KR200151978Y1

KR200151978Y1 - 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템

Info

Publication number: KR200151978Y1
Application number: KR2019960034151U
Authority: KR
Inventors: 윤복현; 남기욱
Original assignee: 구본준; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1996-10-17
Filing date: 1996-10-17
Publication date: 1999-07-15
Also published as: KR19980020889U

Abstract

본 고안은 웨이퍼의 표면에 도포된 감광막을 제거하는데 사용되는 베쓰내의 세정액을 신속하게 동시에 효율적으로 가열시킬 수 있으므로써 베쓰내 세정액의 온도 분포가 균일한 상태에서 웨이퍼의 네가 포토레지스트를 제거시킬 수 있어서 포토레지스트가 남는 불량 발생을 크게 줄일 수 있고, 세정 작업시간을 단축시켜 생산성을 증대시킬 수 있으므로 인해 장비의 효율성 및 신뢰성을 대폭 향상시킨 것이다. 이를 위해, 본 고안은 베쓰(1)의 전체 외주면에 설치되어 베쓰(1)을 균일하게 가열시키기 위한 스테인레스판(2)과, 상기 스테인레스판(2)에 설치되어 스테인레스판(2)을 가열시키기 위한 히팅 코일(3)과, 상기 히팅 코일(3)에 연결되어 온도를 감지하기 위한 센서(4)와, 상기 히팅 코일(3)과 센서(4)에 연결되어 장비의 외부에서 제어하기 위해 작동하는 콘트롤러(5)로 구성된 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템이다.

Description

반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템

본 고안은 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 표면에 도포된 감광막을 제거하는데 사용되는 베쓰내의 세정액을 신속하게 동시에 가열시킬 수 있도록 한 것이다.

일반적으로, 팹(Fab) 공정에서 가장 마지막으로 진행되는 공정으로 보호막 역할을 하는 PIQ(Polyimide Iso Indoroquinazorindione)막에 대한 에치를 한 후 네가포토레지스트(Nega-Photoresist)를 제거하는 공정이 있는데, 베쓰(Bath)는 총 10개로 구성되어 2개의 베쓰에서 네가 포토레지스트를 제거한 다음 린스-4(2개 베쓰), 메탄올(Methanol)(2개 베쓰), 탈이온수(Deionized Water)(4개 베쓰)의 순서로 진행하여 웨이퍼와 잔존 네가 포토레지스트를 제거하게 된다.

종래의 웨이퍼에 잔존하는 네가 포토레지스트를 제거하고자 할때에는 제1도에 나타낸 바와 같이, 베쓰(1a)의 내부에 세정액을 공급한 후 베쓰(1a)의 하단에 설치된 플레이트 히터(Plate Heater)(6)가 작동을 하여 플레이트 히터(6)상의 스테인레스판(2a)을 가열함에 따라 상기 베쓰(1a)는 스테인레스판(2a)을 통해 전달되는 열에 의해 약 2시간 가량이 소요되어 온도가 115℃가 될때까지 간접 히팅이 된다.

그 다음, 세정액이 채워진 2개의 베쓰(1a)가 115℃에 도달했을때 웨이퍼가 베쓰(1a)에 투입되어 네가 포토레지스트의 제거가 진행된다.

그러나, 이와 같은 종래의 베쓰(1a) 하단에서만 간접 히팅이 진행되므로써 작업 진행을 위한 세정액의 온도를 상승시키는데 약 2시간 가량의 많은 시간이 소요되고, 베쓰(1a)의 하단에서만 가열이 되므로 인해 베쓰(1a)내의 온도 분포가 분균일하여 베쓰(1a)의 상단에서는 온도가 낮음으로 인한 웨이퍼에 네가 포토레지스트가 남게 되는 등의 많은 문제점이 있었다.

본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 표면에 도포된 감광막을 제거하는데 사용되는 베쓰내의 세정액을 신속하게 동시에 가열시킬 수 있도록 하여 세정액의 온도 분포가 균일한 상태에서 웨이퍼의 네가 포토레지스트를 제거시키므로 포토레지스트가 남는 불량 발생을 크게 줄일 수 있는 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안은 베쓰의 전체 외주면에 설치되어 베쓰를 균일하게 가열시키기 위한 스테인레스판과, 상기 스테인레스판에 설치되어 스테인레스판을 가열시키기 위한 히팅 코일과, 상기 히팅 코일에 연결되어 온도를 감지하기 위한 센서와, 상기 히팅 코일과 센서에 연결되어 장비의 외부에서 제어하기 위해 작동하는 콘트롤러로 구성된 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템이 제공된다.

제1도는 종래의 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰를 나타낸 사시도.

제2도는 본 고안에 따른 베쓰를 나타낸 사시도.

제3도는 제2도의 요부 구성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 베쓰 2 : 스테인레스판

3 : 히팅 코일 4 : 센서

5 : 콘트롤러

이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 제2도 및 제3도을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 고안에 따른 베쓰를 나타낸 사시도이고, 제3도는 제2도의 요부 구성도로서, 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰(1)의 전체 외주면에 베쓰(1)를 균일하게 가열시키기 위한 스테인레스판(2)이 설치되고, 스테인레스판(2)의 하단에는 스테인레스판(2)을 가열시키기 위한 히팅 코일(3)이 설치되며, 히팅 코일(3)에는 온도를 감지하기 위한 센서(4)가 연결되고, 상기 히팅 코일(3)과 센서(4)에는 장비의 외부에서 제어하기 위해 작동하는 콘트롤러(5)가 연결되어 구성된다.

이와 같이 구성된 본 고안은 제2도 및 제3도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼에 잔존하는 네가 포토레지스트를 제거하고자 할때에는 먼저 베쓰(1)의 내부에 세정액이 공급되면 콘트롤러(5)의 파워를 켜서 상기 베쓰(1)의 전체 외주면에 설치된 스테인레스판(2) 하단의 히팅 코일(3)이 가열됨과 동시에 스테인레스판(2)이 가열되어 베쓰(1)를 가열시킴에 따라 베쓰(1)내의 세정액을 신속하게 동시에 가열시킬 수 있으므로 인해 세정액의 온도 분포가 균일한 상태에서 웨이퍼의 네가 포토레지스트를 제거시킬 수 있어서 포토레지스트가 남는 불량 발생을 크게 줄일 수 있게 된다.

그후, 베쓰(1)내의 세정액 온도가 115℃에 도달하면 베쓰(1)의 전체 외주면에 설치된 스테인레스판(2) 하단의 히팅 코일(3)은 오프시키고, 베쓰(1)의 바닥면에 설치된 히팅 코일(3)만 가동하여 온도를 유지하면서 작업을 수행하면 된다.

이상에서와 같이, 본 고안은 웨이퍼의 표면에 도포된 감광막을 제거하는데 사용되는 베쓰(1)내의 세정액을 신속하게 동시에 효율적으로 가열시킬 수 있으므로써 베쓰(1) 내 세정액의 온도 분포가 균일한 상태에서 웨이퍼의 네가 포토레지스트를 제거시킬 수 있어서 포토레지스트가 남는 불량 발생을 크게 줄일 수 있고, 세정 작업시간을 단축시켜 생산성을 증대시킬 수 있으므로 인해 장비의 효율성 및 신뢰성을 대폭 향상시킨 매우 유용한 고안이다.

Claims

베쓰의 전체 외주면에 설치되어 베쓰를 균일하게 가열시키기 위한 스테인레스판과, 상기 스테인레스판에 설치되어 스테인레스판을 가열시키기 위한 히팅 코일과, 상기 히팅 코일에 연결되어 온도를 감지하기 위한 센서와, 상기 히팅 코일과 센서에 연결되어 장비의 외부에서 제어하기 위해 작동하는 콘트롤러로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템.