KR20000017242U - 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치 - Google Patents
반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000017242U KR20000017242U KR2019990002602U KR19990002602U KR20000017242U KR 20000017242 U KR20000017242 U KR 20000017242U KR 2019990002602 U KR2019990002602 U KR 2019990002602U KR 19990002602 U KR19990002602 U KR 19990002602U KR 20000017242 U KR20000017242 U KR 20000017242U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pure water
- semiconductor wafer
- recovery tank
- wet
- wet station
- Prior art date
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치에 관한 것으로, 순수배출라인(17) 상에 순수회수탱크(20)를 설치하고, 그 순수회수탱크(20)와 순수공급라인(16)을 연결하는 연결라인(21)을 설치하며, 그 연결라인(21) 상에 펌프(22)를 설치하여, 순수회수탱크(20)에 회수된 순수(11)의 산농도와 온도가 설정치 이내일때는 펌프(22)로 순수(11)를 펌핑하여 재사용할 수 있도록 되어 있다.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치에 관한 것으로, 특히 드레인되는 순수를 회수하여 재사용함으로서 원가절감을 실현할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 제조공정중 포토공정을 마친 다음에는 노광된 부분을 제거하기 위한 식각 및 이물질제거작업을 실시하며, 이러한 작업은 일명 "웨트 스테이션"이라고 하는 장치에서 실시하게 되는데, 이와 같은 웨트 스테이션의 일부분이 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도시된 바와 같이, 상측이 개방된 싱크대(1)의 내측에 베스 가이드(2)에 의하여 지지된 상태로 수개의 공정베스(3)가 설치되어 있고, 그 공정베스(3)들의 내측에는 황산(H2SO4)(4)이 수납되있으며, 상기 싱크대(1)의 내측에는 순수(DI WATER)(5)가 수납되어 있다.
그리고, 상기 싱크대(1)의 하측에는 순수공급라인(6)과 순수배출라인(7)이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션에서는 공정베스(3)들에 내측에 황산(4)이 수납되어 있는 상태에서 웨이퍼들이 수납되어 있는 카세트를 로봇 암으로 공정베스(3)들을 이송하며 식각 및 이물질제거작업을 실시한다.
그리고, 상기와 같이 카세트가 공정베스(3) 사이를 이송시에 싱크대(1)의 내측에 황산(4)이 떨어지게 되는데, 이때 순수공급라인(6)으로는 순수(5)에 섞이게 되며, 순수배출라인(7)으로 순수가 배출될때 같이 배출되게 된다.
또한, 상기와 같이 싱크대(1)의 내측에 수납되어 있는 순수(5)는 고온의 황산(4)에 의한 싱크대(1)의 열변형이 발생되는 것을 방지하기도 한다.
그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션에서는 재사용이 가능한 순수도 순수배출라인(7)을 통하여 전부 드레인시키므로 그에 따른 원가절감에 한계가 있는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 재사용이 가능한 순수를 회수하여 재사용할 수 있도록 함으로서, 원가절감을 실현할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 구성을 보인 단면도.
도 2는 본 고안의 순수순환장치가 설치된 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션을 보인 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 순수 12 : 싱크대
14 : 공정베스 16 : 순수공급라인
17 : 순수배출라인 20 : 순수회수탱크
21 : 연결라인 22 : 펌프
23 : 농도계 24 : 온도계
25 : 순수량감지센서
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 순수가 수납되어 있는 싱크대의 내측에는 수개의 공정베스가 설치되어 있고, 상기 싱크대의 하측에는 순수공급라인과 순수배출라인이 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션에 있어서, 상기 순수배출라인 상에 순수회수탱크를 설치하고, 그 순수회수탱크의 출구부와 순수공급라인을 연결하는 연결라인을 설치하며, 그 연결라인 상에는 펌프를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안의 순수순환장치가 설치된 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션을 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 상측이 개방되어 순수(11)가 수납되어 있는 싱크대(12)의 내측에는 베스 가이드(13)들로 지지된 수개의 공정베스(14)들이 설치되어 있고, 그 공정베스(14)들의 내측에는 황산(15)이 수납되어 있으며, 상기 싱크대(12)의 하측에는 순수공급라인(16)과 순수배출라인(17)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 순수배출라인(17) 상에는 배출되는 순수(11)를 회수하기 위한 순수회수탱크(20)가 설치되어 있고, 그 순수회수탱크(20)와 순수공급라인(16)가 연결되도록 연결라인(21)이 설치되어 있고, 그 연결라인(21) 상에는 순수회수탱크(20)에 회수되는 순수(11)를 펌핑하기 위한 펌프(22)가 설치되어 있다.
또한, 상기 순수회수탱크(20)의 일측에는 순수(11)에 희석된 황산(15)의 농도를 측정하기 위한 농도계(23)와, 순수(11)의 온도를 측정하기 위한 온도계(24)가 설치되어 있고, 타측에는 높이차를 두고 순수량감지센서(25:25',25",25"')들이 설치되어 있다.
도면 부호중 미설명 부호 AV1,AV2,AV3는 제1/제2/제3 자동밸브들이다.
상기와 같이 구성되어 있는 순수순환장치가 설치된 웨트 스테이션에서 웨이퍼의 세정작업이 진행되는 순서는 종래와 유사하다.
즉, 웨이퍼들이 수납된 카세트를 로봇 암을 이용하여 황산(15)이 수납되어 있는 여러개의 공정베스(14)를 이송하며 식각 및 이물질제거작업을 실시하며, 이와 같이 카세트의 이송중에 싱크대(12)로 떨어지는 황산(15)은 순수배출라인(17)을 통하여 순수(11)와 함께 배출된다.
여기서, 본 고안은 상기와 같이 순수배출라인(17)을 통하여 배출되는 순수(11)를 순수회수탱크(20)에서 회수하고, 순수량감지센서(25)에서 순수(11)의 양이 설정치만큼 회수되었음이 감지되면 농도계(23)와 온도계(24)에서 산의 농도와 온도가 설정치 이내인지를 측정한다. 이와 같이 측정된 농도값과 온도가 설정치 이내일때는 연결라인(21)의 제2 자동밸브(AV2)를 열고, 펌프(22)로 펌핑하여 순수회수탱크(20)에 회수된 순수(11)를 연결라인(21)과 순수공급라인(16)을 통하여 싱크대(12)로 재공급한다.
만약에 산의 농도와 온도가 설정치 이상일때는 제3 자동밸브(AV3)를 열고 그대로 배출한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치는 순수배출라인 상에 순수회수탱크를 설치하고, 그 순수회수탱크와 순수공급라인을 연결하는 연결라인을 설치하며, 그 연결라인 상에 펌프를 설치하여, 순수회수탱크에 회수된 순수의 산농도와 온도가 설정치 이내일때는 펌프로 순수를 펌핑하여 재사용할 수 있도록 함으로서, 종래와 같이 순수를 전부 드레인하는 경우보다 원가를 절감하는 효과가 있다.
Claims (3)
- 순수가 수납되어 있는 싱크대의 내측에는 수개의 공정베스가 설치되어 있고, 상기 싱크대의 하측에는 순수공급라인과 순수배출라인이 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션에 있어서, 상기 순수배출라인 상에 순수회수탱크를 설치하고, 그 순수회수탱크의 출구부와 순수공급라인을 연결하는 연결라인을 설치하며, 그 연결라인 상에는 펌프를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 순수회수탱크에는 산농도를 측정하기 위한 농도계와, 순수의 온도를 측정하기 위한 온도계가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 순수회수탱크에는 순수량을 감지하기 위한 수개의 순수량감지센서가 각각 높이차를 두고 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019990002602U KR20000017242U (ko) | 1999-02-20 | 1999-02-20 | 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019990002602U KR20000017242U (ko) | 1999-02-20 | 1999-02-20 | 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000017242U true KR20000017242U (ko) | 2000-09-25 |
Family
ID=54759545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019990002602U KR20000017242U (ko) | 1999-02-20 | 1999-02-20 | 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20000017242U (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100791864B1 (ko) * | 1999-08-05 | 2008-01-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정 기구, 세정 시스템, 처리 기구 및 세정 방법 |
-
1999
- 1999-02-20 KR KR2019990002602U patent/KR20000017242U/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100791864B1 (ko) * | 1999-08-05 | 2008-01-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정 기구, 세정 시스템, 처리 기구 및 세정 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100678472B1 (ko) | 웨이퍼 가이드 및 이를 갖는 반도체 웨이퍼 건조장치 | |
US20080072931A1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
US20090239384A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP7540936B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20000017242U (ko) | 반도체 웨이퍼 세정용 웨트스테이션의 순수순환장치 | |
KR100947482B1 (ko) | 처리액 감지기를 갖는 밸브, 이를 이용한 기판 처리 장치및 기판 처리 방법 | |
KR100598914B1 (ko) | 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비 | |
KR101021545B1 (ko) | 약액 공급 유닛, 장치 및 방법 | |
KR0122299Y1 (ko) | 오토 웨트 스테이션 장치 | |
KR100593669B1 (ko) | 기판 습식 처리용 덮개 및 이를 구비하는 기판 습식처리장치 | |
KR100653706B1 (ko) | 반도체 제조설비의 케미컬 공급장치 | |
US20240307821A1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
KR20030095589A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP2001028356A (ja) | 洗浄装置 | |
KR200151978Y1 (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 감광막 제거용 베쓰의 히팅 시스템 | |
JP2001118820A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JPH0845890A (ja) | 石英チューブの洗浄方法 | |
KR0137937Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 식각장치 | |
KR100632044B1 (ko) | 웨이퍼의 세정장치 및 방법 | |
KR100576440B1 (ko) | 메쉬 필터를 이용한 메가소닉 순환 장치 | |
KR20020009699A (ko) | 습식 식각 장치의 불화수소산 공급 시스템 | |
KR20020062433A (ko) | 습식세정장비에서 폐황산을 배출하는 방법 및 장치 | |
CN114388383A (zh) | 一种排液装置及排液方法 | |
KR19990081141A (ko) | 반도체 세정장비의 부품세척장치 | |
KR200177287Y1 (ko) | 웨트 스테이션의 식각 베스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |