JPS60103635A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60103635A
JPS60103635A JP21117183A JP21117183A JPS60103635A JP S60103635 A JPS60103635 A JP S60103635A JP 21117183 A JP21117183 A JP 21117183A JP 21117183 A JP21117183 A JP 21117183A JP S60103635 A JPS60103635 A JP S60103635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
electrode pads
semiconductor device
electrodes
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21117183A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Fujii
和夫 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP21117183A priority Critical patent/JPS60103635A/ja
Publication of JPS60103635A publication Critical patent/JPS60103635A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明に半導体装置の欠陥全発見する構造に関するもの
であるＯ ８ｉ、ＧａＡｓ等の半導体基板上に、Ａ４　Ａｕ　等の
金属及び多結晶Ｓｉ等で形成された配線及び外部扱続用
電極パッド？有する半導体装置を製造する際に、その小
片化工程１組立工程、封止工程等において種々の後天的
欠陥が発生ずる。
これらの欠陥（例えば、小片化工程におけるワレ、カケ
、クラック、組立工程における汚れ異物等）を除去する
為に工程内検査として肉眼による目視横置が一般に採用
されているが、検出力に光分とげ云えない０又、″＋導
体素子が容器に封止された後での上記欠陥の検出、除去
ぼさらに検出力が落ち、特に上記欠陥が進行性を有する
場合げ、その検出が困難である。
本発明の目的に、上記欠陥が半導体小片の外周部で発生
する比率が大であることを利用し、簡便な電気的特注測
定ｖｃ、エク、こわら欠陥を検出可能な半導体装置？提
供するものである。
本発明に工りば’ｔ’４体基板体表板周辺部に金属配線
層？有し、この金属配線層ぼ少なくとも２つの電極バッ
ド［ｌｉ続されており、電極パッド間の１１Ｌ′４度全
測定することＩｃ工って半導体基板の欠陥を発見できる
半導体装置を得る。
次に図面を参照して、本発明を工Ｖ詳細ＶＣ説明する０ ＋Ｓ体基板ｌの表面に分離領域２．内部素子並びに配線
會有する能動部３．内部配線と外部電極を陸続する外部
陸続用電極パッド４１　が形成される０更に半導体基板
ｌの表面ｌＣａ能動部２と外部陸続用電極パッド４會囲
む周辺配線８，９が形成されている。この周辺配線８，
９ａそｈぞれ能動部３とに陸続されない外部陸続用電極
バッド１１゜１２お工び１３，１４ｖｃｌｉ続されてい
る。
この工うな半導体装置に、カケ、クラックが半導体小片
の外周部で発生する比率が大である。従って、半導体装
置にカケ５．クラック６が発生した場合、周辺配線８ま
た汀９もしく汀両者が断線する０これａ外部陸続用電極
１１．１２間及び１３゜１４間の電気的導通管測定Ｔる
こと范エク検出可能となる。また、各種汚れ、異物７が
工程内で付着、あるいげ容器封止後侵入した場合、この
汚わが電気的絶縁を損う様な物質である場合、外部妥続
用電極１１，１３間又ｒｒ１２．１４間の洩れ電流の増
大？測定することにより検出可能となる〇父上記汚れが
腐食性の物質であわば、周辺配線８゜９′ｆｔ腐食し断
線音生ずる。この場合、前述の外部陸続用電極１１．１
２間及び１３．１４間の電気的導通を測定することＶＣ
エリ検出可能となる。
本構造ｒｃおいて、周辺配線８と外部陸続用電極パッド
１１．１２のみとし周辺配線９お工び外部陸続用電極パ
ッド１２．１３’ｌｊ省略しても同様の機能ａはぼ達成
出来るが、これらげ複数組あった万がより確実である。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ不発明の一笑施例の平面図、第２図ａその断面
図である。 ｌ・・・＃Ｐ４体基板基板・・・分離領域、３・・・能
動部、４・・・外部陸続用電極パッド、５・・・カケ、
６・・・クラック、７・・・汚れ、８，９・・・周辺配
線、１１，１２゜１３．１４・・・・・・外部吸続用璽
極パッド５−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ＋１）　表面ＶｃＦＦ３部配線お裏配線極パッドが設け
    られた半導体基板の表面に前記内部配線お工び前記電極
    パッドを囲み、前記電極パッドの所定のもの少なくとも
    ２つｒｃ咲続された周辺配線ｔＶすることｔ特徴と丁、
    ６半導体装置０ （２）　ｗｌｒ記電極電極パッド記所定のものａ前記円
    部配線ｖｃｒＸ連結していないことｖｉ−特徴と丁、６
    特許請求の範囲第１項記載の′！ｐ導体装置。 （３）　前記周辺配Ｈａ複数個有することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項もしくａ第２項記載の半導体装置
    。
JP21117183A 1983-11-10 1983-11-10 半導体装置 Pending JPS60103635A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04225811A (ja) * 1990-12-26 1992-08-14 Masao Kani 集塵機における塵埃払い落し装置
US5889757A (en) * 1996-05-27 1999-03-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laminated optical disc and turntable for the laminated optical disc
JP2009049269A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Seiko Epson Corp 半導体装置

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US6049522A (en) * 1996-05-27 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laminated optical disc and turntable for the laminated optical disc
US6212159B1 (en) 1996-05-27 2001-04-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laminated optical disc and turntable for the laminated optical disc
JP2009049269A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Seiko Epson Corp 半導体装置

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