JPS6010031B2 - カルボスチリル誘導体の製造法 - Google Patents

カルボスチリル誘導体の製造法

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JPS6010031B2
JPS6010031B2 JP58204601A JP20460183A JPS6010031B2 JP S6010031 B2 JPS6010031 B2 JP S6010031B2 JP 58204601 A JP58204601 A JP 58204601A JP 20460183 A JP20460183 A JP 20460183A JP S6010031 B2 JPS6010031 B2 JP S6010031B2
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JP
Japan
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hydroxy
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solvent
carried out
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JP58204601A
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司郎 吉崎
重晴 玉田
薫 谷村
量之 中川
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Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
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【発明の詳細な説明】 本発明はカルボスチリル誘導体の製造法に関るものでる
本発明のカルボスチリル誘導体は一般式 一般式 〔式中Rは低級アルキル基を示す。
〕で表わされる8ーアルコキシー5(1ーヒドロキシ−
2−モルホリノ)エチルカルボスチリル議導体であって
いずれも新規化合物に属し、3ーアドレナリン作働作用
、腸管・子宮筋の弛緩作用、降圧作用、脱コレステロー
ル作用、抗産れん作用、消炎作用、冠拡張作用、免疫抑
制作用、抗アレルギー作用、抗パーキンソン氏病作用、
利尿作用、肥満防止作用、8ーアドレナリン遮断作用、
制建作用、体重増加作用、抗ウイルス作用およびヒスタ
ミン比受容体阻止作用等を有し、医薬品として重要であ
る。本発明の一般式(1)で表わされるカルポスチリル
誘導体は次の方法によって製造される。
すなわち、式で表わされる8−ヒドロキシ−5−モルホ
リノアセチルカルボスチリルを還元して式で表わされる
8−ヒドロキシ−5一(1ーヒドロキシ−2ーモルホリ
ノ)エチルカルボスチリルとし、次いでこれをアルキル
化することにより製造される。
本発明の出発原料である式(ロ)の化合物も新規化合物
であって、たとえば次の方法で製造される。
すなわち、公知の8ーヒドロキシカルボスチリルを原料
として、これにたとえばクロロアセチルクロラィド等の
ハロゲノアセチルハラィドを、たとえば塩化アルミニウ
ムのような公知のルイス酸の存在下、二硫化炭素、ニト
ロベンゼン、エチルエーテル、ジオキサン等の溶媒中で
−10午0なし、し溶媒の沸点範囲で反応させて5−ハ
ロアセチルカルポスチリル議導体を得、次にこの5一(
Q−ハロアルカノィル)カルボスチリル誘導体に、たと
えばモルホリンを反応させて得られる。
上記5−(Q−ハロアルカノイル)カルボスチリル譲導
体とモルホリンの反応は、等モルないし大過剰量のアミ
ン類を室温ないし100qoで1〜10気圧下、一般に
は、メタノール、エタノール、ジオキサンまたはベンゼ
ン等の溶媒中で行なわれる。
上記還元反応は、水素化還元剤を用いる還元法あるいは
接触還元法によって行なわれる。
本還元反応を水素化還元剤を用いて行なうには水素化還
元剤としてたとえば水素化ほう素ナトリウム、水素化ア
ルミニウムリチウム等が用いられ、これら水素化還元剤
の使用量は式(ロ)の化合物に対して等モルないし5倍
モルとするのがよい。
水素化還元剤による還元反応は水、メタノール、エタノ
ール、イソプロ/ゞ/ール、テトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル等の適宜の溶媒中、0℃ないし溶媒の沸点で
反応させるのがよい。なお水素化アルミニウムリチウム
を還元剤として用いる場合はエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等の無水溶媒を用いるのがよい。また式(0
)の化合物を接触還元法によって還元するには、還元触
媒としてたとえば酸化白金、パラジウム黒、パラジウム
炭素、ラネーニッケル等の通常用いられる接触還元用触
媒が用いられる。使用される触媒の量は式(n)の化合
物に対し0.2〜0.針音重量とするのがよい。本接触
還元は、水、メタノール、エタノール、イソプロ/ぐノ
ール、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の溶媒中
、1〜1偽気圧の水素ふん囲気中でよくふりまぜて反応
させるのがよい。反応は一般に000ないし溶媒の沸点
範囲で行なわれる。上記還元反応において0℃ないし室
温程度の低温域で接触還元する場合、および水素化還元
剤を用いて還元する場合、3,4一位炭素間2重結合は
還元されることなく、5位のカルボニル基のみが還元さ
れた5一(2−アミノ−1ーヒドロキシアルキル)−8
−アルコキシーカルボスチリル譲導体を得る。
該カルボスチリル誘導体は4yo以上の温城での接触還
元によって3,4−位炭素結合が還元されて3,4−ジ
ヒドロカルボスチリル誘導体を得る。次に式(m)のカ
ルポスチリル誘導体について一般式RX 〔式中Rは低級アルキル基を示し、Xはハロゲン原子を
示す。
〕で表わされるアルキル化剤を使用するか、あるいは一
般式(RO)2S02 (V) 〔式中Rは前記に同じ〕で表わされるアルキル化剤を使
用してアルキル化を行なう。
これらアルキル化剤の例としてはメチルョーダィド、エ
チルクロライド、te九−ブチルブロマィド等の低級ア
ルキルハィラィドあるいは硫酸ジメチル、硫酸ジェチル
等が挙げられ、その他ジアゾメタン等のアルキル化剤を
使用すこともできる。該アルキル化反応はアセトン、ベ
ンゼン、トルェン、ピリジン等の適宜の溶媒中氷冷ない
し溶媒の沸点範囲で塩基性の下、上記ァルキル化剤を式
(m)の化合物に対して、その等モル量ないし3倍モル
量を反応させて行なわれる。一般式(1)の化合物は、
要すれば医薬として許容される酸付加塩としてもよい。
以下本発明の出発原料化合物の製造例を示す参考例およ
び本発明の実施例を示す。
参考例 1 8ーヒドロキシカルボスチリル20夕にはーブロモブチ
リルブロマイド50夕、無水塩化アルミニウム50夕、
二硫化炭素400の‘を加えて50qoで1錨時間加熱
反応させる。
反応後二硫化炭素層を後斜して除去し、残留物に砕氷を
加えて結晶化する。次いでこれを炉取水洗したのちメタ
ノールから再結晶してmp218〜219℃(着色分解
)、無色無定形の5−(Q−ブロモブチリル)一8ーヒ
ドロキシカルボスチリル27夕を得る。上記5一(Q−
ブロモブチリル)−8−ヒドロキシカルボスチリル5夕
にシクロヘキシルアミン100の‘を加えて5ぴ0で4
時間加熱後、反応液を濃縮し、ィソプロパノールを加え
塩酸でpH2〜3に調製する。
その後冷却して析出する結晶を炉取する。次いでこの結
晶をエタノールーェーテルから再結晶してmp225〜
22げ○の8ーヒドロキシ−5一(Qーシクロヘキシル
アミノブチリル)カルポスチリル1塩酸塩2.1夕を得
る。参考例 2 8ーヒドロキシー5−(Qーシクロヘキシルアミノブチ
リル)カルボスチリル1.0夕をメタノール50叫に溶
解し氷冷下縄拝しながら、水素化ほう素ナトリウム0.
6夕を少量づつ加える。
添加終了後なお1時間蝿洋をつづけ、次いで反応液を濃
塩酸でpH2〜3とし、析出物を炉去する。この炉液を
濃縮乾固して得られた残澄をアセトンで洗浄し次いでェ
タノ−ルから再結晶してmp205〜207℃の5一(
1−ヒドロキシ−2ーシクロヘキシルアミ/)ブチルー
ヒドロキシカルポスチリル塩酸塩1水和物0.8夕を得
る。製造例 8−ヒドロキシー5一(1ーヒドロキシー2ーイソプロ
ピルアミノ)エチルカルボスチリル塩酸塩3女を水20
の‘に溶解し、水酸化ナトリウム0.9夕を加えて水冷
下蝿拝しながら硫酸ジメチル1.3夕を1時間で滴下し
、さらに40〜50qoで2時間燈拝して反応させる。
次いで反応液をクロロホルムで抽出して、クロロホルム
層を水洗乾燥後、乾燥塩酸ガスを導入して析出結晶を炉
取し、エタノールーアセトンから再結晶してmp235
〜2370(分解)、無色無定形の5一(1ーヒドロキ
シー2−イソブロピルアミノ)エチル8ーメトキシカル
ボスチリル塩酸塩1水和物2.3夕を得る。実施例 8ーヒドロキシ−5一(1ーヒドロキシー2ーモルホリ
/)エチルカルボスチリル塩酸塩を用い、上記製造例と
同様にして8ーメトキシー5−(1ーヒドロキシー2ー
モルホリノ)エチルカルボスチリル塩酸塩を得る。
mP249〜250qo(分解)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる8−ヒドロキシ−5−(1−ヒドロキシ−
    2−モルホリノ)エチルカルボスチリルに一般式RX 〔式中Rは低級アルキル基を示し、Xはハロゲン原子
    を示す。 〕または一般式 (RO)_2SO_2 〔式中Rは前記に同じ〕で表わされるアルキル化剤を
    反応させて一般式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Rは前記に同じ〕で表わされる8−アルコキシ−
    5−(1−ヒドロキシ−2−モルホリノ)エチルカルボ
    スチリル誘導体とすることを特徴とするカルボスチリル
    誘導体の製造法。
JP58204601A 1983-10-31 1983-10-31 カルボスチリル誘導体の製造法 Expired JPS6010031B2 (ja)

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JPS5993050A JPS5993050A (ja) 1984-05-29
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