JPS599926A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS599926A JPS599926A JP57119458A JP11945882A JPS599926A JP S599926 A JPS599926 A JP S599926A JP 57119458 A JP57119458 A JP 57119458A JP 11945882 A JP11945882 A JP 11945882A JP S599926 A JPS599926 A JP S599926A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、特
に半導体集積回路等のデバイスが多数個形成された半導
体基板を回転砥石にて分割する方法に関するもので、回
転砥石に志る切断時に発生する切断屑を完全に除去する
方法を提供するものである。
に半導体集積回路等のデバイスが多数個形成された半導
体基板を回転砥石にて分割する方法に関するもので、回
転砥石に志る切断時に発生する切断屑を完全に除去する
方法を提供するものである。
従来の一般的な回転砥石を用いた半導体基板の分割法に
ついて第１図に従って説明する。
ついて第１図に従って説明する。
１は回転テーブルで真空吸引で半導体基板２を吸着する
。３は回転砥石、４は冷却した洗浄用水の噴射パイプ、
５はパイプより噴射する水、６はテーブル上に留まった
水である。回転砥石３は矢印７の方向に動き（一般には
テーブルが移動する）半導体基板２は切断される。
。３は回転砥石、４は冷却した洗浄用水の噴射パイプ、
５はパイプより噴射する水、６はテーブル上に留まった
水である。回転砥石３は矢印７の方向に動き（一般には
テーブルが移動する）半導体基板２は切断される。
上記方法において一般に半導体デバイスが形成された基
板２を切断する場合、汚れを防止するため、純水、脱イ
オン水が使用される。−実回転砥石で切断すると多量の
切削屑が出るが、これらは水で流される前に半導体基板
上にこびりつくことが多い。特に基板上に金属蒸着膜例
えばＡｅ膜等が形成されておれば、流水のみではとれな
いばかりか、後で超音波洗浄を行なってもほとんどとれ
ない。このような切削屑は、汚れの原因上なるばかりか
、配線間電流リークの原因となっている。
板２を切断する場合、汚れを防止するため、純水、脱イ
オン水が使用される。−実回転砥石で切断すると多量の
切削屑が出るが、これらは水で流される前に半導体基板
上にこびりつくことが多い。特に基板上に金属蒸着膜例
えばＡｅ膜等が形成されておれば、流水のみではとれな
いばかりか、後で超音波洗浄を行なってもほとんどとれ
ない。このような切削屑は、汚れの原因上なるばかりか
、配線間電流リークの原因となっている。
本発明はかかる従来の問題点を解決し、切削屑を残さな
い半導体装置の製造方法を提供するものである。
い半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明の実施例については水の場合で説明するが他の液
体の場合も全て同様に実施するととができる。
体の場合も全て同様に実施するととができる。
第２図は本発明の実施例を示すもので１〜６までは第１
図と同一番号を付した。６は噴射パイプへの水の導入口
、８は微細な泡（空気又は不活性ガス）を導入する口、
９は水の抵抗を下げるだめの物質を添加する口である。
図と同一番号を付した。６は噴射パイプへの水の導入口
、８は微細な泡（空気又は不活性ガス）を導入する口、
９は水の抵抗を下げるだめの物質を添加する口である。
このように純水に気体の泡を導入することにより、半導
体基板２に対する水の濡れがよくなるとともに、泡が消
滅する時の洗浄効果が発揮できる。微細な泡は導入口８
より、先細のチューブを介して前述したガスを吹きこん
で作ることができる。また、入口９よりアルカリイオン
を除去した抵抗を下げる物質たとえば脱イオン水にアン
モニアを混ぜた液体を導入することにより、切削屑に電
荷がたまることが防止でき、基板に付着することを防止
できる。また、泡と低抵抗の液体とを共用すれば、さら
に良い効果が得られる。
体基板２に対する水の濡れがよくなるとともに、泡が消
滅する時の洗浄効果が発揮できる。微細な泡は導入口８
より、先細のチューブを介して前述したガスを吹きこん
で作ることができる。また、入口９よりアルカリイオン
を除去した抵抗を下げる物質たとえば脱イオン水にアン
モニアを混ぜた液体を導入することにより、切削屑に電
荷がたまることが防止でき、基板に付着することを防止
できる。また、泡と低抵抗の液体とを共用すれば、さら
に良い効果が得られる。
以上述べた本発明は切削屑による悪影響を確実に除去す
ることができ、例えば固体撮像素子や大容量メモリー素
子の如り、高密度、高集積素子の製造方法には欠かせな
いもので半導体装置の製造において工業的価値の犬なる
ものである。
ることができ、例えば固体撮像素子や大容量メモリー素
子の如り、高密度、高集積素子の製造方法には欠かせな
いもので半導体装置の製造において工業的価値の犬なる
ものである。
第１図は回転砥石で半導体基板を切断する方法を説明す
るだめの図、第２図は本発明の一実施例の切断方法を説
明するための図である。 １・・・・・・回転テーブル、２・・・・・・半導体基
板、３・・・・・・回転砥石、４・・・・・・噴射パイ
プ、５・・・・・・水、６・・・・・水の導入口、８・
・・・・泡の導入口、９・・・・・・抵抗を下げる物質
の導入口。
るだめの図、第２図は本発明の一実施例の切断方法を説
明するための図である。 １・・・・・・回転テーブル、２・・・・・・半導体基
板、３・・・・・・回転砥石、４・・・・・・噴射パイ
プ、５・・・・・・水、６・・・・・水の導入口、８・
・・・・泡の導入口、９・・・・・・抵抗を下げる物質
の導入口。
Claims (3)
- （１）回転する砥石を用いて半導体基板を切断又は加工
するに際し、微細な泡を含む液体を前記半導体基板の切
断又は加工する部分に撤布することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - （２）回転する砥石を用いて半導体基板を切断又は加工
するに際し、低抵抗でかつアルカリイオンを除去した液
体を前記半導体基板の切断又は加工する部分に撤布する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （３） 回転する砥石を用いて半導体基板を切断又は
加工するに際し、微細な泡を含む低抵抗の液体を前記半
導体基板の切断又は加工する部分に撤布することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119458A JPS599926A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119458A JPS599926A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599926A true JPS599926A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14761861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119458A Pending JPS599926A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599926A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4723791A (en) * | 1985-10-21 | 1988-02-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Suspension of vehicle |
| JPH03164209A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 脆性材料の切断方法 |
| JP2014217922A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP2015230935A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 株式会社ディスコ | シリコンウェーハの加工方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128754A (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP57119458A patent/JPS599926A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128754A (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4723791A (en) * | 1985-10-21 | 1988-02-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Suspension of vehicle |
| JPH03164209A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 脆性材料の切断方法 |
| JP2014217922A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP2015230935A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 株式会社ディスコ | シリコンウェーハの加工方法 |
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