JPS599831A - カラ−受像管の製造方法 - Google Patents
カラ−受像管の製造方法Info
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- JPS599831A JPS599831A JP11846282A JP11846282A JPS599831A JP S599831 A JPS599831 A JP S599831A JP 11846282 A JP11846282 A JP 11846282A JP 11846282 A JP11846282 A JP 11846282A JP S599831 A JPS599831 A JP S599831A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2278—Application of light absorbing material, e.g. between the luminescent areas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、カラー受像管の製造方法に関し、更に詳しく
は、ブラックマトリックス型カラー受像管の非発光性光
吸収被膜のパターン形成方法に関する。
は、ブラックマトリックス型カラー受像管の非発光性光
吸収被膜のパターン形成方法に関する。
従来、カラー受像管のグラツクマトリックスパターンを
形成するには、一般的にまず、フェースプレートパネル
の内面に水溶性フオトレジス）を塗布し、次に所望のパ
ターンを有する７ヤドウマスクを介して該フォトレジス
トに紫外線を照射して、この照射部分を不溶化させ、し
かる後に未照射部分を水洗除去することによシ、ドツト
状又はストライプ状のレジストパターンを得る。次にフ
ェースプレートパネルの内面に黒鉛等の非発光性光吸収
物質から成る被膜を形成し、その後レジメドパターンと
その上に形成された非発光性光吸収被膜とを同時に剥離
することによシ、所望のブラックマトリックスパターン
を形成していた。
形成するには、一般的にまず、フェースプレートパネル
の内面に水溶性フオトレジス）を塗布し、次に所望のパ
ターンを有する７ヤドウマスクを介して該フォトレジス
トに紫外線を照射して、この照射部分を不溶化させ、し
かる後に未照射部分を水洗除去することによシ、ドツト
状又はストライプ状のレジストパターンを得る。次にフ
ェースプレートパネルの内面に黒鉛等の非発光性光吸収
物質から成る被膜を形成し、その後レジメドパターンと
その上に形成された非発光性光吸収被膜とを同時に剥離
することによシ、所望のブラックマトリックスパターン
を形成していた。
このようにして形成されたブラックマトリックス螢光面
におけるドツト径又はストライプ径は、フェースプレー
トパネルの中心部から周辺部にかけて、以下の理由によ
り次第に小さくなっていなければならない。
におけるドツト径又はストライプ径は、フェースプレー
トパネルの中心部から周辺部にかけて、以下の理由によ
り次第に小さくなっていなければならない。
即ち、一般に、フェースプレートパネルの周辺部では、
ビームの偏向角が中心部に比べ大きくなり入射する電子
ビームのランディング精度が中心部より劣るため、電子
ビーム径を規制するマスクの孔径をドツト径又はストラ
イプ径に比べて相対的に大きくとシ、所謂ビユリティ余
裕度（ガードリング巾）ｖｉ−大にする必要がある。そ
こで、フェースプレートパネルの中央部及び周辺部のド
ツト径又はストライプ径を小さくすると、満足すべきビ
ユリティ余裕度が得られることとなる。しかしながら、
ドツト径又はストライプ径を過度に小さくすると、螢光
面輝度が低下し、カラー受像管としての商品価値が低下
してしまう。従って、この不都合な事態を解消するため
には、フェースプレートパーネルの中央部のドツト径又
はストライプ径を周辺部よシも大きくシ、ランディング
精度が低下し易い周辺部においてのみ、ドツト径又はス
トライプ径を小にして、ドツト径又はストライク°径に
グレーディングを与えることが必要となるのである。
ビームの偏向角が中心部に比べ大きくなり入射する電子
ビームのランディング精度が中心部より劣るため、電子
ビーム径を規制するマスクの孔径をドツト径又はストラ
イプ径に比べて相対的に大きくとシ、所謂ビユリティ余
裕度（ガードリング巾）ｖｉ−大にする必要がある。そ
こで、フェースプレートパネルの中央部及び周辺部のド
ツト径又はストライプ径を小さくすると、満足すべきビ
ユリティ余裕度が得られることとなる。しかしながら、
ドツト径又はストライプ径を過度に小さくすると、螢光
面輝度が低下し、カラー受像管としての商品価値が低下
してしまう。従って、この不都合な事態を解消するため
には、フェースプレートパーネルの中央部のドツト径又
はストライプ径を周辺部よシも大きくシ、ランディング
精度が低下し易い周辺部においてのみ、ドツト径又はス
トライプ径を小にして、ドツト径又はストライク°径に
グレーディングを与えることが必要となるのである。
以上のことから、ドツト径又はストライプ径を螢光面輝
度が低下しない程度に小さくできる技術の開発が望まれ
てくる。
度が低下しない程度に小さくできる技術の開発が望まれ
てくる。
さて、次に、このよ・うな小径を有するドツト又はスト
ライプを得る方法について、第１図に基づき説明する。
ライプを得る方法について、第１図に基づき説明する。
図中、１は径がＡである孔を有するシャドウマスク、２
は径がＣである光源、３はフェースプレートパネルであ
って、下図はシャドウマスク１の孔を介して光源２から
フェースプレートパネル１に光が到達する範囲を示した
もので、上図はフェースプレートパネル１上における照
度分布を示したものである。また、■は通常の径を有す
る光源を使用した場合の照度分布、■は通常よシ径の大
きな光源を使用した場合の照度分布、■は通常よシ径の
小さな光源を使用した場合の照度分布余水している。
は径がＣである光源、３はフェースプレートパネルであ
って、下図はシャドウマスク１の孔を介して光源２から
フェースプレートパネル１に光が到達する範囲を示した
もので、上図はフェースプレートパネル１上における照
度分布を示したものである。また、■は通常の径を有す
る光源を使用した場合の照度分布、■は通常よシ径の大
きな光源を使用した場合の照度分布、■は通常よシ径の
小さな光源を使用した場合の照度分布余水している。
従来、所望の径を有するドツト又はストライプは、フェ
ースプレートバネ詞に塗布されたフォトレジストに、所
望のパターンを有するシャドウマスク１を介して紫外線
全照射し、以後、所定の操作を行なうことにより得られ
ていた。この際、シャドウマスク１の１個の開孔部を通
過した露光用の光ビームは、第１図中の１に示したよう
な照度分布を有するため、得られるドツト径又はストラ
イプ径は、真影径Ｄ ｍｉｎ以上、半影径Ｄ ｍａｘ以
下となる。この間の径は露光量の制御によシ任意に設定
することができるが、当然のことながら、Ｄｍｉｎ未満
のドツト径又はストライプ径は得ることができなし。そ
こで、径を小にするため、一般に、光源径Ｃを大にして
相対的にＤ ｍｉｎ ｆ小にする方法が採用されていた
（図中の■参照）。
ースプレートバネ詞に塗布されたフォトレジストに、所
望のパターンを有するシャドウマスク１を介して紫外線
全照射し、以後、所定の操作を行なうことにより得られ
ていた。この際、シャドウマスク１の１個の開孔部を通
過した露光用の光ビームは、第１図中の１に示したよう
な照度分布を有するため、得られるドツト径又はストラ
イプ径は、真影径Ｄ ｍｉｎ以上、半影径Ｄ ｍａｘ以
下となる。この間の径は露光量の制御によシ任意に設定
することができるが、当然のことながら、Ｄｍｉｎ未満
のドツト径又はストライプ径は得ることができなし。そ
こで、径を小にするため、一般に、光源径Ｃを大にして
相対的にＤ ｍｉｎ ｆ小にする方法が採用されていた
（図中の■参照）。
しかしながら、この場合にあっては、Ｄｍａｘが必然的
に大となるため、１つの照度分布の周辺部が、隣−接す
るドツト又はストライプを形成するための照度分布の周
辺部と重複してしまい、その結果、得られるドツト又は
ストライプは連結もしくは変形するおそれがあった。従
って、隣接するドツト又はストライプが重複することの
ないようにしようとすれば、隣接する照度分布の中心間
距離〒σとすると得られる径Ｄ ｆ、Ｄｃ ：） Ｄ
） Ｄ ｍ１ｎ（Ｄｅ＝−２σ−Ｄ ｍａｘ ）の範囲
となるように露光量を制御しなければならない。又、光
量分布の勾配が小さい為、光量変動による径のバラツキ
が生じ、ひいては所望のブラックマトリックスパターン
が得られないこととなる。
に大となるため、１つの照度分布の周辺部が、隣−接す
るドツト又はストライプを形成するための照度分布の周
辺部と重複してしまい、その結果、得られるドツト又は
ストライプは連結もしくは変形するおそれがあった。従
って、隣接するドツト又はストライプが重複することの
ないようにしようとすれば、隣接する照度分布の中心間
距離〒σとすると得られる径Ｄ ｆ、Ｄｃ ：） Ｄ
） Ｄ ｍ１ｎ（Ｄｅ＝−２σ−Ｄ ｍａｘ ）の範囲
となるように露光量を制御しなければならない。又、光
量分布の勾配が小さい為、光量変動による径のバラツキ
が生じ、ひいては所望のブラックマトリックスパターン
が得られないこととなる。
逆に光源径Ｃが小の場合は（図中の■参照）、次式：
（式中、ＰＨはシャドウマスクの孔のピッチ、Ａはシヤ
ドウマスク１の孔径、Ｌは光源２からフェースプレート
パネル内面３までの距離、Ｑはシャドウマスク１からフ
ェースプレートパネル内面３までの距離７表わす。第１
図参照） で示されるように、Ｃを小とする程、ＤＣは犬となり、
隣接するドツト又はストライプが連結するおそれは少な
くなる。また、Ｃを小とする程、照度分布の勾配が大き
くなり、光量変動によるドツト径又は、＜ドライブ径の
大きさのバラツキは消失する。
ドウマスク１の孔径、Ｌは光源２からフェースプレート
パネル内面３までの距離、Ｑはシャドウマスク１からフ
ェースプレートパネル内面３までの距離７表わす。第１
図参照） で示されるように、Ｃを小とする程、ＤＣは犬となり、
隣接するドツト又はストライプが連結するおそれは少な
くなる。また、Ｃを小とする程、照度分布の勾配が大き
くなり、光量変動によるドツト径又は、＜ドライブ径の
大きさのバラツキは消失する。
従って、光源径Ｃは、できる限シ小さくすることが、良
好なブラックマトリックスパターン余得る上で最も好ま
しいものとなる。
好なブラックマトリックスパターン余得る上で最も好ま
しいものとなる。
しかしながら、実際には、光源径Ｃが小さな場合（１，
５ｍｍ以下）における光の照度分布は、第２図に示すよ
うな、所謂角パターンとなっているため、これに対応し
て得られるレジストノくターンも角パターンとなる。そ
の結果、ドツト径又はストライプ径を小さく、すると、
第３図に示したレジストパターン、更には、第４図に示
したレジストパターンとなり、形成されるブラックマト
リックスパターンは第５図、第６図に示したような黒鉛
未剥離部４が生じてしまう（図中、５は黒鉛部）。
５ｍｍ以下）における光の照度分布は、第２図に示すよ
うな、所謂角パターンとなっているため、これに対応し
て得られるレジストノくターンも角パターンとなる。そ
の結果、ドツト径又はストライプ径を小さく、すると、
第３図に示したレジストパターン、更には、第４図に示
したレジストパターンとなり、形成されるブラックマト
リックスパターンは第５図、第６図に示したような黒鉛
未剥離部４が生じてしまう（図中、５は黒鉛部）。
伺、現実には第３図中、厚さＨが約０．０２μ（２０−
ＯＸ）以下の場合であっても黒鉛未剥離部が生じていた
。従って、得られる径ｉＤａ以下とすることができなか
った。
ＯＸ）以下の場合であっても黒鉛未剥離部が生じていた
。従って、得られる径ｉＤａ以下とすることができなか
った。
不発明の目的は、光源径が小さな場合であっても、充分
に小さなレジストパターン、ひいてはドツト径又はスト
ライプ径の小さなブラックマトリックスパターンを形成
することが可能となり、しかも黒鉛未剥離部ケ生じるこ
とのない光吸収被膜を形成したカラー受像管の製造方法
全提供することである。
に小さなレジストパターン、ひいてはドツト径又はスト
ライプ径の小さなブラックマトリックスパターンを形成
することが可能となり、しかも黒鉛未剥離部ケ生じるこ
とのない光吸収被膜を形成したカラー受像管の製造方法
全提供することである。
本発明の特徴は、中間処理として角パターン状のフォト
レジスト膜の四部に金属酸化物を含有する水溶性高分子
膜を形成せしめる工程（前記り。
レジスト膜の四部に金属酸化物を含有する水溶性高分子
膜を形成せしめる工程（前記り。
Ｅ）を加えたことである。
即ち、本発明のカラー受像管の製造方法は、（４）フェ
ースプレートパネルの内面にフォトレジスト膜全形成す
る工ａ−１（Ｂ）シャドウマスクを介して前記フォトレ
ジスト膜を露光し、該層の露光された部分のみ全硬化さ
せる工程、（Ｃ）フォトレジスト膜を現像処理して、該
層の未露光部分を除去する工程、ノ）フェースプレート
パネル内面に金属酸化物を含有する水溶性高分子膜を形
成する工程、■）前記水溶性高分子膜を現像処理して、
前記フォトレジスト膜上以外に形成された水溶性高分子
膜を除去する工程、（Ｆ）フェースプレートパネルの内
面に非発光性光吸収被膜を形成する工程、（Ｇ）フェー
スプレートパネルを酸化剤含有水溶液で処理して、フォ
トレジスト膜及び該膜上に形成された水溶性高分子膜並
びに該膜上に形成された非発光性光吸収被膜を除去する
工程を含むことを特徴とするものである。
ースプレートパネルの内面にフォトレジスト膜全形成す
る工ａ−１（Ｂ）シャドウマスクを介して前記フォトレ
ジスト膜を露光し、該層の露光された部分のみ全硬化さ
せる工程、（Ｃ）フォトレジスト膜を現像処理して、該
層の未露光部分を除去する工程、ノ）フェースプレート
パネル内面に金属酸化物を含有する水溶性高分子膜を形
成する工程、■）前記水溶性高分子膜を現像処理して、
前記フォトレジスト膜上以外に形成された水溶性高分子
膜を除去する工程、（Ｆ）フェースプレートパネルの内
面に非発光性光吸収被膜を形成する工程、（Ｇ）フェー
スプレートパネルを酸化剤含有水溶液で処理して、フォ
トレジスト膜及び該膜上に形成された水溶性高分子膜並
びに該膜上に形成された非発光性光吸収被膜を除去する
工程を含むことを特徴とするものである。
以下、本発明方法について工程順に説明する。
工程（４）は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ
） −７ルミニウムダイカスト（ＡＤＣ，ＪＩ８Ｈ５
３０２）系、ＰＶＡ−ジアゾ系又はポリビニルピロリド
ン（ｐｖｐ ）−アジド系等の水溶性フォトレジストヲ
受像管用のフェースプレートパネル内面に塗布し、つい
で乾燥して、フォトレジスト膜を形成するものである。
） −７ルミニウムダイカスト（ＡＤＣ，ＪＩ８Ｈ５
３０２）系、ＰＶＡ−ジアゾ系又はポリビニルピロリド
ン（ｐｖｐ ）−アジド系等の水溶性フォトレジストヲ
受像管用のフェースプレートパネル内面に塗布し、つい
で乾燥して、フォトレジスト膜を形成するものである。
工程ＣＢ）は、所定径の孔が多数穿設されたシャドウマ
スクを介して、所望パターン状に前記フォトレジスト膜
に紫外線ｆｆ：露光し、露光された部分のみを硬化（水
不溶化）するものである。紫外線露光に用いられる光源
としては、３４Ｏｎｍ付近の波長を有する紫外線成分を
含む光源であれば、いかなるものも使用可能であって、
具体的には、高圧水銀灯が例示される。露光の際の照度
は通常０、２〜２．５ ｍ Ｗ／１ｙｎ２で、照射時間
は通常１〜１０秒で充分である。この際、光源径が１．
５ ｖａｎ以下であってもよい。
スクを介して、所望パターン状に前記フォトレジスト膜
に紫外線ｆｆ：露光し、露光された部分のみを硬化（水
不溶化）するものである。紫外線露光に用いられる光源
としては、３４Ｏｎｍ付近の波長を有する紫外線成分を
含む光源であれば、いかなるものも使用可能であって、
具体的には、高圧水銀灯が例示される。露光の際の照度
は通常０、２〜２．５ ｍ Ｗ／１ｙｎ２で、照射時間
は通常１〜１０秒で充分である。この際、光源径が１．
５ ｖａｎ以下であってもよい。
工程（Ｃ）は、所望パターン状に露光したフォトレジス
ト膜葡現像処理することによシ、未照射部分のフォトレ
ジスト’を除去するものである。この現像処理は、水又
は温水で洗浄することにより行なわれる。
ト膜葡現像処理することによシ、未照射部分のフォトレ
ジスト’を除去するものである。この現像処理は、水又
は温水で洗浄することにより行なわれる。
工程の）は、フェースプレートパネル内面に、所定量の
水溶性樹脂及び金属酸化物が水に分散されて成るスラリ
ーを塗布し、ついでこれを乾燥して水溶性高分子膜を形
成するものである。この時、前記角パターン状のフォト
レジスト膜の凹部内及びフェースプレートパネル内面は
、水溶性高分子膜で覆われることとなる（第３図及び第
４図参照）。
水溶性樹脂及び金属酸化物が水に分散されて成るスラリ
ーを塗布し、ついでこれを乾燥して水溶性高分子膜を形
成するものである。この時、前記角パターン状のフォト
レジスト膜の凹部内及びフェースプレートパネル内面は
、水溶性高分子膜で覆われることとなる（第３図及び第
４図参照）。
上記した水溶性樹脂としては、例えば、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、
ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルアセタール、ポ
リアクリル酸などの合成高分子、ゼラチン、シェラツク
、アラビアゴム、カゼインなどの天然高分子、メチルビ
ニルエーテルとマレイン酸、アクリルアミドとダイア七
トンアクリルアミド、アクリルアミドとビニルアルコー
ルなどの共重合体、アクリロニトリルグラフト化ポリビ
ニルアルコール、グリシジルメタクリレートクラフト化
ポリビニルアルコール、β−オキシエチルメタクリレー
トグラフト化ポリビニルアルコールなどのグラフト化さ
れた高分子、カルボキシメチルセルローズ、ヒドロキシ
メチルセルローズ、ヒドロキシプロピルセルローズ、ボ
！Ｊ−Ｌ−グルタミン酸（Ｎａ塩）などの半合成高分子
材料などを挙げることができる。
コール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、
ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルアセタール、ポ
リアクリル酸などの合成高分子、ゼラチン、シェラツク
、アラビアゴム、カゼインなどの天然高分子、メチルビ
ニルエーテルとマレイン酸、アクリルアミドとダイア七
トンアクリルアミド、アクリルアミドとビニルアルコー
ルなどの共重合体、アクリロニトリルグラフト化ポリビ
ニルアルコール、グリシジルメタクリレートクラフト化
ポリビニルアルコール、β−オキシエチルメタクリレー
トグラフト化ポリビニルアルコールなどのグラフト化さ
れた高分子、カルボキシメチルセルローズ、ヒドロキシ
メチルセルローズ、ヒドロキシプロピルセルローズ、ボ
！Ｊ−Ｌ−グルタミン酸（Ｎａ塩）などの半合成高分子
材料などを挙げることができる。
これらの水溶性樹脂は、スラリー全量に対して、１〜１
０重量％配合することが好ましい。配合割合が１０重量
％ヲ超えると、レジストパターン上に形成される金属酸
化物の緻密度が粗となシ好ましくない。また、１重量−
未満の場合は緻密度が不均一となり好ましくない。
０重量％配合することが好ましい。配合割合が１０重量
％ヲ超えると、レジストパターン上に形成される金属酸
化物の緻密度が粗となシ好ましくない。また、１重量−
未満の場合は緻密度が不均一となり好ましくない。
また、金属酸化物としては、例えば、Ｔ ｌ ０２ｒＡ
ｍ’！０１１ ｒ ５ｎｏ２ｐ ８１０２ ＊ Ｚ
ｎＯなどから選ばれる１種もしくは２種以上を用いるこ
とができる。これらの金属酸化物の粒子径は０．０５〜
０．３μｍであることが好ましい。更に、金属酸化物は
、スラリー全量に対して５〜３０重量％配合することが
好ましい。配合割合が３０重量％を超えると、金属酸化
物がスラリー中で沈降してしまい、また、５重量−未満
の場合は、フェースプレートパネル内面へのスラリー塗
布量が低下する。
ｍ’！０１１ ｒ ５ｎｏ２ｐ ８１０２ ＊ Ｚ
ｎＯなどから選ばれる１種もしくは２種以上を用いるこ
とができる。これらの金属酸化物の粒子径は０．０５〜
０．３μｍであることが好ましい。更に、金属酸化物は
、スラリー全量に対して５〜３０重量％配合することが
好ましい。配合割合が３０重量％を超えると、金属酸化
物がスラリー中で沈降してしまい、また、５重量−未満
の場合は、フェースプレートパネル内面へのスラリー塗
布量が低下する。
このように調製されるスラリーは、塗布作業の容易性か
ら、粘度１０〜２５ ｃｐａ （２１℃）の範囲である
ことが好ましい。
ら、粘度１０〜２５ ｃｐａ （２１℃）の範囲である
ことが好ましい。
工程（ト））は、前記水溶性高分子膜を現像処理して、
該層を除去するものである。この現像処理は、温水（好
ましくは３０℃〜５０℃）現像することによシ行なわれ
る。この現像処理後には、理由は定かではないが、前記
角パターン状のフォトレジスト膜の凹部内に形成された
水溶性高分子膜のみが、除去されずに残っている。従っ
て、次の工程（ト）で塗布する非発光性光吸収物質は上
記凹部内のフェースプレートパネル内面に直接付着する
ことがないため、該物質から成る被膜の未剥離部が生じ
ることはない。
該層を除去するものである。この現像処理は、温水（好
ましくは３０℃〜５０℃）現像することによシ行なわれ
る。この現像処理後には、理由は定かではないが、前記
角パターン状のフォトレジスト膜の凹部内に形成された
水溶性高分子膜のみが、除去されずに残っている。従っ
て、次の工程（ト）で塗布する非発光性光吸収物質は上
記凹部内のフェースプレートパネル内面に直接付着する
ことがないため、該物質から成る被膜の未剥離部が生じ
ることはない。
工程（巧は、フェースプレートパネルの内面に非発光性
光吸収被膜を形成するものである。非発光性光吸収物質
としては、例えば、黒鉛、二酸化マンガン、修酸マンガ
ン、 硫：イピ鉛を挙げることができる。
光吸収被膜を形成するものである。非発光性光吸収物質
としては、例えば、黒鉛、二酸化マンガン、修酸マンガ
ン、 硫：イピ鉛を挙げることができる。
工程轢）は、フェースプレートパネルを酸化剤含有水溶
液で処理して、フォトレジスト膜及び該層の凹部内に形
成された水溶性高分子膜並びに、該膜上に形成された非
発光性光吸収被膜を同時に剥離するものである。上記し
た酸化剤としては、例えば、過酸化水素、スルファミン
酸、次亜塩素酸などを挙げることができる。
液で処理して、フォトレジスト膜及び該層の凹部内に形
成された水溶性高分子膜並びに、該膜上に形成された非
発光性光吸収被膜を同時に剥離するものである。上記し
た酸化剤としては、例えば、過酸化水素、スルファミン
酸、次亜塩素酸などを挙げることができる。
以上の工程（４）〜←）にＪ：り、得られるドツト又は
ストライプにあっては、非発光性光吸収被膜の未剥離部
が生じることがない。
ストライプにあっては、非発光性光吸収被膜の未剥離部
が生じることがない。
カラー受゛像管は、以上のようにしてドツト又はストラ
イプが形成された７エースプレートノくネルを用いて、
常法に従い製造される。
イプが形成された７エースプレートノくネルを用いて、
常法に従い製造される。
実施例１
下記組成：
ＰＶＡ ＥＧ−４０２，０５，！？
（日本合成（ハ）製、商品名）
重クロム酸アンモニウム ０．
１７ｇアクリルエマルジョン Ｃ−７２ （日本アクリル（ト）製、商品名） １
．７２ｇ界面活性剤 Ｌ−９２０，０１１，！ｉ’（ワ
イアンド、トケミカルの◇製、商品名）純 水
９６．０５．ｐ
の７オトレジス）’ｋ１３Ｖフェースプレートパネル３
内面に塗布し、乾燥させた。つぎに、シャドウマスク１
を介して、超高圧水銀灯を光源２とする露光台で、所望
パターン形成箇所を照射した後、水洗による現像処理を
行ない、フォトレジスト膜の未照射部分を除去して、ス
トライプ状のフォトレジスト膜６を得た。この時、光源
径ｃ＝’ｉ、ｏ瓢シャドウマスク１の中央部における孔
径Ａ１ ＝０．１７５閣、同周辺部における孔径、Ａ２
＝０．１６５瓢、マスクピッチＰＨ＝＝ ０．６ ｔｍ
、光源からフェースプレートパネル３内面までの距離
Ｌ＝２１７■、シャドウマスク１からフェースプレート
パネル３内面までの距離Ｑ＝１１咽であった（第１図参
照）。
１７ｇアクリルエマルジョン Ｃ−７２ （日本アクリル（ト）製、商品名） １
．７２ｇ界面活性剤 Ｌ−９２０，０１１，！ｉ’（ワ
イアンド、トケミカルの◇製、商品名）純 水
９６．０５．ｐ
の７オトレジス）’ｋ１３Ｖフェースプレートパネル３
内面に塗布し、乾燥させた。つぎに、シャドウマスク１
を介して、超高圧水銀灯を光源２とする露光台で、所望
パターン形成箇所を照射した後、水洗による現像処理を
行ない、フォトレジスト膜の未照射部分を除去して、ス
トライプ状のフォトレジスト膜６を得た。この時、光源
径ｃ＝’ｉ、ｏ瓢シャドウマスク１の中央部における孔
径Ａ１ ＝０．１７５閣、同周辺部における孔径、Ａ２
＝０．１６５瓢、マスクピッチＰＨ＝＝ ０．６ ｔｍ
、光源からフェースプレートパネル３内面までの距離
Ｌ＝２１７■、シャドウマスク１からフェースプレート
パネル３内面までの距離Ｑ＝１１咽であった（第１図参
照）。
また、露光量は、フェースプレートパネル３中央部で照
度Ｉ ｒ−−−、，２，５ｍＷ／ｃｍ２＼周辺部で照度
ｌ２＝１．２５ｍ駒２であシ、露光時間Ｔは４秒であっ
た。得られたストライプ状のフォトレジスト膜６の縦断
面図全第７図に示した。この時第７図での厚みＨは１５
０Ｘでありた。
度Ｉ ｒ−−−、，２，５ｍＷ／ｃｍ２＼周辺部で照度
ｌ２＝１．２５ｍ駒２であシ、露光時間Ｔは４秒であっ
た。得られたストライプ状のフォトレジスト膜６の縦断
面図全第７図に示した。この時第７図での厚みＨは１５
０Ｘでありた。
次に、下記組成：
ＴｌＯ２Ａ−１００１０、！？
（６原産業（ハ）製、商品名、粒子径０．１４８μｍ）
ＰＶＰ Ｋ−９０（ＧＡＦ社製、商品名）
２．３ｇ純 水
８７．７ｇを有するスラリー（粘度 １５ ｃｐ
ｓ ＋ ２１℃）を７工−スプレートパネル３内面に塗
布し、乾燥した後、水洗処理によシ現像処理して、フォ
トレジスト膜６の凹部のみを水溶性高分子膜で覆った。
ＰＶＰ Ｋ−９０（ＧＡＦ社製、商品名）
２．３ｇ純 水
８７．７ｇを有するスラリー（粘度 １５ ｃｐ
ｓ ＋ ２１℃）を７工−スプレートパネル３内面に塗
布し、乾燥した後、水洗処理によシ現像処理して、フォ
トレジスト膜６の凹部のみを水溶性高分子膜で覆った。
ついで、黒鉛から成る被膜をフェースプレートパネル３
内面に形成した。その後、１５重量％の過酸化水素水で
処理して、フォトレジスト膜６及び水溶性高分子膜並び
に該膜上の黒鉛被膜を剥離し、ブラックストライプパタ
ーンを形成した。このパターンのストライプ径は、中央
部で０．１５５１＋ｌＩｌ＋、周辺部で０．０９調であ
った。
内面に形成した。その後、１５重量％の過酸化水素水で
処理して、フォトレジスト膜６及び水溶性高分子膜並び
に該膜上の黒鉛被膜を剥離し、ブラックストライプパタ
ーンを形成した。このパターンのストライプ径は、中央
部で０．１５５１＋ｌＩｌ＋、周辺部で０．０９調であ
った。
比較例として、水溶性高分子膜全形成しなかったこと以
外は、上記と同様にしてブラックストライプパターンを
形成したところ、第５図に示したような黒鉛未剥離部が
発生した。
外は、上記と同様にしてブラックストライプパターンを
形成したところ、第５図に示したような黒鉛未剥離部が
発生した。
実施例２
Ｆ記組成：
ＰＶＰ Ｋ−９０（同前） ４．７
ｐ４．４′−ジアジドスチルベン−２、２’ −ジスル
ホン酸二ナトリウム塩 ０．４７１
／ポリアミン系シラン化合物 Ａ−１１０６０，３５ｇ
（日本ユニカー■製、商品名） 界面活性剤 ＬＴ−２２１０，０７５，ｊｉｌ（日本油
脂＠）製、商品名） エタノール １．１ｇ純
水 ２００．２
ｇのフォトレジストを用いたこと、 露光条件ｆ、Ｃ＝ １．０ ｍ、 ＡＩ ＝ ０．１５
０ ｍｍ、Ａ２＝０．１４０瓢、Ｐ□＝０．３瓢、Ｌ＝
２０２咽、Ｑ＝４．０７＋ｍｎ、Ｉ ｔ ＝ ０．４
ｍＷ／ｃｍ２、Ｉ ｚ ＝０．３５ｍｌηら２、Ｔ＝３
．５秒としたこと（得られたドツト状のフォトレジスト
膜の縦断面図全第８図に示した。この時厚みＨは１００
Ｘであった。）、下記組成： ＰＶＡＥＧ−４０（同前つ ２．９ｇ純 水
８７．１１７の
スラリー（粘度１５ ｃｐｓ ｒ ２１℃）を用いたこ
と、丞び フォトレジスト膜等を１５重量％のスルファミノ酸水溶
液で剥離したこと以外は実施例１と同様に処理して、ド
ツト状のブラックマトリックスパターンを形成した。こ
のドツトパターンのドツト径は、中央部及び周辺部で共
に８０μｍであった。
ｐ４．４′−ジアジドスチルベン−２、２’ −ジスル
ホン酸二ナトリウム塩 ０．４７１
／ポリアミン系シラン化合物 Ａ−１１０６０，３５ｇ
（日本ユニカー■製、商品名） 界面活性剤 ＬＴ−２２１０，０７５，ｊｉｌ（日本油
脂＠）製、商品名） エタノール １．１ｇ純
水 ２００．２
ｇのフォトレジストを用いたこと、 露光条件ｆ、Ｃ＝ １．０ ｍ、 ＡＩ ＝ ０．１５
０ ｍｍ、Ａ２＝０．１４０瓢、Ｐ□＝０．３瓢、Ｌ＝
２０２咽、Ｑ＝４．０７＋ｍｎ、Ｉ ｔ ＝ ０．４
ｍＷ／ｃｍ２、Ｉ ｚ ＝０．３５ｍｌηら２、Ｔ＝３
．５秒としたこと（得られたドツト状のフォトレジスト
膜の縦断面図全第８図に示した。この時厚みＨは１００
Ｘであった。）、下記組成： ＰＶＡＥＧ−４０（同前つ ２．９ｇ純 水
８７．１１７の
スラリー（粘度１５ ｃｐｓ ｒ ２１℃）を用いたこ
と、丞び フォトレジスト膜等を１５重量％のスルファミノ酸水溶
液で剥離したこと以外は実施例１と同様に処理して、ド
ツト状のブラックマトリックスパターンを形成した。こ
のドツトパターンのドツト径は、中央部及び周辺部で共
に８０μｍであった。
比較例として、水溶性高分子膜を形成しなかったこと以
外は、上記と同様にしてブラックマトリックスパターン
を形成したところ、第５図に示したような黒鉛未剥離部
が発生した。
外は、上記と同様にしてブラックマトリックスパターン
を形成したところ、第５図に示したような黒鉛未剥離部
が発生した。
本発明方法によれば、カラー受浄管のフェースグレート
パネルに、光源径が小さな場合であっても、充分に小さ
な径を有するドツト又はストライプを形成することが可
能となる。しかも、得られるドツト又はストライプに、
非発光性光吸収被膜の未剥離部を生じることがない。ま
た、光量変動によるドツト径又はストライプ径の変動（
不安定化）がなくて、好適なグレーディングをもったブ
ラックマトリックスパターンをフェースプレートパネル
に簡便に形成することができる。
パネルに、光源径が小さな場合であっても、充分に小さ
な径を有するドツト又はストライプを形成することが可
能となる。しかも、得られるドツト又はストライプに、
非発光性光吸収被膜の未剥離部を生じることがない。ま
た、光量変動によるドツト径又はストライプ径の変動（
不安定化）がなくて、好適なグレーディングをもったブ
ラックマトリックスパターンをフェースプレートパネル
に簡便に形成することができる。
第１図は光源径の大小に基づく照度分布の変化を示した
原理図、第２図は角パターン状の光の照度分布を示した
図、第３図は角パターン状のレジストパターンの縦断面
図、第４図は凹部にフェースプレートパネル内面が露出
したレジストパターンの縦断面図、第５図は黒鉛未剥離
部が生じたストライプ状のブラックマトリックスパター
ンを示した図、第６図は黒鉛未剥離部が生じたドツト状
のブラックマトリックスパターンを示した図、第７図は
実施例１で得たストライプ状のフォトレジスト膜の縦断
面図、第８図は実施例２で得たドツト状のフォトレジス
ト膜の縦断面図である。 １・・・シャドウマスク、２・・・光源、３・・・フェ
ースプレートパネル、４・・・黒鉛未剥離部、５・・・
黒鉛部、６・・・フォトレジスト膜。
原理図、第２図は角パターン状の光の照度分布を示した
図、第３図は角パターン状のレジストパターンの縦断面
図、第４図は凹部にフェースプレートパネル内面が露出
したレジストパターンの縦断面図、第５図は黒鉛未剥離
部が生じたストライプ状のブラックマトリックスパター
ンを示した図、第６図は黒鉛未剥離部が生じたドツト状
のブラックマトリックスパターンを示した図、第７図は
実施例１で得たストライプ状のフォトレジスト膜の縦断
面図、第８図は実施例２で得たドツト状のフォトレジス
ト膜の縦断面図である。 １・・・シャドウマスク、２・・・光源、３・・・フェ
ースプレートパネル、４・・・黒鉛未剥離部、５・・・
黒鉛部、６・・・フォトレジスト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ） フェースプレートパネルの内面にフォトレジ
スト膜を形成する工程、 （Ｂ） シャドウマスクを介して前記フォトレジスト
膜を露光し、該膜の露光された部分のみを硬化させる工
程、 （Ｃ）フォトレジスト膜を現像処理して、該膜の未露光
部分を除去する工程、 ■） フェースグレートパネル内面に金属酸化物を含有
する水溶性高分子膜を形成する工程、（５））前記水溶
性高分子膜を現像処理して、前記フォトレジスト膜上以
外に形成された水溶性高分子膜を除去する工程、 （Ｆ） フェースグレートパネルの内面に非発光性光
吸収被膜を形成する工程、 （Ｇ） フェースプレートパネルを酸化剤含有水溶液
で処理して、フォトレジスト膜及び該膜上に形成された
水溶性高分子膜並びに該膜上に形成された非発光性光吸
収被膜を除去する工程 を含むカラー受像管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11846282A JPS599831A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | カラ−受像管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11846282A JPS599831A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | カラ−受像管の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599831A true JPS599831A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14737250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11846282A Pending JPS599831A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | カラ−受像管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003029908A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 点字入力機能を有するキー入力装置 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP11846282A patent/JPS599831A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003029908A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 点字入力機能を有するキー入力装置 |
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