JPS59975B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁物を用いた素子間分離法による半導体集
積回路の製造方法に関するものである。

以下実施例にもとづき本発明を説明する。第１図は、本
発明の一実施例を説明するために示した製作途中におけ
るトランジスタの断面構造図である。

第１図Ａに示したように、Ｐ型シリコン基板１にｎ型埋
込層２、さらにｎ型エピタキシャル層３を形成し、酸化
膜と窒化珪素膜からなる膜をマスクにして酸化雰囲気中
で熱処理することにより、分離用酸化膜８を形成し、分
離領域１０および１１を形成する。次に分離用酸化膜８
を形成するために使用された窒化珪素膜および酸化膜を
除去し、分離領域１０および１１表面のシリコンを露出
させる。次に本発明の第１の特徴である半導体層３０を
、分離領域１０および１１の表面を露出させた後に約２
０００Ｘの厚さに形成する。

該半導体層は、例えばモノシランの熱分解法によりシリ
コン層を形成することができる。またその形成温度によ
つて例えば６５０℃ではすべての領域上の膜を多結晶シ
リコンとすることもでき、１０００℃以上で形成するこ
とにより、上記分離領域１０および１１の部分は単結晶
となし、分離用酸化膜の部分は多結晶とすることも可能
である。しかし、該膜の形成条件のトランジスタ特性へ
の影響は小さく、該膜を形成するということが重要であ
る。次に酸化膜３１が形成され、分離領域１１への拡散
用窓３２が、上記酸化膜３１に開孔され、続いて上記開
孔部に燐が拡散される（図示せず）。酸化膜３１は、上
記半導体層を酸化する方法、または例えばモノシラン気
相分解法による方法、あるいはその両者を併用する方法
によつて形成することができる。燐拡散は酸化雰囲気中
で行なわれ該領域の半導体層の一部約５００Ｘが酸化さ
れ、酸化膜３３を形成する。次に第１図Ｂに示すように
該酸化膜３３を残し、他の領域の酸化膜３１を全て除去
し、続いて全面にほう素が拡散されベース領域３５が形
成される。ベースのほう素拡散工程中に酸化膜３６が形
成される。次に本発明の第２の特徴であるエミツタ拡散
領域３８上に窒化珪素膜３７を形成し、ひきつづき酸化
雰囲気で熱処理することにより窒化珪素膜３７におおわ
れた半導体層３０（第１図Ｃ）を残し、他の領域の半導
体層を全て酸化することにより、酸化膜３９（第１図Ｃ
）を形成する。

次に第１図Ｄに示したようなエミツタ領域の開孔を窒化
膜３７の選択エツチにより設け、エミツタ４０が拡散さ
れる。

さらにベース｝よびコレクタ電極用窓４１および４２が
通常のフオト・エツチによつて開孔▲れ、該部｝よびエ
ミツタ部に電極用金属（図示せず）が被着されてトラン
ジスタが形成される。以上の方法によりなる本発明にし
たがつて製作されたトランジスタは、分離用酸化膜が半
導体層によつて覆われているため、拡散用窓を開孔する
際に、分離用酸化膜がエツチングされるのを防止するこ
とができ、このエツチングによつて生じるエミツタ・コ
レクタの短絡現象を全く示さなかつた。

さらに半導体層を酸化することにより、エミッタ領域以
外の半導体層を除去しているので、半導体層形成による
接合特性不良も認められず、トランジスタ特性は全く損
うことなく、エミツタ・コレクタ短絡不良を従来の５％
から０．５％以下にまで低減できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すトランジスタの断面図
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記工程を含む半導体装置の製造方法（１）半導体
   基板表面の所望部分を選択的に酸化して分離用酸化膜を
   形成する工程。 （２）上記半導体基板の半導体領域表面と上記酸化膜を
   連続して覆うシリコン膜を被着した後、該シリコン膜を
   介して上記半導体領域に不純物を導入することによりベ
   ースを形成する工程。 （３）上記シリコン膜の所望部分を覆い、露出された部
   分を酸化する工程。（４）上記所望部分に残存するシリ
   コン膜を介して上記半導体領域に不純物を導入すること
   によりエミッタを形成する工程。 （５）上記工程（３）によつて形成された酸化膜の所望
   部分を選択的にエッチして除く工程。 （６）上記酸化膜が被着されていない部分に電極金属を
   被着する工程。