JPS599445Y2 - トランジスタ検波回路 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、搬送波が変調信号によって振幅変調されてい
る被変調波が与えられる対の入力端子間に、ベース及び
コレクタが所要の電源に接続されている第１のトランジ
スタのベース及びエミツタ間の第１のダイオード構戒と
、ベースが第１のトランジスタのエミツタに接続され、
コレクタが所要の電源に接続されている第２のトランジ
スタのベース及びエミツタ間の第２のダイオード構戊と
を通じて、負荷が接続され、その負荷と並列関係に、対
の出力端子を導出している搬送波除去用濾波回路が接続
され、上記対の出力端子間から、上記被変調波の検波さ
れた出力が得られるトランジスタ検波回路の改良に関す
る。

先ず、本考案の理解を容易ならしめるため、本考案の基
礎となる従来のトランジスタ検波回路を述べよう。

第１図は、従来のトランジスタ検波回路を示し、全体と
してＭで示され、以下述べる構戒を有する。

被変調波源１２からの、第２図Ａに示すような、搬送波
が変調信号によって振幅変調されている被変調波Ｓ１が
与えられる対の入力端子１ａ及び１ｂを有する。

そして、それら入力端子１ａ及び１ｂ中の一方の入力端
子１ｂが、接地に接続されている。

また、他方の入力端子１ａが、直流阻止兼結合用コンデ
ンサ２を通じて、ベースがバイアス用抵抗１１を通じて
負極側を接地に接続している直流電源３の正極側に接続
され、コレクタが負極側を接地に接続している直流電源
４の正極側に接続されているＮＰＮ型のトランジスタＱ
１のベースに、接続されている。

一方、トランジスタＱ１のエミッタが、コレクタが直流
電源４の正極側に接続され、エミツタが負荷としての抵
抗５が通じて入力端子１ｂ、従って接地に接続されてい
るＮＰＮ型のトランジスタＱ２のベースに、接続されて
いる。

よって、被変調波Ｓ１が与えられる対の入力端子１ａ及
び１ｂ間に、ベース及びコレクタがそれぞれ電源３及び
４に接続されているトランジスタＱ１のベース及びエミ
ツタ間のダイオード構或と、ベースがトランジスタＱ１
のエミツタに接続され、コレクタが電源４に接続されて
いるトランジスタＱ２のベース及びエミツタ間のダイオ
ード構或とを通じて、負荷としての抵抗５が接続されて
いる。

また、負荷としての抵抗５と並列関係に、抵抗６とコン
デンサ７及び８とで構或され、且つ対の出力端子９ａ及
び９ｂを導出している搬送波除去用濾波回路１０が接続
されている。

以上が、従来のトランジスタ検波回路のＭの構或である
。

このような構或によれば、トランジスタＱ１及びＱ２が
所謂ダーリントン型に接続されている構或を有する。

このため、第１図と示す従来のトランジスタ検波回路Ｍ
の構或は、図示しないが、被変調波Ｓ１が与えられる対
の入力端子１ａ及び１ｂ間に、ベース及びコレクタが電
源３及び４にそれぞれ接続されている１つのトランジス
タのベース及びエミツタ間のダイオード構或を通じて、
負荷としての抵抗５が接続され、そして、その負荷とし
ての抵抗５と並列関係に、搬送波除去用濾波回路１０が
接続されている構或のトランジスタ検波回路と等価であ
る。

従って、入力端子１ａ及び１ｂ間に与えられる第２図Ａ
に示す被変調波Ｓ１が、トランジスタＱ１のベース及び
エミツタ間のダイオード構成と、Ｉ・ランジスタＱ２の
ベース及びエミツタ間のダイオード構或とが互いに直列
に接続されたダイオード構或によって、検波される。

このため、抵抗５の両端に、第２図Ｂに示すような、被
変調波Ｓ１の正の半波分に相当する出力Ｓ２が得られ、
これに応じて、出力端子９ａ及び９ｂ間から、第２図Ｃ
に示すような、被変調波Ｓ１の検波された出力Ｓ３か゛
得られる。

ところで、第１図に示す従来のトランジスタ検波回路Ｍ
は、上述したように、トランジスタＱ１及びＱ２が所謂
ダーリントン型に接続されている構戊を有するので、上
述した１つのトランジスタのみを適用しているトランジ
スタ検波回路の場合に対し、比較的高い入力インピーダ
ンスを呈する。

従って、第１図に示す従来のトランジスタ検波回路Ｍは
、被変調波源１２が、比較的高い出力インピーダンスを
有する場合に適用して、好適である。

しかしながら、第１図に示す従来のトランジスタ検波回
路の場合、搬送波除去用濾波回路１０において、抵抗５
の両端に得られる、第２図Ｂに示すような、被変調波Ｓ
１の正の半波分に相当する出力Ｓ２が含んでいる搬送波
戒分が除去されることによって、出力端子９ａ及び９ｂ
間から、第２図Ｃに示すような、被変調波Ｓ１の検波さ
れた出力Ｓ３が得られるのであるが、搬送波除去用濾波
回路１０におけるコンデンサ７及び８が、十分大きな容
量値を有していなければ、出力端子９ａ及び９ｂ間から
得られる出力Ｓ３が、搬送波或分を無視し得ない大きな
レベルで含んで得られる、という欠点を有する。

また、このため、コンテ゛ンサ７及び８として、大型、
高価のものを用いる必要があり、従って、搬送波除去用
濾波回路１０が大型、高価になり、よって、トランジス
タ検波回路が大型、高価になるという欠点を有する。

また、上述したように、出力端子９ａ及び９ｂから得ら
れる出力Ｓ３が、搬送波成分を無視し得ない大きなレベ
ルで含んで得られるので、その搬送波或分が、搬送波除
去用回路１０から出力端子９ａ及び９ｂに到る線路から
、外部に大なるレベルで輻射されるとともに、負荷とし
ての抵抗５の両端に得られる出力Ｓ２が、搬送波戊分を
大きなレベルで含んでいるので、その搬送波威分が、１
・ランジスタＱ１のコレクタ及びエミツタ、電源４を通
して接地に到る線路に流れて、その線路から、搬送波戒
分が、外部に大なるレベルで輻射される。

その結果、トランジスタ検波回路Ｍ自体が不安定になっ
たり、他の回路に悪影響を与えたりする慣れを有する、
という欠点を有する。

よって、本考案は、上述した欠点のない、新規なトラン
ジスタ検波回路を提案せんとするもので、以下述べると
ころから、明らかとなるであろう。

第３図は、第１図で上述した従来のトランジスタ検波回
路を基礎とした本考案によるトランジスタ検波回路の一
例を示し、次に述べる構或を有する。

第３図において、第１図との対応部分には同一符号を附
し、詳細説明を省略する。

第３図に示す本考案によるトランジスタ検波回路は、第
１図で上述した構戊において、そのトランジスタＱ２の
コレクタ及び電源４間の接続路１３に、搬送波帰還用イ
ンピーダンス素子または回路としての例えば抵抗１４が
介挿され、また、トランジスタＱ２のコレクタ及びベー
ス間に、被搬送波Ｓ１の搬送波に対して十分低いインピ
ーダンスを呈する搬送波帰還用容量素子としてのコンテ
゛ンサ１５が接続されていることを除いて、第１図の場
合と同様の構或を有する。

以上が、本考案による１一ランジスタ検波回路の一例構
或である。

このような構或によれば、第１図の場合と同様に、入力
端子１ａ及び１ｂ間に与えられる、第２図Ａに示すよう
な被変調波Ｓ１が、トランジスタＱ１のベース及ひ゛エ
ミツタ間のダイオード構或と、トランジスタＱ２のベー
ス及びエミツタ間のダイオード構戊とが互に直列に接続
されたダイオード構或によって、検波される。

このため、抵抗５の両端に、第２図Ｂで上述した出力Ｓ
２と同様の、出力Ｓ６が得られ、これに応じて、出力端
子９ａ及び９ｂ間から、第２図Ｃで上述した出力Ｓ３と
同様の出力Ｓ７が得られる。

この場合、トランジスタＱ１のエミツタ、従ってトラン
ジスタＱ２のベースに、第２図Ｂで上述した出力Ｓ２と
同様の出力Ｓ４か′得られる。

しかしながら、第３図に示す本考案によるトランジスタ
検波回路の場合、トランジスタＱ２のコレクタ及び電源
４間の接続路１３に、搬送波帰還用インピーダンス素子
または回路としての抵抗１４か゛介挿され、そして、ト
ランジスタＱ２のコレクタ及ひベース間に、搬送波帰還
用容量阻止としてのコンデンサ１５が接続されているの
で、トランジスタＱ２のコレクタに、第２図Ｅに示すよ
うな、上述した出力Ｓ４に対して逆相の出力Ｓ５か゛得
られ、そして、その搬送波或分が搬送波帰還用容量素子
としてのコンデンサ１５を通じて、トランジスタＱのベ
ースに負帰還される。

このため、抵抗５０両端に得られる出力Ｓ６が、第２図
Ｂで上述した出力Ｓ２に比し、搬送波成分の抑圧された
出力として得られる。

従って、搬送波除去用濾波回路１０におけるコンデンサ
７及び８が、大きな容量値を有していなく？も、出力端
子９ａ及ひ゛９ｂから得られる出力Ｓ７が、搬送波戒分
を含まないか、含むとしても無視し得る小さなレベルで
しか含まないものとしてしか、得られない、という特徴
を有する。

また、このため、コンデンサ７及び８として、大型、高
価のものを用いる必要がなく、従って、搬送波除去用濾
波回路１０を、小型、廉価に構或することができ、よっ
て、トランジスタ検波回路を、小型、廉価に構戒するこ
とができる、という特徴を有する。

さらに、上述したように、出力端子９ａ及び９ｂから得
られる出力Ｓ７が、搬送波戊分を含まないか、含むとし
ても無視し得る小さなレベルでしか含まないものとして
しか、得られないので、搬送波戊分が、搬送波除去用回
路１０から出力端子９ａ及び９ｂに到る線路から、外部
に輻射されないか、輻射されるとしても無視し得る小さ
なレベルでしか輻射されないとともに、抵抗５の両端に
得られる出力Ｓ６が、搬送波の抑圧されたものとして得
られるので、搬送波戊分が、トランジスタＱ２のコレク
タ及びエミツタ、電源４を通って接地に到る線路に、大
きなレベルで流れることがなく、従って、搬送波或分が
、その線路から、外部に輻射されないか、されるとして
も無視し得る小さなレベルでしか輻射されない。

その結果、トランジスタ検波回路Ｍ自体が不安定になっ
たり、他の回路に悪影響を与えたりする憧れを有しない
、という特徴を有する。

なお、上述においては、搬送波帰還容量素子としてコン
テ゛ンサ１５を適．用した場合につき述べたが、第４図
に示すように、第３図との対応部分に同一符号を附して
詳細説明を省略するが、第３図の構或において、そのコ
ンデンサ１５を、バラクタダイオード１５′に置換した
ことを除いて、第３図の場合と同様の構或にして、上述
したと同様の作用効果を得るようにすることも出来る。

また、トランジスタＱ１及びＱ２か′、ＮＰＮ型である
場合につき述べたが、これらを、ＰＮＰ型に変更し、こ
れに応じて、電源３及び４の極性を、第３図の場合から
逆に転換しても、上述したと同様の作用効果が得られる
ことは明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の基礎となる従来のトランジスタ検波
回路を示す接続図である。 第２図は、本考案の説明に供する信号波形図である。 第３図は、本考案に依るトランジスタ検波回路の一例を
示す接続図である。 第４図は、本考案に依るトランジスタ検波回路の他の例
を示す接続図である。 ｌａ，ｌｂ・・・・・・入力端子、３，４・・・・・・
直流電源、Ｑ１Ｑ２・・・・・・ＮＰＮ型のトランジス
タ、５・・・・・・抵抗、９ａ９ｂ・・・・・・出力端
子、１０・・・・・・搬送波除去用濾波回路、１２・・
・・・・被変調波源、１３・・・・・・接続路、１４・
・・・・・搬送波帰還用インピーダンス素子または回路
としての抵抗、１５・・・・・・搬送波帰還用容量素子
としてのコンデンサ、１５′・・・・・・搬送波帰還用
容量素子としてのバラクタダイオード。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 搬送波が変調信号によって振幅変調されている被変調波
   が与えられる対の入力端子間に、ベース及びコレクタが
   所要の電源に接続されている第１のトランジスタのベー
   ス及びエミツタ間の第１のダイオード構戊と、ベースが
   第１のトランジスタのエミツタに接続され、コレクタが
   所要の電源に接続されている第２のトランジスタのベー
   ス及びエミツタ間の第２のダイオード構或とを通じて、
   負荷が接続され、該負荷と並列関係に、対の出力端子を
   導出している搬送波除去用濾波回路が接続され、上記対
   の出力端子間から、上記被変調波の検波された出力が得
   られるトランジスタ検波回路において、 上記第２のトランジスタのコレクタの上記電源への接続
   路に、搬送波帰還用インピーダンス素子または回路が介
   挿され、 上記第２のトランジスタのコレクタ及びベース間に、上
   記搬送波に対し低インピーダンスを呈する搬送波帰還用
   容量素子が接続されていることを特徴とするトランジス
   タ検波回路。