JPS599102B2 - メモリ装置 - Google Patents
メモリ装置Info
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- JPS599102B2 JPS599102B2 JP52142759A JP14275977A JPS599102B2 JP S599102 B2 JPS599102 B2 JP S599102B2 JP 52142759 A JP52142759 A JP 52142759A JP 14275977 A JP14275977 A JP 14275977A JP S599102 B2 JPS599102 B2 JP S599102B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- loop
- information
- memory
- loops
- read
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメモリ装置に関する。
特に磁気バブルメモリや電荷結合型素子(CCD)メモ
リのようなシフトレジスタ状メモリにおける正常ループ
と不良ループを選別して情報を出力するメモリ装置に関
する。磁気バブルメモリや電荷結合型素子メモリのよう
な固体ファイルメモリ素子においては、経済性を上げる
ために部分的に不良な箇所を有していてもこの素子を用
いることによつて素子の歩留りを上げ、装置全体のコス
トを下げている。
リのようなシフトレジスタ状メモリにおける正常ループ
と不良ループを選別して情報を出力するメモリ装置に関
する。磁気バブルメモリや電荷結合型素子メモリのよう
な固体ファイルメモリ素子においては、経済性を上げる
ために部分的に不良な箇所を有していてもこの素子を用
いることによつて素子の歩留りを上げ、装置全体のコス
トを下げている。
以下磁気バブルメモリ装置を例にとり、従来の不良ルー
プ選択制御方式及びその問題点を説明する。第1図はJ
f6.0〜遥7と記された8個の磁気バブルチップから
なるメモリユニット部を示したもので、1は情報の格納
転送を行なうマイナループ群、2は情報の読み出し、又
は書き込み用にバブルの転送を行なうメジヤループであ
る。各チップに回転磁界を加えると、マイナループ1、
メジヤループ2の情報は図中矢印の方向へ同期回転を行
なう。例えば図中のA。点の情報が読み出される場合、
Ao点の情報はマイナループ1上を矢印の方向へ移動し
、メジヤループ2に転移し、その後メジヤループ2上を
移動して、ディテクタ3により読み出される。マイナル
ープ1からメジヤループ2への転移は各マイナループ中
の同一位置の複数情報に対して必ず行なわれ、各複数情
報のマイナループ位置の順に直列にディテクタ3で読み
出される。複数チップ間でも同期回転しており、各チッ
プで同一位置の情報A。−A7は同一タイミングで読み
出される。書き込みはジェネレータ4から行なわれ、書
き込み動作に対してもデータの流れが読み出しと逆にな
ることと、書き込まれるタイミングが読み出されるタイ
ミングと多少異なる程度で、基本動作は同じであるので
、以下の説明はすべて読み出し動作で行なう。さて、現
状では前述したように磁気バブルチツプは一部分不良箇
所を含んだままで使用する。
プ選択制御方式及びその問題点を説明する。第1図はJ
f6.0〜遥7と記された8個の磁気バブルチップから
なるメモリユニット部を示したもので、1は情報の格納
転送を行なうマイナループ群、2は情報の読み出し、又
は書き込み用にバブルの転送を行なうメジヤループであ
る。各チップに回転磁界を加えると、マイナループ1、
メジヤループ2の情報は図中矢印の方向へ同期回転を行
なう。例えば図中のA。点の情報が読み出される場合、
Ao点の情報はマイナループ1上を矢印の方向へ移動し
、メジヤループ2に転移し、その後メジヤループ2上を
移動して、ディテクタ3により読み出される。マイナル
ープ1からメジヤループ2への転移は各マイナループ中
の同一位置の複数情報に対して必ず行なわれ、各複数情
報のマイナループ位置の順に直列にディテクタ3で読み
出される。複数チップ間でも同期回転しており、各チッ
プで同一位置の情報A。−A7は同一タイミングで読み
出される。書き込みはジェネレータ4から行なわれ、書
き込み動作に対してもデータの流れが読み出しと逆にな
ることと、書き込まれるタイミングが読み出されるタイ
ミングと多少異なる程度で、基本動作は同じであるので
、以下の説明はすべて読み出し動作で行なう。さて、現
状では前述したように磁気バブルチツプは一部分不良箇
所を含んだままで使用する。
この不良箇所がメジヤループとなる場合は、そのチツプ
を使用することはできないが、マイナループとなる場合
は、該当マイナループが不良となるのみで、他のマイナ
ループとメジヤループを使用することは可能である。従
つてチツプ作成時、予め、予備マイナループを準備して
いる。ここでは1チツプ中にマイナループを#0〜#1
31として示す132本準備し、そのうち128本を実
際に使用するものとし、4本は予備ループとする。第2
図は各チツプのマイナループの正常不良の状態を示した
もので、「○」印は正常ループ、「×」印は不良ループ
である。第2図より各チツプのマイナループ番号#0の
ものについてはすべて正常ループであるから、同一タイ
ミングで読み出された情報はすべて有効で、この8ビツ
トを第0バイトとする。マイナループ番号#1について
みると、屋2のチツプが不良ループであるので、このマ
イナループ番号#1は使用せず読みとばすようにする。
マイナループ番号#2は#0と同様にすべて正常である
からこれを第1バイトとする。こうして第2図の例では
マイナループ番号#129までで128バイト分が確保
され、#130および#131は使用されない。このよ
うに、不良ループのあるマイナループ番号は読みとばし
、予備ループを使用して128本の正常ループを確保す
る。第4図にこの構成を示し、第3図および第5図を参
照して説明する。
を使用することはできないが、マイナループとなる場合
は、該当マイナループが不良となるのみで、他のマイナ
ループとメジヤループを使用することは可能である。従
つてチツプ作成時、予め、予備マイナループを準備して
いる。ここでは1チツプ中にマイナループを#0〜#1
31として示す132本準備し、そのうち128本を実
際に使用するものとし、4本は予備ループとする。第2
図は各チツプのマイナループの正常不良の状態を示した
もので、「○」印は正常ループ、「×」印は不良ループ
である。第2図より各チツプのマイナループ番号#0の
ものについてはすべて正常ループであるから、同一タイ
ミングで読み出された情報はすべて有効で、この8ビツ
トを第0バイトとする。マイナループ番号#1について
みると、屋2のチツプが不良ループであるので、このマ
イナループ番号#1は使用せず読みとばすようにする。
マイナループ番号#2は#0と同様にすべて正常である
からこれを第1バイトとする。こうして第2図の例では
マイナループ番号#129までで128バイト分が確保
され、#130および#131は使用されない。このよ
うに、不良ループのあるマイナループ番号は読みとばし
、予備ループを使用して128本の正常ループを確保す
る。第4図にこの構成を示し、第3図および第5図を参
照して説明する。
第4図において、11は磁気バブルチツプ、12は各マ
イナループ対応に正常ループか不良ループかを示す情報
を格納する読み出し専用メモリ(ROM)、13は磁気
バブルチツプ11からの情報のタイミング調整を行う4
ビツトシフトレジスタ、141(1=0〜7)はシフト
レジスタ13の4ビツトから使用するビツトを選択する
ためのセレクタ、151はセレクタ141で選択された
データを外部装置に送出するためのアンド回路、16は
外部からの起動により磁気バブルメモリ装置のアドレス
を計数するアドレスカウンタ、17は外部装置から送ら
れてくるデータ送出開始アドレスを格納しておくアドレ
スレジスタ18とアドレスカウンタ16の内容の一致を
検出するマツチヤ、19は、外部装置へ転送するデータ
量を制御するフリツプフロツプである。20は,、RO
Ml2の内容の「1」をカウントするカウンタ、21は
カウンタ20のデコーダである。
イナループ対応に正常ループか不良ループかを示す情報
を格納する読み出し専用メモリ(ROM)、13は磁気
バブルチツプ11からの情報のタイミング調整を行う4
ビツトシフトレジスタ、141(1=0〜7)はシフト
レジスタ13の4ビツトから使用するビツトを選択する
ためのセレクタ、151はセレクタ141で選択された
データを外部装置に送出するためのアンド回路、16は
外部からの起動により磁気バブルメモリ装置のアドレス
を計数するアドレスカウンタ、17は外部装置から送ら
れてくるデータ送出開始アドレスを格納しておくアドレ
スレジスタ18とアドレスカウンタ16の内容の一致を
検出するマツチヤ、19は、外部装置へ転送するデータ
量を制御するフリツプフロツプである。20は,、RO
Ml2の内容の「1」をカウントするカウンタ、21は
カウンタ20のデコーダである。
ROMl2には第3図に示すデータが格納されている。
ROM内アドレスは第2図のマイナループ番号に対応し
、「O」は正常ループ、「1」は不良ループ表示である
。即ち、正常ループであるマイナループ番号#0,#2
,#3等のROM内アドレス0,2,3等には[0」が
、不良ループであるマイナループ番号#1,#4等のR
OM内アドレス1,4等には「1」が表示されている。
外部から加えられる回転磁界の1周期でチツプ11で8
ビツトの情報が読み出され、シフトレジスタ13に格納
される。
ROM内アドレスは第2図のマイナループ番号に対応し
、「O」は正常ループ、「1」は不良ループ表示である
。即ち、正常ループであるマイナループ番号#0,#2
,#3等のROM内アドレス0,2,3等には[0」が
、不良ループであるマイナループ番号#1,#4等のR
OM内アドレス1,4等には「1」が表示されている。
外部から加えられる回転磁界の1周期でチツプ11で8
ビツトの情報が読み出され、シフトレジスタ13に格納
される。
従つてまず4周期タイミングによりシフトレジスタ13
にはチツプ11の4バイト分、すなわちマイナループ番
号#0〜#3のデータがシフトレジスタ13のそれぞれ
第3ビツト〜第0ビツトに読み出される。この時点での
シフトレジスタ13の情報の有効無効を第5図aに示す
。ここで「O」は正常ループから読み出された有効ビツ
ト、「×」は不良ループから読み出された無効ビツトを
示す。上記と同じタイミングでROMl2の内容が読み
出される。一方外部装置からのデータ送出開始番地はア
ドレスレジスタ18に格納されている。またアドレスカ
ウンタ16はチツプ11の読み出し周期と同期して歩進
しており、アドレスカウンタ16の内容とアドレスレジ
スタ18の内容との一致をマツチヤ17で検出するとそ
の出力はフリツプフロツプ19をセツトし、外部装置へ
の情報送出のためアンド回路151のゲートを開いてて
おく。はじめのROMアドレスOの内容は第3図に示す
ように「0」なのでカウンタ20は「0,0」となつて
おり、デコーダ21によりシフトレジスタ13の第3ビ
ツトがセレクタ141で選択され、これが第0バイト情
報として、フリツプフロツプ19でゲートが開かれてい
るアンド回路151により外部装置に送出される。次の
タイミングでシフトレジスタ13は1ビツト歩進し、第
5図bの状態になる。また:Jャ潟cプフロツプ19は、
所定のデ一夕量の転送を終了していないのでセツトされ
たままになつている。このタイミングでは、ROMl2
からはROM内アドレス1の内容「1」が読み出される
。これはチツプ11のマイナループが不良ループである
ことを示しており、カウンタ20は「0,1」にセツト
され、デコーダ21によりシフトレジスタ13の第3ビ
ツトは読みとばされ、第2ビツトがセレクタ141で選
択される。以下同様にして不良ループからの読み出しデ
ータに対してはROMl2の内容にもとづいて、カウン
タ20、デコーダ21およびセレクタ14により読みと
ばし、順次正常ループからの読み出しデータを選択する
。なお、フリツプフロツプ19は、所定量のデータの転
送を終了すると外部からりセツトされる。以上のように
従来の方式では不良ループがある場合単位情報(ここで
は8ビツト一1バイト)が磁気バブルチツプから読み出
されるタイミングが異なるため、予備マイナループ数分
のビツト数を有するシフトレジスタを設けなければなら
ないなど、金物量が膨大になるという欠点があつた。
にはチツプ11の4バイト分、すなわちマイナループ番
号#0〜#3のデータがシフトレジスタ13のそれぞれ
第3ビツト〜第0ビツトに読み出される。この時点での
シフトレジスタ13の情報の有効無効を第5図aに示す
。ここで「O」は正常ループから読み出された有効ビツ
ト、「×」は不良ループから読み出された無効ビツトを
示す。上記と同じタイミングでROMl2の内容が読み
出される。一方外部装置からのデータ送出開始番地はア
ドレスレジスタ18に格納されている。またアドレスカ
ウンタ16はチツプ11の読み出し周期と同期して歩進
しており、アドレスカウンタ16の内容とアドレスレジ
スタ18の内容との一致をマツチヤ17で検出するとそ
の出力はフリツプフロツプ19をセツトし、外部装置へ
の情報送出のためアンド回路151のゲートを開いてて
おく。はじめのROMアドレスOの内容は第3図に示す
ように「0」なのでカウンタ20は「0,0」となつて
おり、デコーダ21によりシフトレジスタ13の第3ビ
ツトがセレクタ141で選択され、これが第0バイト情
報として、フリツプフロツプ19でゲートが開かれてい
るアンド回路151により外部装置に送出される。次の
タイミングでシフトレジスタ13は1ビツト歩進し、第
5図bの状態になる。また:Jャ潟cプフロツプ19は、
所定のデ一夕量の転送を終了していないのでセツトされ
たままになつている。このタイミングでは、ROMl2
からはROM内アドレス1の内容「1」が読み出される
。これはチツプ11のマイナループが不良ループである
ことを示しており、カウンタ20は「0,1」にセツト
され、デコーダ21によりシフトレジスタ13の第3ビ
ツトは読みとばされ、第2ビツトがセレクタ141で選
択される。以下同様にして不良ループからの読み出しデ
ータに対してはROMl2の内容にもとづいて、カウン
タ20、デコーダ21およびセレクタ14により読みと
ばし、順次正常ループからの読み出しデータを選択する
。なお、フリツプフロツプ19は、所定量のデータの転
送を終了すると外部からりセツトされる。以上のように
従来の方式では不良ループがある場合単位情報(ここで
は8ビツト一1バイト)が磁気バブルチツプから読み出
されるタイミングが異なるため、予備マイナループ数分
のビツト数を有するシフトレジスタを設けなければなら
ないなど、金物量が膨大になるという欠点があつた。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし、金物
量も少なく、構成が容易なメモリ装置を提供することに
ある。シフトレジスタ状メモリ、例えば磁気バブルメモ
リ装置の外部装置は、一般にデータチヤネル装置で、こ
の間のインタフエース制御は互に相手の応答を待つてか
ら次のシーケンスに進むいわゆる応答確認方式がとられ
ているものが多い。
量も少なく、構成が容易なメモリ装置を提供することに
ある。シフトレジスタ状メモリ、例えば磁気バブルメモ
リ装置の外部装置は、一般にデータチヤネル装置で、こ
の間のインタフエース制御は互に相手の応答を待つてか
ら次のシーケンスに進むいわゆる応答確認方式がとられ
ているものが多い。
この場合、磁気バブルメモリ装置とデータチヤネル装置
とのデータ転送のタイミングは、一定値である必要はな
い。したがつて本発明は4ビツトのシフトレジスタによ
るタイミング調整をなくし、ROMの出力により、アド
レスカウンタの歩進を制御することにより、不良ループ
を有する磁気バブルチツプから正常ループのみを選択し
て外部装置とのデータ転送を行うことを特徴とする。第
6図は本発明の一実施例を示す。
とのデータ転送のタイミングは、一定値である必要はな
い。したがつて本発明は4ビツトのシフトレジスタによ
るタイミング調整をなくし、ROMの出力により、アド
レスカウンタの歩進を制御することにより、不良ループ
を有する磁気バブルチツプから正常ループのみを選択し
て外部装置とのデータ転送を行うことを特徴とする。第
6図は本発明の一実施例を示す。
11,12,15〜19は第4図に示したものと同じも
のである。
のである。
22はROMl2の出力によりアドレスカウンタ16の
歩進を制御するアンド回路で、もう一方の入力には外部
からの起動信号が与えられている。
歩進を制御するアンド回路で、もう一方の入力には外部
からの起動信号が与えられている。
23はROMl2の出力により外部へのデータの送出制
御をするアンド回路で、もう一方の入力にはフリツプフ
ロツプ19の出力が与えられている。
御をするアンド回路で、もう一方の入力にはフリツプフ
ロツプ19の出力が与えられている。
外部装置からのデータ送出開始番地は、アドレスレジス
タ18に格納されており、また外部からの回転磁界の1
周期でチツプ11から8ビツトの情報が読み出される。
同時にROMl2の内容が読み出される。チツプ11内
のデータの有効、無効は従来技術と同様第2図に示し、
ROMl2の内容は第3図に示す。マイナループ番号#
0に対応するROM内アドレスOの内容は「0」である
ので、マイナループ番号#0は正常ループであることを
示し、アンド回路22が開き、アドレスカウンタ16を
歩進する。ここでアドレスカウンタ16の内容とアドレ
スレジスタ18の内容との一致をマツチヤ17で検出し
、一致するとフリツプフロツプ19がセツトされ、フリ
ツプフロツプ19がセツトされるる、ROMl2の出力
が「O」であるためアンド回路23が開き、アンド回路
151(1=0〜7)からデータを外部装置へ送出する
。次のタイミングでチツプ11はマイナループ番号#1
が読み出されるがROMアドレス1の内容は「1」であ
るため、マイナループ番号#1は不良ループであること
を示し、アンド回路23はゲートを開けず外部装置への
データ送出は行わない。勿論アンド回路22も開かず、
アドレスカウンタ16のカウントアツプも行なわれない
。アドレスカウンタ16はチツプ11の正常ループの時
だけ歩進されるのでアドレスの計数が正常に行われる。
アンド回路15から外部装置へ送出するデータのタイミ
ングは、不良ループがあるマイナループ番号を読み出し
た時は読みとばされるため、一定間隔とはならないが、
外部装置が応答確認方式のインタフエース制御方式であ
れば、何ら支障とはならない。以上説明した如く本発明
によれば従来のような4ビツトのシフトレジスタ、RO
Mの出力カウンタ、デコーダ、セレクタ等が不用となり
、大幅な金物削減を図ることができ、構成の簡単で経済
的なメモリ装置が得られる。
タ18に格納されており、また外部からの回転磁界の1
周期でチツプ11から8ビツトの情報が読み出される。
同時にROMl2の内容が読み出される。チツプ11内
のデータの有効、無効は従来技術と同様第2図に示し、
ROMl2の内容は第3図に示す。マイナループ番号#
0に対応するROM内アドレスOの内容は「0」である
ので、マイナループ番号#0は正常ループであることを
示し、アンド回路22が開き、アドレスカウンタ16を
歩進する。ここでアドレスカウンタ16の内容とアドレ
スレジスタ18の内容との一致をマツチヤ17で検出し
、一致するとフリツプフロツプ19がセツトされ、フリ
ツプフロツプ19がセツトされるる、ROMl2の出力
が「O」であるためアンド回路23が開き、アンド回路
151(1=0〜7)からデータを外部装置へ送出する
。次のタイミングでチツプ11はマイナループ番号#1
が読み出されるがROMアドレス1の内容は「1」であ
るため、マイナループ番号#1は不良ループであること
を示し、アンド回路23はゲートを開けず外部装置への
データ送出は行わない。勿論アンド回路22も開かず、
アドレスカウンタ16のカウントアツプも行なわれない
。アドレスカウンタ16はチツプ11の正常ループの時
だけ歩進されるのでアドレスの計数が正常に行われる。
アンド回路15から外部装置へ送出するデータのタイミ
ングは、不良ループがあるマイナループ番号を読み出し
た時は読みとばされるため、一定間隔とはならないが、
外部装置が応答確認方式のインタフエース制御方式であ
れば、何ら支障とはならない。以上説明した如く本発明
によれば従来のような4ビツトのシフトレジスタ、RO
Mの出力カウンタ、デコーダ、セレクタ等が不用となり
、大幅な金物削減を図ることができ、構成の簡単で経済
的なメモリ装置が得られる。
第1図は磁気バブルメモリを示す図、第2図および第3
図は従来例ならびに本発明の動作を説明するための図、
第4図は従来例を示すプロツク図、第5図は従来例の動
作を説明するための図、第6図は本発明の一実施例を示
すプロツク図である。 11:磁気バブルチツプ、12:読み出し専用メモリ(
ROM)、150〜157、22および23:アンド回
路、16:アドレスカウンタ、IT:マツチヤ、18:
アドレスレジスタ、19:フリツプフロツプ。
図は従来例ならびに本発明の動作を説明するための図、
第4図は従来例を示すプロツク図、第5図は従来例の動
作を説明するための図、第6図は本発明の一実施例を示
すプロツク図である。 11:磁気バブルチツプ、12:読み出し専用メモリ(
ROM)、150〜157、22および23:アンド回
路、16:アドレスカウンタ、IT:マツチヤ、18:
アドレスレジスタ、19:フリツプフロツプ。
Claims (1)
- 1 シフトレジスタ状メモリの複数の情報ループからな
り、該複数のループ内から同一タイミングで読み出され
る特定数の複数ビットを単位情報とするメモリ装置にお
いて、前記メモリとは別に前記情報ループが正常ループ
か不良ループかを示す情報が格納され、前記メモリの読
み出しと同期して該情報が読み出される付加メモリと、
該付加メモリから読み出された情報内容により計数動作
が制御されるカウンタと、アクセスすべき先頭アドレス
が設定されるレジスタと、該レジスタと前記カウンタと
の内容を照合するマツチヤと、該マツチヤ出力と前記付
加メモリからの情報内容に応答して前記メモリからの単
位情報を外部へ送出するための手段とを有し、前記メモ
リの正常な情報ループからの単位情報を出力することを
特徴とするメモリ装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52142759A JPS599102B2 (ja) | 1977-11-30 | 1977-11-30 | メモリ装置 |
SE7804449A SE434686B (sv) | 1977-04-20 | 1978-04-19 | Minnesstyranordning |
DE2817134A DE2817134C2 (de) | 1977-04-20 | 1978-04-19 | Speichersteuersystem |
US05/897,692 US4233669A (en) | 1977-04-20 | 1978-04-19 | Redundant bubble memory control system |
GB15720/78A GB1595410A (en) | 1977-04-20 | 1978-04-20 | Memory control system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52142759A JPS599102B2 (ja) | 1977-11-30 | 1977-11-30 | メモリ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5475949A JPS5475949A (en) | 1979-06-18 |
JPS599102B2 true JPS599102B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=15322905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52142759A Expired JPS599102B2 (ja) | 1977-04-20 | 1977-11-30 | メモリ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS599102B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0411721B2 (ja) * | 1985-06-12 | 1992-03-02 | Nippon Gaishi Kk | |
JPH0444630B2 (ja) * | 1984-08-15 | 1992-07-22 | Ngk Insulators Ltd |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4942246A (ja) * | 1972-05-08 | 1974-04-20 | ||
JPS5167033A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Hitachi Ltd | |
JPS51118341A (en) * | 1975-04-11 | 1976-10-18 | Hitachi Ltd | Shift register type memory |
JPS5234639A (en) * | 1975-07-10 | 1977-03-16 | Texas Instruments Inc | Magnetic thin film memory |
-
1977
- 1977-11-30 JP JP52142759A patent/JPS599102B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4942246A (ja) * | 1972-05-08 | 1974-04-20 | ||
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JPS51118341A (en) * | 1975-04-11 | 1976-10-18 | Hitachi Ltd | Shift register type memory |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0444630B2 (ja) * | 1984-08-15 | 1992-07-22 | Ngk Insulators Ltd | |
JPH0411721B2 (ja) * | 1985-06-12 | 1992-03-02 | Nippon Gaishi Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5475949A (en) | 1979-06-18 |
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