JPS5990959A - アモルフアスシリコン電界効果型トランジスタ - Google Patents
アモルフアスシリコン電界効果型トランジスタInfo
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- JPS5990959A JPS5990959A JP20137182A JP20137182A JPS5990959A JP S5990959 A JPS5990959 A JP S5990959A JP 20137182 A JP20137182 A JP 20137182A JP 20137182 A JP20137182 A JP 20137182A JP S5990959 A JPS5990959 A JP S5990959A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコン電界効果型トランジス
タ(以F a −S i F E 1’と略す)に関
する。近時液晶表示パネルの一方の基板にゲートライン
(走査線)及びトレインライン<t=号a)を多数片い
に絶縁した状崗で直焚さぜ、これら各ラインの交差点に
薄膜1” E T’をスイッチング素子として配列し、
これを開閉駆動させて各交差点ごとに設けられた表示電
極に信号を与え、この部分の液晶を戒示躯動さ亡ること
により、ヲーレピ等の1思表示を行なう液晶マトリタス
バイ(ルの開発が試みられている。本発明eま、ナjv
にのよう1.し侠晶表示パネルにスイッチング調子とし
て使用されb(j)VC適シficF E ’rVCP
A1”f’b。
タ(以F a −S i F E 1’と略す)に関
する。近時液晶表示パネルの一方の基板にゲートライン
(走査線)及びトレインライン<t=号a)を多数片い
に絶縁した状崗で直焚さぜ、これら各ラインの交差点に
薄膜1” E T’をスイッチング素子として配列し、
これを開閉駆動させて各交差点ごとに設けられた表示電
極に信号を与え、この部分の液晶を戒示躯動さ亡ること
により、ヲーレピ等の1思表示を行なう液晶マトリタス
バイ(ルの開発が試みられている。本発明eま、ナjv
にのよう1.し侠晶表示パネルにスイッチング調子とし
て使用されb(j)VC適シficF E ’rVCP
A1”f’b。
従来技術
第1図tia−Si FETfスイッチング素子とし
て使用した液晶マトリクスパネルの全体構造を示し、(
1)は前面ガラス選明基叡、(2)けこの透明基板fi
ll/i面全面に被[i’ ;! It ;t ’1
”r 0114透1」1傅′4膜よりなる共通電極、(
3)は液晶層、(4)はガラスフリット、樹脂等よりな
るスベーダーでソール剤としてもはたCっく。(5)は
背面カフスa明シ〜、仮でその内面1c複数体のゲート
ライン(X)及びドレインラインウ)(ソースラインと
してもよい。以1ζ同じ)が互いに絶縁してun交配列
されている。+61+61・・・eまゲートライン(X
)、ドレインライン(Y)の各交差点にa−9i F
E1’を弁して接角先され7し表示電極である。かかる
F E Tアレイt、FUjNI、たマトリクスパネル
の1液晶セルの回路新説番τt、第2図知示される。
(C)は、液晶パネル(L CD ) K並列に付加容
t、として升押されたコンデンサである。
て使用した液晶マトリクスパネルの全体構造を示し、(
1)は前面ガラス選明基叡、(2)けこの透明基板fi
ll/i面全面に被[i’ ;! It ;t ’1
”r 0114透1」1傅′4膜よりなる共通電極、(
3)は液晶層、(4)はガラスフリット、樹脂等よりな
るスベーダーでソール剤としてもはたCっく。(5)は
背面カフスa明シ〜、仮でその内面1c複数体のゲート
ライン(X)及びドレインラインウ)(ソースラインと
してもよい。以1ζ同じ)が互いに絶縁してun交配列
されている。+61+61・・・eまゲートライン(X
)、ドレインライン(Y)の各交差点にa−9i F
E1’を弁して接角先され7し表示電極である。かかる
F E Tアレイt、FUjNI、たマトリクスパネル
の1液晶セルの回路新説番τt、第2図知示される。
(C)は、液晶パネル(L CD ) K並列に付加容
t、として升押されたコンデンサである。
第6図及び%3A図は、1個のa−8i F’E′1
′の具体F+J慎造を示(2,(ト)(Y)は、前述し
たゲートライン及びドレインラインで、絶縁M (7)
を介して隔てられている。ゲートライン(X)及びドレ
インライン(Y)はガラス基板tblの表面VC形成さ
れる。ゲート0)の上方には絶#mty+v介し°Cア
モルファスシリコン層(AS)がJ杉1戊され、その両
端部分にゲート0)を伏む如くソース(S)及びドレイ
ン(財)が形成される。ド1ツインQJ) t;1:、
ドレインライン(Y) (1) −msにて兼用される
。(+()汀、前述した表示I!核であり、ソース(S
)に接続される。通’)itゲートラインへ)はクロム
CrとQAuの二車MKで、表示’tit ti!i
i61はI′rO膜にて、1だソース(SJ及びドレイ
ンライン■)+j、アルミAtにてj13吠される。ま
lt絶縁膜(7)にp」、プラズマc v JJ法によ
って杉を戊されたシリコンナ、1ドライドS ilN
4映が使用さnる。
′の具体F+J慎造を示(2,(ト)(Y)は、前述し
たゲートライン及びドレインラインで、絶縁M (7)
を介して隔てられている。ゲートライン(X)及びドレ
インライン(Y)はガラス基板tblの表面VC形成さ
れる。ゲート0)の上方には絶#mty+v介し°Cア
モルファスシリコン層(AS)がJ杉1戊され、その両
端部分にゲート0)を伏む如くソース(S)及びドレイ
ン(財)が形成される。ド1ツインQJ) t;1:、
ドレインライン(Y) (1) −msにて兼用される
。(+()汀、前述した表示I!核であり、ソース(S
)に接続される。通’)itゲートラインへ)はクロム
CrとQAuの二車MKで、表示’tit ti!i
i61はI′rO膜にて、1だソース(SJ及びドレイ
ンライン■)+j、アルミAtにてj13吠される。ま
lt絶縁膜(7)にp」、プラズマc v JJ法によ
って杉を戊されたシリコンナ、1ドライドS ilN
4映が使用さnる。
然しなから、アモルファスシリコンは、良好な光導電体
であるため、この種表示パネルの如く、自然光域は蛍光
灯からの光を多重に入射σせる装幀に使用した場合a−
8i FETオソ時に光・電流が発生するという問題
がある。第4図は、従来より太IIM電a等にイ史用さ
れている標準的なアモルファスシリコンを使用し7てN
ETを構成した場合における電流特性を示し、光遮断時
におけるオフ電流(VG=OV)は、曲線(a)に示す
ように約5X10 ”A、これに対しゲートに約50
00ルクスの白色光(白熱ランプの光)を照射したとき
のオフ′Iρ流は、曲線(b)に示すように約1×10
”AK増大する。この電流の増大はいうまでもなく光軍
流によるものである。光照射におけるかかるオフ電流と
オン電流(Vc=15v)の化け、約102にも達せず
テレビ等の画9iA表示に利用したとき、オフ時にあっ
てもこのオフ電流により表示状態になるという欠点を生
じる。これを防止するため従来ゲート頭域全慎って遮光
1戻を形成し。
であるため、この種表示パネルの如く、自然光域は蛍光
灯からの光を多重に入射σせる装幀に使用した場合a−
8i FETオソ時に光・電流が発生するという問題
がある。第4図は、従来より太IIM電a等にイ史用さ
れている標準的なアモルファスシリコンを使用し7てN
ETを構成した場合における電流特性を示し、光遮断時
におけるオフ電流(VG=OV)は、曲線(a)に示す
ように約5X10 ”A、これに対しゲートに約50
00ルクスの白色光(白熱ランプの光)を照射したとき
のオフ′Iρ流は、曲線(b)に示すように約1×10
”AK増大する。この電流の増大はいうまでもなく光軍
流によるものである。光照射におけるかかるオフ電流と
オン電流(Vc=15v)の化け、約102にも達せず
テレビ等の画9iA表示に利用したとき、オフ時にあっ
てもこのオフ電流により表示状態になるという欠点を生
じる。これを防止するため従来ゲート頭域全慎って遮光
1戻を形成し。
外光の入射を阻止する方法が提案されているが、かかる
方法では遮光膜の形成、さらにこの遮光膜として金属膜
が適していることから、ゲートとの絶縁を図る絶縁膜の
形成等工程か増加しかつ構造も鎮雑となり、コスト上昇
歩留り低ド等の問題を生じる。
方法では遮光膜の形成、さらにこの遮光膜として金属膜
が適していることから、ゲートとの絶縁を図る絶縁膜の
形成等工程か増加しかつ構造も鎮雑となり、コスト上昇
歩留り低ド等の問題を生じる。
始り1のLJ的
本発明は4 a−8i FETにおいて、自然光或は
蛍光幻しζよる光が入射したとき、ソース・ドレイン1
11にσしれるオフ電流の発生を抑HtIJ L、遮光
膜を使用することなく、オフ状愚にあるFETの不所望
なオン動作を阻止することを目的とする。
蛍光幻しζよる光が入射したとき、ソース・ドレイン1
11にσしれるオフ電流の発生を抑HtIJ L、遮光
膜を使用することなく、オフ状愚にあるFETの不所望
なオン動作を阻止することを目的とする。
発明の溝収
本発明は、吸収波長光のピーク値が約0.45μm以下
のIFi曲に属するか若しくけ約Q、601tm以上の
範囲に鵬するアモルファスシリコン全4JP体層として
使用したアモルファスシリコン11効果型トランジスタ
に関する。
のIFi曲に属するか若しくけ約Q、601tm以上の
範囲に鵬するアモルファスシリコン全4JP体層として
使用したアモルファスシリコン11効果型トランジスタ
に関する。
実施例
木兄すJ−実施例に係るa−8i FETけ、プラズ
マCVD法により次の条件で形成される。
マCVD法により次の条件で形成される。
ンランガス5in43Xを含むアルゴンガスArの流量
3Qcc/min、温度250℃、真空度0.55to
rr%発振出力65W1時間45分である。かかる条件
では、アモルファスシリコンの成長速度が、約(J、0
03μm/minと従来(約0.01μm/min、)
より格扱に低トされている。
3Qcc/min、温度250℃、真空度0.55to
rr%発振出力65W1時間45分である。かかる条件
では、アモルファスシリコンの成長速度が、約(J、0
03μm/minと従来(約0.01μm/min、)
より格扱に低トされている。
このようKして生改されたアモルファスシリコンは、バ
ンドギャップが約2.OeV、吸収光波長のピーク値は
、約0.45μmでめった。因みに1口11述1−た従
来例では、バンドギャップは、約1,7eV、吸収光波
長のピークgiは、約0.53μmであり、これは自然
光及び蛍光灯の光に多量に含まれる光である。
ンドギャップが約2.OeV、吸収光波長のピーク値は
、約0.45μmでめった。因みに1口11述1−た従
来例では、バンドギャップは、約1,7eV、吸収光波
長のピークgiは、約0.53μmであり、これは自然
光及び蛍光灯の光に多量に含まれる光である。
前述の実施例における最大吸収光波長約0.45μmを
有するアモルファスシリコンハ、ソの5Q%速度の低ト
によって得られるほか、シリコンに不純物として窒XN
を添加することによっても得られる。 − このような光吸収特性を有するアモルファスシリコンを
半導体屑と1−7で使用したa−8iFE1°の特性を
@5図に示す。図中曲線(a)は光速11r状態((寂
ける特性、曲線(b)はFETのゲートに約5000ル
クスの白色光をあてた場合の特性である。
有するアモルファスシリコンハ、ソの5Q%速度の低ト
によって得られるほか、シリコンに不純物として窒XN
を添加することによっても得られる。 − このような光吸収特性を有するアモルファスシリコンを
半導体屑と1−7で使用したa−8iFE1°の特性を
@5図に示す。図中曲線(a)は光速11r状態((寂
ける特性、曲線(b)はFETのゲートに約5000ル
クスの白色光をあてた場合の特性である。
面、ソース・ドレ・「ン同電圧は約6.υVである。
図示の如く、光照射時におけるオン電流(Vc=15v
)どオフ ’k<流(Vc=OV)の比は、103以上
である。このオン0オフ比ハ、テレビ画像表示に充分利
用でさ、副フ′RL流によって小所望な表示が現われる
ことはない。
)どオフ ’k<流(Vc=OV)の比は、103以上
である。このオン0オフ比ハ、テレビ画像表示に充分利
用でさ、副フ′RL流によって小所望な表示が現われる
ことはない。
自然光及び蛍光灯による光は、第6図にそれそる。した
かって約0.45μmないし約0.60μmの範囲に、
吸収光波長のピーク(ffliか位置するアモルファス
シリコンは、この@iF E Tの十萼体材料としてり
:不適当である。
かって約0.45μmないし約0.60μmの範囲に、
吸収光波長のピーク(ffliか位置するアモルファス
シリコンは、この@iF E Tの十萼体材料としてり
:不適当である。
吸収光波長のピーク値が約0.60μmVC位隨するア
モルファスシリコン材料は、シリコンにゲルマニクムG
e或1まスズSnを添加することVCより得られ、この
ときバンドギャップは約1.4eVであった。かかるア
モルファスシリコンを使用したF E Tにおいても第
5図に示す実施例と略同様の′r4i流特性全特性るこ
とかできた。尚実施例におけるa−8i FE′rのト
ランジスタとしての特性は従来例と変らず、それ酸オフ
電流のみの低[′:が実現されていることは、′第4図
及び第5図に示す峙・性より男らかである、 発明の効果 本発明によれば、a−8i FETに光をあてた伏急
であっても、オフ電流1直は小さく、オン・オフ比を1
03以上に1!2定することができるから、オフ状態に
あるFETがそのオフ電流の増大によりオン動作し不所
望な表示を行なうという問題は解消される。a−8i
FETが、自然光。
モルファスシリコン材料は、シリコンにゲルマニクムG
e或1まスズSnを添加することVCより得られ、この
ときバンドギャップは約1.4eVであった。かかるア
モルファスシリコンを使用したF E Tにおいても第
5図に示す実施例と略同様の′r4i流特性全特性るこ
とかできた。尚実施例におけるa−8i FE′rのト
ランジスタとしての特性は従来例と変らず、それ酸オフ
電流のみの低[′:が実現されていることは、′第4図
及び第5図に示す峙・性より男らかである、 発明の効果 本発明によれば、a−8i FETに光をあてた伏急
であっても、オフ電流1直は小さく、オン・オフ比を1
03以上に1!2定することができるから、オフ状態に
あるFETがそのオフ電流の増大によりオン動作し不所
望な表示を行なうという問題は解消される。a−8i
FETが、自然光。
白色光或は蛍光灯の光を党けて画像表示を行なう液晶表
示パネルの/6画素に接続されるスイッチング素子とし
て期待さt″Lでいるものである以上光の入射は不ir
避lよ問題であることを考えれば、トランジスタとして
の特性を維持し、光市流のみ抑制された本発明a・−5
i FETは、この、種表示パ要であった遮光膜が不
要となり、その生成工程、絶縁、換生成玉程等の上程故
増加に伴う不民托生亭の増大、コスト上昇等の入点を解
消することができる。
示パネルの/6画素に接続されるスイッチング素子とし
て期待さt″Lでいるものである以上光の入射は不ir
避lよ問題であることを考えれば、トランジスタとして
の特性を維持し、光市流のみ抑制された本発明a・−5
i FETは、この、種表示パ要であった遮光膜が不
要となり、その生成工程、絶縁、換生成玉程等の上程故
増加に伴う不民托生亭の増大、コスト上昇等の入点を解
消することができる。
小0図曲の績11ト、な説明
第1図μ、成品マトリクスパネルの一般的構成tボす分
解帖視図、第2図−ま、その一部1u1路図、弔3図e
よ、具体的構造を小す半面図、第3A図は、第6図A−
A′断曲図、第4図tま従来例に係るドレインiii/
IIL (I d )−ゲート電圧(VG)特性図、第
5図は、4発明実施例に係る同特性図、186図は、自
然光及び蛍光灯による光の放1/pf 、Z才、ルギー
ー辰長特性凶で必る。
解帖視図、第2図−ま、その一部1u1路図、弔3図e
よ、具体的構造を小す半面図、第3A図は、第6図A−
A′断曲図、第4図tま従来例に係るドレインiii/
IIL (I d )−ゲート電圧(VG)特性図、第
5図は、4発明実施例に係る同特性図、186図は、自
然光及び蛍光灯による光の放1/pf 、Z才、ルギー
ー辰長特性凶で必る。
fIHfll・・・透明基板、 (2)・・・賎通箪極
、 (3)・・・液晶層、 (6)・・・表示電極、
(7)・・・#a縁層、 へ月・・ゲートライン、(Y
)・・・ドレインライン。
、 (3)・・・液晶層、 (6)・・・表示電極、
(7)・・・#a縁層、 へ月・・ゲートライン、(Y
)・・・ドレインライン。
第1図
Vc、(V)
Claims (1)
- 1、吸収光波長のピーク瞼が約0.45μm以上の範囲
K14するか若しくは約0.60μm以上の範囲iC)
A するアモルファスシリコン葡半導体層として使用し
たアモルファスシリコン電界効果型トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20137182A JPS5990959A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | アモルフアスシリコン電界効果型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20137182A JPS5990959A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | アモルフアスシリコン電界効果型トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5990959A true JPS5990959A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16439952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20137182A Pending JPS5990959A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | アモルフアスシリコン電界効果型トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5990959A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02275672A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-11-09 | Nippon Steel Corp | 薄膜トランジスター |
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