JPS5989652A - ジシアノ化合物 - Google Patents
ジシアノ化合物Info
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- JPS5989652A JPS5989652A JP58193566A JP19356683A JPS5989652A JP S5989652 A JPS5989652 A JP S5989652A JP 58193566 A JP58193566 A JP 58193566A JP 19356683 A JP19356683 A JP 19356683A JP S5989652 A JPS5989652 A JP S5989652A
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- JP
- Japan
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- linear
- alkyl
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
式中、R1及びR2は直鎖状のC0〜C1!−アルキル
もしくはまた芳香族環上の直鎖状のCI”” CI !
−アルコキシを表わすか、またはR′及びR2の一つは
さらに一般式 の基を表わし;Xl及びX!は単一の共有結合を表わす
か、またはXI及びX3の一つはまたエチレン基−CH
! CHt−を表わし;環Al及びAIは1,4−フェ
ニレンまたは、XlもしくはX2がエチレン基−(:H
l CH*−を表わす場合には、またトランス−1,4
−7クロヘキシレンを表わし;そしてRsは直鎖状のC
1〜CI!−アルキルまたは芳香族環A”上の直鎖状の
01〜CI!−アルコキシを表わす、 の新規ジシアノベンゼン類に関する。
もしくはまた芳香族環上の直鎖状のCI”” CI !
−アルコキシを表わすか、またはR′及びR2の一つは
さらに一般式 の基を表わし;Xl及びX!は単一の共有結合を表わす
か、またはXI及びX3の一つはまたエチレン基−CH
! CHt−を表わし;環Al及びAIは1,4−フェ
ニレンまたは、XlもしくはX2がエチレン基−(:H
l CH*−を表わす場合には、またトランス−1,4
−7クロヘキシレンを表わし;そしてRsは直鎖状のC
1〜CI!−アルキルまたは芳香族環A”上の直鎖状の
01〜CI!−アルコキシを表わす、 の新規ジシアノベンゼン類に関する。
tた本発明は上記式Iの化合物の製造、電子−光学的目
的に対するその用途及び式Iの化合物を含む液晶混合物
に関する。
的に対するその用途及び式Iの化合物を含む液晶混合物
に関する。
本明細書において用いる[直鎖状のCI−CI !−ア
ルキル」なる用語には、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル及びドデシルが包含され、そし
て「直鎖状のC0〜C1,−アルコキシ」なる用語には
、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ
、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、
オクチルオキ9− シ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ及
びドデシルオキシが包含される。
ルキル」なる用語には、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル及びドデシルが包含され、そし
て「直鎖状のC0〜C1,−アルコキシ」なる用語には
、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ
、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、
オクチルオキ9− シ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ及
びドデシルオキシが包含される。
特記せぬ限シ、「誘電異方性」または「誘電率の異方性
」なる用語は、本発明の範囲内においては低周波数〔「
靜J (static)) 誘電異方性を表わす。
」なる用語は、本発明の範囲内においては低周波数〔「
靜J (static)) 誘電異方性を表わす。
誘電率の負の異方性(Δε=ε1.−ε上〈01ε、。
は分子の縦軸に沿う誘電率を表わし、εユはこれに垂直
な誘電率を表わす)を有するネマテイク(Nema t
i c )及びコレステリック(cholester
ic)液晶は電場において、電場の方向に対して垂直に
その縦の分子軸で配向する。この効果は公知であシ、種
々な液晶表示例えば光散乱タイプ(動的散乱)、いわゆ
るDAPタイプ(整列した相の変形)またはゲスト/ホ
スト(guest/host)タイプ(ゲストホスト相
互作用)の液晶セルにおいて光伝達の調節に用いられる
。
な誘電率を表わす)を有するネマテイク(Nema t
i c )及びコレステリック(cholester
ic)液晶は電場において、電場の方向に対して垂直に
その縦の分子軸で配向する。この効果は公知であシ、種
々な液晶表示例えば光散乱タイプ(動的散乱)、いわゆ
るDAPタイプ(整列した相の変形)またはゲスト/ホ
スト(guest/host)タイプ(ゲストホスト相
互作用)の液晶セルにおいて光伝達の調節に用いられる
。
10−
「ゲスト/ホストセル」は本質的にコンデンサーからな
り、少なくとも一つの電極は透明であシ、そして誘電体
は少なくとも1種まだはそれ以上の二色性着色物質を含
むネマテイクまたはコレステリック液晶から生成される
。主に用いられる着色物質が正の二色性(dichro
ism)を有するために、即ち可視光線吸収の遷移モー
メントがほぼ縦の分子軸の方向にあるために、プレート
の面に平行な分子軸による液晶の配向は着色した状態に
相当し、ホメオトロピック(homeotropic)
配向(プントの而に対して垂直々縦の分子軸)は一般に
セルの無色状態に相当する。正の誘電異方性をもつ液晶
を用いた場合、その均一配向(これはプレートの面を処
理り、て達成される)は電圧の印加による整列したホメ
オトロピックである、即ちセルが「着色」から「無色」
にスイッチされる。この方法において、無色の表象が着
色した背景に示される。一方、負の誘電異方性をもつ液
晶を用いた場合、そのホメオトロピック配向(プレート
の面を処理することによる)は電圧の印加によって電極
面に平行に整列し、これによって無色の背景に着色した
像要素の読みをつくることができる。
り、少なくとも一つの電極は透明であシ、そして誘電体
は少なくとも1種まだはそれ以上の二色性着色物質を含
むネマテイクまたはコレステリック液晶から生成される
。主に用いられる着色物質が正の二色性(dichro
ism)を有するために、即ち可視光線吸収の遷移モー
メントがほぼ縦の分子軸の方向にあるために、プレート
の面に平行な分子軸による液晶の配向は着色した状態に
相当し、ホメオトロピック(homeotropic)
配向(プントの而に対して垂直々縦の分子軸)は一般に
セルの無色状態に相当する。正の誘電異方性をもつ液晶
を用いた場合、その均一配向(これはプレートの面を処
理り、て達成される)は電圧の印加による整列したホメ
オトロピックである、即ちセルが「着色」から「無色」
にスイッチされる。この方法において、無色の表象が着
色した背景に示される。一方、負の誘電異方性をもつ液
晶を用いた場合、そのホメオトロピック配向(プレート
の面を処理することによる)は電圧の印加によって電極
面に平行に整列し、これによって無色の背景に着色した
像要素の読みをつくることができる。
更に、液晶表示装置、特に回転セル及びゲスト/ホスト
セルの多重調節(multiplex control
)における多重割合を改善するために、2−周波数マト
リックス・アドレッシン/ (two−f reque
−ncy +natrix addressing)
が提案された(例えばドイツ国特許出願公開明細書第2
.856゜134号及び同第2.907.940号)。
セルの多重調節(multiplex control
)における多重割合を改善するために、2−周波数マト
リックス・アドレッシン/ (two−f reque
−ncy +natrix addressing)
が提案された(例えばドイツ国特許出願公開明細書第2
.856゜134号及び同第2.907.940号)。
この場合、低周波数電圧を印加した際に誘電率の正の異
方性を有する液晶の誘電異方性が高周波数の場合に負で
ある事実を利用した。キャパシティ損失を低く保持する
ために、かかる液晶の「交す周波数Jfc(ε、1=ε
上での誘電緩和周波数)をできるだけ低くすべきであシ
、そして約20KHz 以下にすべきである。帆に、誘
電異方性の給体値は交す周波数以下のみならず、またこ
れ以上で可能な限シ大きくすべきである。しかしながら
、交す周波数以上、の周波数で2−周波数法に特に適す
る物質は一般に交す周波類以下のものよシ小さな給体誘
電異方性を有することを見出した。この欠点は負の誘電
異方性及び適当な緩和行動を・もつ化合物を加えること
によって除去することができる。
方性を有する液晶の誘電異方性が高周波数の場合に負で
ある事実を利用した。キャパシティ損失を低く保持する
ために、かかる液晶の「交す周波数Jfc(ε、1=ε
上での誘電緩和周波数)をできるだけ低くすべきであシ
、そして約20KHz 以下にすべきである。帆に、誘
電異方性の給体値は交す周波数以下のみならず、またこ
れ以上で可能な限シ大きくすべきである。しかしながら
、交す周波数以上、の周波数で2−周波数法に特に適す
る物質は一般に交す周波類以下のものよシ小さな給体誘
電異方性を有することを見出した。この欠点は負の誘電
異方性及び適当な緩和行動を・もつ化合物を加えること
によって除去することができる。
弱い負の誘電異方性をもつ一連の液晶性化合物はすでに
合成されている。一方、誘電率の大きな負の異方性をも
つ液晶成分は比較的にわずかのみ知られている。更に1
後者のものは一般に欠点、例えば混合物において乏しい
溶解度、高粘度、高融点、強いスメクティク傾向及び化
学的不安定性を有する。従って、種々な広範囲の電子−
光学的用途に対する混合物の特性を更に改善する負の誘
13− 電界方性をもつ化合物の必要性がある。
合成されている。一方、誘電率の大きな負の異方性をも
つ液晶成分は比較的にわずかのみ知られている。更に1
後者のものは一般に欠点、例えば混合物において乏しい
溶解度、高粘度、高融点、強いスメクティク傾向及び化
学的不安定性を有する。従って、種々な広範囲の電子−
光学的用途に対する混合物の特性を更に改善する負の誘
13− 電界方性をもつ化合物の必要性がある。
本発明によって提供される化合物は誘電率の大きな負の
異方性、公知の液晶混合物における良好な溶解度及び比
較的低粘度を有することがわかった。本化合物は無色で
あシ、極めて良好な化学的及び光化学的安定性を有する
。更に、本発明によシ提供される化合物によって、改善
された溶融行動及びスメクテイク傾向をもたぬか、また
はわずかのみのスメクテイク傾向をもつ混合物を製造す
ることができる。従って、本化合物は誘電率の負の異方
性をもつ液晶混合物または2−周波数マトリックス・ア
ドレッシング(two−frequencymatri
x addressing)に適する液晶混合物の特性
を改善するために特に適している。しかしながら、また
、本化合物は、例えば使用する電子−光学セルの閾値電
位(threshold potential)を適合
させるために、正の誘電異方性をもつ混合14− 物に用いることができる。
異方性、公知の液晶混合物における良好な溶解度及び比
較的低粘度を有することがわかった。本化合物は無色で
あシ、極めて良好な化学的及び光化学的安定性を有する
。更に、本発明によシ提供される化合物によって、改善
された溶融行動及びスメクテイク傾向をもたぬか、また
はわずかのみのスメクテイク傾向をもつ混合物を製造す
ることができる。従って、本化合物は誘電率の負の異方
性をもつ液晶混合物または2−周波数マトリックス・ア
ドレッシング(two−frequencymatri
x addressing)に適する液晶混合物の特性
を改善するために特に適している。しかしながら、また
、本化合物は、例えば使用する電子−光学セルの閾値電
位(threshold potential)を適合
させるために、正の誘電異方性をもつ混合14− 物に用いることができる。
R1及びR2が直鎖状のC1〜CI2−アルキルまたは
芳香族環上の直鎖状のC8〜C12−アルコキシを表わ
す式Iの化合物が好ましい1.これらの二環式化合物に
おいて、Xlは共有結合を表わし、そして猿A′は1,
4−フェニレンを表わすか、またはXlはエチレン基を
表わし、そして環A1け1゜4−フエニL/ンを表わす
か、または好ましくけXlけエチレン基を表わし、そし
て環A1はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表b
f。
芳香族環上の直鎖状のC8〜C12−アルコキシを表わ
す式Iの化合物が好ましい1.これらの二環式化合物に
おいて、Xlは共有結合を表わし、そして猿A′は1,
4−フェニレンを表わすか、またはXlはエチレン基を
表わし、そして環A1け1゜4−フエニL/ンを表わす
か、または好ましくけXlけエチレン基を表わし、そし
て環A1はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表b
f。
原則的には、二つの側鎖(R1、R2またはR3)の少
なくとも一つ、好1しくけ双方がC1〜C12−アルキ
ルを表わす化合物が好ましい。従ってR′及びRtが直
鎖状のアルキルを表わす式Iの化合物、殊に追加的にX
lがエチレン基を表わし、そして3JA’ がトランス
−1,4−シクロヘキシレンを表わす化合物が特に好ま
しい。
なくとも一つ、好1しくけ双方がC1〜C12−アルキ
ルを表わす化合物が好ましい。従ってR′及びRtが直
鎖状のアルキルを表わす式Iの化合物、殊に追加的にX
lがエチレン基を表わし、そして3JA’ がトランス
−1,4−シクロヘキシレンを表わす化合物が特に好ま
しい。
更に原則的には、アルキル基が炭素原子3〜7個を含み
、そしてアルコキシ基が炭素原子2〜6個を含む式■の
化合物が好ましい。
、そしてアルコキシ基が炭素原子2〜6個を含む式■の
化合物が好ましい。
本発明によって提供される好ましい化合物の例はR1,
3J AI、Xl及びR1が第1表に示した意味(C6
H4は1,4−フェニレンを表わし、Ca H+。
3J AI、Xl及びR1が第1表に示した意味(C6
H4は1,4−フェニレンを表わし、Ca H+。
はトランス−1,4−シクロヘキシレン全表わし、そし
てxlに対する1個のダッシュ(→は単一の共有結合を
表わす)を有する式Iの化合物、並びに後記実施例に基
金した式Iの化合物である。
てxlに対する1個のダッシュ(→は単一の共有結合を
表わす)を有する式Iの化合物、並びに後記実施例に基
金した式Iの化合物である。
式■の化合物は、本発明に従えば、
(a) R″が直鎖状のC8〜C1t−アルキルまた
は式■の基を表わす式■の化合物を製造するために、一
般式 式中、R″は直鎖状のC1〜C11−アルキルまたは弐
Hの基を表わし、そしてR1、XI及び環A1は上記の
意味を有する、 の化合物を酸化するか、 (1)l R”が直鎖状のC1〜CI! −アルキル
または式■の基を表わす式■の化合物を製造するために
、一般式 式中、R2は直鎖状のC1〜Cat−アルキルまたは式
■の基を表わし、そしてR1、XI及び3IIA’U上
記の意味を有する、の化合物からシアン化水素を開裂さ
せるか、或いは (cl R”が直鎖状のC1〜C1!−アルコキシを
表わす式Iの化合物を製造するために、一般式式中、R
2は直鎖状のC+−C+t−アルコキシを表わし、そし
てR1,XI及び19 A 1は上記の意味を有する、 の化合物をジシアノアセチレンと反応させ、次いでエチ
レンを開裂させる ことによって製造することができる。
は式■の基を表わす式■の化合物を製造するために、一
般式 式中、R″は直鎖状のC1〜C11−アルキルまたは弐
Hの基を表わし、そしてR1、XI及び環A1は上記の
意味を有する、 の化合物を酸化するか、 (1)l R”が直鎖状のC1〜CI! −アルキル
または式■の基を表わす式■の化合物を製造するために
、一般式 式中、R2は直鎖状のC1〜Cat−アルキルまたは式
■の基を表わし、そしてR1、XI及び3IIA’U上
記の意味を有する、の化合物からシアン化水素を開裂さ
せるか、或いは (cl R”が直鎖状のC1〜C1!−アルコキシを
表わす式Iの化合物を製造するために、一般式式中、R
2は直鎖状のC+−C+t−アルコキシを表わし、そし
てR1,XI及び19 A 1は上記の意味を有する、 の化合物をジシアノアセチレンと反応させ、次いでエチ
レンを開裂させる ことによって製造することができる。
上記の反応社それ自体公知の方法に従って行うことがで
きる。式冒の化合物の酸化は好ましくは20− ジオキサン中の2.3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−
p−ベンゾキノンによって、或いは触媒的脱水素化(好
ましくはパラジウム触媒の存在下において)によって行
われる。式■の化合物からシアン化水素の開裂は好まし
くはジメチルホルムアミド中でフッ化セシウムによって
行われる。式Vの化合物とジシアノアセチレンとの反応
は好ましくはエーテル(例えばテトラヒドロフラン)中
でディールス−アルダ−(Diela−Alder)反
応法に従って行うことができる:得られたディールス−
アルダ−第一付加生成物からエチレンの続いての開裂は
好ましくは加熱によって行われる。
きる。式冒の化合物の酸化は好ましくは20− ジオキサン中の2.3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−
p−ベンゾキノンによって、或いは触媒的脱水素化(好
ましくはパラジウム触媒の存在下において)によって行
われる。式■の化合物からシアン化水素の開裂は好まし
くはジメチルホルムアミド中でフッ化セシウムによって
行われる。式Vの化合物とジシアノアセチレンとの反応
は好ましくはエーテル(例えばテトラヒドロフラン)中
でディールス−アルダ−(Diela−Alder)反
応法に従って行うことができる:得られたディールス−
アルダ−第一付加生成物からエチレンの続いての開裂は
好ましくは加熱によって行われる。
上記式t−Vの化合物は新規なものであシ、また本発明
の目的を構成するものである。
の目的を構成するものである。
式■の化合物は例えば一般式
のアルデヒドをブチルリチウムの存在下においてジエチ
ルエーテル中で一般式 式中、R1、R2、Xl及び環A1は式■に示した意味
を有する、 のホスホニウム塩と反応させ、得られたジオンなテトラ
ヒドロフラン中のジシアノアセチレンによるディールス
−アルダ−反応によって式■の化合物に転化して得るこ
とができる。式■の化合物及びxlが一つの共有結合を
表わす式■の化合物は公知のものであるか、または公知
の化合物の同族体である。Xlがエチレン基を表わす式
■の化合物は例えばXlが一つの共有結合を表わす式■
の対応する化合物をベンゼン中にて(CaHs)aP=
CHC00C!Haと共に還流下で加熱し、生じたα。
ルエーテル中で一般式 式中、R1、R2、Xl及び環A1は式■に示した意味
を有する、 のホスホニウム塩と反応させ、得られたジオンなテトラ
ヒドロフラン中のジシアノアセチレンによるディールス
−アルダ−反応によって式■の化合物に転化して得るこ
とができる。式■の化合物及びxlが一つの共有結合を
表わす式■の化合物は公知のものであるか、または公知
の化合物の同族体である。Xlがエチレン基を表わす式
■の化合物は例えばXlが一つの共有結合を表わす式■
の対応する化合物をベンゼン中にて(CaHs)aP=
CHC00C!Haと共に還流下で加熱し、生じたα。
β−不飽和エステルをエタノール中でパラジウム触媒の
存在下において触媒的に水素添加し、得られたエステル
をジエチルエーテル中にて水素化リチウムアルミニウム
で還元し、そして得られたアルコールを塩化メチレン中
にてピリジニウムクロロクロメートで所望のアルデヒド
に酸化することによって製造することができる。
存在下において触媒的に水素添加し、得られたエステル
をジエチルエーテル中にて水素化リチウムアルミニウム
で還元し、そして得られたアルコールを塩化メチレン中
にてピリジニウムクロロクロメートで所望のアルデヒド
に酸化することによって製造することができる。
式■の化合物は例えば式■のアルデヒドを無水ジエチル
エーテル中でブチルリチウムの存在下において、式■の
ホスホニウム塩と反応させ、得られたジエンをジエチル
エーテル中のテトラシアノエチレンによるディールス−
アルダ−反応によって式■の化合物に転化することによ
って製造することができる。
エーテル中でブチルリチウムの存在下において、式■の
ホスホニウム塩と反応させ、得られたジエンをジエチル
エーテル中のテトラシアノエチレンによるディールス−
アルダ−反応によって式■の化合物に転化することによ
って製造することができる。
式Vの化合物は例えば一般式
23一
式中、R2は直鎖状のC1〜C1,−アルコキシを表わ
し、そしてn l 、 x I及び環A′は式Iに示し
た意味を有する、 の化合物をリチウム及び液体アンモニウム(好ましくは
ジエチルエーテル/エタノール混合物中で)と反応させ
て製造することができる。この場合、一般に1,3−ジ
エン(式■の化合物)及び1゜4−ジエンの混合物の1
,4−ジエンが得られる。
し、そしてn l 、 x I及び環A′は式Iに示し
た意味を有する、 の化合物をリチウム及び液体アンモニウム(好ましくは
ジエチルエーテル/エタノール混合物中で)と反応させ
て製造することができる。この場合、一般に1,3−ジ
エン(式■の化合物)及び1゜4−ジエンの混合物の1
,4−ジエンが得られる。
1.3−ジエンへの異性化は例えば2,3−ジクロロマ
レイン酸無水物を用いて行うことができる。
レイン酸無水物を用いて行うことができる。
この異性化は好オしくは上記反応で得られた生成物を後
のディールス−アルダ−反応〔方法(C)〕に用い、そ
して反応混合物に2,3−ジクロロマレイン酸無水物を
加えることによって行われる。上記式■の化合物は公知
のものであるか、或いは公知の化合物の同族体である。
のディールス−アルダ−反応〔方法(C)〕に用い、そ
して反応混合物に2,3−ジクロロマレイン酸無水物を
加えることによって行われる。上記式■の化合物は公知
のものであるか、或いは公知の化合物の同族体である。
本発明によって提供される化合物は液晶性物質、24−
例えばシック塩基、アゾベンゼン類、アゾキシベンゼン
類、フェニルベンゾエート類、シクロヘキサンカルボン
酸フェニルエステル類及びシクロヘキシルエステル類、
ビフェニル類、ターフェニル類、フェニルシクロヘキサ
ン類、シクロヘキシルビフェニル類、フェニルピリミジ
ン類、ジフェニルピリミジン類、シクロヘキシル−フェ
ニルピリミジン類、フェニルジオキサン類等の群からの
物質との混合物の形態で用いることができる。かかる物
質は当該分野に精通せる者にとっては公知であシ、更に
これらの多くのものは市販品であ石。
類、フェニルベンゾエート類、シクロヘキサンカルボン
酸フェニルエステル類及びシクロヘキシルエステル類、
ビフェニル類、ターフェニル類、フェニルシクロヘキサ
ン類、シクロヘキシルビフェニル類、フェニルピリミジ
ン類、ジフェニルピリミジン類、シクロヘキシル−フェ
ニルピリミジン類、フェニルジオキサン類等の群からの
物質との混合物の形態で用いることができる。かかる物
質は当該分野に精通せる者にとっては公知であシ、更に
これらの多くのものは市販品であ石。
本発明によって提供される混合物は有利には式■の化合
物約1〜40重量%、好ましくは約3〜25重量%を含
有する。
物約1〜40重量%、好ましくは約3〜25重量%を含
有する。
原則的には、本発明による化合物はいずれの液晶混合物
において、例えば用い°るセルに誘電異方性を適合させ
るために、正の誘電異方性をもつ混合物においても用い
ることができる。しかしながら、本発明によって提供さ
れる化合物は好ましくは負の誘電異方性をもつ混合物ま
たは2−周波数調節に適する混合物に用いられる。かか
る混合物はそれ自体公知の方法において製造することが
できる。
において、例えば用い°るセルに誘電異方性を適合させ
るために、正の誘電異方性をもつ混合物においても用い
ることができる。しかしながら、本発明によって提供さ
れる化合物は好ましくは負の誘電異方性をもつ混合物ま
たは2−周波数調節に適する混合物に用いられる。かか
る混合物はそれ自体公知の方法において製造することが
できる。
しかしながら、2周波数マトリックス・アドレッシング
に対する本発明によって提供される混合物は好ましくは
3成分A、 B及びCからカリ、その各々は1種またけ
それ以上の化合物を含み、成分Ail:多くとも約40
cpの粘度、少なくとも40℃の透明点及び約−2乃至
約+1間の誘電異方性を有し1、成分Bは約−2以下の
誘電異方性を有【2且つ少なくとも1種の式■の化合物
を含み、そして成分Cは約+10以上の誘電異方性、少
なくとも約100℃の透明点及び・20℃で多くとも約
15K)Tzの全混合物における交す周波数を有する。
に対する本発明によって提供される混合物は好ましくは
3成分A、 B及びCからカリ、その各々は1種またけ
それ以上の化合物を含み、成分Ail:多くとも約40
cpの粘度、少なくとも40℃の透明点及び約−2乃至
約+1間の誘電異方性を有し1、成分Bは約−2以下の
誘電異方性を有【2且つ少なくとも1種の式■の化合物
を含み、そして成分Cは約+10以上の誘電異方性、少
なくとも約100℃の透明点及び・20℃で多くとも約
15K)Tzの全混合物における交す周波数を有する。
かかる混合物は好ましくは少なくとも成分A約30重量
%、成分B約3〜50重i:%及び成分C約5〜40重
量%、殊に成分A約30〜80重量%、成分B約3〜4
0重量%及び成分010〜30重量%からなる。
′ 成分A、B及びCに対して必要な上記の特性を有する化
合物及び混合物は原則として当該分野に精通せる者にと
っては公知である。全混合物はネマテイクまたけコレス
テリック特性をもたねばならない。成分Aはネマテイク
またはコレステリックであることができ、そして成分C
けネマテイク、コレステリックまたは全混合物がスメク
テイク(smectic)ならば、またスメクテイクで
あることができろ。成分A及びC杜少なくともモノトロ
ピック(monotropic )液晶特性な本たねば
ならない。しかしながら、少なくとも、成分Cがエナ2
7− ンチオトロビツク(enantiotropic)液晶
である混合物が好ましく、そして成分A及びCがエナン
チオトロピック液晶である混合物が特に好ましい。しか
しながら、本発明によって提供される混合物中の個々の
化合物及び成分Bは液晶性または非液晶性でおることが
できるが、但し後者の場合、全混合物の中間相(mes
ophase) 範囲があまりきびしく制限されぬよ
うに注意すべきである。
%、成分B約3〜50重i:%及び成分C約5〜40重
量%、殊に成分A約30〜80重量%、成分B約3〜4
0重量%及び成分010〜30重量%からなる。
′ 成分A、B及びCに対して必要な上記の特性を有する化
合物及び混合物は原則として当該分野に精通せる者にと
っては公知である。全混合物はネマテイクまたけコレス
テリック特性をもたねばならない。成分Aはネマテイク
またはコレステリックであることができ、そして成分C
けネマテイク、コレステリックまたは全混合物がスメク
テイク(smectic)ならば、またスメクテイクで
あることができろ。成分A及びC杜少なくともモノトロ
ピック(monotropic )液晶特性な本たねば
ならない。しかしながら、少なくとも、成分Cがエナ2
7− ンチオトロビツク(enantiotropic)液晶
である混合物が好ましく、そして成分A及びCがエナン
チオトロピック液晶である混合物が特に好ましい。しか
しながら、本発明によって提供される混合物中の個々の
化合物及び成分Bは液晶性または非液晶性でおることが
できるが、但し後者の場合、全混合物の中間相(mes
ophase) 範囲があまりきびしく制限されぬよ
うに注意すべきである。
成分Aとして適する化合物及び混合物は広範囲に公知の
ものであシ、またこれらの多くのものが市販品である。
ものであシ、またこれらの多くのものが市販品である。
次の化合物またはその混合物が特に適当である:
28−
式中、R4及びRIij:炭素原子1〜8個を含む直鎖
状のアルキル基を表わし、R6は炭素原子1〜8個を含
む直鎖状のアルキルまたはアルコキシ基を表わし、そし
てnは1または2であシ;Raはトランス−4−アルキ
ルシクロヘキシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル
、p ()7ンスー4−アルキルシクロヘキシル)フェ
ニル、2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)
エチルもしくはp−(2−(ト9ンスー4−アルキルシ
クロヘキシル)エチル〕フェニルヲ表ワシ、ソシてR7
はトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わすか、
またはR8はトランス−4−アルキルシクロヘキシルを
表わし、そしてR7はp−(トランス−4−アルキルシ
クロヘキシル)フェニル、p−[2−(トランス−4−
アルキルシクロヘキシル)エチル]フェニルもしくU4
’ −()jンスー4−アルキルシクロヘキシル)−4
−ビフェニリルを表わすか、或いはR1はp−アルキル
フェニルを表わし、そしてR7はI)−C2−()ラン
ス−4−アルキルシクロヘキシル)エチル〕フェニルを
表わし、置換基R7及びRaにおけるアルキル基は炭素
原子1〜7個を含む直鎖状の基を31− 表わし;mは数0まだは1を表わし;記号xR及びX4
の一つはエステル基−COO−または−0OC−を表わ
し、そして記号X3、X4、X5及びX6の残勺のもの
は一つの共有結合を表わすか、またはこれらの記号の一
つはエチレン基−CH2CH2−を表わし;環B1及び
Itsは式 %式% を表わし;3JtB” 、B”及びR4は弐XHの基を
表わすか、またはこれらが一つの共有結合によって該環
の他の2個の少なくとも1個と結合していないffl!
り、)ランス−1,4−シクロヘキシレンを表わし;Y
lは水素または共有結合を介して更に猿と結合していな
い式XX■の壇上のフッ素、塩素もしくは・メチルを表
わし;R■及びR”は炭素32− 原子1〜7個を含む直鎖状のアルキルまたは式XX■
の環上の炭素原子1〜7個を含む直鎖状のアルコキシを
表わす。特に好ましい具体化例においては式■〜刈、X
M、XX及びXMを用いる。
状のアルキル基を表わし、R6は炭素原子1〜8個を含
む直鎖状のアルキルまたはアルコキシ基を表わし、そし
てnは1または2であシ;Raはトランス−4−アルキ
ルシクロヘキシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル
、p ()7ンスー4−アルキルシクロヘキシル)フェ
ニル、2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)
エチルもしくはp−(2−(ト9ンスー4−アルキルシ
クロヘキシル)エチル〕フェニルヲ表ワシ、ソシてR7
はトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わすか、
またはR8はトランス−4−アルキルシクロヘキシルを
表わし、そしてR7はp−(トランス−4−アルキルシ
クロヘキシル)フェニル、p−[2−(トランス−4−
アルキルシクロヘキシル)エチル]フェニルもしくU4
’ −()jンスー4−アルキルシクロヘキシル)−4
−ビフェニリルを表わすか、或いはR1はp−アルキル
フェニルを表わし、そしてR7はI)−C2−()ラン
ス−4−アルキルシクロヘキシル)エチル〕フェニルを
表わし、置換基R7及びRaにおけるアルキル基は炭素
原子1〜7個を含む直鎖状の基を31− 表わし;mは数0まだは1を表わし;記号xR及びX4
の一つはエステル基−COO−または−0OC−を表わ
し、そして記号X3、X4、X5及びX6の残勺のもの
は一つの共有結合を表わすか、またはこれらの記号の一
つはエチレン基−CH2CH2−を表わし;環B1及び
Itsは式 %式% を表わし;3JtB” 、B”及びR4は弐XHの基を
表わすか、またはこれらが一つの共有結合によって該環
の他の2個の少なくとも1個と結合していないffl!
り、)ランス−1,4−シクロヘキシレンを表わし;Y
lは水素または共有結合を介して更に猿と結合していな
い式XX■の壇上のフッ素、塩素もしくは・メチルを表
わし;R■及びR”は炭素32− 原子1〜7個を含む直鎖状のアルキルまたは式XX■
の環上の炭素原子1〜7個を含む直鎖状のアルコキシを
表わす。特に好ましい具体化例においては式■〜刈、X
M、XX及びXMを用いる。
上記式■の化合物は成分Bに対して特に適当な化合物で
あることを見出した。1種またはそれ以上の式■の化合
物と混合物として使用し得る成分BK対して適する他の
化合物は例えばZ、Chemie17.333(197
7)、J、 prakt、 (’hemie151.2
21 (1938)、Z、 Chemie 6゜467
(1966) and MoL Cryst、 Li
q。
あることを見出した。1種またはそれ以上の式■の化合
物と混合物として使用し得る成分BK対して適する他の
化合物は例えばZ、Chemie17.333(197
7)、J、 prakt、 (’hemie151.2
21 (1938)、Z、 Chemie 6゜467
(1966) and MoL Cryst、 Li
q。
Cryst、25,299 (1974)K記載された
フェニルピリダジン類及びジフェニルピリダジン類並び
にドイツ国特許出願公開明細書第2.933.563号
及び同第2.937.700号に記載された且2個の側
面の(lateral)シアン基を有する化合物である
。しかしながら、1種またはそれ以上の式■の化合物と
混合物において使用し得る特に適当な化合物は一般式 式中、R4及びR11は炭素原子1〜8個を含む直鎖状
のアルキル基を表わし、そして環Cはp−フェニレン’
!fctriト5ンスー1゜4−二置換されたシクロヘ
キサン環を表わす、 のジシアノフェニルエステル及び特に一般式式中、R”
は炭素原子1〜12個を含む直鎖状のアルキル基を表わ
し、R9はアルキル、1−アルキニル、アルコキシ、p
−アルキルフェニル、p−アルコキシフェニルt’cは
トランス−4−アルキルシクロヘキシル基を表わし、R
1におけるアルキル及びアルコキシ基は炭素原子1〜1
0個を含む直鎖状の基であシ、そしてR9における1−
アルキニル基は炭素原子2〜10個を含む直鎖状の基で
ある、 のシクロヘキシルピリダジンである。成分Bの上記の「
誘電異方性」とは、非液晶成分の場合に、外挿した(実
際の)透明点が10℃以下である温度で誘電異方性の外
挿値(3成分を含む液晶混合物による)と理解すべきで
ある。例えば上記式Iの化合物は約−15の誘電異方性
を有し、そして上記式XXIVの化合物は約−9の誘電
異方性を有している。
フェニルピリダジン類及びジフェニルピリダジン類並び
にドイツ国特許出願公開明細書第2.933.563号
及び同第2.937.700号に記載された且2個の側
面の(lateral)シアン基を有する化合物である
。しかしながら、1種またはそれ以上の式■の化合物と
混合物において使用し得る特に適当な化合物は一般式 式中、R4及びR11は炭素原子1〜8個を含む直鎖状
のアルキル基を表わし、そして環Cはp−フェニレン’
!fctriト5ンスー1゜4−二置換されたシクロヘ
キサン環を表わす、 のジシアノフェニルエステル及び特に一般式式中、R”
は炭素原子1〜12個を含む直鎖状のアルキル基を表わ
し、R9はアルキル、1−アルキニル、アルコキシ、p
−アルキルフェニル、p−アルコキシフェニルt’cは
トランス−4−アルキルシクロヘキシル基を表わし、R
1におけるアルキル及びアルコキシ基は炭素原子1〜1
0個を含む直鎖状の基であシ、そしてR9における1−
アルキニル基は炭素原子2〜10個を含む直鎖状の基で
ある、 のシクロヘキシルピリダジンである。成分Bの上記の「
誘電異方性」とは、非液晶成分の場合に、外挿した(実
際の)透明点が10℃以下である温度で誘電異方性の外
挿値(3成分を含む液晶混合物による)と理解すべきで
ある。例えば上記式Iの化合物は約−15の誘電異方性
を有し、そして上記式XXIVの化合物は約−9の誘電
異方性を有している。
成分Cに対してまたは成分Cとして、例えば3個または
4個のp−フ二二しンまたはトランス−1,4−シクロ
ヘキシレノ基、有極性末端基及び35− 随時側面のハロゲンまたはシアノ置換基を含む化合物が
適当である。かかる化合物は一部公知であシ、例えばM
o1. Cryst、 Liq、 Cryst、 63
。
4個のp−フ二二しンまたはトランス−1,4−シクロ
ヘキシレノ基、有極性末端基及び35− 随時側面のハロゲンまたはシアノ置換基を含む化合物が
適当である。かかる化合物は一部公知であシ、例えばM
o1. Cryst、 Liq、 Cryst、 63
。
129(1981)並びにドイツ国特許出願公開明細書
第2,736,772号、同第2,752,975号及
び同第3.046.872号に記載されている。
第2,736,772号、同第2,752,975号及
び同第3.046.872号に記載されている。
成分Cに対して特に適当な化合物は一般式式中、X’は
一つの共有結合またはエステル基−COO−を表わし;
X7は一つの共有結合、エステル基−coo−エチレン
基−CHt C)Tt ”l タu、Xaカニステル
基−C0〇−を表わす限り、p、 C6H4−1p−
C1lH4−CH,CH2−1−CHtCHt−1)7
C11H4−1I) Ca36− H4−COO−もしくは−〇〇〇 P C11H4(f
)−C,H,−はp−フェニレンを表わす)を表わし;
項Aはベンゼン環またはトランス−1,4−シクロヘキ
シレンを表わし;環Bはベンゼン環または% X’がエ
ステル基−COO−を表わし、そしてX?が一つの共有
結合、エステル基−C00−もしくはエチレン基−CH
t CHt−を表わす限シ、またトランス−1,4−シ
クロヘキシレンヲ表わシ;記号z″、zt及びzlは水
素または一つの共有結合を介して更Kjlと直接結合し
ていないベンゼン頂上のハロゲン、シアノもしくはメチ
ルを表わしiY”はシアノ、ニトロもしくは2.2−ジ
シアノビニルtたは、Y′が水素を表わす限シ、また2
、2−ジシアノ−1−メチルビニルを表わし;Y’ ハ
ハロゲン、シアノ、C1〜Csフル37− キルまたは、X″′がベンゼン環もしくはエステル基を
有するか、またはY!がニトロを表わすか、またはzl
及び/またはz2が水素と異なる限シ、また水素を表わ
し;そしてR111はCl−Cl?−アルキルまたはベ
ンゼン環上のC0〜CI!−アルコキシを表わす、 の化合物及び一般式 式中、’R”は水素、フッ素、塩素、臭素またはシアン
基を表わし、Y4は2,2−ジシアノビニル、2,2−
ジシアノ−1−メチルビニルまたはシアノを表わし、R
”及びEは共にp−R”−フェニル、トランス4 R
IG−シクロヘキシル、47 RIIO−38− 4−ビフェニリル、p−(トランス−4−R10−シク
ロヘキシル)フェニル、p−(5−R”−2−ピリミジ
ニル)フェニル、p−C2−(p’−R”−フェニル)
エチル〕フェニル、p−(2−()ランス−4−R!
O−シクロヘキシル)エチル〕フェニル、トランス−’
[2−(pate−フェニル)エチルコシクロヘキシル
tたはトランス−4−(2−()ランス−4−R20−
シクロヘキシル)エチルコシクロヘキシルを表わし、そ
してR”は炭素原子1〜12個を含む直鎖状のアルキル
また酸ベンゼン環上の炭素原子1〜12個を含む直鎖状
のアルコキシ基を表わす、 の化合物である。これらの化合物は大きなネマテイク中
間相範囲、低い交す周波数及び大きな絶体誘1!異方性
を有している。上記の「ハロゲンコな39− る用語はフッ素、塩素または臭素、好ましくは塩素を表
わす。
一つの共有結合またはエステル基−COO−を表わし;
X7は一つの共有結合、エステル基−coo−エチレン
基−CHt C)Tt ”l タu、Xaカニステル
基−C0〇−を表わす限り、p、 C6H4−1p−
C1lH4−CH,CH2−1−CHtCHt−1)7
C11H4−1I) Ca36− H4−COO−もしくは−〇〇〇 P C11H4(f
)−C,H,−はp−フェニレンを表わす)を表わし;
項Aはベンゼン環またはトランス−1,4−シクロヘキ
シレンを表わし;環Bはベンゼン環または% X’がエ
ステル基−COO−を表わし、そしてX?が一つの共有
結合、エステル基−C00−もしくはエチレン基−CH
t CHt−を表わす限シ、またトランス−1,4−シ
クロヘキシレンヲ表わシ;記号z″、zt及びzlは水
素または一つの共有結合を介して更Kjlと直接結合し
ていないベンゼン頂上のハロゲン、シアノもしくはメチ
ルを表わしiY”はシアノ、ニトロもしくは2.2−ジ
シアノビニルtたは、Y′が水素を表わす限シ、また2
、2−ジシアノ−1−メチルビニルを表わし;Y’ ハ
ハロゲン、シアノ、C1〜Csフル37− キルまたは、X″′がベンゼン環もしくはエステル基を
有するか、またはY!がニトロを表わすか、またはzl
及び/またはz2が水素と異なる限シ、また水素を表わ
し;そしてR111はCl−Cl?−アルキルまたはベ
ンゼン環上のC0〜CI!−アルコキシを表わす、 の化合物及び一般式 式中、’R”は水素、フッ素、塩素、臭素またはシアン
基を表わし、Y4は2,2−ジシアノビニル、2,2−
ジシアノ−1−メチルビニルまたはシアノを表わし、R
”及びEは共にp−R”−フェニル、トランス4 R
IG−シクロヘキシル、47 RIIO−38− 4−ビフェニリル、p−(トランス−4−R10−シク
ロヘキシル)フェニル、p−(5−R”−2−ピリミジ
ニル)フェニル、p−C2−(p’−R”−フェニル)
エチル〕フェニル、p−(2−()ランス−4−R!
O−シクロヘキシル)エチル〕フェニル、トランス−’
[2−(pate−フェニル)エチルコシクロヘキシル
tたはトランス−4−(2−()ランス−4−R20−
シクロヘキシル)エチルコシクロヘキシルを表わし、そ
してR”は炭素原子1〜12個を含む直鎖状のアルキル
また酸ベンゼン環上の炭素原子1〜12個を含む直鎖状
のアルコキシ基を表わす、 の化合物である。これらの化合物は大きなネマテイク中
間相範囲、低い交す周波数及び大きな絶体誘1!異方性
を有している。上記の「ハロゲンコな39− る用語はフッ素、塩素または臭素、好ましくは塩素を表
わす。
本発明によって提供される負の誘電異方性をもつ混合物
は有利にHlllMまたはそれ以上の式Iの化合物に加
えて、誘電率の負及び/または小さな正の異方性をもつ
1f11またはそれ以上の追加の化合物を含有する(本
明細書に述べた用途において、正の誘電異方性をもつ化
合物は定義に従って、全混合物の正の異方性を残さぬ量
のみを用いるべきである)。担体物質(惑■の化合物を
除いた残シの混合物)は多くと本釣+1の誘電異方性を
有することが有利である。好ましい混合成分の例は成分
A及びB並びに特に式■−■、Xv%xX1XXI、
XXI及びXXffの化合物によって上に述べた化合物
である。
は有利にHlllMまたはそれ以上の式Iの化合物に加
えて、誘電率の負及び/または小さな正の異方性をもつ
1f11またはそれ以上の追加の化合物を含有する(本
明細書に述べた用途において、正の誘電異方性をもつ化
合物は定義に従って、全混合物の正の異方性を残さぬ量
のみを用いるべきである)。担体物質(惑■の化合物を
除いた残シの混合物)は多くと本釣+1の誘電異方性を
有することが有利である。好ましい混合成分の例は成分
A及びB並びに特に式■−■、Xv%xX1XXI、
XXI及びXXffの化合物によって上に述べた化合物
である。
また本発明によって提供される混合物は、特性に応じて
成分A%B及びCの成分として2−周波40− 数アドレッシングに対する混合物の場合に、光学的活性
化合物(例えば光学的活性ビフェニル類)及び/または
二色性着色物質(例えばアゾ、アゾキシまたはアントラ
キノン)着色物質を含有する。
成分A%B及びCの成分として2−周波40− 数アドレッシングに対する混合物の場合に、光学的活性
化合物(例えば光学的活性ビフェニル類)及び/または
二色性着色物質(例えばアゾ、アゾキシまたはアントラ
キノン)着色物質を含有する。
かかる化合物の量は溶解度、所望の色pt (p i
t c h )、色、吸光等によって決定される。好ま
しくは光学的活性化合物の量は多くとも約4重量%であ
り、そして二色性着色物質の弁゛け多くとも約10重量
%であシ、このチは全混合物を基単にしたものである。
t c h )、色、吸光等によって決定される。好ま
しくは光学的活性化合物の量は多くとも約4重量%であ
り、そして二色性着色物質の弁゛け多くとも約10重量
%であシ、このチは全混合物を基単にしたものである。
本発明によって提供される液晶混合物の製造はそれ自体
公知の方法において、例えば各成分の混合物をわずかに
透明点以上の温度に加熱し、次に該混合物を冷却して行
うことができる。
公知の方法において、例えば各成分の混合物をわずかに
透明点以上の温度に加熱し、次に該混合物を冷却して行
うことができる。
また本発明によって提供される混合物を含む電子−光学
装置の製造はそれ自体公知の方法において、例えば適当
なセルを空にし、そしてこの空にしたセル中に該混合物
を導入することによって行うことができる。
装置の製造はそれ自体公知の方法において、例えば適当
なセルを空にし、そしてこの空にしたセル中に該混合物
を導入することによって行うことができる。
式XXの化合物は新規のものである。これらの化合物は
次の反応式1及び2に示した如くして製造することがで
きる;反応式中、R15はトランス−4−アルキルシク
ロヘキシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル、I)
−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル
ま*U2−1)ランス−4−アルキルシクロヘキシル)
エチルヲ表わし、そしてR”はトランス−4−アルキル
シクロヘキシルを表わすか、R15けトランス−4−ア
ルキルシクロヘキシルを表わし、そしてR16はp−(
)ランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル、p
−[2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)エ
チル〕フェニルtりij:4’−(トランス−4−アル
キルシクロヘキシル)−4−ビフェニリルを表わすか、
或いはR”はp−アルキルフェニルを表わし、そしてR
”ハp−[2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシ
ル)エチル〕フェニルを表わし、R”及びR”並びに置
換基RII′及びRISにおけるアルキル基は炭素原子
1〜7個を含む直鎖状のアルキル基である。
次の反応式1及び2に示した如くして製造することがで
きる;反応式中、R15はトランス−4−アルキルシク
ロヘキシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル、I)
−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル
ま*U2−1)ランス−4−アルキルシクロヘキシル)
エチルヲ表わし、そしてR”はトランス−4−アルキル
シクロヘキシルを表わすか、R15けトランス−4−ア
ルキルシクロヘキシルを表わし、そしてR16はp−(
)ランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル、p
−[2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)エ
チル〕フェニルtりij:4’−(トランス−4−アル
キルシクロヘキシル)−4−ビフェニリルを表わすか、
或いはR”はp−アルキルフェニルを表わし、そしてR
”ハp−[2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシ
ル)エチル〕フェニルを表わし、R”及びR”並びに置
換基RII′及びRISにおけるアルキル基は炭素原子
1〜7個を含む直鎖状のアルキル基である。
43−
反応式1における弐R”−CHoの化合物は公知の化合
物から簡単な方法で得ることができる;例、tばトラン
ス−4−アルキルシクロへキサンカルボキシアルデヒド
は対応する酸塩化物のローゼンムント(Ros6nmu
nd)還元によって得ることができ、残シの化合物は対
応するシアン化合物を還元して得ることができる:。
物から簡単な方法で得ることができる;例、tばトラン
ス−4−アルキルシクロへキサンカルボキシアルデヒド
は対応する酸塩化物のローゼンムント(Ros6nmu
nd)還元によって得ることができ、残シの化合物は対
応するシアン化合物を還元して得ることができる:。
反応式2に従って、式xxxvの化合物をグリニアール
試薬と反応させることによシ、式XXXVTの化合物ま
たFi、R1j及びR”が同一の意味を有する弐XXB
の化合物を直接得ることができる。弐XXXVの化合物
1モル当シ少會くとも約2モルのグリニアール試薬を用
いた場合、一般に主として式XXB の化合物が直接生
成する。
試薬と反応させることによシ、式XXXVTの化合物ま
たFi、R1j及びR”が同一の意味を有する弐XXB
の化合物を直接得ることができる。弐XXXVの化合物
1モル当シ少會くとも約2モルのグリニアール試薬を用
いた場合、一般に主として式XXB の化合物が直接生
成する。
また弐XMのエステルは新規のものである。これらのも
のれそれ自体公知のエステル化法に従って得ることがで
きる(例えば下記式XX■の化合物の製造と同様の方法
による)。式Xxiのエステルを製造する際に必要な出
発物質は公知のものであるか、または公知の化合物の同
族体であシ、そして公知の方法に従って製造することが
できる。
のれそれ自体公知のエステル化法に従って得ることがで
きる(例えば下記式XX■の化合物の製造と同様の方法
による)。式Xxiのエステルを製造する際に必要な出
発物質は公知のものであるか、または公知の化合物の同
族体であシ、そして公知の方法に従って製造することが
できる。
また式XXIVの化合物は新規のものである。これらの
化合物はそれ自体公知の方法において、(a) R”
カアルキル、p−アルキルフェニル、p−アルコキシ
フェニルまたハトランス−4−アルキルシクロヘキシル
基を表わす式XXIVの化合物を製造するため忙、一般
式 式中、R1?けアルキル、p−アルキルフェニル、p−
アルコキシフェニルまたはトランス−4−アルキルシク
ロヘキシル基ヲ表わし、R′?におけるアルキル及びア
ルコキシ基は炭素原子1〜10個を含む直鎖状の基であ
り、そしてR”は上記の意味を有する、 の化合物または互変ジヒドロピリダジンを酸化に付すか
(例えばジオキサン中の2,3−ジクロロ−5,6−ジ
シアノ−p−ベンゾキノンにより、氷酢酸及びエタノー
ル中の亜硝酸ナトリウムによシ、氷酢酸中の亜硝酸イン
ペンチルによシ、または好ましくけパラジウム、白金等
による触媒的脱水素による)、 (b) R”がアルコキシ基を表わす弐XXWの化合
物を製造するために、一般式 式中、Xoは塩素または臭素を表わし、そしてR”は上
記の意味を有する、 の化合物をアルカリ金属アルコレート(例えばナトリウ
ムメチレート)と反応させるか、48− (CI R’がエチニル基を表わす式XX■ の化合
物を製造するために、一般式 式中、R″ffiは炭素原子1〜5個を含むアルキル基
を表わし、そしてRIGは上記の意味を有する、 の化合物を塩基(例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウムまたはブチルリチウム)と反応させるか、或いは (dl R@が炭素原子3〜10個を含む1−アルキ
ニル基を表わす式XX■の化合物を製造するために、一
般式 式中、RIoは上記の意味を有する、 の化合物を塩基(例えばブチルリチウム、メチル49− リチウム、ナトリウムアミドまたはリチウムジイソプロ
ピルアミド)によって対応するエチニリドに転化し、そ
して該エチニリドを臭化アルキルまた酸ヨウ化アルキル
でアルキル化する ことによってJB7進することができる。
化合物はそれ自体公知の方法において、(a) R”
カアルキル、p−アルキルフェニル、p−アルコキシ
フェニルまたハトランス−4−アルキルシクロヘキシル
基を表わす式XXIVの化合物を製造するため忙、一般
式 式中、R1?けアルキル、p−アルキルフェニル、p−
アルコキシフェニルまたはトランス−4−アルキルシク
ロヘキシル基ヲ表わし、R′?におけるアルキル及びア
ルコキシ基は炭素原子1〜10個を含む直鎖状の基であ
り、そしてR”は上記の意味を有する、 の化合物または互変ジヒドロピリダジンを酸化に付すか
(例えばジオキサン中の2,3−ジクロロ−5,6−ジ
シアノ−p−ベンゾキノンにより、氷酢酸及びエタノー
ル中の亜硝酸ナトリウムによシ、氷酢酸中の亜硝酸イン
ペンチルによシ、または好ましくけパラジウム、白金等
による触媒的脱水素による)、 (b) R”がアルコキシ基を表わす弐XXWの化合
物を製造するために、一般式 式中、Xoは塩素または臭素を表わし、そしてR”は上
記の意味を有する、 の化合物をアルカリ金属アルコレート(例えばナトリウ
ムメチレート)と反応させるか、48− (CI R’がエチニル基を表わす式XX■ の化合
物を製造するために、一般式 式中、R″ffiは炭素原子1〜5個を含むアルキル基
を表わし、そしてRIGは上記の意味を有する、 の化合物を塩基(例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウムまたはブチルリチウム)と反応させるか、或いは (dl R@が炭素原子3〜10個を含む1−アルキ
ニル基を表わす式XX■の化合物を製造するために、一
般式 式中、RIoは上記の意味を有する、 の化合物を塩基(例えばブチルリチウム、メチル49− リチウム、ナトリウムアミドまたはリチウムジイソプロ
ピルアミド)によって対応するエチニリドに転化し、そ
して該エチニリドを臭化アルキルまた酸ヨウ化アルキル
でアルキル化する ことによってJB7進することができる。
式XXX■の化合物はジヒドロピリダジン環における二
重結合の移動によって互変化合物に転位させることがで
きる。かかる転位は例えば微量の酸オたに塩基の存在に
よってもたらすことができる。
重結合の移動によって互変化合物に転位させることがで
きる。かかる転位は例えば微量の酸オたに塩基の存在に
よってもたらすことができる。
し、かじながら、オた互変ジヒドロピリダジンは上記の
条件下で式XX■の化合物に酸化され得るために、式X
XX■の化合物のみならず、また互変ジヒドロピリダジ
ン環たけかかる化合物の混合物を方1.’(atに従っ
て反応させることができる、式XXX■及び、XXX■
の出発物質紘新規のものである。これらのものは次の反
応式3〜6に示した如くして製造することができる;反
応式中、R10RI’F及びXo は上記の意味を有し
、そしてR”は炭素原子1〜10個を含む直鎖状のアル
キルまたはアルコキシ基を表わす。
条件下で式XX■の化合物に酸化され得るために、式X
XX■の化合物のみならず、また互変ジヒドロピリダジ
ン環たけかかる化合物の混合物を方1.’(atに従っ
て反応させることができる、式XXX■及び、XXX■
の出発物質紘新規のものである。これらのものは次の反
応式3〜6に示した如くして製造することができる;反
応式中、R10RI’F及びXo は上記の意味を有し
、そしてR”は炭素原子1〜10個を含む直鎖状のアル
キルまたはアルコキシ基を表わす。
削 巨
52−
式XLIXXXXXIV、L、 LIV及ヒLvノ出発
物質は公知のものであるか、または公知の化合物の同族
体であり、公知の方法において製造することができる。
物質は公知のものであるか、または公知の化合物の同族
体であり、公知の方法において製造することができる。
例えば式LIVのアルデヒドは式XLIの酸塩化物のロ
ーゼンムy1′還元によって製造することができる。
ーゼンムy1′還元によって製造することができる。
アルデヒドの弐XLI、 LTまたはL[の化合物への
付加はステツタ−[5tetter (Chem、Be
r。
付加はステツタ−[5tetter (Chem、Be
r。
114 (1981)581]の方法に従い、1,3
−チアゾリウム塩触媒の存在下において行うことができ
る。式LIVのアルデヒドまたはR”がアルキルモジく
ハトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わす式x
xxxtvのアルデヒドの付加に対して、3−ベンジル
−5−(2−ヒドロキシエチル)−4−メチル−1,3
−チアゾリウムクロライドが好ましい触媒であシ、そし
てR”がp−アルキルフェニルlたはp−アルコキシフ
ェニルを56− 表わす式XXXX■のアルデヒドの付加に対して、3゜
4−ジメチル−5−(2−ヒドロキシエチル)−1,3
−チアゾリウムアイオダイドが好ましい触媒である。
−チアゾリウム塩触媒の存在下において行うことができ
る。式LIVのアルデヒドまたはR”がアルキルモジく
ハトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わす式x
xxxtvのアルデヒドの付加に対して、3−ベンジル
−5−(2−ヒドロキシエチル)−4−メチル−1,3
−チアゾリウムクロライドが好ましい触媒であシ、そし
てR”がp−アルキルフェニルlたはp−アルコキシフ
ェニルを56− 表わす式XXXX■のアルデヒドの付加に対して、3゜
4−ジメチル−5−(2−ヒドロキシエチル)−1,3
−チアゾリウムアイオダイドが好ましい触媒である。
式L■の化合物と式XLIの化合物とのカップリングは
佐原(T、5ato)等、Bu l 1. Chem、
Soc 。
佐原(T、5ato)等、Bu l 1. Chem、
Soc 。
Japan 54(1981)505 の方法に従っ
て行うことができる。
て行うことができる。
また式XXX■の化合物は新規のものである。これらの
化合物はそれ自体公知の方法において、式XXXVIの
化合物をトリエチルアミン、ビス(トリフェニルホスフ
ィン)−パラジウム(■)ジクロライド及びヨウ化銅(
I[)の存在下においてエチニル−トリアルキルシラン
と反応させて得ることができる。
化合物はそれ自体公知の方法において、式XXXVIの
化合物をトリエチルアミン、ビス(トリフェニルホスフ
ィン)−パラジウム(■)ジクロライド及びヨウ化銅(
I[)の存在下においてエチニル−トリアルキルシラン
と反応させて得ることができる。
また式XXVの化合物は新規のものである。これらの化
合物紘それ自体公知の方法において、一般式 LIX 式中、R”、A、B、X’ 、X”、z1%z!及びz
3は式XXvに示した意味を有する、の化合物の酸塩化
物を一般式 式中、Yl及びY2は式XXVに示した意味を有する、 のフェノールでエステル化し、そして必要に応じて z
l、zlまたはz8が臭素を表わす得られた式XX■の
化合物をシアン化鋼(■)、シアン化ナトリウムまたは
シアン化カリウムと反応させて製造することができる。
合物紘それ自体公知の方法において、一般式 LIX 式中、R”、A、B、X’ 、X”、z1%z!及びz
3は式XXvに示した意味を有する、の化合物の酸塩化
物を一般式 式中、Yl及びY2は式XXVに示した意味を有する、 のフェノールでエステル化し、そして必要に応じて z
l、zlまたはz8が臭素を表わす得られた式XX■の
化合物をシアン化鋼(■)、シアン化ナトリウムまたは
シアン化カリウムと反応させて製造することができる。
Y”が2.2−ジシアノビニルを表わす式LXの化合物
は例えばオキシ塩化リンの存在下においてジメチルホル
ムアミドとのビルスマイアー(Vilsmeier)
反応によって、3−Y’ −アニソールを4−メトキ
シ−2−Yl−ペンズアルデヒトニ転化し、次にメトキ
シ基を加水分解しく例えばピリジニウムクロライドと共
に還流下で加熱し、次に分留する)、そして最後に得ら
れた4−ヒドロキシ−2−Yl−ペンズアルデヒドヲ、
マロノニトリルとのクノーベナーゲル(Knoeven
a−gel)縮合によって(例えば沸騰トルエン中の触
媒量の氷酢酸及び酢酸ナトリウムの存在下において)、
Y2が2.2−ジシアノビニルを表わス式■の化合物に
転化することによって製造することができる。式LXの
残りの化合物は公知のものであるか、または公知の化合
物の同族体である。
は例えばオキシ塩化リンの存在下においてジメチルホル
ムアミドとのビルスマイアー(Vilsmeier)
反応によって、3−Y’ −アニソールを4−メトキ
シ−2−Yl−ペンズアルデヒトニ転化し、次にメトキ
シ基を加水分解しく例えばピリジニウムクロライドと共
に還流下で加熱し、次に分留する)、そして最後に得ら
れた4−ヒドロキシ−2−Yl−ペンズアルデヒドヲ、
マロノニトリルとのクノーベナーゲル(Knoeven
a−gel)縮合によって(例えば沸騰トルエン中の触
媒量の氷酢酸及び酢酸ナトリウムの存在下において)、
Y2が2.2−ジシアノビニルを表わス式■の化合物に
転化することによって製造することができる。式LXの
残りの化合物は公知のものであるか、または公知の化合
物の同族体である。
また式Lffの化合物は公知のものであるか、または公
知の化合物の同族体であシ、公知の方法に従って製造す
ることができる。
知の化合物の同族体であシ、公知の方法に従って製造す
ることができる。
X8がエステル基−COO−を表わす式「の化合物は例
えば一般式 式中、X’、R”、A、 B、 Z’及びzlは式XX
V K示した意味を有する、 の化合物をジシクロへキシルカルボジイミド及び4−(
ジメチルアミノ)ピリジンの存在下において塩化メチレ
ン中にて4−ヒドロキシ−2−23−ベンズアルデヒド
でエステル化し、そして生じたアルデヒドをクロム酸及
び硫酸によるジョーンズ(Jones’)酸化によって
式IJの対応する酸に転化するととKよって製造するこ
とができる。
えば一般式 式中、X’、R”、A、 B、 Z’及びzlは式XX
V K示した意味を有する、 の化合物をジシクロへキシルカルボジイミド及び4−(
ジメチルアミノ)ピリジンの存在下において塩化メチレ
ン中にて4−ヒドロキシ−2−23−ベンズアルデヒド
でエステル化し、そして生じたアルデヒドをクロム酸及
び硫酸によるジョーンズ(Jones’)酸化によって
式IJの対応する酸に転化するととKよって製造するこ
とができる。
X″′が−CH,CH2−1pCaH4CH2CHt−
または6O− −CH2CH!−p−C6H4−ヲ表bL、、’l:t
、テX” カ一つの共有結合を表わす式IJの酸及びX
lが−CH7CH,−1I) C5H4CH2CHt−
または−CHz CL f)−CsHa−を表わす式L
XIの酸を製造する際に、mA及びBの結合はフォーケ
ットーシュロツサー(Fouquet−8chJoss
er)反応またはビツテイヒ(Wittig)反応によ
って有利に行われる。例えば4−()頴モメチル)−2
−Z” −ベンゾニドニル 4/(7”ロモメチル)−
4−ビフェニルカルボニトリルまたはトランス−4−(
)シルオキシメチル)シクロヘキサンカルボニトリルを
ジリチウ!テトラクロロクプレートの存在下においテ(
4−R1”−2−Z’−フェニル) )fルー−vクネ
シウムブロマイドまたは(トランス−4R111−シク
ロヘキシル)メチル−マグネシウムブロマイドと反応さ
せることができ、そして得られたニトリルを所望の酸に
加水分解すること力S、できる。
または6O− −CH2CH!−p−C6H4−ヲ表bL、、’l:t
、テX” カ一つの共有結合を表わす式IJの酸及びX
lが−CH7CH,−1I) C5H4CH2CHt−
または−CHz CL f)−CsHa−を表わす式L
XIの酸を製造する際に、mA及びBの結合はフォーケ
ットーシュロツサー(Fouquet−8chJoss
er)反応またはビツテイヒ(Wittig)反応によ
って有利に行われる。例えば4−()頴モメチル)−2
−Z” −ベンゾニドニル 4/(7”ロモメチル)−
4−ビフェニルカルボニトリルまたはトランス−4−(
)シルオキシメチル)シクロヘキサンカルボニトリルを
ジリチウ!テトラクロロクプレートの存在下においテ(
4−R1”−2−Z’−フェニル) )fルー−vクネ
シウムブロマイドまたは(トランス−4R111−シク
ロヘキシル)メチル−マグネシウムブロマイドと反応さ
せることができ、そして得られたニトリルを所望の酸に
加水分解すること力S、できる。
61−
更に、例えば4−R”−2−Z’−ベンズアルデヒドま
たはトランス−4−Rle−シクロヘキサンカルボキシ
アルデヒドを塩基(例えばナトリウムメチレート)の存
在下において、(4−メトキシカルボニル−3−Z”−
フェニル)メチル−トリフェニルホスホニウムブロマイ
ド(zl及びztは水素、フッ素、シアノまたはメチル
を表わす)と反応させることができ、次いで二重結合を
触媒的に水素添加し、そして最後にエステル基をケン化
することができる。
たはトランス−4−Rle−シクロヘキサンカルボキシ
アルデヒドを塩基(例えばナトリウムメチレート)の存
在下において、(4−メトキシカルボニル−3−Z”−
フェニル)メチル−トリフェニルホスホニウムブロマイ
ド(zl及びztは水素、フッ素、シアノまたはメチル
を表わす)と反応させることができ、次いで二重結合を
触媒的に水素添加し、そして最後にエステル基をケン化
することができる。
これらの反応に必要な出発物質は公知のものであるか、
またはそれ自体公知の方法に従って製造することができ
る。例えば4−アルコキシ−2−21−アセトフェノン
をハロホルム解体によって4−アルコキシ−2−Z’−
安息香酸に転化し7、そしてこのものを水素化リチウム
アルミニウムによる還元及び臭素化(例えばテトラブロ
モメタン及びトリフェニルホスフィンによる)によって
4−アルコキシ−1−(ブロモメチル)−2−Z’−ベ
ンゼンに転化することができるr2,4−ジメチル安息
香酸メチルから、例えばN−ブロモコハク酸イミドとの
反応1次に4−(ブロモメチル)−2−メチル安息香酸
メチルの異性体分離、このものをOrg、 5ynth
、 Col 1. V、 825に記載された方法と同
様にして4−ホルミル−2−メチル安息香酸メチルに転
化して得ることができる;アルキルトリフェニルホスホ
ニウムブロマイド及び塩基との反応、次に二重結合の触
媒的水素添加後に得られた4−アルキル−2−メチル安
息香酸メチルを水酸化ナトリウムでケン化して酸にする
か、または水素化リチウムアルミニウムで還元してアル
コールKL、最後にこのものを臭化水素によって4−ア
ルキル−1−(ブロモメチル)−2−メチルベンゼンに
ミまたは二酸化マンガンによって4−フルキル−2−メ
チルベンズアルデヒドに転化することができる。1−ア
ルキル−3−フルオロベンゼンは例えばブチルリチウム
及び二酸化炭素との反応、次に加水分解によって4−ア
ルキル−2−フルオロ安息香酸に転化することができ、
そして1−アルキル−3−クロロベンゼンまたは1−ア
ルキル−3−ブロモベンゼンは三塩化アルミニリムの存
在下において、塩化アセチルによるフリーデル−クラフ
ッ・アシル化、次に次亜臭素酸ナトリウムによる酸化に
よって、4−アルキル−2−(クロロまたはブロモ)安
息香酸に転化することができる:次に得られた酸を水素
化りtラムアルミニウムによってアルコールに転化する
ことができ、このものを臭化水素によってブロマイドに
、または二酸化マンガンによってアルデヒドに転化する
ことができる。更に、例えば4−メチル−2−Z’−安
息香酸を順次塩化チオニル、アロ 4− ンモニア及ヒベンゼンスルホニルクロライトト反応させ
ることができ、そして得られた4−メチル−2−Z’
−ベンゾニトリルt−N−ブロモコノ飄り酸イミドによ
って4−(ブロモメチル)−2−Z’−ベンゾニトリル
に転化することができる。
またはそれ自体公知の方法に従って製造することができ
る。例えば4−アルコキシ−2−21−アセトフェノン
をハロホルム解体によって4−アルコキシ−2−Z’−
安息香酸に転化し7、そしてこのものを水素化リチウム
アルミニウムによる還元及び臭素化(例えばテトラブロ
モメタン及びトリフェニルホスフィンによる)によって
4−アルコキシ−1−(ブロモメチル)−2−Z’−ベ
ンゼンに転化することができるr2,4−ジメチル安息
香酸メチルから、例えばN−ブロモコハク酸イミドとの
反応1次に4−(ブロモメチル)−2−メチル安息香酸
メチルの異性体分離、このものをOrg、 5ynth
、 Col 1. V、 825に記載された方法と同
様にして4−ホルミル−2−メチル安息香酸メチルに転
化して得ることができる;アルキルトリフェニルホスホ
ニウムブロマイド及び塩基との反応、次に二重結合の触
媒的水素添加後に得られた4−アルキル−2−メチル安
息香酸メチルを水酸化ナトリウムでケン化して酸にする
か、または水素化リチウムアルミニウムで還元してアル
コールKL、最後にこのものを臭化水素によって4−ア
ルキル−1−(ブロモメチル)−2−メチルベンゼンに
ミまたは二酸化マンガンによって4−フルキル−2−メ
チルベンズアルデヒドに転化することができる。1−ア
ルキル−3−フルオロベンゼンは例えばブチルリチウム
及び二酸化炭素との反応、次に加水分解によって4−ア
ルキル−2−フルオロ安息香酸に転化することができ、
そして1−アルキル−3−クロロベンゼンまたは1−ア
ルキル−3−ブロモベンゼンは三塩化アルミニリムの存
在下において、塩化アセチルによるフリーデル−クラフ
ッ・アシル化、次に次亜臭素酸ナトリウムによる酸化に
よって、4−アルキル−2−(クロロまたはブロモ)安
息香酸に転化することができる:次に得られた酸を水素
化りtラムアルミニウムによってアルコールに転化する
ことができ、このものを臭化水素によってブロマイドに
、または二酸化マンガンによってアルデヒドに転化する
ことができる。更に、例えば4−メチル−2−Z’−安
息香酸を順次塩化チオニル、アロ 4− ンモニア及ヒベンゼンスルホニルクロライトト反応させ
ることができ、そして得られた4−メチル−2−Z’
−ベンゾニトリルt−N−ブロモコノ飄り酸イミドによ
って4−(ブロモメチル)−2−Z’−ベンゾニトリル
に転化することができる。
また式XXVI の化合物は一部新規の化合物である。
これらのものけ式XXvの化合物と同様の方法でエステ
ル化によって製造することができる。式XXVIの化合
物を製造する際に必要な酸は反応式7に示した如くして
待ることができる:反応式中、R2°、R11及びEは
上記式XXVIに示した意味を有する: 65− 反応式7 R” 式LXII及びLXIの化合物は公知のものであるか、
またはそれ自体公知の方法に従って製造するととができ
る。
ル化によって製造することができる。式XXVIの化合
物を製造する際に必要な酸は反応式7に示した如くして
待ることができる:反応式中、R2°、R11及びEは
上記式XXVIに示した意味を有する: 65− 反応式7 R” 式LXII及びLXIの化合物は公知のものであるか、
またはそれ自体公知の方法に従って製造するととができ
る。
本発明はまた全ての新規化合物、混合物、製造法、用途
及び本明細書に述べた如き装置に関する。
及び本明細書に述べた如き装置に関する。
次の混合物は本発明によって提供される好ましい混合物
の例である。ηは粘度(バルク粘度)を表わし、fCは
交す周波数を表わし、ΔC6け低周波数〔「静J (s
tatic)]誘電異方性を表わし、△εhは22℃で
測定した高周波数誘電異方性を表わす。混合物1〜6け
負の誘電異方性を有し、そして混合物7及び8は2−周
波数アドレッシングに対して適している。
の例である。ηは粘度(バルク粘度)を表わし、fCは
交す周波数を表わし、ΔC6け低周波数〔「静J (s
tatic)]誘電異方性を表わし、△εhは22℃で
測定した高周波数誘電異方性を表わす。混合物1〜6け
負の誘電異方性を有し、そして混合物7及び8は2−周
波数アドレッシングに対して適している。
混合物1
トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルニーステル11.8ii%、トランス−
4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキ
シフェニルエステル16.6重量%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル1o、7M景%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−フロビルオ
キシフェニルエステル12.8重量%、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン7、3 重fgチ、 3−プロピル−6−()ランス−4−エチルシクロヘキ
シル)ピリダジン3.5重量%、3−プロピル−6−”
()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ピリダジン
8.3重量%、3−プロピル−6−(トランス−4−ヘ
プチルシクロヘキシル)ピリダジン5.3重量%、3−
ペンチル−6−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ピリダジン10.7重i−%、4’−(トランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)68− −4−[2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)
エチル〕ビフェニル8.7重量*、2.3−ジシアノ−
1−(2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
エチル〕−4−プロピルベンゼン4.3重量%; 融点−12℃、透明点60℃、ネマテイク;η=40c
p、△ε、=−5,07゜ 混合物2 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル5.5 Xi %、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−メトキシフ
ェニルエステル5.1ffi量%、トランス−4−ペン
チルシクロヘキサンカルボン酸1)−フロビルオキシフ
ェニルエステル9.8iiチ、 4−エトキシ−1−(2−()ランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン12.7重69− 量チ、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン14.6i量チ、 1−(2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)ベンゼン10.3重量%、3−7’ロビルー6−()
ランス−4−エチルシクロヘキシル)ピリダジン3.4
重3%、3−プロピル−6−()ランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)ピリダジン8.2重量%、3−7’口
ピル−6−C)ランス−4−へブチルシクロヘキシル)
ピリダジン5.2重量%、3−ペンチル−6−(、)ラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)ピリダジン10.
5重量%、4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)−4−[2−(トランス−4−ブチルシクロヘキ
シル)エチルコピフェニル10.3重量%、2.3−ジ
シアノ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)エチル〕−4−7’ロビルベンゼン4.3重量
%; 融点く0℃、透明点57.8℃、ネマテイク;η=3+
、9cp、Δε、=−4,69゜ 混合物3 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−c
)キシフェニルエステル16.5重i%、トランス−4
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキシ
フェニルエステル22.3重f係、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル15.0重量%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサ/カルボン酸p−プロピルオ
キシフェニルエステル1 a01i量チ、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン10,2重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル) −4−フロビルベンゼン
7.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル)−4−フチルベンゼン10
.0重量%、 融点く0℃、透明点49℃、ネマテイク;η=45cp
s△ε、=−4,01゜ 混合物4 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−4
)キシフェニルエステル10.9重[1、トランス−4
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキシ
フェニルエステル15.4重量%、 72− トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボンHp−
メトキシフェニルエステル9.9重1t%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−プロピルオ
キシフェニルエステル11.93i量チ、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ペンゼy6.7重Jl係、 1−(2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)ベンゼン9.6重[1,4−(:2−()ランス−4
−ブチルシクロヘキシル)エチル)−4’−()ランス
−4−ペンチルシクロヘキシル)−1、1’−エチレン
ジベンゼン7.7重量%、 4−C2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4’−()ランス−4−ペンチル73− シクロヘキシル)ビフェニル3.9重量%、2,3−ジ
シアノ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)エチル] −4−フロビルベンゼン9,6重i
−チ、 2.3−ジシアノ−1−[2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン14
.4重量%: 融点く0℃、透明点61.5℃、ネマテイク:η=67
.9cp、Δε、=−5.22゜ 混合物5 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル12.33i%、トランス−4
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ヘンチルオキシ
フェニルエステル17.4重量%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル11.2重量%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−プロピルオ
キシフェニルエステル13.51iiチ、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン7.6重量%、 1−C2−(トランス−4−)゛チルシクロヘキシル)
エチル)−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ベンゼン10.Ofr量%、4−[2−()ランス
−4−ブチルシクロヘキシル)エチル]−4’−()ラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1、1’−エチ
レンジベンゼン8.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−(:2−()?ンスー4−ペン
チルシクロヘキシル)エチル)−4−プロピルベンゼン
8.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−(2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン12
.0重量%; 融点く0℃、透明点65.4℃、ネマテイク;η=47
cp、Δε、=−3.71゜ 混合物6 トランスー4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トヤシフェニルエステル11.58117Li%、トラ
ンス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチ
ルオキシフェニルエステル16.31重1チ、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボンWp−
メトキシフェニルエステル10.477重量%、トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−プロピ
ルオキシフェニルエステル12.64重量%、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン7.12重76− 量チ、 4−[2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル〕−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフェニル10.26i1t%、3−プロピル−6
−()ランス−4−エチルシクロヘキシル)ピリダジン
3.38重量%、3−プロピル−6−(トランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)ピリダジン8.211i’1
%、3−ペンチル−6−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)ピリダジン10.5 i重量チ、3−プロ
ピル−6−()ランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)
ピリダジン5.25重量%、2.3−ジシアノ−1−(
2−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル
)−4−7”ロピルベンゼン4.27重量%; 融点く一10℃、透明点61.5℃、ネマテイク;η=
42.8cp、Δg、=−5,05゜77− 混合物7 トランスー4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル12.9ifts、トランス−
4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキ
シフェニルエステル18.3重iチ、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル11.7i[y%、トランス
−4−ペンチルシクロヘキサンカルボンalp−フロビ
ルオキシフェニルエステル14.1重量%、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン8.0重量%、 4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4
−ビフェニルカルボン酸3−クロロ−4−C(3−>ロ
ロー4−ニトロフェノキシ)カルボニル〕フェニルエス
テル9.0重量%、 4’−()ランス−4−へプチルノクロヘキシル)−4
−ヒフェニルカルポン酸3−クロロ−4−C(3−クロ
ロ−4−二トロフエノキシ)カルボニルフェニルエステ
ル9.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−C2−()ランス−4−ベンチ
ルシクロヘキシル)エチル)−4−7’ロビルベンゼン
7.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン10
.0重量%; 融点く0℃、透明点76.6℃、ネマテイクHfc=4
40HzΔε、=+5.2、ΔgB、=−5.0゜混合
物8 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−4
)−+ジフェニルエステル6.8iHt%、トランス−
4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキ
シフェニルエステル9.7mft%、トランス−4−ぺ
/チルシクロヘキサンカルボン酸p−メトキシフェニル
エステル6.3重量%、トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボン酸p−プロピルオキシフェニルエステ
ル11.2重量%、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン16.43i量チ、 1−〔2−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)ベンゼン11.1重量%、4′−ヘキシル−ビフェニ
ルカルボンe3−クロロ−4−((3−クロロ−4−シ
アノフェノキシ)カルボニル〕フェニルエステル4.5
mft%、4′−へフチルー4−ビフェニルカルボン酸
3−クロロ−4−[(3−クロロ−4−シアノフェノ
80− キシ)カルボニル〕フェニルエステル4.53を量’J
、4′−へキシル−4−ビフェニルカルボン酸3−クロ
ロ−4−[(3−クロロ−4−ニトロフェノキシ)カル
ボニル〕フェニルエステル4.5重i%、4′−へフチ
ルー4−ビフェニルカルボン酸3−クロロ−4−[(3
−クロロ−4−ニトロフェノキシ)カルボニル〕フェニ
ルエステル4.5重jul、2.3−ジシアノ−1−[
2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル
]−4−プロピルベンゼン8.2重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン12
.3重量%; 融点く0℃、透明点65゜5℃、ネマテイクHfc=
3.6 KHz 、Δg、=+6.11、△5hニー5
.40゜以下の実施例は本発明によって提供される化合
物の製造を説明するものである。
トキシフェニルニーステル11.8ii%、トランス−
4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキ
シフェニルエステル16.6重量%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル1o、7M景%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−フロビルオ
キシフェニルエステル12.8重量%、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン7、3 重fgチ、 3−プロピル−6−()ランス−4−エチルシクロヘキ
シル)ピリダジン3.5重量%、3−プロピル−6−”
()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ピリダジン
8.3重量%、3−プロピル−6−(トランス−4−ヘ
プチルシクロヘキシル)ピリダジン5.3重量%、3−
ペンチル−6−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ピリダジン10.7重i−%、4’−(トランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)68− −4−[2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)
エチル〕ビフェニル8.7重量*、2.3−ジシアノ−
1−(2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
エチル〕−4−プロピルベンゼン4.3重量%; 融点−12℃、透明点60℃、ネマテイク;η=40c
p、△ε、=−5,07゜ 混合物2 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル5.5 Xi %、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−メトキシフ
ェニルエステル5.1ffi量%、トランス−4−ペン
チルシクロヘキサンカルボン酸1)−フロビルオキシフ
ェニルエステル9.8iiチ、 4−エトキシ−1−(2−()ランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン12.7重69− 量チ、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン14.6i量チ、 1−(2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)ベンゼン10.3重量%、3−7’ロビルー6−()
ランス−4−エチルシクロヘキシル)ピリダジン3.4
重3%、3−プロピル−6−()ランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)ピリダジン8.2重量%、3−7’口
ピル−6−C)ランス−4−へブチルシクロヘキシル)
ピリダジン5.2重量%、3−ペンチル−6−(、)ラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)ピリダジン10.
5重量%、4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)−4−[2−(トランス−4−ブチルシクロヘキ
シル)エチルコピフェニル10.3重量%、2.3−ジ
シアノ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)エチル〕−4−7’ロビルベンゼン4.3重量
%; 融点く0℃、透明点57.8℃、ネマテイク;η=3+
、9cp、Δε、=−4,69゜ 混合物3 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−c
)キシフェニルエステル16.5重i%、トランス−4
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキシ
フェニルエステル22.3重f係、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル15.0重量%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサ/カルボン酸p−プロピルオ
キシフェニルエステル1 a01i量チ、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン10,2重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル) −4−フロビルベンゼン
7.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル)−4−フチルベンゼン10
.0重量%、 融点く0℃、透明点49℃、ネマテイク;η=45cp
s△ε、=−4,01゜ 混合物4 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−4
)キシフェニルエステル10.9重[1、トランス−4
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキシ
フェニルエステル15.4重量%、 72− トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボンHp−
メトキシフェニルエステル9.9重1t%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−プロピルオ
キシフェニルエステル11.93i量チ、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ペンゼy6.7重Jl係、 1−(2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)ベンゼン9.6重[1,4−(:2−()ランス−4
−ブチルシクロヘキシル)エチル)−4’−()ランス
−4−ペンチルシクロヘキシル)−1、1’−エチレン
ジベンゼン7.7重量%、 4−C2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4’−()ランス−4−ペンチル73− シクロヘキシル)ビフェニル3.9重量%、2,3−ジ
シアノ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)エチル] −4−フロビルベンゼン9,6重i
−チ、 2.3−ジシアノ−1−[2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン14
.4重量%: 融点く0℃、透明点61.5℃、ネマテイク:η=67
.9cp、Δε、=−5.22゜ 混合物5 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル12.33i%、トランス−4
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ヘンチルオキシ
フェニルエステル17.4重量%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル11.2重量%、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−プロピルオ
キシフェニルエステル13.51iiチ、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン7.6重量%、 1−C2−(トランス−4−)゛チルシクロヘキシル)
エチル)−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ベンゼン10.Ofr量%、4−[2−()ランス
−4−ブチルシクロヘキシル)エチル]−4’−()ラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1、1’−エチ
レンジベンゼン8.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−(:2−()?ンスー4−ペン
チルシクロヘキシル)エチル)−4−プロピルベンゼン
8.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−(2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン12
.0重量%; 融点く0℃、透明点65.4℃、ネマテイク;η=47
cp、Δε、=−3.71゜ 混合物6 トランスー4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トヤシフェニルエステル11.58117Li%、トラ
ンス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチ
ルオキシフェニルエステル16.31重1チ、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボンWp−
メトキシフェニルエステル10.477重量%、トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−プロピ
ルオキシフェニルエステル12.64重量%、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン7.12重76− 量チ、 4−[2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル〕−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフェニル10.26i1t%、3−プロピル−6
−()ランス−4−エチルシクロヘキシル)ピリダジン
3.38重量%、3−プロピル−6−(トランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)ピリダジン8.211i’1
%、3−ペンチル−6−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)ピリダジン10.5 i重量チ、3−プロ
ピル−6−()ランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)
ピリダジン5.25重量%、2.3−ジシアノ−1−(
2−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル
)−4−7”ロピルベンゼン4.27重量%; 融点く一10℃、透明点61.5℃、ネマテイク;η=
42.8cp、Δg、=−5,05゜77− 混合物7 トランスー4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル12.9ifts、トランス−
4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキ
シフェニルエステル18.3重iチ、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸p−
メトキシフェニルエステル11.7i[y%、トランス
−4−ペンチルシクロヘキサンカルボンalp−フロビ
ルオキシフェニルエステル14.1重量%、 4−エトキシ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン8.0重量%、 4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4
−ビフェニルカルボン酸3−クロロ−4−C(3−>ロ
ロー4−ニトロフェノキシ)カルボニル〕フェニルエス
テル9.0重量%、 4’−()ランス−4−へプチルノクロヘキシル)−4
−ヒフェニルカルポン酸3−クロロ−4−C(3−クロ
ロ−4−二トロフエノキシ)カルボニルフェニルエステ
ル9.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−C2−()ランス−4−ベンチ
ルシクロヘキシル)エチル)−4−7’ロビルベンゼン
7.0重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン10
.0重量%; 融点く0℃、透明点76.6℃、ネマテイクHfc=4
40HzΔε、=+5.2、ΔgB、=−5.0゜混合
物8 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−4
)−+ジフェニルエステル6.8iHt%、トランス−
4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−ペンチルオキ
シフェニルエステル9.7mft%、トランス−4−ぺ
/チルシクロヘキサンカルボン酸p−メトキシフェニル
エステル6.3重量%、トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボン酸p−プロピルオキシフェニルエステ
ル11.2重量%、 4−エトキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル〕ベンゼン16.43i量チ、 1−〔2−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)エ
チル)−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)ベンゼン11.1重量%、4′−ヘキシル−ビフェニ
ルカルボンe3−クロロ−4−((3−クロロ−4−シ
アノフェノキシ)カルボニル〕フェニルエステル4.5
mft%、4′−へフチルー4−ビフェニルカルボン酸
3−クロロ−4−[(3−クロロ−4−シアノフェノ
80− キシ)カルボニル〕フェニルエステル4.53を量’J
、4′−へキシル−4−ビフェニルカルボン酸3−クロ
ロ−4−[(3−クロロ−4−ニトロフェノキシ)カル
ボニル〕フェニルエステル4.5重i%、4′−へフチ
ルー4−ビフェニルカルボン酸3−クロロ−4−[(3
−クロロ−4−ニトロフェノキシ)カルボニル〕フェニ
ルエステル4.5重jul、2.3−ジシアノ−1−[
2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル
]−4−プロピルベンゼン8.2重量%、 2.3−ジシアノ−1−[2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチルツー4−ブチルベンゼン12
.3重量%; 融点く0℃、透明点65゜5℃、ネマテイクHfc=
3.6 KHz 、Δg、=+6.11、△5hニー5
.40゜以下の実施例は本発明によって提供される化合
物の製造を説明するものである。
81−
実施例1
テトラヒドロフラン中の4−ブチルオキシ−1−C2−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル)−
1,4−シクロヘキサジエン19.5Iの溶液(50i
d)を窒素ガス下にて丸底フラスコに入れ、攪拌しなが
らテトラヒドロフラン50d中の2,3−ジクロロマレ
イン酸無水物501Rg及びジシアノアセチレン4.1
gの溶液で処理した。
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル)−
1,4−シクロヘキサジエン19.5Iの溶液(50i
d)を窒素ガス下にて丸底フラスコに入れ、攪拌しなが
らテトラヒドロフラン50d中の2,3−ジクロロマレ
イン酸無水物501Rg及びジシアノアセチレン4.1
gの溶液で処理した。
この混合物を室温で24時間攪拌1/、次に真空下で蒸
発させた。生じた暗褐色の油(30,7,li+)をシ
リカゲル上で、溶離剤として塩化メチレン及び塩化メチ
レン/1係アセトンを用いて、クロマトグラフィーにか
けた。かくして暗褐色油15.7gが得られ、このもの
を連続的に125℃まで1時間以内に加熱した。残渣(
15,2,9)をシリカゲル上で溶離剤としてトルエン
を用いてクロマトグラフィーにかけた。かくして褐色固
体残渣11.7gを単離することができ、このものをジ
エチルエーテルに溶解し、活性炭で処理し、そして濾過
しだ。くシ返し再結晶しくジエチルエーテル/ヘキサン
、アセトン/イソプロパツール及びイソプロパツールか
ら)そして母液をクロマトグラフィーによって処理した
後、最終的に融点145.1℃の純4−ブチルオキシ−
2,3−ジシアノ−1−〔2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル〕ベンゼン5.4gが得られ
た。
発させた。生じた暗褐色の油(30,7,li+)をシ
リカゲル上で、溶離剤として塩化メチレン及び塩化メチ
レン/1係アセトンを用いて、クロマトグラフィーにか
けた。かくして暗褐色油15.7gが得られ、このもの
を連続的に125℃まで1時間以内に加熱した。残渣(
15,2,9)をシリカゲル上で溶離剤としてトルエン
を用いてクロマトグラフィーにかけた。かくして褐色固
体残渣11.7gを単離することができ、このものをジ
エチルエーテルに溶解し、活性炭で処理し、そして濾過
しだ。くシ返し再結晶しくジエチルエーテル/ヘキサン
、アセトン/イソプロパツール及びイソプロパツールか
ら)そして母液をクロマトグラフィーによって処理した
後、最終的に融点145.1℃の純4−ブチルオキシ−
2,3−ジシアノ−1−〔2−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル〕ベンゼン5.4gが得られ
た。
出発物質として用いた4−ブチルオキシ−1−[2−(
)ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル]−1
.4−シクロヘキサジエンハ次ノ如くして製造した: 液体アンモニア1306m17をスルホン化用フラスコ
に入れ、ジエチルエーテル1.1を中の4−ブチルオキ
シ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)エチル〕ベンゼン38.4.90溶液を冷却しなが
ら40分以内に滴下した。次にリチウムM 23.3
gを35分以内に加え、この混合物を2時間攪拌した。
)ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチル]−1
.4−シクロヘキサジエンハ次ノ如くして製造した: 液体アンモニア1306m17をスルホン化用フラスコ
に入れ、ジエチルエーテル1.1を中の4−ブチルオキ
シ−1−C2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)エチル〕ベンゼン38.4.90溶液を冷却しなが
ら40分以内に滴下した。次にリチウムM 23.3
gを35分以内に加え、この混合物を2時間攪拌した。
この混合物にエタノール4201/を70分以内に滴下
1〜、アンモニアを窒素下にて一夜蒸発させた。混合物
を10℃に冷却し、次に水1.5tを温度が10℃以上
に上昇せぬように17で35分以内に滴下した。混合物
をジエチルエーテル各0.5tで3回抽出した。@機相
を水各0,5tで2回洗浄し、炭酸カリウム上で乾燥1
〜、PAし、そして濃縮し、無色の結晶する油として4
−ブチルオキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)エチル]−1、4−シクロヘキサジエ
ン3 <’1.0 gを得だ。
1〜、アンモニアを窒素下にて一夜蒸発させた。混合物
を10℃に冷却し、次に水1.5tを温度が10℃以上
に上昇せぬように17で35分以内に滴下した。混合物
をジエチルエーテル各0.5tで3回抽出した。@機相
を水各0,5tで2回洗浄し、炭酸カリウム上で乾燥1
〜、PAし、そして濃縮し、無色の結晶する油として4
−ブチルオキシ−1−C2−()ランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)エチル]−1、4−シクロヘキサジエ
ン3 <’1.0 gを得だ。
実施例2
1.2−ジシアノ−3−[2−()ランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)エチル] −6−フロピルー1,4
−シクロへキサジエン7.4gを油浴84− (120℃)中の丸底フラスコ中のジオキサン100−
に溶解し、この溶液を2,3−ジクロロ−5,6−ジシ
アノ−p−ベンゾキノン4.769で処理し、この混合
物を還流下で2.5時間沸騰させた。次に混合物を室温
に冷却し、生じた沈殿物ノ を吸引戸別し、ジオキサン及びジエチルエーテルですす
いだ。ろ液を真空下で濃縮した。褐色固体残渣(9,9
,9)をシリカゲル上で、溶離剤とし、てトルエン/ヘ
キサン(容量比1:1)及びトルエンを用いてクロマト
グラフィーにかけた。単離した粗!p1(の生成物(7
,0g)をr回置結晶[2(ヘキサン及びインプロパツ
ールから)、最終的に融点83.6℃の純2,3−ジシ
アノ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)エチル〕−4−7’ロビルベンゼン2.3gを得
た。
ルシクロヘキシル)エチル] −6−フロピルー1,4
−シクロへキサジエン7.4gを油浴84− (120℃)中の丸底フラスコ中のジオキサン100−
に溶解し、この溶液を2,3−ジクロロ−5,6−ジシ
アノ−p−ベンゾキノン4.769で処理し、この混合
物を還流下で2.5時間沸騰させた。次に混合物を室温
に冷却し、生じた沈殿物ノ を吸引戸別し、ジオキサン及びジエチルエーテルですす
いだ。ろ液を真空下で濃縮した。褐色固体残渣(9,9
,9)をシリカゲル上で、溶離剤とし、てトルエン/ヘ
キサン(容量比1:1)及びトルエンを用いてクロマト
グラフィーにかけた。単離した粗!p1(の生成物(7
,0g)をr回置結晶[2(ヘキサン及びインプロパツ
ールから)、最終的に融点83.6℃の純2,3−ジシ
アノ−1−[2−()ランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)エチル〕−4−7’ロビルベンゼン2.3gを得
た。
出発物質とL2て用いた1、2−ジシアノ−3−[2−
() ランx −4−ヘンチルシクロヘキシル)85− エチル]−6−ブロビルー1.4−シクロへキサジエン
は次の如くして製造し7た: (al)ランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキ
シアルデヒド20.49を窒素下にて丸底フラスコ中の
ベンゼン5001に溶解し、ホスホラン(Ca L )
、s P = C’E(COOCt H5[He l
v、 Ch i m。
() ランx −4−ヘンチルシクロヘキシル)85− エチル]−6−ブロビルー1.4−シクロへキサジエン
は次の如くして製造し7た: (al)ランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキ
シアルデヒド20.49を窒素下にて丸底フラスコ中の
ベンゼン5001に溶解し、ホスホラン(Ca L )
、s P = C’E(COOCt H5[He l
v、 Ch i m。
Acta 40,1242(1957)] 49.5
.9で処理した。この混合物を加熱沸騰させ、窒素下に
て6時間遼汗で沸騰させ、そして−夜装置した。真空下
で汁縮後、帯黄色の半固体残渣73.2.117が得ら
れた。との残渣をシリカゲル上でトルエン/ヘキサン(
容量比1:1)を用いてクロマトグラフィーにかけ、は
とんど無色の油としてβ−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)アクリル酸エチル27.7.9を得た;
沸点104〜116℃10、07 oHJ。
.9で処理した。この混合物を加熱沸騰させ、窒素下に
て6時間遼汗で沸騰させ、そして−夜装置した。真空下
で汁縮後、帯黄色の半固体残渣73.2.117が得ら
れた。との残渣をシリカゲル上でトルエン/ヘキサン(
容量比1:1)を用いてクロマトグラフィーにかけ、は
とんど無色の油としてβ−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)アクリル酸エチル27.7.9を得た;
沸点104〜116℃10、07 oHJ。
(bl β−トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)アクリル酸エチル41.6.li+をエタノール36
8dに溶解し、パラジウム/炭素(5%)7.4.9で
処理し、室温及び常圧下で、水素の吸収が終るまで(水
素吸収0.167モル)水素添加した。この混合物に窒
素を通気し、沖過した(エタノール及び塩化メチレンで
すすいだ)。p液を真空下で濃縮し、無色の油としてβ
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)フロピオ
ン酸エチル38,4μが得られ、このものを高真空下で
蒸留した:沸点113〜121℃/ 0.05〜0.0
6 vrmH9゜(cl 無水ジエチルエーテル25
0dを窒素ガス下にてスルホン化用フラスコに入れ、注
意して水素化リチウムアルミニウム3.99で処理した
。これに無水ジエチルエーテル20C1中のβ−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)フロピオン酸エチ
ル46.99の溶液を50分以内に滴下した。次いでこ
れに更に無水ジエチルエーテル250−を加え、この混
合物を一夜攪拌した。この混合1+!/Jに水21 m
、次に10%硫酸210−を10分以内に滴下した。水
相を分離し、ジエチルエーテルで2回抽出した。合液し
た有機相を水で1回そ1−て飽和塩化ナトリウム溶液で
1回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして蒸発さ
せた。無色の油として3−(トランス−4−ぺ/チルシ
クロヘキシル)−1−−fロバノール39.2gを4*
。
)アクリル酸エチル41.6.li+をエタノール36
8dに溶解し、パラジウム/炭素(5%)7.4.9で
処理し、室温及び常圧下で、水素の吸収が終るまで(水
素吸収0.167モル)水素添加した。この混合物に窒
素を通気し、沖過した(エタノール及び塩化メチレンで
すすいだ)。p液を真空下で濃縮し、無色の油としてβ
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)フロピオ
ン酸エチル38,4μが得られ、このものを高真空下で
蒸留した:沸点113〜121℃/ 0.05〜0.0
6 vrmH9゜(cl 無水ジエチルエーテル25
0dを窒素ガス下にてスルホン化用フラスコに入れ、注
意して水素化リチウムアルミニウム3.99で処理した
。これに無水ジエチルエーテル20C1中のβ−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)フロピオン酸エチ
ル46.99の溶液を50分以内に滴下した。次いでこ
れに更に無水ジエチルエーテル250−を加え、この混
合物を一夜攪拌した。この混合1+!/Jに水21 m
、次に10%硫酸210−を10分以内に滴下した。水
相を分離し、ジエチルエーテルで2回抽出した。合液し
た有機相を水で1回そ1−て飽和塩化ナトリウム溶液で
1回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして蒸発さ
せた。無色の油として3−(トランス−4−ぺ/チルシ
クロヘキシル)−1−−fロバノール39.2gを4*
。
(d+ ピリジニウムクロロクロメート70.2.9
を窒素ガス下でスルホン化用フラスコ中の塩化メチレン
506117に懸濁させ、十分に攪拌しながら、滴下ロ
ートを通1..て5分以内に、塩化メチレン50+j中
の3−(トランス−4−ぺyチルシクロヘキシル) −
1−7’ロバノール39.2.9の溶液で処理した。滴
下ロートを塩化メチレン20II/ですすぎ、次にこの
混合物を室温及び窒素ガス下で2.5時間攪拌した。そ
の後、無水ジエチルエーテ88− ル22bs/を加え、混合物を室温で更に15分間攪拌
した。上澄液を粘性の黒色沈殿物からデカンテーション
し、スルホン化用フラスコを無水ジエチルエーテル各1
10−で4回すすいだ。合液した有機相を溶離剤として
ジエチルエーテルを用いてクロマトグラフィーにかけた
。真空下で蒸発後に得られた帯緑色油(a 4.1.9
)を窒素下にて高真空下で蒸留し、無色の結晶する油
(沸点90〜99℃10.08〜0.1喘HE )とし
て3−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)プル
ピオンアルデヒド28.1.9を得た。
を窒素ガス下でスルホン化用フラスコ中の塩化メチレン
506117に懸濁させ、十分に攪拌しながら、滴下ロ
ートを通1..て5分以内に、塩化メチレン50+j中
の3−(トランス−4−ぺyチルシクロヘキシル) −
1−7’ロバノール39.2.9の溶液で処理した。滴
下ロートを塩化メチレン20II/ですすぎ、次にこの
混合物を室温及び窒素ガス下で2.5時間攪拌した。そ
の後、無水ジエチルエーテ88− ル22bs/を加え、混合物を室温で更に15分間攪拌
した。上澄液を粘性の黒色沈殿物からデカンテーション
し、スルホン化用フラスコを無水ジエチルエーテル各1
10−で4回すすいだ。合液した有機相を溶離剤として
ジエチルエーテルを用いてクロマトグラフィーにかけた
。真空下で蒸発後に得られた帯緑色油(a 4.1.9
)を窒素下にて高真空下で蒸留し、無色の結晶する油
(沸点90〜99℃10.08〜0.1喘HE )とし
て3−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)プル
ピオンアルデヒド28.1.9を得た。
(el)ランス−2−ヘキセニル−トリフェニルホスホ
ニウムブロマイド58.2gを窒素ガス下でスルホン化
用フラスコ中の無水ジエチルエーテル219dに懸濁さ
せ、1℃に冷却し、滴下ロートを通して1〜4℃にてヘ
キサン中のブチルリチウムの1.6M溶液89.4 K
g及び無水ジエチルエーテ89− ル41 mlで25分以内に滴下処理した。滴下ロート
を無水ジエチルエーテル17IIlですすぎ、この混合
物を0℃で30分間攪拌した。次に無水ジエチルエーテ
ル68.5gg中の3〜(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)フロピオンアルデヒド28、1.9の浴液
を滴下ロートを通して3〜4℃で30分以内に滴下し、
次いで滴下ロートを炉水ジエチルエーテル17111で
すすいだ。得られた懸濁液を0℃で2時間、そして室温
で1時間攪拌し、丸底フラスコ中にジエチルエーテルに
よってすすぎ入れ、そし、て真空下で濃縮した。戟渣を
メタノール/水(容を比6:4)419*/によって分
液ロートにす−を六゛入ハ、ヘキサンで3回抽出した。
ニウムブロマイド58.2gを窒素ガス下でスルホン化
用フラスコ中の無水ジエチルエーテル219dに懸濁さ
せ、1℃に冷却し、滴下ロートを通して1〜4℃にてヘ
キサン中のブチルリチウムの1.6M溶液89.4 K
g及び無水ジエチルエーテ89− ル41 mlで25分以内に滴下処理した。滴下ロート
を無水ジエチルエーテル17IIlですすぎ、この混合
物を0℃で30分間攪拌した。次に無水ジエチルエーテ
ル68.5gg中の3〜(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)フロピオンアルデヒド28、1.9の浴液
を滴下ロートを通して3〜4℃で30分以内に滴下し、
次いで滴下ロートを炉水ジエチルエーテル17111で
すすいだ。得られた懸濁液を0℃で2時間、そして室温
で1時間攪拌し、丸底フラスコ中にジエチルエーテルに
よってすすぎ入れ、そし、て真空下で濃縮した。戟渣を
メタノール/水(容を比6:4)419*/によって分
液ロートにす−を六゛入ハ、ヘキサンで3回抽出した。
ヘキサン相をメタノール/水(容量比6:4)410
atで1回、水各250ばて2回洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、そして蒸発させた。生じた褐色油(38
,5,1をシリカゲル上で、溶離剤としてヘキサンを用
いてクロマトグラフィーにかけ、無色の油として1−(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−3,5−ト
ランス−ノナジェン(3,4−位置における二重結合に
対するシス/トランス比46:52.4)32.7.9
を得た。
atで1回、水各250ばて2回洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、そして蒸発させた。生じた褐色油(38
,5,1をシリカゲル上で、溶離剤としてヘキサンを用
いてクロマトグラフィーにかけ、無色の油として1−(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−3,5−ト
ランス−ノナジェン(3,4−位置における二重結合に
対するシス/トランス比46:52.4)32.7.9
を得た。
(fl 丸底フラスコ中のテトラヒドロフラン62d
K1−():7ンスー4−ペンチルシクロヘ−’l/ル
)−3,5−)ランス−ノナジェン9.5gを溶解し、
ヒドロキノン1419で処理した。次にテトラヒドロフ
ラン18d中のジシアノアセチレン3.2gの溶液をピ
ペットによって加え、ピペットをテトラヒドロフラン各
9 mlで2回すすいだ。この混合物を情素下にて室温
で2.5時間、次に40〜45℃(浴温)で−夜攪拌し
た。その後、暗褐色溶液を真空下で濃縮した。生じた暗
褐色油(10,9g)をシリカゲル上でヘキサ/、ヘキ
サン/トルエン(容量比1:1)及びトルエンな用いて
クロマトグラフィーにかけ、無色の油として未反応の3
−シス、5−トランス−ジエン4.2g及びやや帯黄色
油として1,2−ジシアノ−3−C2−()ランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)エチル〕6−7’CIビル
−1,4−シクロヘキサジエン7.4gを得た。
K1−():7ンスー4−ペンチルシクロヘ−’l/ル
)−3,5−)ランス−ノナジェン9.5gを溶解し、
ヒドロキノン1419で処理した。次にテトラヒドロフ
ラン18d中のジシアノアセチレン3.2gの溶液をピ
ペットによって加え、ピペットをテトラヒドロフラン各
9 mlで2回すすいだ。この混合物を情素下にて室温
で2.5時間、次に40〜45℃(浴温)で−夜攪拌し
た。その後、暗褐色溶液を真空下で濃縮した。生じた暗
褐色油(10,9g)をシリカゲル上でヘキサ/、ヘキ
サン/トルエン(容量比1:1)及びトルエンな用いて
クロマトグラフィーにかけ、無色の油として未反応の3
−シス、5−トランス−ジエン4.2g及びやや帯黄色
油として1,2−ジシアノ−3−C2−()ランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)エチル〕6−7’CIビル
−1,4−シクロヘキサジエン7.4gを得た。
上記1m(e>K用いたトランス−2−ヘキセニル−ト
リフェニルホスホニウムブロマイドは次の如くして製造
しまた: (gl 乾W、二酸化炭素をスルホン化用フラスコ中
の石油エーテル253 ml中のトランス−2−ヘキセ
ン−1−オール84.39の溶液に導入し、次に溶液を
一15℃に冷却し1、この温度で1時間以内に、石油エ
ーテル253−中の三臭化リン155゜8gの溶液で滴
下処理し、た。混合物を攪拌し、温度を一15℃にyに
2時間保持し、5時間以内に0℃に上昇させ、そして室
温で一夜保持した。次92− に混合物を氷水1tに注りだ。水相を分離し、石油エー
テル各250mで3回抽出した。合液した有彬相を順次
飽和塩化ナトIJウム溶液250yrl。
リフェニルホスホニウムブロマイドは次の如くして製造
しまた: (gl 乾W、二酸化炭素をスルホン化用フラスコ中
の石油エーテル253 ml中のトランス−2−ヘキセ
ン−1−オール84.39の溶液に導入し、次に溶液を
一15℃に冷却し1、この温度で1時間以内に、石油エ
ーテル253−中の三臭化リン155゜8gの溶液で滴
下処理し、た。混合物を攪拌し、温度を一15℃にyに
2時間保持し、5時間以内に0℃に上昇させ、そして室
温で一夜保持した。次92− に混合物を氷水1tに注りだ。水相を分離し、石油エー
テル各250mで3回抽出した。合液した有彬相を順次
飽和塩化ナトIJウム溶液250yrl。
飽和炭素水素ナトリウム溶液2501及び飽和塩化ナト
リウム溶液2501jで洗浄[1、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、濾過し、そして濃縮した。残渣として帯黄色の
油状で1−ブロモー2−ヘキセン134.6.17を得
六〇 (hl)IJフェニルホスフィン2001エルレンマイ
ヤーフラスコ中のベンゼン1tに溶解[7,1−ブロモ
−2−ヘキセン134.6.9で処理した。
リウム溶液2501jで洗浄[1、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、濾過し、そして濃縮した。残渣として帯黄色の
油状で1−ブロモー2−ヘキセン134.6.17を得
六〇 (hl)IJフェニルホスフィン2001エルレンマイ
ヤーフラスコ中のベンゼン1tに溶解[7,1−ブロモ
−2−ヘキセン134.6.9で処理した。
数分後に生成物が結晶し、始めた。混合物を室温で更に
2日間放W〒lまた。次に沈殿物を吸引戸別し、ベンゼ
ン及び石油エーテルで洗浄し、水酸化カリウム上で真空
下にて乾燥し、た。生じた粗1−1!の生成物(292
,17)をエタノールから再結晶させ、ジエチルエーテ
ルと共に沸騰させ、吸引戸別し、93− 水酸化カリウム上で真空下V(て乾燥し、次に粉砕し、
再び五酸化リン上で高真空下にて乾燥した。
2日間放W〒lまた。次に沈殿物を吸引戸別し、ベンゼ
ン及び石油エーテルで洗浄し、水酸化カリウム上で真空
下にて乾燥し、た。生じた粗1−1!の生成物(292
,17)をエタノールから再結晶させ、ジエチルエーテ
ルと共に沸騰させ、吸引戸別し、93− 水酸化カリウム上で真空下V(て乾燥し、次に粉砕し、
再び五酸化リン上で高真空下にて乾燥した。
カ〈(、て輿「・色の粉末としてトランス−2−ヘキセ
ニル−トリフェニルホスホニウムブロマイド209、9
gを得た;融点146℃。母液の処理によシ、!4−
に生成物74.7.9を得/−0同様の方法で次の化合
物をtl造しfr、:2.3−ジシアノ−4−プロピル
−4′−ペンチルビフェニル;P!’点61.4℃:2
/、3/−ジシアノ−4−ペンチル−4“−プロピル−
p−ターフェニル;融点134.9℃。
ニル−トリフェニルホスホニウムブロマイド209、9
gを得た;融点146℃。母液の処理によシ、!4−
に生成物74.7.9を得/−0同様の方法で次の化合
物をtl造しfr、:2.3−ジシアノ−4−プロピル
−4′−ペンチルビフェニル;P!’点61.4℃:2
/、3/−ジシアノ−4−ペンチル−4“−プロピル−
p−ターフェニル;融点134.9℃。
同様の方法で次の化合W・lをf、lj造しまた:2.
3−ジシアノ−1−r 2−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)エチル]−4−7”チルベンゼン;融
点71.8℃: 2.3−ジシアノ−1−C2−(トランス−4−フロビ
ルシクロヘキシル)エチル)−4−ヘキシルベンゼン:
融点67.6℃; 2.3−ジシアノ−1−[2−Cp−ペンチルフェニル
)エチル]−4−7’ロビルベンゼン;融点75.7℃
。
3−ジシアノ−1−r 2−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)エチル]−4−7”チルベンゼン;融
点71.8℃: 2.3−ジシアノ−1−C2−(トランス−4−フロビ
ルシクロヘキシル)エチル)−4−ヘキシルベンゼン:
融点67.6℃; 2.3−ジシアノ−1−[2−Cp−ペンチルフェニル
)エチル]−4−7’ロビルベンゼン;融点75.7℃
。
特許出願人 エフ・ホフマン・う・ロシュ・ラント・コ
ンパニー・アクチェ ンゲゼルシャフト
ンパニー・アクチェ ンゲゼルシャフト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 式中、R1及びR2は直鎖状のCI−01!−アルキル
もしくはまた芳香族頂上の直鎖状のC1〜CI!−アル
コキシを表わすか、またはR1及びR1′の一つはまた
一般式 の基を表わし;Xl及びX”ld単一の共有結合を表わ
すか、またはxl及びX″の一つけまたエチレン基−C
I(、C’fXt−を表わし; 環A1及びA!は1,
4−フェニレンまたは、XlもしくはX″がエチレン基
−CHI CHt −を表わす場合に社、またトランス
−1,4−シクロヘキシレンを表わし;そしてR1は直
鎖状のC3〜C8,−アルキルまたは芳香族fiA”上
の直鎖状のC1〜Ctt−アルコキシを表わす、 の化合物。 2、R’及びRtが直鎖状のC1〜C5t−アルキルま
たは芳香族頂上の直鎖状のC3〜CI!−アルコキシを
表わす特許請求の範囲第1項記載の化合物。 3、 X’がエチレン基−CHt CHt−を表わし
、ソシてljA’が)ランス−4−シクロヘキシレンを
表わす特許請求の範囲第2項記載の化合物。 4、 R’% R”及びR8の少なくとも一つが直鎖
状の01〜C1t−アルキルを表わす特許請求の範囲第
1〜3項のいずれかに記載の化合物。 5、R’及びR2が直鎖状のCI”C12−アルキルを
表わすか、またはR1及びR2の一つが弐■の基を表わ
し、そしてHaが直鎖状のC1〜CWt−アルキルを表
わす特許請求の範囲第4項記載の化合物。 6、R’及びR2が直鎖状のC1〜Cl2−アルキルを
表わす特許請求の範囲第5項記載の化合物。 7、R′及びR″が直鎖状のC1〜Ctt−アルキルを
表わし、Xlがエチレン基−CH,CH,−を表わし1
、そして3JlAI がトランス−1,4−シクロヘキ
シレンを表わす特許請求の範囲第6項記載の化合物。 8、R1及びR2が直鎖状のC2〜C1−アルキルもし
くは芳香族環上の直鎖状のC7〜C6−アルコキシを表
わすか、またはR1及びR2の一つが式■の基を表わし
、そしてR3が直鎖状のC3〜C1−アルキルまたは芳
香族3J A2上の直鎖状のC1〜C6−アルコキシを
表わす特許請求の範囲第1〜7項のいずれかに記載の化
合物。 9.2.3−ジシアノ−1−[2−()ランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)エチル)−4−プロピルベンゼ
ンである特許請求の範囲第1項記載の化合物。 10.2.3−ジシアノ−1−(2−()ランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)エチル〕−4−ブチルベンゼ
ンである特許請求の範囲第1項記載の化合物。 11、1種またはそれ以上の特許請求の範囲第1項に定
義した式■の化合物及び1種またはそれ以上の追加の液
晶物質を含む液晶混合物。 12、多くとも+1の誘電異方性を有する液晶担体物質
及び1種またはそれ以上の特許請求の範囲第1項記載の
式Iの化合物からなる液晶混合物。 13、液晶混合物であって、該混合物が3成分A1B及
びCからなシ、その各々は1種またはそれ以上の化合物
を含み、成分Aは多くとも40cpの粘度、少なくとも
40℃の透明点及び−2乃至+1間の誘電異方性を有し
、成分Bは一2以下の誘電異方性を有し且つ少なくとも
1sの特許請求の範囲第1項記載の弐■の化合物を含み
、そして成分Cは+10以上の誘電異方性、少なくとも
100℃の透明点及び20℃で多くとも15KHzの全
混合物における交す周波数を有する特許請求の範囲第1
1項記載の液晶混合物。 14、特許請求の範囲第1項に定義した式■の化合物を
製造するにあたシ、 (a) R’が直鎖状めC,%C,!−アルキルまた
は式■の基を表わす式■の化合物を製造するために、一
般式 式中、R″は直鎖状のC1〜CI!−アルキルまたは式
■の基を表わし、そしてR1、Xl及び]!A”は特許
請求の範囲第1項記載の意味を有する、 の化合物を酸化するか、 (b) R”が直鎖状のC1〜Cl2−アルキルまた
は式■の基を表わす弐■の化合物を製造するために、一
般式 式中、R2は直鎖状のC3〜Ctt−アルキルま苑は式
■の基を表わし、そしてHl、 X 16− 及び猿A1は特許請求の範囲第1項記載の意味を有する
、 の化合物からシアン化水素を開裂させるか、或いは (cl R”が直鎖状のC1〜Cwt−アルコキシを
表わす式■の化合物を製′造するために、一般式式中、
R1は直鎖状のC,−C,□−アルコキシを表わし、そ
してR1、Xl及び3J AIは特許請求の範囲第1項
記載の意味を有する、の化合物をジシアノアセチレンと
反応させ、次いでエチレンを開裂させる ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合物の
l!J造方決方 法5、電子−光学的(electro−optical
)目的における特許請求の範囲第1項に定義した式■の
化合物の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH612482 | 1982-10-21 | ||
CH6124/821 | 1982-10-21 | ||
CH4144/834 | 1983-07-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5989652A true JPS5989652A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=4304659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58193566A Pending JPS5989652A (ja) | 1982-10-21 | 1983-10-18 | ジシアノ化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5989652A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60199840A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-10-09 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | ネマチツク化合物 |
JPH08103103A (ja) * | 1995-06-29 | 1996-04-23 | Mitsubishi Agricult Mach Co Ltd | 圃場作業機における作業部の制御操作部配置構造 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58121225A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-07-19 | メルク・パテント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | ネマチツク相を有する異方性化合物及び該化合物を含有する液晶混合物 |
JPS58146544A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-01 | Hitachi Ltd | フタロニトリル誘導体およびそれを含有する液晶組成物 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58193566A patent/JPS5989652A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58121225A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-07-19 | メルク・パテント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | ネマチツク相を有する異方性化合物及び該化合物を含有する液晶混合物 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH08103103A (ja) * | 1995-06-29 | 1996-04-23 | Mitsubishi Agricult Mach Co Ltd | 圃場作業機における作業部の制御操作部配置構造 |
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